【課題】 半導体の製造に有用な高い耐熱性及び極めて低い比誘電率を有するとともに、比誘電率のばらつきの少ない絶縁膜を形成しうる絶縁膜形成材料を得る。
【解決手段】 官能基間の反応により空孔構造を有するポリマーを形成可能な２つの化合物Ａ及びＢのうち少なくとも一方が、中心骨格として有橋脂環骨格又は芳香環骨格を有し、少なくとも一方が中心骨格と前記官能基との間に芳香環を含む２価の有機基からなる耐熱性骨格を有し、且つ少なくとも一方が分子内にアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数２〜２０の有機基からなるフレキシブルユニットを有しており、化合物Ａの官能基と化合物Ｂの官能基が、互いに反応して複素環を形成しうる一対の官能基であるか、又はともに置換基を有していてもよいエチニル基を含む基であるという条件を満足する化合物Ａ及びＢを含む絶縁膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】絶縁性が高い銅配線構造の半導体装置を提供することである。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置において、
前記半導体装置の配線層は配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記配線間絶縁膜は、
エッチングレートが異なる複数の絶縁膜による積層構造で構成され、
少なくとも一つの絶縁膜が銅拡散耐性を持つ樹脂で構成され、
前記複数の絶縁膜は、ビア部分の導体に圧縮応力が作用する組み合わせからなる。 （もっと読む）

誘電性領域および導電性領域を含む、パターン化半導体基板表面を提供することと、両親媒性表面調整剤を誘電性領域に塗布し、誘電性領域を調整することと、を含む、パターン化半導体基板を調整する方法が提示される。いくつかの実施形態では、誘電性領域を調整することは、誘電性領域のぬれ角を調整することを含む。いくつかの実施形態では、ぬれ角を調整することは、誘電性領域の表面を親水性にすることを含む。いくつかの実施形態では、方法は、水溶液をパターン化半導体基板表面に塗布することをさらに含む。いくつかの実施形態では、導電性領域は、水溶液によって、選択的に増強される。いくつかの実施形態では、方法は、低誘電率材料から形成される誘電性領域を提供することをさらに含む。いくつかの実施形態では、両親媒性表面調整剤を塗布することは、低誘電率領域の後続プロセスとの相互作用を調整する。
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【課題】光閉じ込め効果の高い太陽電池用光散乱膜および太陽電池用光学部材、および変換効率が高い太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の光散乱膜２は、マトリックス樹脂中に、マトリックス樹脂よりも屈折率が高い散乱粒子が分散された太陽電池用光散乱膜であって、光散乱膜２の透過率が７０％以上であり、ヘイズ率が５８〜９０％であることを特徴とする。 （もっと読む）

原子層堆積法及び分子層堆積法を用いて柔軟性基板上に被覆された被膜。この被膜の厚さは１００ｎｍ以下である。この被膜は、アルミナのような無機材料の層を含み、柔軟性を付与する層により分離され、この柔軟性を付与する層は、無機材料層に共有化学結合で結合するように堆積され、原子層堆積法で堆積されたシリカ、分子層堆積法で堆積された有機ポリマー、又は分子層堆積法で堆積された複合有機−無機ポリマー、のうちの１又はそれ以上である。
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【課題】低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性を備えた半導体装置用絶縁膜及びその製造装置、当該半導体装置用絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアガスとボラジン骨格系分子を有する材料を気化した原料ガスとを含有する混合原料ガスを、チャンバ内に供給し、混合ガスをプラズマ状態とし、チャンバ内に載置した基板にバイアスを印加し、ボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合して、チャンバ内に載置した基板に半導体装置用絶縁膜として成膜する成膜工程と、成膜工程の後、基板に印加するバイアスを、成膜工程におけるバイアスとは異なる大きさとし、ボラジン骨格系分子を有する材料を気化した原料ガスのみ漸減しながら供給し、キャリアガスが主となるプラズマで当該膜を処理する反応促進工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ワックス材料を溶融状態にして保護層を成膜してトランジスタ性能が安定している有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、前記保護層の形成時に、有機半導体層にダメージを与えない有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体材料を含有する塗布液を、基板上へ供給して有機半導体層を形成する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
構成層として、該有機半導体層の保護層を有し、該保護層が、ワックス材料を溶融状態で成膜することにより形成される工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機電気素子の有機半導体膜が層間絶縁膜と接して形成される場合に、結晶性が低下し層間絶縁膜に対する光照射時に光酸化されることを防止するために、有機半導体膜と層間絶縁膜の間に位置する遮光性保護膜として有用に使用することができる遮光型水溶性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明は遮光型水溶性樹脂組成物に関し、特に（ａ）水溶性樹脂；（ｂ）水溶性染料化合物；（ｃ）溶媒を含むことを特徴とする有機半導体保護膜用遮光型水溶性樹脂組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】高温プロセスを行なわず、かつ、モノマーを生成せずに成膜材料を安定な状態で対象物にポリマーの薄膜を形成する。
【解決手段】成膜装置１は、成膜材料５を２００℃以下の温度で加熱して昇華させる加熱部７と、昇華させた成膜材料５をプラズマによって重合反応させる反応部８と、が設けられている。そして、反応部８で重合反応させた成膜材料５を基板３に射出して基板３の成膜面３１に薄膜を形成する。 （もっと読む）

ブロック共重合体などの自己組織化材料は、ピッチマルチプリケーションのためのマンドリル（１６２）として使用される。共重合体は、基板（１１０）上に堆積され、所望のパターンへと自己組織化を促される。ブロック共重合体を形成するブロックのうちの一つ（１６４）は、選択的に除去される。残っているブロックは、ピッチマルチプリケーションのためのマンドリル（１６２）として使用される。スペーサ材料は、ブロック（１６２）上にブランケット堆積される。スペーサ材料は、マンドリル（１６２）の側壁上にスペーサを形成するために、スペーサエッチングに暴露される。マンドリル（１６２）は、独立したスペーサを残すために選択的に除去される。スペーサは、下部基板（１１０）内にパターンを画定するために、ピッチ増倍化マスク機構として使用されうる。
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【課題】良好な生産性をもって、膜質や膜厚、結晶性を制御できる有機薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】アントラセン、テトラセンおよびペンタセンなどのアセン系多環芳香族炭化水素を始めとした種々の有機半導体の有機薄膜を製造するにあたって、溶質溶解温度および溶質溶解圧力で前記有機溶質を超臨界二酸化炭素溶媒相に溶解させて超臨界溶質溶解相を得る溶質溶解工程と、当該超臨界溶質溶解相をノズルから基板上に噴射して当該基板上で前記有機溶質を析出させて有機薄膜を形成する噴射工程とを行う。溶質溶解温度は溶媒の臨界温度以上、溶質溶解圧力は１０ＭＰａ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低電力のプラズマを容易に生成、維持、制御することができるようにし、もって低誘電率のプラズマ重合高分子膜を容易に形成することができるようにする。
【解決手段】原料ガスを真空チャンバ１内に導入し、真空チャンバ１内の基板２と該基板２と相対向する対向電極４との間にグロー放電によるプラズマを励起して基板２表面に薄膜を形成する成膜方法において、基板２表面の仕事関数以上のエネルギーの光を基板２へ照射すると共に、基板２と対向電極４間へのＤＣパルス電圧の印加を行うことによって、基板２と対向電極４間にグロー放電を開始させる。 （もっと読む）

【課題】写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】隣り合う配線用導電層５はエアギャップ８を挟んでおり、材質に銅を含んでいる。導電性のキャップ層６は、配線用導電層５上に選択的に形成され、かつ配線用導電層５中の銅の拡散のバリアとして機能する。絶縁膜７は、配線用導電層５、キャップ層６およびエアギャップ８の上に延在し、かつキャップ層６の上面および側面を覆っている。上層配線用のビアホールはキャップ層６に達し、かつ絶縁膜７を貫通していない。 （もっと読む）

【課題】孔部の少なくとも内壁面に均一な被膜を形成する方法、この方法を利用した、絶縁膜を有する構造体及びその製造方法並びに電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の被膜形成方法は、開口部の面積が２５〜１０，０００μｍ^２であり且つ深さが１０〜２００μｍである孔部を有する基板に、溶剤を塗布する溶剤塗布工程と、樹脂成分及び溶剤を含有し、剪断速度６ｒｐｍにおける粘度Ｖ_１（ｍＰａ・ｓ）と、剪断速度６０ｒｐｍにおける粘度Ｖ_２（ｍＰａ・ｓ）との比（Ｖ_１／Ｖ_２）が、１．１以上の樹脂組成物を、該樹脂組成物が上記孔部内の上記溶剤と接触するように、上記基板に塗布する樹脂組成物塗布工程と、塗膜を乾燥する乾燥工程と、を備え、該孔部の内壁面及び底面のうちの少なくとも該内壁面に上記樹脂成分を含む被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】導電体層／絶縁体層／半導体層構造を有する有機電界効果トランジスターにおいて、半導体層を形成する物質が有機化合物であり、絶縁体層を形成する物質が下記式（１）で示されるモノマー及び／又は下記式（２）で示されるモノマーを重合又は共重合して得られる高分子物質を含んでなることを特徴とする有機電界効果トランジスター。
ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ₂）₂−ＣＮ −−− （１）
ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯ−（ＣＨ₂）₂−ＣＮ −−− （２）
【解決手段】本発明によれば、導電体層／絶縁体層／半導体層構造を有するＴＦＴにおいて、半導体層及び絶縁体層材料の両者を有機化合物とし、更に絶縁体層を形成する物質として水酸基を有しない高分子物質を用いることにより、ｎ型トランジスター特性を低下させることがなく、更にキャリアー移動度を高めることができる。 （もっと読む）

【目的】合わせずれにより下層配線層の絶縁膜が大きくエッチングされてしまうことを抑制する半導体装置の製造方法及びその方法で製造された半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、下層配線となるＣｕ膜２６０と、Ｃｕ膜２６０の側面側に配置された有機絶縁膜２２０と、Ｃｕ膜２６０の側面側であって有機絶縁膜２２０上に配置された有機絶縁膜２２０よりも比誘電率が高いＳｉＯＣ膜２２２と、ＳｉＯＣ膜２２２側に一部がはみ出して配置された、Ｃｕ膜２６０を上層配線２６５側へと接続するプラグ２６３と、Ｃｕ膜２６２のＳｉＯＣ膜２２２側にはみ出した部分の下部に配置された、ＳｉＯＣ膜２２２よりもエッチングレートが低い膜質の改質膜２８０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】相分離誘電体構造を備える電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、半導体層を堆積し、低誘電率材料、高誘電率材料及び液体を含む誘電体組成物を低誘電率材料及び高誘電率材料を相分離させずに液相堆積し、低誘電率材料および高誘電率材料の相分離を生成することを含む。低誘電率材料は半導体層に最も近い誘電体構造の領域内の高誘電率材料の濃度に比べて高濃度であり、半導体層の堆積は、誘電体組成物を液相堆積する前、または相分離を生成した後になされる。 （もっと読む）

【課題】相分離誘電体構造を備える電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスであって、（ａ）半導体層と、（ｂ）低誘電率ポリマーおよび高誘電率ポリマーを含む相分離誘電体構造と、を任意の順に含み、前記低誘電率ポリマーは、前記半導体層に最も近い前記誘電体構造の領域内の前記高誘電率ポリマーの濃度に比べて高濃度である、電子デバイスが提供される。 （もっと読む）

【課題】ポリ（ジオルガノ）シロキサンと金属アルコキシドから形成される有機修飾シリケートの１μｍ以上の厚膜で、相分離による凹凸が生じず、低いヤング率で基板の変形にも追従できる柔軟性を有し、電子デバイス等の微細部品を実装できる膜表面の平坦性の高い有機修飾シリケート絶縁膜を形成できる表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液を提供。
【解決手段】質量平均分子量が900以上10000以下であるポリ（ジオルガノ）シロキサンＡと金属アルコキシドＢを有機溶媒Ｃに溶解し、さらに水を添加してなる塗布溶液であって、金属アルコキシドＢ１モルに対するポリ（ジオルガノ）シロキサンＡのモル比Ａ／Ｂが0.05以上1.5以下であり、前記有機溶媒Ｃが水酸基を有し、有機溶媒Ｃ100ｇに対する水の溶解度が３〜20ｇで、ポリ（ジオルガノ）シロキサンＡ１モルに対する有機溶媒Ｃのモル比Ｃ／Ａが0.05〜100である表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液。 （もっと読む）

【課題】 薄いフォトレジストのフォトレジスト選択比を高めることで、エッチング効率を向上させることができる半導体素子のエッチング方法を提供する。
【解決手段】 物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含んで半導体素子のエッチング方法を構成する。 （もっと読む）