【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射を行っている間、電子ビーム照射領域ＩＲにはアルゴンガスが供給される一方、電子ビーム照射領域ＩＲの周囲は排気している。このため、基板Ｗへの電子ビーム照射によって発生する汚染物質がアルゴンガスと一緒に排気ガスとして処理空間４１ａの外側空間に排気され、基板表面への汚染物質の再付着や処理空間４１ａ全体への汚染物質の拡散が防止される。また、排気ガスから汚染物質を除去することで処理ガス（一度使用されたアルゴンガス）が生成され、処理空間４１ａに供給される。このように処理空間４１ａが処理ガスによりパージされる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、接着力、厚さ精度、高さ均一性に優れ、かつ、段差埋め込み性に優れた樹脂組成物および該樹脂組成物を用いて作製した平坦性、機械強度に優れる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 （Ａ）環状オレフィンの重合体またはその水素添加物および（Ｂ）下記一般式（１）で示される構造を有する化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物、および該該樹脂組成物を用いて作製したことを特徴とする半導体装置である。
【化１】
（もっと読む）

【課題】多種多様な基板に対して適切なドーズ量で、しかも均一に電子ビームを照射して短時間で良好な基板処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム発生ユニット４０Ａ，４０Ｂの出射窓４０ｇから電子ビームＥＢがスキャン方向（第１方向）Ｙに走査されながら基板表面に照射されるとともに、当該基板Ｗが水平移動方向（第２方向）Ｘに移動して基板表面Ｗｆに対して電子ビームＥＢが２次元的に照射される。ここで、出射窓４０ｇと基板Ｗとの距離Ｄについては、基板Ｗに対応した値に調整される。また、基板Ｗの移動速度、電子銃４０ｂに与える電流および電子銃４０ｂに与える加速電圧についても、基板Ｗに応じた値に調整される。このように距離Ｄ、移動速度および電流値が基板Ｗに対応して調整された状態で電子ビーム照射が基板Ｗ上の層間絶縁膜Ｆに対して行われる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射領域に対して基板ＷがＸ方向に移動する。これにより電子ビーム照射領域が基板表面全体に走査される。電子ビーム照射領域では、電子ビーム照射が基板表面に向けて照射されて未硬化状態の層間絶縁膜に対して硬化処理が施される。ここでは、基板移動範囲ＭＲに渡って基板表面Ｗを覆うようにパージボックス４７が配置されて基板表面側雰囲気ＡＰが形成される。そして、その基板表面側雰囲気ＡＰのうち電子ビーム照射領域の周囲から雰囲気管理されている。このため、電子ビーム照射によって発生する汚染物質は直ちに電子ビーム照射領域から排出される。 （もっと読む）

【課題】ウエハー面内の寸法均一性に優れた耐熱性樹脂パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも（１）耐熱性樹脂組成物または耐熱性樹脂前駆体組成物を基板に塗布して樹脂膜を形成する工程、（２）樹脂膜を乾燥する工程、（３）樹脂膜をフォトリソグラフィーによりパターン形成する工程、（４）パターン形成した樹脂膜をホットプレートを用いて８０℃以上１６０℃以下で熱処理する工程および（５）パターン形成した樹脂膜をオーブンまたは炉を用いて熱硬化させる工程をこの順に含むことを特徴とする耐熱性樹脂パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機物質、該有機物質を含むフィルム、および該フィルムを具備した電気素子を提供する。
【解決手段】親水性高分子と、前記親水性高分子の末端または側鎖に付加され、１つ以上のヒドロキシル基を有する炭素数６〜１４の芳香族官能基を含む１つ以上の有機部分と、
を含む有機物質、該有機物質を含むフィルム、および該フィルムを具備した電気素子である。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造でき、ＰＧＭＥＡ等のエステル溶媒への高溶解性を示す水酸化フラーレン誘導体並びにその溶液及びその膜を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表わされることを特徴とする、フラーレン誘導体並びにその溶液及び膜。


（上記式（１）中、Ciはフラーレン骨格を表し、mは０以上６以下の整数を表し、nは０又は１を表し、ｐは１以上４６以下の数字を表し、ｑは０以上４５以下の数字を表し、ｐ＋ｑが２以上４６以下の整数を表す。また、Ｒは炭素数1以上30以下の有機基を表す。（−ＣＨ_２−）_ｍを構成するメチレン鎖は、有機基で置換されていてもよい。） （もっと読む）

【課題】多孔質の有機ケイ酸塩ガラス膜を提供する。
【解決手段】当該膜、Ｓｉ_vＯ_wＣ_xＨ_yＦ_z（式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、ｚは０〜１５原子％である）は、Ｓｉ−ＣＨ₃を有するケイ酸塩の網目構造を有し、細孔及び２．７よりも低い誘電率を有する。予備的な膜が、オルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン前駆体と細孔形成前駆体とからＣＶＤ法によって堆積される。ポロゲン前駆体が予備的な膜中に細孔を形成し、続いて除去されて多孔質膜を与える。組成物は、少なくとも１つのＳｉ−Ｈ結合を含有するオルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン化合物と、アルコール、エーテル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトロ、第一、第二及び／又は第三アミン官能性又はそれらの組み合わせを含有する炭化水素のポロゲン前駆体とを含む。 （もっと読む）

【課題】微細構造領域とフラット領域とに「表面が単平面となるコート層」を形成できるコーティング方法を提供する。
【解決手段】平面状領域に微細な周期的構造が形成された微細構造領域１０Ａと、この微細構造領域に隣接する平坦な表面を有するフラット領域１０Ｂとを形成された被コーティング体１０の、微細構造領域１０Ａとフラット領域１０Ｂとにわたりコーティング材料を液状態でコーティングして、コート層を形成するコーティング方法において、微細構造領域１０Ａとフラット領域１０Ｂとに所定の段差量：ΔＨを、微細構造領域１０Ａにおける微細な周期的構造の形態に応じて予め設定することにより、コーティングされたコート層の表面を、微細構造領域とフラット領域とにわたって実質的に平坦な単一面とする。 （もっと読む）

【課題】半導体のプロセス耐性が向上し、且つ、生産効率が向上した薄膜トランジスタの製造方法を提供し、且つ、該製造方法により製造された半導体特性の安定した薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基体上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、該酸化物半導体層に接する保護層を有する薄膜トランジスタの製造方法において、該保護層が塗布法により形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハにおける制約上のＴＥＣの違いによる衝撃を減少させ、製造された装置および接着層の間の接触面（界面）を改良した、ウェハのスケールでのマイクロシステムまたはナノシステムの組立てによる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、ａ）前面８の側部分に現れる部品の活性面、ｂ）部品に対して少なくとも横方向に存在し、いわゆる部品が装置において保持されるのを確実にする、コーティング材３、ｃ）部品の活性面１０にはなく、コーティング材３がこの部品４から分離される、絶縁緩衝層６を具える。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタを低電圧で動作させると伴に、周波数応答性能およびキャリア移動度を高くすること。
【解決手段】電界効果トランジスタのゲート絶縁層として糊剤又は増粘剤を含まず液状であって、その主要成分がイオン液体であるものを用い、イオン液体の温度を上昇させる。イオン液体としては、ＥＭＩＴＦＳＩやＥＭＩＦＳＩを用いる。半導体層には有機ルブレン単結晶を用いるが、オキシクロライドなど無機酸化物材料を用いることもできる。ドレイン電極とソース電極には金電極を用いるが金電極以外の電極を用いることもできる。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、高耐熱かつ高機械強度を兼ね備えた絶縁膜用重合体を提供することにあり、さらに、それを用いた低誘電率、高耐熱かつ高機械強度を有する絶縁膜およびこれを備える半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 炭素−炭素三重結合を分子中に２個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を重合することにより得られる数平均分子量１０，０００以下のオリゴマーを含むプレポリマーを重合することにより得られた数平均分子量２０，０００以上の絶縁膜用重合体。 （もっと読む）

【課題】大気雰囲気下での使用や、デバイスとして駆動するため電界が印加された際に、有機分子層同士を結合している共有結合が切断され、分子層積層構造が崩壊する恐れがない、耐久性に優れた分子層積層膜による有機薄膜を作製して用い、素子寿命が改善された有機デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１と、該基板１１上第一の有機分子層１２と、該第一の有機分子層１２に積層された第二の有機分子層１４とを備え、該第一の有機分子層１２と第二の有機分子層１４が、第一の結合部１３によって接続され、前記第一の結合部１３の構成が、前記第一の有機分子層１２と前記第二の有機分子層１４との間を接続する第一の共有結合部１３１と、前記第一の有機分子層１２および／または前記第二の有機分子層１４と、前記第一の共有結合部１３１の構成原子との間を接続する第一の化学結合１３２からなる有機デバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明者らは、ＥＢキュアによって膜の機械強度を大幅に向上させる効果が得られ、空孔形成剤を用いて微細な空孔を膜中に形成するにあたり、空孔崩壊が抑制され、低誘電率および高機械強度を示すポリフェニレン系有機絶縁膜が得られる絶縁膜形成用組成物、この絶縁膜形成用組成物より得られる絶縁膜、この絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも１つのシクロペンタジエノン基を有する化合物と、少なくとも１つのアセチレン基を有する化合物とのディールスアルダー反応によって形成されるポリフェニレンを含有する絶縁膜形成用組成物であって、前記ポリフェニレンが第２級炭素原子を含有する置換基を有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有するとともに、ＴＦＴの性能安定性が高いトランジスタ基板及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面にガスバリア層２０が設けられたプラスチック基材１２と、前記プラスチック基材上に設けられ、ゲート電極４２、ゲート絶縁層３０、酸化物半導体又は有機半導体を含む活性層４４、ソース電極４６、及びドレイン電極４８を有する電界効果型薄膜トランジスタ４０と、を含み、前記ガスバリア層が、少なくとも１つの有機層２４と少なくとも１つの無機層２２，２６とが積層した構造を有し、且つ、前記ゲート絶縁層が、少なくとも１つの有機層３４と少なくとも１つの無機層３２，３６とが積層した構造を有することを特徴とするトランジスタ基板１０。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低誘電率、高機械強度および高耐熱性を示す膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、この絶縁膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、この絶縁膜形成用組成物を用いて絶縁膜を製造する方法、及び、この絶縁膜を構成層として有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体を含む絶縁膜形成用組成物。


（一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^１は、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、またはハロゲン原子を、Ｒ^２は置換基を表す。ａは１〜１８の整数を、ｂは０〜６の整数を表す。＊は、結合位置を表す。） （もっと読む）

【課題】平坦性、低誘電性、吸水性、耐溶剤性、透明性及び耐熱透明性に優れるばかりでなく、密着性にも優れる樹脂膜、この樹脂膜を得るための、ろ過性に優れる樹脂組成物、及びこの樹脂膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】樹脂（Ａ）、架橋剤（Ｂ）、及び溶剤（Ｃ）を含有してなり、樹脂（Ａ）がアミノ基含有ジカルボン酸ジアルキルと、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物とのアミド化反応により得られる特定の単量体を含む単量体組成物を重合して得られる重合体である樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁層４０と、バッファ層（第２の絶縁層）６０とを有し、ゲート絶縁層４０およびバッファ層６０の少なくとも一方は、下記一般式（Ｉ）で表される高分子の端部の少なくとも一方がフッ素原子またはフッ素原子を含有する置換基で置換したものであって、理論フェノール価が２．０ＫＯＨｍｇ／ポリマーｇ以下である絶縁性高分子を主材料として構成されている。


［ただし、式中、Ｒ^１は、芳香環を含む二価の連結基を示し、式中、Ｙは、酸素原子または硫黄原子を示し、式中、Ｚは、カルボニル基または硫黄原子を含む二価の連結基を示す。また、ｎは、２以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】本発明は、低誘電率、高機械強度および高耐熱性を示す膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、この絶縁膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、この絶縁膜形成用組成物を用いて絶縁膜を製造する方法、及び、この絶縁膜を構成層として有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される、分岐構造を有する繰り返し単位を含む重合体、を含有する絶縁膜形成用組成物。
【化１】


（一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^１は、芳香族炭化水素基を、Ｒ^２は置換基を表す。「＊」は結合位置を表す。ａは０〜１８の整数を、ｂは０〜６の整数を、ｃは２〜７の整数を、ｄは１〜３の整数を表す。） （もっと読む）