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Fターム[5F051CB11]の内容

光起電力装置 (50,037) | アモルファス以外の製造法 (5,187) | 薄膜形成 (1,951)

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【課題】金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれかを一方を含有材料の融液から直接基板の主面上に作製されるシートの厚さの分布を低減する。
【解決手段】本シート製造方法は、一方の主面100mに複数の凸部100pを有する基板の主面100mを金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する材料の融液に接触させ、材料の固相を主面100m上で凸部100pを起点として成長させることにより、材料を主成分とするシートを得るシート製造方法であって、基板100の一部分の凸部101pの熱抵抗値が基板100の他の部分の凸部104pの熱抵抗値に比べて大きいことを特徴とする (もっと読む)


【課題】p−n接合を含むシリコン基材を含む光起電力素子を製造するための方法を提供する。
【解決手段】有機シラン、アミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択される前駆体を含む組成物を化学気相成長させることにより、シリコン基材の少なくとも一方の表面上に非晶質炭化ケイ素の反射防止コーティングを形成する工程を含み、該非晶質炭化ケイ素の反射防止コーティングが、式Sivxuyzによって表される膜であって、式中、v+x+u+y+z=100%、vが1〜35原子%、xが5〜80原子%、uが0〜50原子%、yが10〜50原子%、及びzが0〜15原子%である、p−n接合を含むシリコン基材を含む光起電力素子を製造するための方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、漏れ電流を抑えつつ光電変換効率を向上する安定した光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の光電変換素子は、光透過性の基板上に形成された透明導電体層と、該透明導電体層の表面を覆う有機半導体層Aと、該有機半導体層と接する光電変換層と、該光電変換層と接する有機半導体層Bと、該有機半導体層Bと接する対極とを有する光電変換素子において、有機半導体層Aと光電変換層の界面に凹凸構造を有する光電変換素子としたことを特徴とする。また、有機半導体層Aと光電変換層の界面に凹凸構造を形成し、透明導電層と有機半導体層Aとの界面に対して、有機半導体層Aと光電変換層との界面が1.5〜10倍の比表面積を有する光電変換素子としたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ナノ結晶集積TiO、その作製方法及びアナターゼTiO系デバイス製品を提供する。
【解決手段】酸化チタン結晶を析出する溶液反応系で析出させたナノ結晶集積TiOであって、ナノ結晶は、アナターゼTiO単相からなり、粒子中心から外方にc軸に沿って成長した針状結晶を有し、針状結晶の先端部分においても、アナターゼTiO単相より構成されており、表面にアナターゼTiO結晶が露出している構造を有する、ことからなるナノ結晶集積TiO、基板上乃至溶液中に析出させたナノ結晶集積TiOを製造する方法であって、酸化チタン結晶を析出する溶液反応系を用いて基板上乃至溶液中に針状TiOナノ結晶を液相で形成させ、その際に、反応初期において特異的に実現する薄白色溶液中でのナノ結晶成長条件を利用し、生成した針状TiOナノ結晶を集積化する、ことからなるナノ結晶集積TiOの製造方法、及びそのデバイス製品。 (もっと読む)


【課題】有機膜を構成要素とし、高効率・高出力で発電する光電変換素子、その製造方法、及び太陽電池を提供する。
【解決手段】照射光を吸収して励起した電子を界面で接する電子輸送相(22)に注入する第1光吸収相(21)と電子輸送相(22)とが混在する混合膜(20)と、混合膜(20)を間に配置して相互に対向して設けられる正極層(11)及び負極層(12)とを、備える光電変換素子において、照射光を吸収して励起した電子を界面で接する混合膜(20)に注入するとともに膜厚が0.1nmから100nmの範囲で正極層(11)の側に設けられる第2光吸収薄膜(30)を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】真空プロセスおよび溶液プロセスのいずれによっても成膜可能で、キャリア輸送性が高く、赤外領域において光吸収および高い光電変換特性を示す有機半導体材料、およびこれを用いた電子デバイス(特に有機トランジスタ、有機光電変換素子)を提供する。
【解決手段】下記に示す特定の構造を有するナフタロシアニン誘導体からなる有機半導体材料、およびこれを用いた膜、電子デバイス、有機トランジスタ、有機光電変換素子。
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【課題】
中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有するタンデム型薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
中間層と接続溝の間に隙間を設け、かつ、該隙間と透明電極層に設置の分離溝が、透明基板の面の法線方向から見たそれらの投影の一部分あるいは全部分が重ね合わせられる位置関係に配置され、かつ、該中間層と接続溝の間の隙間は結晶質シリコン膜で埋め込まれるという構造を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、硫化カドミウム膜をバッファ層とするCIGSSe太陽電池及びその作製方法において、アンモニア水の添加を必要としない硫化カドミウム膜を得るCIGSSe太陽電池の作製方法及びCIGSSe太陽電池を提供することを課題とする。
【解決手段】 カドミウム源として酢酸カドミウムを、硫黄源としてチオアセトアミド(CH3CSNH2)を用いた水溶液による硫化カドミウム膜をバッファ層とする工程を含むCIGSSe(CuIn1-xGaxSySe2-y)太陽電池の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】絶縁耐圧性と耐候性に優れた薄膜太陽電池を簡便かつ低コストで製造することを可能し得る薄膜太陽電池用基板を提供する。
【解決手段】薄膜太陽電池用基板は、透光性絶縁支持体(1)の一主面上においてその全周縁エッジから所定幅の内側までの全周縁領域以外の全領域に形成された透光性絶縁下地層(2)を含み、その透光性絶縁下地層は表面凹凸を有し、透光性絶縁支持体の全周縁領域と透光性絶縁下地層とを覆うように形成された透明電極層(3)をさらに含み、その透明電極層は主要成分として酸化亜鉛を含むことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】変換効率を向上することができる全固体色素増感太陽電池および全固体色素増感太陽電池の製造方法を提供すること。
【解決手段】全固体色素増感太陽電池1は、透明導電層22が形成された透明基板2と、透明基板2に積層され、色素で増感されたポーラス半導体41により構成される多孔質層4と、多孔質層4に積層され、固体電解質(高分子E2)により構成される固体電解質層5と、固体電解質層5に積層される対向電極6と、を備える。多孔質層4に形成される空孔42には、固体電解質(固体導電性化合物E1および高分子E2)が充填されている。 (もっと読む)


【課題】低コストでシリコン太陽電池を製造するためのシリコン微粒子とその製造方法、およびそれらを用いた太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池10において、反応性基を有する膜化合物の形成する被膜3で表面が覆われたp型シリコン微粒子14が積層されてなるp型シリコン微粒子層と、膜化合物の形成する被膜で表面が覆われたn型シリコン微粒子15が積層されてなるn型シリコン微粒子層とが、透明電極11と裏面電極17との間に積層形成されており、p型シリコン微粒子層とn型シリコン微粒子層は、反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤16の架橋反応基との架橋反応により硬化している。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜が設けられた透明基板、及び増感色素が担持された多孔性半導体層からなる光電極であって、多孔性半導体層を構成する酸化物半導体と化学結合して優れたエネルギー変換効率を与えるとともに、この化学結合の際に水等の副生成物を発生しない増感色素を用いた光電極、その製造方法、及びこの光電極を用いた光電変換デバイスを提供する。
【解決手段】多孔性半導体層が、分子内に−Si−Si−結合を有しかつ400〜1500nmの範囲内に吸収を有するポリ(ジシラニレンオリゴチエニレン)色素化合物を、多孔性の酸化物半導体層に担持させたものである。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子において、熱処理工程を追加することなく、また基板強度を低下させることもなく、受光面電極層の下部に高濃度拡散層を形成する。
【解決手段】光電変換素子は、主表面を有する半導体基板1と、上記主表面1aに配置された電極層4と、主表面1aの一部に設けられた多孔質層10とを備え、半導体基板1のうち主表面1aの近傍には不純物が拡散された拡散層3が形成されている。電極層4と多孔質層10とは接している。主表面1aを基準に見たときの多孔質層10の上面の平均高さによって規定される多孔質層基準面10bは、主表面1aの平均高さによって規定される主表面基準面1bと同じ高さであるかまたはより高い位置にある。 (もっと読む)


【課題】本発明は、十分な量の色素を吸着し、なおかつ金属酸化物層内での高い電化輸送効率を得ることができる色素増感型太陽電池用電極を提供する。
【解決手段】透明導電層を有する透明基材および透明導電層のうえに積層された多孔質半導体層からなり、多孔質半導体層は、平均繊維径50〜1000nmかつ繊維長/繊維径5以上の繊維状金属酸化物を多孔質半導体層全重量の10重量%以上含有し、平均粒径2〜500nmの金属酸化物微粒子を多孔質半導体層全重量の15重量%以上含有し、さらに、多孔質半導体層は、X線回折における結晶相の強度比(ルチル相/アナターゼ相)が0.0〜0.25であり、アナターゼ相の結晶子サイズが10〜300nmであることを特徴とする、色素増感型太陽電池用電極。 (もっと読む)


光電子デバイスおよび感光性光電子デバイスの製造方法であって、第1電極上に第1有機半導体材料を堆積し、突起を有する連続する第1層を形成する工程、ここで第1電極と反対側の第1層は下になる横方向の断面積よりも少なくとも3倍大きい表面積を有し;第1層上に第2有機半導体材料を直接堆積し、第1層の一部は露出したまま、不連続の第2層を形成する工程;第2層上に第3有機半導体材料を直接堆積し、少なくとも第2層の一部は露出したまま、不連続の第3層を形成する工程;第3層上に第4有機半導体材料を堆積し、第1層、第2層および第3層中の露出した亀裂および窪みを充填し、連続する第4層を形成する工程;および、第4層上に第2電極を堆積する工程、ここで、少なくとも第1電極および第2電極の一方は透明であり、もう一方の物質型である第2および第4有機半導体材料に対して、第1および第3有機半導体材料は共にドナー型またはアクセプター型である。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛およびテンプレート剤を含む光電層を形成することにより製造される色素増感型太陽電池の製造コストを削減するとともに製造に要する時間を短縮する。
【解決手段】メッキシステム1の導電層形成部3では、ロール90から連続的に引き出される樹脂フィルム9の各部位に無電解メッキ槽32内にて無電解メッキを施し、続いて、電解メッキ槽34内にて電解メッキを施すことにより、当該部位上に酸化亜鉛を含む透明導電層が形成される。その後、導電層形成部3から連続的に排出される当該部位に対して光電層形成部にて電解メッキを施すことにより、酸化亜鉛およびテンプレート剤を含む光電層が形成され、処理後の樹脂フィルム9はロール状に巻き取られる。これにより、酸化亜鉛およびテンプレート剤を含む光電層を形成することにより製造される色素増感型太陽電池の製造コストを削減するとともに製造に要する時間を短縮することができる。 (もっと読む)


【課題】孔の部分に光電変換素子を装着した支持体、その裏面に電気絶縁層を介して接合した導電体層を具備する光電変換装置における第1半導体と導電体層との電気的な接続方法と関連して、その導電路となる電気絶縁層の孔を形成方法を改良し、同装置の信頼性を高め、かつ製造工程を合理化する。
【解決手段】支持体の裏面側の第1半導体の露出部もしくは該露出部上の導電層に、銀、銅、ニッケル、および金からなる群より選ばれた少なくとも一種の金属を含む導電性ペーストの塗布層を形成した後、前記塗布層を下地として、支持体の裏面に接合された電気絶縁層にレーザを照射することにより導電路を形成する。 (もっと読む)


【課題】フレキシブルで、各種基板と一体化できる結晶性にすぐれたシリコン等の薄膜半導体を安価に製造することができ、これにより太陽電池を安価に製造することができるようにする。
【解決手段】半導体基体の表面を陽極酸化することにより多孔質度が異なる2層以上の層から構成される多孔質層12を形成し、多孔質層12の表面に太陽電池などの半導体膜13を成膜し、この半導体膜13を、多孔質層12を介して半導体基体から剥離する。陽極酸化する工程は、通電量の選定と、連続通電か間欠通電かの選定とにより、多孔質の異なる多孔質層のうち、比較的低多孔率の低多孔率層に対して、比較的高多孔率の高多孔率層の形成位置を制御する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、しかも、製造が容易な太陽電池と、その製造方法を提供する。
【解決手段】Ge基板の表面に、複数のpn接合を含むエピタキシャル層が形成される。そのエピタキシャル層上に表面電極5a,5bが形成される。次に、所定のメサエッチングを施すことによって、太陽電池セル本体となるエピタキシャル層3aと、バイパスダイオードとなるエピタキシャル層3bが残される。次に、支持基板を接着してGe基板が除去された後に裏面電極15が形成されて支持基板が取外される。裏面電極15のうち、バイパスダイオード9の裏面電極15bを、太陽電池セル本体7の裏面電極15aに対して折り曲げることにより、裏面電極15bが裏面電極15aに重ね合わせられて、バイパスダイオード9が太陽電池セル本体7の裏側に配設された化合物太陽電池10が製造される。 (もっと読む)


【課題】高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層が、(A)式Siで表されるポリシラン化合物 並びに(B)シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および/または光処理する工程を含む形成方法により形成されていることを特徴とする、太陽電池の製造方法により達成される。 (もっと読む)


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