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Fターム[5F051EA11]の内容

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Fターム[5F051EA11]に分類される特許

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【課題】 衝突流体によるシリコンシートの形成が開示される。
【解決手段】 結晶体を形成するための技術が概して開示される。結晶体を形成するための例示的システム、装置、または方法は、溶融結晶材料を収容するためのるつぼと、端部に種を収容するための支持体であって溶融結晶から種結晶を引き上げる引張り方向の並進移動軸に沿って移動可能であることにより成長経路に沿って結晶体の成長を開始させる支持体と、を含むことができる。別の例は、流体源に結合されるように構成された1つまたは複数のノズルであって、溶融結晶が成長経路に沿って引張り方向に引き上げられるにつれて結晶体を成形するための成長経路に対し相対的に配置された複数のノズルを含むことができる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の特性の低下を安定して抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第1導電型または第2導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】スクライブ工程で生じる静電気を効率よく除去することができ、優れた収率で集積型薄膜太陽電池を製造することができる集積型薄膜太陽電池の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法は、基板上の薄膜に溝を形成するスクライブ工程が、静電気中和手段により行う静電気除去処理を少なくとも含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】集積型光発電素子の集電効率を高めること。
【解決手段】複数のセルが直列に接続された集積型光発電素子Iであって、基板10と、基板10上に形成され、隣接する他のセル側に突き出る形状を有する第1のパターニングにより分割された複数の裏面電極層11と、隣接する2個の裏面電極層11を跨ぐように裏面電極層11上に形成され、且つ分割溝15によって分割された複数の半導体層12と、分割された半導体層12上にそれぞれ形成された電極層(透明電極層)13と、少なくとも半導体層12の一部に裏面電極層11を分割する第1のパターニングに倣う形状の第2のパターニングにより形成され、隣接する他のセルから電流を集電する集電端部14と、を有することを特徴とする集積型光発電素子I。 (もっと読む)


【課題】 処理工程を複雑にすることなく、太陽電池の特性の低下を防止する好ましいエッジスペースを備えた太陽電池モジュールを提供すること。
【課題を解決するための手段】 少なくとも基板ガラスと、基板ガラスの上に形成された第1の層と、第1の層の上に形成された第2の層と、を有する太陽電池モジュールには、第1のエネルギ量を備えた第1の除去手段により第1の層を除去することにより、第1の層の端部から、ガラス基板の端部までの間に、第1の層が形成されていない第1のエッジスペースが設けられ、第2のエネルギ量を備えた第2の除去手段により第2の層を除去することにより、第2の層の端部から、ガラス基板の端部までの間に第2の層が形成されていない第2のエッジスペースが設けられる。第2のエッジスペースの幅は、第1のエッジスペースの幅よりも大きいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】集積型薄膜太陽電池の製造工程において生じる除去物を効率よく除去することができ、優れた収率で集積型薄膜太陽電池を製造することができる集積型薄膜太陽電池の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法は、スクライブ工程と、前記スクライブで生じた除去物を前記基板から除去する除去工程とを含み、前記除去工程が、前記集積型薄膜太陽電池の基板に電位を持たせることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 処理工程を複雑にすることなく、太陽電池の特性の低下を防止する好ましいエッジスペースを備えた太陽電池モジュールを提供すること。
【課題を解決するための手段】 少なくとも基板ガラスと、前記基板ガラスの上に形成された第1の層と、前記第1の層の上に形成された第2の層と、を有する太陽電池モジュールを製造する方法において、前記第1の層及び第2の層を前記ガラス基板の端部から第1の幅だけ除去することにより第1の幅を備えた第1のエッジスペースを形成するステップと、前記第2の層だけを前記ガラス基板の端部から第2の幅だけ除去することにより第2のエッジスペース形成ステップと、を有し、前記第2のエッジスペースの幅が、前記第1のエッジスペースの幅よりも大きいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】レーザ光のパワーを最適化してスクライブ加工を行なえるようにする。
【解決手段】ソーラパネルにおいては、ガラス基板から析出するナトリウムにより金属膜が錆びてしまい、ソーラパネルの劣化を加速させるという問題があるので、ガラス基板と透明電極層との間に薄い二酸化珪素(SiO2 )膜がコーティングしてある。このようなガラス基板にレーザ光を用いて透明電極層のスクライブ加工を行なうと、この二酸化珪素膜が削り取られ、ガラス基板からナトリウムが析出することがある。そこで、エネルギー分散型X線分析手段を用いてワークの加工箇所に電子線を照射し、発生する特性X線を検出してナトリウム成分値を測定する。このナトリウム成分値が所定値よりも大きい場合には、レーザ光のパワーが大きいことを意味するので、ナトリウム成分値が検出されないようにレーザ光のパワーを適宜調整する。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の構成膜等の成膜に好ましく適用でき、複数のライン状パターンを有するパターン膜を直接パターン成膜することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】ライン状パターンの幅に合わせた間隔で配列された複数のワイヤを有するマスクMを用いて、物理気相成長(PVD)法によりパターン成膜を行う。若しくは、1本のワイヤが折り曲げられて形成され、ライン状パターンの幅に合わせた間隔で配列された複数のワイヤ部を有するマスクを用いて、PVD法によりパターン成膜を行う。 (もっと読む)


【課題】コストと時間を無駄にかけることなく未加工箇所を含む薄膜太陽電池用基板をリペアすること、および、薄膜ブロック間のピッチが狭い薄膜太陽電池用基板でもリペアすること。
【解決手段】レーザ加工装置は、基板61と薄膜62とを有する太陽電池に用いられる被加工基板60を加工する。レーザ加工装置は、被加工基板60を保持する保持部30と、レーザ光Lを照射して薄膜62を加工するレーザ発振器20と、薄膜62に対するレーザ光Lの照射位置を相対的に移動させて加工線65を形成させる移動機構と、加工線65の一側方に位置する第一薄膜ブロック62a1と他側方に位置する第二薄膜ブロック62aとの間の電気的特性を測定する電気測定部10と、を備えている。電気測定部10は、加工線65に沿った複数の箇所で第一薄膜ブロック62a1と第二薄膜ブロック62aとの間の電気的特性を測定することで、薄膜62の未加工箇所を検出する。 (もっと読む)


【課題】 各スクライブ加工工程における基材の歪み量が、製造工程中の熱応力や機械的応力を原因として大きく異なるものであったとしても、2以上のスクライブ加工工程のそれぞれにおいて形成されるスクライブ線同士の位置的相関を設計通りの位置的相関に維持することを可能とする。
【解決手段】 1の成膜工程が完了した中間品シート乃至プレート上から、前記基材に直接に刻設されたパンチ孔やアライメントマーク等の位置合わせシンボルの位置を光学的に検出し、前記シンボルの検出された位置と、前記シンボルの位置とそれに対応するスクライブ線上の位置との設計上の位置関係とに基づいて、設計上のスクライブ加工位置を補正し、前記補正後のスクライブ加工位置に対してレーザ光を照射してスクライブ線を形成する。 (もっと読む)


【課題】基板上の広い範囲において基板上の膜の除去がより確実に行なわれる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】主面S上に膜30が形成された基板2が固定される。第1の焦点位置Faを有する第1の光Laが膜30のうちの第1の部分TA1に照射され、かつ厚さ方向において第1の焦点位置Faと異なる第2の焦点位置Fbを有する第2の光Lbが膜30のうちの第2の部分TB1に照射される。第1および第2の部分TA1、TB1の各々は、互いに重複しない部分を有する。 (もっと読む)


【課題】陽極酸化基板を用いた光電変換素子において、下部電極に形状精度良く開溝部を形成する。下部電極のスクライブ加工の際の陽極酸化基板への熱の影響を低減する。
【解決手段】光電変換素子1は、Alを主成分とする金属基材の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜を有する基板10上に、下部電極20と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層30と上部電極50との積層構造を有し、かつこの積層構造が複数の開溝部61〜63によって複数のセルに分割されたものであり、下部電極20は、Moよりも低沸点の金属を主成分とする少なくとも1層の低沸点金属層21と、Moを主成分とする少なくとも1層のMo層22とを含み、かつ、最上層をMo層とする積層電極である。 (もっと読む)


【課題】太陽電池のFF特性の向上、歩留まりの低減に有効な裏面電極層を積層してなる太陽電池、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板上に、モリブデンからなる金属裏面電極層を積層した化合物系薄膜太陽電池であって、上記金属裏面電極層は、スパッタ法により、その表面の反射率が10%以上35%以下の範囲で上記ガラス基板上に製膜されていることを特徴とする化合物系薄膜太陽電池を提供する。 (もっと読む)


【課題】刃先が摩耗したとき、溝加工ツール自体を交換することなく、新しい刃先に簡単に据え替えることができ、かつ、集積型薄膜太陽電池を歩留まりよく製造することのできる太陽電池の溝加工ツールを提供する。
【解決手段】
スクライブ装置のホルダ9に回転並びに固定可能に取り付けられる円盤状ボディ81の外周部に、略接線方向に刃先を向けた刃領域が周方向に等しい間隔をあけて複数設けられており、この何れか一つの刃先を選択して溝加工を行う。 (もっと読む)


【課題】高い信頼性を維持しながら、簡単な構造で製造が容易で、コストが低減できる太陽電池パネルを提供することを目的とする。
【解決手段】セル集積体2の両極に、設けられている一対のバスバー5と、その上に、金属膜及び開口部を有する絶縁膜が積層された防水シート6と、それらの上に設けられ、各開口部の上方に、開口部より大きい開口部3aを有する充填層3と、充填層3上に設けられ、各開口部の上方に、開口部より大きい開口部4aを有する保護層4と、一端が開口部に露出した金属膜に接続され、他端が開口部4aから引き出される一対の電極8と、各電極8に接続された一対の出力ケーブルと、中途にバイパスダイオードを有し、一対の出力ケーブル間を接続するバイパスケーブルと、電極8を囲むように保護層4の上に設けられた端子箱9と、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板に対する悪影響を抑制でき、かつ、十分にプラズマを閉じ込めることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】高周波電圧が印加される一対の電極54、56間にプラズマ化されるガスが供給されると共に、一方の電極54の表面に沿って基板2が配置される。電極54、56間から排出されるガスの流路にプラズマ閉込部65を備え、プラズマ閉込部65は、表面にS極58S及びN極58Nがガスの流れAと交差する方向に一列に交互に配置された磁石部60を一対有し、一対の磁石部60はS極58SとN極58Nとが互いに対向し、かつ、一対の磁石部60間にガスが流れるように対向配置されている。プラズマ閉込部65は、さらに、一方の磁石部60のS極58S及びN極58Nの境界部と、他方の磁石部60のS極58S及びN極58Nの境界部との間に、ガスの流通を妨げるブロック59を有する。 (もっと読む)


【課題】耐久性を確保し易く、セルの設置スペースも大きく確保し易い色素増感型太陽電池を提供する。
【解決手段】光透過性を有する光極用導電層3の一側面に、受光に伴って電子を放出する色素が担持されたN型半導体からなる光極層4と、光極層4に対して間隔を隔てて対向する導電性を備えた対極層5と、光極層4と対極層5との間に封入された電解質層6とを積層してあるセル1の複数が、光極用導電層3の夫々を光透過性を有する共通の基板2の一側面に並設して、電気的に互いに並列に接続されている。 (もっと読む)


【課題】基板面の付着物を抑制して製造可能な半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。基板の表面上に膜が形成される。基板の表面と反対側の裏面2bの上方から裏面2bに向けて気体を吹き付けることにより、裏面2bが洗浄される。洗浄する工程では、基板の下方に侵入した気体が基板の裏面2bに上昇しないように制御している。半導体装置の製造装置は、載置部102と、気体発生部103と、密閉容器101とを備えている。載置部102は、基板Sを載置する。気体発生部103は、載置部102の上方に配置され、かつ載置部102に載置された基板Sに向けて気体を吹き付ける。気体制御部は、載置部102の下方に位置し、かつ下方に侵入した気体が上昇しないように制御する。 (もっと読む)


【課題】集積型薄膜太陽電池を効率よく製造することのできる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】(1)絶縁基板上に、少なくとも下部電極層、光吸収層及び上部電極層が形成された太陽電池基板を提供し、(2)前記太陽電池基板の後工程で相互に分割されて個別の太陽電池の機能領域となる領域に、上部電極層側から下部電極層面に至る深さで、上部電極層面上に複数の溝を形成するパターニング工程、(3)前記複数の溝と平行に広がる領域であって、個別の太陽電池の機能領域となる領域の両側の上部電極側から下部電極層面に至る各層を除去して下部電極層を露出させるワイドパターニング工程、(4)脆性基板のスクライブ工程及び(5)ブレーク工程を含む。 (もっと読む)


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