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Fターム[5F051FA04]の内容

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Fターム[5F051FA04]に分類される特許

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【課題】光や酸素、熱に対して安定であり、有機薄膜太陽電池に用いたときに高効率の光電変換特性を示す有機化合物の提供。
【解決手段】下記式(1)で表されるインドール誘導体。


(式中、Arは置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換のアルキル基であり、R〜Rはそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又は置換もしくは無置換のアルキルアミノ基である。R〜Rのうち隣接するものは、互いに結合して環を成してもよい。) (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、エネルギー変換効率が優れた光電変換素子を得ることにあり、さらには、熱耐久性が改善され、フレキシブル基板を用いた時の巻きつけによるクラック発生を抑制した有機光電変換素子またはその製造方法を提供することにある。
【解決手段】第1の電極と第2の電極との間に光電変換層と正孔輸送層または電子輸送層とを含み構成される有機光電変換素子において、該光電変換層がp型半導体材料とn型半導体材料とを含み、且つ、該正孔輸送層または電子輸送層が、窒素元素を含む金属酸化物層を含み構成されることを特徴とする有機光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】バスバーの端部切断時に、接着部分に応力がかかって剥がれることを防止する。
【解決手段】第1押さえ機構部31によりバスバー21を上から押さえた状態で裏面電極層14上に接着する接着工程と、接着後のバスバー21の端部を切断する切断工程とを備え、切断工程では、第1押さえ機構部31によりバスバー21を押さえた状態で、第1押さえ機構部31とバスバー21の接着部181との間を第2押さえ機構部32で押さえる工程と、第1押さえ機構部31及び第2押さえ機構部32でバスバー21を押さえた状態で、チャック部材54を基板11側に移動させることにより、バスバー部分21aを弛ませて変形させる工程と、第1押さえ機構部31をバスバー21から離す工程と、チェック部材54を上方に移動させることにより、バスバー部分21aを基板11から浮かせる工程と、浮かせたバスバー部分21aを切断する工程と、を実施する。 (もっと読む)


【課題】 集電メッシュを有する色素増感型光電変換素子において、効率よい発電特性を有する光電変換素子を提供し、保存経時による光電変換素子の発電特製の劣化を改善するとともに、沃素イオンの少ない電解液でも優れた色素増感型光電変換素子を提供することである。
【解決手段】 色素増感された半導体粒子からなる光電極層、電解液層、および対向電極層をこの順序で有する色素増感型光電変換素子において、該光電極層が基板、導電性層、保護層付き集電用メッシュおよび色素増感された半導体粒子層が順次積層された電極層であることを特徴とする色素増感型光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】i型の結晶質シリコン系光電変換層を含むシリコン系薄膜光電変換装置を高性能化する。
【解決手段】透光性基板1上に、透明電極層20と、少なくとも1つの結晶質シリコン系光電変換ユニット22と、裏面電極層3とを含む光電変換装置であって、光電変換ユニット22は、光透過側から順に、p型の結晶質シリコン層221と、実質的にi型の結晶質シリコン系光電変換層222と、膜厚が0nmを越えて50nm以下である実質的にi型のシリコン界面層222Aと、n型の結晶質シリコン層224とを含み、断面においてシリコン界面層222Aとn型の結晶質シリコン層224との境界として観察される形状から求められる表面粗さRaが、光電変換層222と前記シリコン界面層222Aとの境界の表面粗さRaよりも小さいことを特徴とする、シリコン系薄膜光電変換装置。 (もっと読む)


【課題】太陽光スペクトルにマッチした分光吸収特性を有する有機光電変換素子を、より低価格で、よりエネルギー変換効率の高い有機光電変換素子として提供する。
【解決手段】第1の電極12と第2の電極16との間に少なくとも光電変換層14と電荷輸送層13,15とを積層して成る有機光電変換素子において、光電変換層がポルフィリン誘導体、若しくはアザポルフィリン誘導体から選ばれる少なくとも2種以上の材料を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】製造コストを上げることなく、かつ、貫通穴が原因となって生じる歩留を向上させ、薄膜デバイスに適用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、表面から裏面までを貫通する貫通穴を有するアンドープGaN層102と、アンドープGaN層102の表面上および貫通穴内に形成された、導電性を有するアルミニウム層103とを備え、アルミニウム層103における貫通穴内に形成された領域のうち、裏面側に露出している絶縁領域106は、化学変化により絶縁化されている。 (もっと読む)


【課題】簡易なプロセスで製造可能であり、更には十分な光電変換効率を発現可能な太陽電池を提供すること。
【解決手段】Liによってドープされた酸化ニッケルから構成され、スパッタ法により形成されたp型半導体層7と、該p型半導体層7と接合したn型酸化物半導体層3と、を備える太陽電池100。 (もっと読む)


【課題】太陽電池に用いる電極として利用可能な新たな半導体電極、半導体電極を用いた太陽電池、及び半導体電極の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池1は、半導体電極10と、対向電極20と、電解質30と、封止材40とを有する。半導体電極10は、光透過性を有し、光が入射する入射面11aを有する。対向電極20は、半導体電極10に対向して配設される。電解質30は、半導体電極10と対向電極20との間の空間に配設される。封止材40は、空間に配設される電解質30を封止する。半導体電極10は、透明電極12を有する。透明電極12は、光透過性を有し入射面11aを有する基板11において、入射面11aの反対の表面に配設される。透明電極12は、基板11が接合される表面の反対面に金属酸化物層13が配設される。金属酸化物層13は、金属酸化物の微粒子14と、ケイ素微粒子15とを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の主な目的は、暗電流を抑制する有機感光性の光電装置を提供することである。
【解決手段】陽極と、前記陽極の上に形成され、アクセプター部とドナー部を含む有機感光層と、前記有機感光層の上に形成され、前記陽極との間に前記有機感光層を介在させる正孔ブロッキング層と、前記正孔ブロッキング層の上に形成され、前記有機感光層との間に前記正孔ブロッキング層を介在させる陰極と、を有する有機感光性の光電装置を提供する。又、必要に応じて、前記正孔ブロッキング層の最高被占有分子軌道(HOMO)は前記ドナー部の最高被占有分子軌道よりも少なくとも0.3eV大きい。本発明に係る光電装置は暗電流を有効に抑制し、検出器に適用する際の感度を向上できる。 (もっと読む)


【課題】高い光電変換効率を有する有機光電変換素子を提供すること。
【解決手段】透明基板上に少なくとも透明導電層を有する陽極、光電変換層、陰極をそれぞれ有する有機薄膜光電変換素子において、該光電変換層が含フッ素アクリル系化合物を含有していることを特徴とする有機光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子、特に、有機薄膜太陽電池として用いたときに高効率の光電変換特性を示す新規な光電変換素子用材料を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物。


(式中、Lは2価又は3価の基であり、Rgはそれぞれ、置換もしくは無置換の、ベンゼン環又はナフタレン環であり、Xはそれぞれ、酸素原子、又はN−Rであり、Rはそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、C〜C20の置換もしくは無置換のアルキル基、C〜C20の置換もしくは無置換のアルケニル基、C〜C20の置換もしくは無置換のアルキニル基、C〜C20の置換もしくは無置換のアリール基、C〜C20の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、C〜C20の置換もしくは無置換のアルキルオキシ基、C〜C20の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、C〜C20の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、C〜C20の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であり、nは2又は3である。) (もっと読む)


【課題】代表的な有機半導体であるペンタセンは空気中または溶液中で酸化されて劣化してしまうなどの問題があるため、高い酸化性を持つ化合物が求められている。また、有機薄膜太陽電池では、p型半導体としてフタロシアニン(バンドギャップ:1.6eV)などが利用されているが、高い開放光電圧(VOC)を得るために適した、より幅広い(HOMO−LUMO)バンドギャップを持つ化合物が求められているので、これらの特徴を持つ有機半導体を提供する。
【解決手段】バンドギャップがより広く、かつ大気中で安定な有機半導体として、ジナフト[1,2−b:1’,2’−f]チエノ[3,2−b]チエノチオフェン(1,2―DNTT)を提供し、それを使った有機半導体デバイスを提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、耐久性に優れた太陽電池ユニットを提供することにある。
【解決手段】基板上に設けられた透明電極と対極の間にp型有機半導体材料とn型有機半導体材料とを含有する光電変換層を有する有機光電変換素子からなる太陽電池ユニットであって、光入射側の基材の透明電極とは反対側の面に少なくとも複数の異なる屈折率を有する材料から構成される紫外線反射層と、光入射側の基板のいずれか一方の面に水蒸気バリア層を有すことを特徴とする太陽電池ユニット。 (もっと読む)


【課題】簡易な構造にて、かつ、発電効率が高くなるように色素増感型太陽電池のセルを直列接続する。
【解決手段】モジュール130は、複数のセル100を含む。セル100は、採光面側に設けられる電極である作用極から電子を発生させ、非採光面側に設けられる電極である対極から電子を取り込む。セル100aの作用極と、セル100bの対極は、連結導体106sによって接続される。連結導体106sは、セル100aの作用極から、セル100aの非採光面上を迂回して、セル100bの対極に接続される。 (もっと読む)


【課題】開放端電圧(Voc)が十分に高い有機光電変換素子を作製することが可能なフラーレン誘導体及びそれを用いた有機光電変換素子を提供する
【解決手段】下記一般式(1)で表されるフラーレン誘導体。




[式(1)中、環Iは炭素数60以上のフラーレン骨格を、環IIはフラーレン骨格中の隣接する2個の炭素原子と共に環を形成する窒素原子を含んでいてもよい3〜6員環を、Raaは2価の有機基、Rbbはアルキル基、R、R、R及びRはそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基をそれぞれ示す。また、nは1〜4の整数を、w及びyはそれぞれ独立に0〜6の整数を、rは0〜4の整数を、q、u及びvはそれぞれ独立に0〜2の整数を、tは0又は1をそれぞれ示す。] (もっと読む)


【課題】発電効率を高めた光電変換セルおよび光電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】光電変換セル20は、第1の導電層2と、第1の導電層20の一方側に設けられ、一方側主面に複数の突起9を有する光電変換層3と、光電変換層3の一方側に設けられ、複数の突起9の平均高さの1/2以下の膜厚を有する第2の導電層6と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】表面凹凸の大きい電極表面上にも高い被覆率でより緻密な膜を形成させる有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】金属Aから成る第一の電極と第二の電極に挟まれたバルクヘテロジャンクション型の光電変換層と、正孔輸送層もしくは電子輸送層とを有する有機光電変換素子の製造方法において、前記正孔輸送層もしくは電子輸送層の形成工程が、該第一の電極の上に、前記金属Aとは異なる金属Bを含有する物質を被覆する工程と、該金属Bを含有する物質を酸化させる工程とを含むことを特徴とする有機光電変換素子の製造方法及び該製造方法により製造された有機光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】スクライブ工程で生じる静電気を効率よく除去することができ、優れた収率で集積型薄膜太陽電池を製造することができる集積型薄膜太陽電池の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法は、基板上の薄膜に溝を形成するスクライブ工程が、静電気中和手段により行う静電気除去処理を少なくとも含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】集積型光発電素子の集電効率を高めること。
【解決手段】複数のセルが直列に接続された集積型光発電素子Iであって、基板10と、基板10上に形成され、隣接する他のセル側に突き出る形状を有する第1のパターニングにより分割された複数の裏面電極層11と、隣接する2個の裏面電極層11を跨ぐように裏面電極層11上に形成され、且つ分割溝15によって分割された複数の半導体層12と、分割された半導体層12上にそれぞれ形成された電極層(透明電極層)13と、少なくとも半導体層12の一部に裏面電極層11を分割する第1のパターニングに倣う形状の第2のパターニングにより形成され、隣接する他のセルから電流を集電する集電端部14と、を有することを特徴とする集積型光発電素子I。 (もっと読む)


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