【課題】フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低誘電率および高耐熱性を有する膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、この絶縁膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、この絶縁膜形成用組成物を用いて絶縁膜を製造する方法、及び、この絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体を含む絶縁膜形成用組成物。


（一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^１は、アルキル基を、Ｒ^２は置換基を表す。ａは１〜１８の整数を、ｂは０〜６の整数を表す。＊は、結合位置を表す。） （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の膜厚ムラや点欠陥を低減し、デバイスエラー率が低減可能なゲート絶縁膜を有する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ソース-ドレイン電極と、チャネル層を構成する半導体層と、前記ゲート電極と前記チャネル層とに挟まれたゲート絶縁膜とを備えた電界効果型トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜が絶縁性有機高分子からなり、前記ゲート絶縁膜を形成させる際、被着体の界面に、アルミニウム含有有機化合物溶液によりアルミニウム含有有機化合物層を形成してなる、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】
高分子ブロック共重合体のミクロ相分離により、基板表面に周期が異なる規則的パターンからなる領域が共存したパターンや、規則的パターンの周期に分布を有するパターンを有する高分子薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
高分子ブロック共重合体組成物を含む高分子層を基板表面に配置し、前記高分子層をミクロ相分離させる工程を含む高分子薄膜の製造方法であって、前記基板表面は、化学的性質の異なる表面１と表面２にパターン化されており、かつ、高分子ブロック共重合体組成物が第１の高分子ブロック鎖と第２の高分子ブロック鎖からなる高分子ブロック共重合体に、第１の高分子鎖あるいは第２の高分子鎖に相溶する高分子、あるいは、第２の高分子ブロック共重合体が所定の組成で配合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高耐熱、高機械的強度、低誘電率など優れた特性を示す膜を形成することができる膜形成用組成物、その膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、その絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物、および該化合物を用いて得られる重合体を含む膜形成用組成物。


（Ａは有機結合基、または単結合を表す。Ｘ_１は、炭素炭素三重結合を有する基を表す。ｎは、２〜４までの整数を表す。） （もっと読む）

【課題】小さな誘電損失および高い信頼性を有し、均質な表面粗度および粒子を有するＰＶＤＦ薄膜を提供する。
【解決手段】前駆溶液からポリ（ビニリデンフルオリド）（「ＰＶＤＦ」）膜を基板上に作成するにあたり、まずＰＶＤＦ膜用の前駆溶液を調製するステップと、含水塩と、吸湿性化学物質とからなる群より選択される添加剤を前駆溶液に溶解させるステップと、ＰＶＤＦを前駆溶液に添加するステップによりＰＶＤＦ溶液を作成する。そのＰＶＤＦ溶液を基板にコーティングして蒸着直後のＰＶＤＦ膜を形成させ、ＰＶＤＦ膜は高温にて乾燥および結晶化させる。乾燥および結晶化させた蒸着直後のＰＶＤＦ膜は、さらに温度が高い高温（蒸着直後のＰＶＤＦ膜の融点よりも低い）にてアニーリングする。添加物はさらなる高温にて脱水する。 （もっと読む）

【課題】チャネル上における高い容量、低下した供給電圧及び低下した浮遊容量を可能にする有機薄膜トランジスタを提案する。
【解決手段】本発明は、ドレイン（５４）を形成する導電要素と、前記ドレイン（５４）と離れて位置するソース（５６）を形成する導電要素と、前記ドレイン（５４）に面する表面と前記ソース（５６）に面する表面とを有するゲート（６２）を形成する導電要素と、前記ドレイン（５４）及び前記ソース（５６）と接触する半導体層（５８）と、第１に前記ゲート（６２）と前記ソース（５６）との間に、第２に前記ゲート（６２）と前記ドレイン（５４）との間に位置する誘電層（６０）であって、その厚さに依存して変化する誘電率を有する誘電層（６０）と、を備える有機トランジスタ（５０）に関連する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流が抑止され、高い絶縁膜容量が得られ、低ゲート電圧で動作可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】
基板１１上に、ゲート電極１８、ゲート絶縁膜１７、有機半導体膜１６、ドレイン電極１４、及びソース電極１５を備える有機薄膜トランジスタである。ゲート絶縁膜１７は、低誘電体膜１７ａと高誘電体膜１７ｂの二層構造を有し、低誘電体膜１７ａは高誘電体膜１７ｂと有機半導体膜１６との間に介装されているとともに、低誘電体膜１７ａは非共有電子対を有する官能基を持たず且つ分子構造内にπ電子結合を持たない有機高分子化合物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】微細な開口を有する層間絶縁膜を形成するためのスクリーン版を提供する。
【解決手段】二次元的に配列された開口パターンをスクリーン印刷により印刷するためのスクリーン版において、スクリーン版の印刷方向に平行な一辺又は二辺の縁部に沿って所定のパターンが単数又は複数配列されているダミー印刷領域と、ダミー印刷領域よりも中心側に帯状に形成されている全面印刷を行うための全面印刷領域と、全面印刷領域よりも中心側に形成された前記開口パターンが二次元的に形成されている印刷領域とを有することを特徴とするスクリーン印刷を行うためのスクリーン版を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの加工の際に、ウエーハ保持面を保護する保護膜特性が優れており、とくに使用後、不要になった保護膜を特定のウエーハ洗浄液を使用することなく、容易に剥離して除去できる保護膜が得られる保護膜形成用組成物および該保護膜を環境負荷が伴わず剥離除去できる剥離方法を提供すること。
【解決手段】少なくともポリビニルブチラール樹脂（ａ）と、ポリビニルアセトアセタール樹脂（ｂ）とを含有する被膜形成材料（Ａ）と、一般式（１）で表される化合物（Ｂ）とを有機溶媒中に含有することを特徴とする保護膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を含む半導体装置に関し、配線間容量が低く絶縁性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に形成された多孔質絶縁材料を含む絶縁膜４４，４８と、絶縁膜４４，４８の少なくとも表面側に形成された溝６０に埋め込まれ、銅を含む配線６４ｂと、絶縁膜４８上及び配線６４ｂ上に形成され、含窒素複素環化合物を含む絶縁材料のバリア絶縁膜６６とを有する。 （もっと読む）

【課題】電極の縁端部が絶縁膜で覆われた構造の電極基板を製造するときに、電極と絶縁膜との重なり幅が設計どおりの幅となるようにする。
【解決手段】電極材料１４１からなる層の上に、膜厚が薄い領域、その領域に隣接する膜厚が厚い領域および膜の無い領域からなる絶縁膜パターン１５１を形成する（Ｅ）。絶縁膜パターン１５１をエッチングマスクとして電極材料１４１をエッチングし、電極１４ａ、１４ｂを形成（Ｆ）した後、縁端部の絶縁材料１５２のみ残して絶縁膜パターン１５１を除去する（Ｇ）。残存する絶縁材料１５２を溶解変形させることにより、電極１４ａ、１４ｂの縁端部を覆う絶縁膜１５を形成する。 （もっと読む）

本製造方法は、厚さ１００ｎｍ未満の金属酸化物活性層を有する半導体装置の製造に用いられ、その上部主要表面および下部主要表面は、下部界面および上部界面を形成するための接合する材料を有する。本製造方法は、金属酸化物活性層のために金属酸化物を選択することにより、および、接合する材料のために特定の材料を選択することにより、下部界面と上部界面との界面相互作用を制御することを含む。さらに、本方法は、下部界面の成分を形成する下部材料の表面処理によって下部界面内の相互作用を制御する段階、および、金属酸化物層上の材料の堆積に先立って実行される金属酸化物フィルムの表面処理によって上部界面の相互作用を制御する段階、の一方または両方の段階を含む。
（もっと読む）

【課題】低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性に優れた半導体装置用絶縁膜、当該半導体装置用絶縁膜の製造方法及び製造装置、半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定のアルキルボラジン化合物を気化した原料ガスを含有するガスをチャンバ２内に供給し、誘導結合型プラズマ発生機構（４、５、６）を用いて、チャンバ２内に電磁波を入射して、ガスをプラズマとし、プラズマのプラズマ拡散領域に基板８を配置し、プラズマにより解離されたアルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合し、半導体装置用絶縁膜として基板８に成膜する。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁膜の形成方法及び貫通ビアの金属化への適用。
【解決手段】本発明は主に、シリコン基板などの電気導体基板又は半導体基板の表面に電気絶縁膜を形成する方法に関する。本発明によれば、上記方法は、ａ）上記表面を溶液と接触させる工程と、ｂ）少なくとも６０ナノメートル、好ましくは８０〜５００ナノメートルの厚さの膜が形成されるのに充分な時間、上記表面を定電圧パルスモード又は定電流パルスモードで分極する工程とを含み、上記溶液は、プロトン性溶媒と、少なくとも一種のジアゾニウム塩と、連鎖重合可能であって上記プロトン性溶媒に可溶である少なくとも一種のモノマーと、上記溶液のｐＨ値を７未満、好ましくは２．５未満に調整して上記ジアゾニウム塩を安定化するのに十分な量の少なくとも一種の酸とを含有する。適用：貫通ビア、特に３Ｄ集積回路の貫通ビアの金属化。 （もっと読む）

【課題】電位を印加した溶液中の化学物質の測定の際、リーク電流が半導体基板に流れない膜厚のシリコン酸化膜にてゲート絶縁膜が形成され、容易にシランカップリングによるアミノ酸基の導入が行え、かつ溶液と配線間に流れるリーク電流を抑える溶液測定用半導体センサチップを提供する。
【解決手段】本発明の溶液測定用半導体センサチップは、ゲート絶縁膜が露出されたMOSトランジスタからなり、電位の印加された溶液中に浸して化学物質の検出を、MOSトランジスタに流れる電流変化を検出することで行うものであり、半導体基板上に形成されたMOSトランジスタのゲート絶縁膜上に固定された有機単分子層と、MOSトランジスタのソース及びドレインに接続された配線と、有機単分子層部分が露出する開口部を有するパッシベーション膜とを有し、ゲート絶縁膜の最表層がシリコン酸化膜で形成され、このゲート絶縁膜が30nm以上の厚さにて形成されている。 （もっと読む）

【課題】外部ストレス、及び静電気放電による形状不良や特性不良などの半導体装置の不良を低減することを目的の一とする。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程中においても上記不良を低減することで半導体装置の製造歩留まりを向上させることを目的の一とする。
【解決手段】外部ストレスに対する耐衝撃層、又はその衝撃を拡散する衝撃拡散層とで挟持された半導体集積回路と、半導体集積回路を覆う導電層とを有する。半導体集積回路を覆う導電層により、半導体集積回路の静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）による静電気破壊（回路の誤動作や半導体素子の損傷）を防止する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を得ることができる有用な有機絶縁材料を提供し、また、低誘電率、低密度、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を提供し、さらにそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の有機絶縁材料は、重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とするかご型構造を有するかご型構造化合物のプレポリマーを含む有機絶縁材料であって、前記プレポリマーは、ＧＰＣ−ＲＡＬＬＳ法により測定される重量平均分子量及び慣性半径の両対数グラフにおける重量平均分子量が５０万以上２００万以下の範囲の直線の傾きが、０．３３以上０．４７以下である。本発明の樹脂膜は、前記有機絶縁材料を、加熱、活性エネルギー線照射、又は加熱と活性エネルギー線照射により、架橋反応させて得られる。本発明の半導体装置は、前記樹脂膜を具備する。 （もっと読む）

【課題】保存性の良好な安定性の高い塗布液であって、無機ＥＬ素子に用いる誘電体層等に好適な、平坦性に優れ、空隙の少ない緻密な表面を有する誘電体層を得ることができる誘電体膜形成用塗布液の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコール類、エステル類及びカルボン酸からなる混合溶剤中に、少なくとも１種の金属元素を含む有機酸塩と、チタン、スズ及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属アルコキシドを含有する前駆体溶液中に、特定の種類である有機溶媒、特定の種類であって特定の平均分子量を有する高分子樹脂、及び特定の種類であって特定の粘度を有する粘度調整液を含む希釈液を添加し、希釈後の前駆体溶液中の金属元素濃度を０．２〜０．５ｍｏｌ／Ｌに調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液体プロセスに採用し易い配向性の制御が可能な半導体装置や強誘電体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板と、前記基板の上方に配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極間に配置されチャネル部を構成する有機半導体膜と、前記チャネル部との間にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを有する半導体装置の製造方法であって、前記基板(2)の上方に絶縁性ポリマーを材料に含む液体材料(6a)を塗布する第１工程と、塗布された前記液体材料に対して送風を行いつつ加熱することにより前記ゲート絶縁膜を形成する第２工程と、を有する。かかる方法によれば、溶液プロセスにおいて簡易な方法で、ゲート絶縁膜の配向性を向上させることができる。 （もっと読む）