【課題】 光吸収層を構成する粒子の粒成長を促進することができる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層溶液を、前記第１電極層２上に塗布することにより光吸収塗布膜を形成する工程と、光吸収塗布膜を還元雰囲気で熱処理することによりＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層３を形成する工程と、光吸収層３上にＳｅを含有するＳｅ含有膜を形成する工程と、Ｓｅ含有膜を還元雰囲気で熱処理してＳｅを光吸収層３に拡散させる工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層におけるクラックの発生を抑制できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を２００℃から４００℃まで６０℃／分以上の昇温速度で昇温して加熱する急速昇温工程と、該急速昇温工程の最高温度よりも高い温度で熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む光吸収層３を第１電極層２上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 単一前駆体を用いて光吸収層の組成を制御できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が溶解した有機溶媒に、ＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種のセレン化物粉末または硫化物粉末を添加し溶解または混合した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布した後、熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層３を形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層と第１電極層との接合強度を向上できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を酸素濃度が２０〜１５０ｐｐｍの不活性ガス雰囲気中で熱処理することにより単一前駆体を有機成分と金属成分に熱分解し、有機成分を除去する熱分解工程と、熱分解工程の熱処理温度よりも高い温度で熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む光吸収層３を第１電極層２上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子ドナー部位及び電子アクセプター部位としてのフラーレンを同一分子内に有する分子を用いた、光電導性を調整することができる新規なナノサイズ構造体、及びそれを用いた光電導性材料を提供する。
【解決手段】本発明は、金属を内包していてもよいフラーレンを有する基を分子中に有するヘキサペリヘキサベンゾコロネン誘導体、及び金属を内包していてもよいフラーレンを有する基を有していないヘキサペリヘキサベンゾコロネン誘導体を含有してなる自己組織化ナノサイズ構造体、並びに前記ナノサイズ構造体を用いた光検出素子、光スイッチング素子、及び光応答性電荷輸送素子などの各種の光関連素子に関する。 （もっと読む）

【課題】電極層を介さず太陽光を空乏層あるいは真性層に導く構成を採用するとともに、これを安価なガラス基板等で実現する。
【解決手段】透明非晶質基板上に真性の半導体層を形成させ、半導体層表面に仕事関数の異なる材料を接合させる。また、異なる材料は、不純物を拡散させたｐ型とｎ型の導電型の拡散層であり、互いに隣接または隔離して形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板を搭載する搬送テーブルを搬送する機構等に機械的誤差が生じていたとしても、その誤差を補正して、インクの着弾精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】基板１を搭載した搬送テーブル２０を間欠送りしている間に、スペーサビーズを含むインクを下方に向けて噴射するノズルを複数配列したインクジェットヘッド２５から、前記間欠送りのタイミングに合わせてインクを噴射する液体散布装置であって、インクジェットヘッド２５に対して搬送テーブル２０を相対移動させるリニアモータ手段２１と、リニアモータ手段２１の固定子２１ＦやＸ軸ガイド２２等の機械的誤差に基づくずれを、サンプリング処理を行った基板の画像に対して画像処理を行って検出し、検出したずれを記憶する記憶部４２と、検出して記憶したずれを補正するテーブル調整機構３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高い有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、該電極間に機能層を有し、該機能層が式（１ａ）で表される繰り返し単位及び／又は式（１ｂ）で表される繰り返し単位と、式（２）で表される繰り返し単位とを含む重合体を有する有機光電変換素子。


（式（１ａ）及び（１ｂ）中、Ｒは、アルキル基、アルコキシ基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。複数個あるＲは、同一でも相異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、低コストで製造できる太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１と透光性電極４との間に、ｎ型半導体層２と、ｐ型半導体層３と、を有する太陽電池３１であって、前記ｎ型半導体層２がｎ型ＧａＮ微粒子またはｎ型ＩｎＧａＮ系微粒子のいずれかからなり、前記ｐ型半導体層３がｐ型ＧａＮ微粒子またはｐ型ＩｎＧａＮ系微粒子のいずれかからなり、前記微粒子の平均粒径がいずれも１〜１００ｎｍであることを特徴とする太陽電池３１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体材料を用いて作られた従来の太陽電池と経済的に少なくとも同じ程度に魅力的な代替の太陽電池を提供できるようにする。
【解決手段】 この太陽電池は、光を吸収し、その中に電子−正孔対を生み出すことができる、有機材料、特にポリマー材料でできた光起電層（Ａ）を有する。この太陽電池はさらに、互いに反対側にある２つの層表面を有し、その一方は、光起電層（Ａ）の中で作られた正孔を受け取る少なくとも１つの層（ｐ）に接続されており、もう一方は、光起電層（Ａ）の中で生み出された電子を受け取る少なくとも１つの層（ｎ）に接続されている。この太陽電池はさらに、電極領域ＥｎおよびＥｐを含む。電極領域（Ｅｐ）は正孔を受け取る層（ｐ）と電気的に接触しており、他方の電極領域（Ｅｎ）は、電子を受け取る層（ｎ）と電気的に接触している。本発明は特に、表面基板（Ｓ）が、表側から裏側まで貫通して側方へ突き出した開口構造（０）を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極幅の大きく異なるグリッド電極とバス電極とを安価且つ簡単なプロセスにより断線を防止して形成可能な、変換効率に優れた太陽電池素子およびその製造方法を得ること。
【解決手段】スクリーン印刷法を用いた多層印刷により形成されたバス電極４とこのバス電極４の電極幅より狭い電極幅のグリッド電極７とを基板の受光面側に有する太陽電池素子であって、前記バス電極４と前記グリッド電極７とを接続し、前記バス電極４の長手方向における幅が前記バス電極４の電極幅より狭く且つ前記グリッド電極７の電極幅よりも広い領域を有する電極接続部９を備える。 （もっと読む）

【課題】金属基板上に絶縁層が設けられた太陽電池用基板であって、絶縁性に優れ、かつ、該絶縁層とその上に形成される層との密着性に優れ、フレキシブルな太陽電池用基板、並びにこれを用いた好適な耐電圧特性を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】金属基板上に、陽極酸化により複数の細孔を有する第一の絶縁性酸化膜を形成し、前記細孔の部分に第二の絶縁性の膜を形成し封孔率５〜８０％で封孔することにより得られる太陽電池用基板。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型薄膜太陽電池のバッファ層成膜において、大型基板に対応し、原料溶液使用量の低減化、膜厚均一性に優れた高品質なバッファ層を得る方法を提供する。
【解決手段】Ｉ、ＩＩＩおよびＶＩ族元素を含むｐ型光吸収層が形成された裏面電極層を形成した基板を支持し加熱するヒータ内蔵サセプタと、このサセプタを付加的に加熱する加熱手段と、還元薬品と原料薬品を混合して薬液導入ノズルに送る薬液混合手段と、基板に混合薬液を滴下する薬液導入ノズルと、滴下された混合薬液を保持する反応槽とを有する太陽電池の製造装置。また、基板に形成された裏面電極層の少なくともＩ、ＩＩＩおよびＶＩ族元素を含むｐ型光吸収層形成工程と、光吸収層上のｎ型バッファ層形成工程と、バッファ層上の透明電極層形成工程とを有し、バッファ層形成工程は、加熱された基板上に混合薬液を滴下して保持し、さらに薬液を間欠供給する太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機電子デバイス（特に有機トランジスタ，有機光電変換素子）の作製に適した化合物、ｎ型有機半導体材料、溶液および分散液を提供する。
【解決手段】下記一般式で表されるフタロシアニン化合物からなるｎ型有機半導体材料、該化合物の合成方法、溶液または分散液、薄膜、有機電子デバイス。


（Ｑは電子求引性基が結合した芳香族炭化水素、又は電子欠乏性の芳香族へテロ環を表す。Ｍは金属原子を表す。Ｒは炭素数１〜３０の置換基を表し、ｎは１又は２である。） （もっと読む）

【課題】 安定した高い光電変換効率が得られる光電変換装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１０と、該導電性基板１０の一主面に多数個接合され、表層に第２導電型の半導体部２を有し、かつ表面が複数の凸部１ａを有する凹凸構造を成した第１導電型の半導体部を有する結晶半導体粒子１と、第２導電型の半導体部２と部分的に接続された透光性導電層６と、を備え、結晶半導体粒子１は、凸部１ａが透光性導電層６と接続されており、透光性導電層６との非接続部位における第２導電型半導体部２上に、保護膜３を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、転写法により従来よりも厚みが大きい導電層を備え、光電変換効率の高い酸化物半導体電極を作製することが可能な、酸化物半導体電極用積層体を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、 耐熱性を有する耐熱基板と、上記耐熱基板上に形成され、金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層と、上記多孔質層の表面上にパターン状に形成された導電層と、上記導電層を覆うように上記多孔質層の導電層が形成された表面と同一の表面上に形成され、金属酸化物からなる第１電極層と、を有することを特徴とする酸化物半導体電極用積層体を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第１不純物半導体層、第１電極を形成する。第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１単結晶半導体層を形成する。第１単結晶半導体層の分離面上に非晶質半導体層を形成し、熱処理を行い、非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層を形成する。第２単結晶半導体層上に、第１不純物半導体層とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、第２不純物半導体層上に第２電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い発電効率を実現する太陽電池などの光電池を提供することである。
【解決手段】光電池は、透明電極層２と、透明電極層２に対向して配置され、透明電極層２から入射する光のうちの少なくとも一部を透明電極層２側に反射する反射電極層３と、透明電極層２および反射電極層３の間に配置される活性層４とを含んで構成される。反射電極層３の表面のうちの、透明電極層２側の表面を第１の反射面７とし、活性層４に対して反射電極層３側とは反対側に設けられる層の表面のうちで、活性層４側から透明電極層２側に向かう光に対する反射率が最も高い表面を第２の反射面８としたときに、第１の反射面７と第２の反射面８との間の各層が積層される積層方向の距離が、入射する光が共振する長さに設定される。 （もっと読む）

【課題】積層型の光電変換装置において、上層ユニットセルと下層ユニットセルの間に金属薄膜若しくはシリサイド膜等を形成するためには、その薄膜を形成する工程が余計に必要になる。そのため、光電変換装置の生産性が低下するといった問題がある。
【解決手段】厚さが１０μｍ以下の単結晶半導体層を光電変換層に含む第１ユニットセルと、該第１ユニットセル上に設けられた非単結晶半導体層を光電変換層に含む第２ユニットセルを少なくとも有し、該ユニットセル間に金属クラスターを分散させる。導電性クラスターは、下層ユニットセルと上層ユニットセルの間にあってオーム接触を形成するので、両ユニットセル間にオーミック電流を流す。導電性クラスターは、分散配置されることにより、上層ユニットセルから下層ユニットセルへ入射する光の損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】 禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体を光吸収層とする変換効率の高い太陽電池、及び、その製造方法を提供すること。
【解決手段】p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。 （もっと読む）