【課題】大きな表面積を覆い、薄く、一様な厚さの重合パラキシリレンの膜を堆積させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、固体または液体の出発原料を蒸発させるための蒸発器（１）を備える。搬送ガスのためのガスライン（１１）が蒸発器（１）に延びる。搬送ガスは、蒸発した出発原料を分解チャンバー（２）に運び、その中で出発原料が分解される。この堆積装置は、更に、プロセスチャンバー（８）を備える。プロセスチャンバー（８）は、搬送ガスによって運ばれる分解生成物が入るガス注入部（３）と、重合させられる分解生成物で覆われることになる基板（７）を支持するためにガス注入部（３）に対向して支持面（４’）を持つサセプタ（４）と、ガス排出口（５）とを有する。ガス注入部（３）は、支持面（４’）と平行に広がるガス放出面（３’）を有する平面ガス分配器を形成し、ガス放出面（３’）全体に渡って複数のガス放出ポート（６）が分布する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体構造、特に半導体構造内部に一つ乃至複数のエアギャップを形成して金属線の如き電気部品間の誘電的カップリングを減じる方法に関する。そのような方法によって、集積回路やパッケージの如き半導体構造内の誘電的カップリングを減じようとした前述の従来の試みに関連する一つ乃至複数の欠点を克服することができる。
【解決手段】本発明の一つの局面によれば、半導体構造内にエアギャップを形成する方法は、（ｉ）半導体構造内の閉鎖された内部空間を占めるための犠牲材料としてノルボルネン型ポリマーを利用し、（ｉｉ）該犠牲材料を一つ以上のガス状分解物へと分解（好ましくは熱処理によって自己分解）し、（ｉｉｉ）該内部空間に隣接する固体層の少なくとも一つを通じて上記ガス状分解物の少なくとも一つを排除する、工程からなる。 （もっと読む）

【課題】電気・電子デバイスの部材として好適に用いることができ、イオン液体を内包するカプセルを提供する。
【解決手段】〔１〕芯物質と該芯物質を内包する壁膜とからなり、該芯物質がイオン液体を含有し、該壁膜が無機質壁膜であることを特徴とするカプセル。
〔２〕該無機質壁膜が加水分解性金属化合物の加水分解生成物であることを特徴とする〔１〕記載のカプセル。
〔３〕該イオン液体が親水性のイオン液体であることを特徴とする〔１〕〜〔２〕のいずれかに記載のカプセル。
〔４〕有機溶媒および前記〔１〕〜〔３〕のいずれかのカプセルを含有することを特徴とするカプセル分散液。 （もっと読む）

本発明は、ａ）金属又は半金属を有する第一のモノマー単位、及びｂ）化学結合によって第一のモノマー単位に結合されている第二のモノマー単位を有する少なくとも１つのツインモノマーを重合することによって得られる誘電体を有する、３．５以下の誘電率を有する誘電体層に関し、その際、前記重合は、前記化学結合の切断及び第一のモノマー単位を有する第一のポリマーの形成及び第二のモノマー単位を有する第二のポリマーの形成を伴った前記ツインモノマーの重合を含み、且つ、その際、第一及び第二のモノマー単位は共通の機構によって重合する。 （もっと読む）

自己組織化ブロック共重合体を使用して、ラインアレイにおいて、サブリソグラフィーでナノスケールの微細構造を作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
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【課題】 本発明の目的は、低誘電率、かつ機械強度に優れた樹脂膜を形成し得る樹脂組成物を提供すること。また、本発明の別の目的は、低誘電率、かつ耐熱性および機械特性に優れた樹脂膜およびその樹脂膜を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とする籠型構造を有する籠型構造化合物の重合体を含む樹脂組成物であって、前記重合体は、ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定した分子量ピークにおいて、重合体を検出するピークＰのピーク面積Ａｐと残存モノマーを検出するピークＭのピーク面積Ａｍを足し合わせたピーク全面積（Ａｐ＋Ａｍ）に占める、ポリスチレン換算の重量平均分子量が９０００に相当する溶出時間よりも遅い溶出時間で検出されるピークＬのピーク面積Ａｌの面積の割合が０〜５％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】空孔形成剤を利用した誘電率が低下された絶縁膜であって、空孔同士が連結した隙間(ボイド）の発生が抑制された絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】(A)ポリフェニレン、
(B)スチレンポリマー、並びに
(C)ポリフェニレン(A)に対して親和性を有するユニットとスチレンポリマー(B)に対して親和性を有するユニットとのブロック共重合体もしくはグラフト共重合体、を含有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物を用いて絶縁膜を形成することにより、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、優れた耐クラック性を有し、低比誘電性であり、かつ塗膜形成後も誘電率が経時で安定な絶縁膜を製造できる形成用組成物を提供することである。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物と下記一般式（I）で表される芳香族エステル化合物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物。


（一般式（I）中、Ｒ_１はアルキル基を表す。ｍは、１〜６の整数を表す。ｍが２以上の整数の場合、Ｒ_１は同一でも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】絶縁膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、ポリマーＡと、ポリマーＢと、溶媒Ａおよび大気圧における沸点が溶媒Ａよりも低い溶媒Ｂと、を含み、かつ、以下の式（ｉ）および（ｉｉ）を満たす。
前記ポリマーＡの溶媒Ａへの溶解度＞前記ポリマーＡの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉ）
前記ポリマーＢの溶媒Ａへの溶解度＜前記ポリマーＢの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉｉ） （もっと読む）

【課題】絶縁膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、ポリマーＡと、ポリマーＢと、溶媒Ａおよび大気圧における沸点が溶媒Ａよりも低い溶媒Ｂと、を含み、かつ、以下の式（ｉ）および（ｉｉ）を満たす。
前記ポリマーＡの溶媒Ａへの溶解度＞前記ポリマーＡの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉ）
前記ポリマーＢの溶媒Ａへの溶解度＜前記ポリマーＢの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉｉ） （もっと読む）

【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性（膜面状）及び耐熱性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物（塗布液）を提供すること。
【解決手段】（Ａ）式（１）で表されるモノマー単位を含む重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。


（式（１）中、Ｒ¹はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ²はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、トリアルキルシリル基又はトリアリールシリル基を表し、Ｒ²が複数存在する場合は、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよく、ｎは０〜５の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物（塗布液）を提供すること。さらには該組成物を用いた電子デバイスを提供すること。
【解決手段】下記式（１）で表される置換スチレン誘導体の重合体を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
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【課題】信号処理速度が速く、かつ、配線膜の信頼性が高い半導体装置を提供することである。
【解決手段】膜２に凹部３を形成する凹部形成工程を具備する半導体装置の製造方法において、
前記凹部形成工程の後、電磁波硬化性薬剤を該凹部の内面側に設ける電磁波硬化性薬剤在工程と、前記電磁波硬化性薬剤在工程の後、電磁波を照射して該電磁波硬化性薬剤を硬化させる硬化工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物（塗布液）を提供すること。さらには該膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜及び該絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】（Ａ）下記式（１）で表されるモノマー単位を含み、重量平均分子量が１，５００以上である重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。


式（１）中、ＸはＯ、Ｓ又はＣＨ₂を表し、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシ基、水酸基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、トリアルキルシリル基又はトリアリールシリル基を表し、Ｒはさらに置換基を有していてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよい。ｎは０〜４の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】高耐熱、高機械強度、及び、低誘電率を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成した絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式（１）又は式（２）で表される構成繰返し単位を有する重合体を含有することを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成した絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイス。式（１）中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｘは置換基を表し、ｎは０〜２の整数を表し、Ｌ¹は単結合又は二価の連結基を表す。式（２）中、Ｒ³及びＲ⁴はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｌ²は二価の連結基を表す。ただし、式（２）における２つの炭素−炭素三重結合は、炭素−炭素二重結合に対してシスの位置にある。
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【課題】本発明の目的は、半導体素子など電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度などの膜特性に優れた膜を提供することである。
【解決手段】脂環式炭化水素構造を有する化合物を含む膜形成用組成物を塗布し、周波数５．８ＧＨｚのマイクロウエーブを照射して形成される膜。 （もっと読む）

【課題】耐熱性及び機械強度に優れ、低誘電率であり、良好な膜面状である膜を形成することができる膜形成用組成物、これを用いた絶縁膜及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式（１）で示される化合物、及び／又は、下記式（１）で示される化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、これを用いた絶縁膜並びに電子デバイス。なお、式中、Ａ¹はそれぞれ独立に、単結合、−ＣＯ−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−ＳＯ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、又は、これらを２以上組み合わせた基を表し、Ａ²及びＡ⁴はそれぞれ独立に、炭素数１〜１０の一価の有機基を表し、Ａ³はそれぞれ独立に、水素原子、又は、フェニル基を除く炭素数１〜１０の一価の有機基を表し、Ｘは炭素数１〜９の四価の有機基を表す。
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【課題】３．７以下の誘電率を有するシリカ系の材料及び膜、並びにそれを作製及び使用するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】シリカ系材料を調製するための組成物であって、少なくとも１つのシリカ源と、溶剤と、少なくとも１つのポロゲンと、任意選択で触媒と、任意選択で流動添加剤とを含み、該溶剤が、９０℃〜１７０℃の温度で沸騰し、化学式、ＨＯ−ＣＨＲ⁸−ＣＨＲ⁹−ＣＨ₂−ＣＨＲ¹⁰Ｒ¹¹（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、独立して１〜４個の炭素原子のアルキル基又は水素原子であることができる）；Ｒ¹²−ＣＯ−Ｒ¹³（式中、Ｒ¹²は３〜６個の炭素原子を有する炭化水素基であり；Ｒ¹³は１〜３個の炭素原子を有する炭化水素基である）；及びそれらの混合物によって表される化合物から成る群より選択された組成物によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制してクリーニング処理の頻度を減少させると共に、クリーニング処理時間を短くし、これにより装置の使用効率を上げてスループットを大幅に向上させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４と、保持手段を冷却する内部冷却手段４０と、処理容器の側壁と保持手段との間の温度差が所定の温度差以上になるように制御する温度制御部６２とを備える。これにより、処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制する。 （もっと読む）

薄膜トランジスタデバイス製造用の無機半導体成分を含む流体媒体。 （もっと読む）