【課題】 ２つの異なる方向にサブリソグラフィ幅および間隔を有するナノスケール構造およびこれを製造する方法を提供する。
【解決手段】 サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第１の方向に沿って延在する半導体基板上の第１のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第１の層（２０）内の第１の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１の層に充填材料を充填し、第１のナノスケール・ネスト線構造を含む第１の層（２０）の上に、第２の層（６０）を堆積する。サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第２の方向に沿って延在する第２のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第２の層（６０）内の第２の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１のナノスケール・ネスト線構造および第２のナノスケール・ネスト線構造の複合パターンを、第１の層（２０）の下の基層（１２）に転写して、２つの方向に周期性を有する構造のアレイを形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工後のアモルファスカーボン膜をウエット洗浄した際の酸化による劣化を抑制することができるアモルファスカーボン膜の処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 （もっと読む）

【課題】低い比誘電率を有し、かつ密着性に優れた積層体およびその製造方法、ならびに該積層体を含む半導体装置を提供する。
【解決手段】積層体は、シリカ系膜および有機系膜を含み、前記シリカ系膜と前記有機系膜とが、アルキル基、アシル基またはアリール基、と水素原子、フッ素原子、アルキル基、またはアリール基を有し２重結合を含む炭化水素基を有するアルコキシシランシラン化合物を硬化させて得られる層間膜を介して積層する。
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【課題】 異種ＳＯＧ材料を搭載するＳＯＧコート装置において、ノズルからの不所望なＳＯＧの滴下を防止し、かつ、結晶化または固化したパーティクルの塗布を防止する。
【解決手段】 ＳＯＧの供給方法は、ロットに対して第１のノズルから第１のスピンオンガラスを供給する処理を実行するとき、当該ロットへの処理の開始時または終了時に、第２のノズルから第２のスピンオンガラスを一定量だけ吐出するステップを含む。さらにＳＯＧの供給方法は、ロットに含まれる基板の処理開始時に第２のノズルを洗浄するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージを受けた低誘電率絶縁膜を回復剤に接触させて回復する際に、絶縁膜中での回復剤濃度を高めることができて、効率的に回復処理が進行でき、回復後の絶縁膜の特性も良好となる回復処理方法を得る。
【解決手段】プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜が存在する基板５をチャンバー１内に収め、チャンバー内に回復剤蒸気を導入し、チャンバー内部を加熱して、前記絶縁膜のダメージ回復処理を行う際に、チャンバー１の内壁の温度を基板の温度よりも高温とする。チャンバーの壁の温度を回復剤の沸点よりも高温にすることが好ましく、チャンバー内に回復剤蒸気を導入したのち、基板５の温度を昇温することも好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置内で使用される多孔性の低ｋの誘電体を形成すること。
【解決手段】 ポロゲン材料を包含する低ｋの誘電体フィルムから多孔性の低ｋの誘電体材料を形成するプロセスが、紫外線照射へ低ｋの誘電体フィルムを露光することを含んでいる。一実施形態では、該フィルムが、２４０ｎｍ未満の広帯域の紫外線照射へ露光される。他の実施形態では、低ｋの誘電体フィルムが、フィルムのマトリックスの架橋結合密度を高めるのに効果的な第一の照射パターンへ露光される。このとき同時に、この第一の紫外線照射パターンへの露光の前後で、ポロゲン材料の濃度は、実質的に同一に維持している。低ｋの誘電体フィルムは、それから、そこで金属の相互接続構造を形成するために処理され、連続して、低ｋの誘電体フィルムから、ポロゲン材料を除去するのに有効な第二の紫外線照射パターンへ露光され、多孔性の低ｋの誘電体フィルムを形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率であり、かつ、機械強度に優れた膜を形成することができる膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】式（１）で表される化合物及び／又は式（１）で表される化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。Ｒ¹はそれぞれ独立に水素原子又は−（Ｒ²）_n−Ｒ³を表し、Ｒ¹のうちの少なくとも２つは−（Ｒ²）_n−Ｒ³であり、Ｒ²はそれぞれ独立に式（２）〜（５）で表される基よりなる群から選ばれた基を表し、Ｒ³はそれぞれ独立に水素原子又は式（６）〜（８）で表される基よりなる群から選ばれた基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、波線部分は他と結合する部分を表す。ただし、−（Ｒ²）_n−Ｒ³は式（９）又は式（１０）で表される基を除く。
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【課題】熱の費用に悪い影響を与えることなく、機械的特性を向上できる、低ｋ誘電体の形成方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に低ｋ誘電体を形成する方法であって、表面上に低ｋ誘電体を成膜し、低ｋ誘電体の機械的特性を効果的に向上させる時間と強さで紫外線に低ｋ誘電体を露光して、これによって、この機械的特性を、紫外線に露光されない低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、炉で硬化される低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、紫外線の露光の前に過度の活性化エネルギーにさらされる低ｋ誘電体の対応する機械的特性と比べて相当向上させ、この際、過度の活性化エネルギーには、過度のホットプレートベークシーケンス、炉の硬化、焼鈍硬化、複数の温度の硬化プロセス又はプラズマ処理であって、紫外線照射に先立つものが含まれる。 （もっと読む）

【課題】有機高分子組成物に微細パターンが可能な光架橋の特性を付与しながら電気的特性を向上させることができる有機高分子ゲート絶縁膜組成物を提供する。
【解決手段】本発明による光反応性有機高分子ゲート絶縁膜組成物は、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノール、及びこれらの共重合体よりなる群から選択された絶縁性有機高分子と、二重結合を２つ以上含む架橋用単量体と、光開始剤とを含み、有機薄膜トランジスタは、上記組成物で形成されたセミ相互侵入高分子網目（semi-interpenetrating polymer network）ゲート絶縁膜を含む。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性フィラーを添加することなく高い熱伝導性を有し、成形性や密着性に優れた放熱材料を形成しうる放熱材料形成用化合物を提供する。
【解決手段】ボラジン環を含む放熱材料形成用化合物であって、前記ボラジン環を構成するボラジン骨格のホウ素原子及び窒素原子のうち一以上が水素原子以外の置換基を有する、放熱材料形成用化合物である。 （もっと読む）

【課題】低誘電率性、耐湿性、耐水性及び耐熱性という、いずれの特性にも優れた被膜を形成するのに適当な材料となる化合物を含む膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】ボラジン環及びアダマンタン環を含む化合物、並びに前記ボラジン環及びアダマンタン環を含有する化合物とを含むか、ボラジン環を含有する化合物とアダマンタン環を含有する化合物とを含むか、前記ボラジン環及びアダマンタン環を含有する化合物とボラジン環を含有する化合物及び／またはアダマンタン環を含有する化合物とを含むかのいずれかである膜形成用組成物である。 （もっと読む）

【課題】 スクリーン印刷法により微細パターン印刷を可能にする絶縁性ペースト組成物の提供。
【解決手段】 シリカ及び／又はチタニアの微粒子を含む絶縁性充填材と、少なくとも表面はシリカ及びチタニアとは異なる絶縁性粒子と、からなるフィラー並びに樹脂を含有し、前記絶縁性充填材の体積が、前記フィラー全体の体積の２０％以上、８０％以下であることを特徴とするペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、かつ誘電率の経時安定性、機械強度、密着性等の特性が良好な絶縁膜の提供。
【解決手段】有機化合物と空孔形成剤とを含む膜形成用組成物を基板上に塗布して前記基板上に皮膜を形成し、前記皮膜を硬化し、その後、前記皮膜をポアシール剤を含む超臨界媒体で処理して得られる、低誘電率層間絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高耐熱、高機械強度、低誘電率、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】分子内に、一般式（１）で表される部分構造を少なくとも一つ有する化合物（Ａ）と絶縁膜用樹脂またはその前駆体（Ｂ）とを含有する絶縁膜形成用組成物。


一般式（１）
（一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６はそれぞれ独立に任意の置換基を表し、任意のＲ^１〜Ｒ^６がそれぞれ互いに連結して環構造を形成していてもよい。同一炭素上の置換基（Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６）が２つ合わせて二重結合を表してもよい。） （もっと読む）

【課題】低誘電性、耐熱性、耐薬品性およびＣＭＰに耐え得る高い機械強度を有し、さらに、上層として無機系絶縁膜層が設けられた場合に密着性が高い絶縁被膜を形成することができる組成物の提供。
【解決手段】ポリフェニレンを含む絶縁膜形成用組成物であって、形成した絶縁膜中における前記ポリフェニレンの炭素原子数（Ｃ）および酸素原子数（Ｏ）が、Ｏ／（Ｃ＋Ｏ）≧０．０５０の関係を満たす、絶縁膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、低誘電率、かつ機械強度に優れた樹脂膜を形成し得る樹脂組成物を提供すること。また、本発明の別の目的は、低誘電率、かつ耐熱性および機械特性に優れた樹脂膜およびその樹脂膜を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、樹脂膜を形成するために用いる樹脂組成物であって、前記樹脂組成物は、カゴ型構造を有する化合物を含み、前記カゴ型構造を有する化合物は、該カゴ型構造を有する化合物を製膜して陽電子消滅寿命測定法で測定して得られる空孔サイズに対応した陽電子消滅寿命の第１ピークトップが、１０ｎｓ以上の領域にあることを特徴とする。また、本発明の樹脂膜は、上記に記載の樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の樹脂膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた硬化性及び低誘電率を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、並びに、前記膜形成用組成物を用いて得られる膜を提供。
【解決手段】（Ａ）ラジカル開始剤と、下記式（１）の化合物及び／又は下記式（１）の化合物を用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。Ｒ¹は炭素と水素からなり、お互い連結し、６員環以上の環構造を形成していてもよい。
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【課題】硬化性に優れ、かつ、低誘電率を有する絶縁膜を製造することができる絶縁膜の製造方法、及び、前記製造方法により得られる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】膜形成用組成物を塗布する工程と、塗布した膜形成用組成物に紫外線を照射する工程とを含み、前記膜形成用組成物が、ラジカル重合開始剤と、式（１）で表される化合物及び／又は少なくともこれを用いて重合した重合体を含むことを特徴とする絶縁膜の製造方法。
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【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜形成用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
（Ａ）少なくとも一般式（１）の化合物を一種含む原料を重合して得られる重合体。


（Ｂ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】比較的低い誘電率、高い熱安定性、高い機械強度及び高いガラス転移温度を与え、好ましくはスピンコーティングにより適用し、平坦になりかつパターン化された表面の間隙を満たすことを可能にするポリマー誘電体を用い良好な層間絶縁膜を形成できる膜形成用組成物及び膜の製造方法を提供する。
【解決手段】２個以上のジエン官能基を有する少なくとも１種の化合物と２個以上のジエノフィル官能基を有する少なくとも１種の化合物の間のディールスアルダー反応の生成物であり、前記化合物の少なくとも１つが前記官能基を３個有する、架橋されたもしくは架橋可能なポリフェニレンと光酸発生剤を含むことを特徴とし、該膜形成用組成物の製膜後、電子線もしくは波長が２００ｎｍよりも大きい電磁波を照射する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）