【課題】良好なエアギャップを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基体上にライン・アンド・スペース構造を形成する工程と、前記ライン・アンド・スペース構造のラインの側壁および上面に絶縁膜材料で第１の膜を成膜する工程と、前記第１の膜を選択的に除去して前記ライン構造の頂面を露出させる工程と、前記ライン・アンド・スペース構造を跨ぐ第２の膜を塗布成膜法により成膜する工程と、前記第２の膜を熱処理により硬化させる工程と、を持つ。前記第１の膜の厚さは前記スペースの幅の１／２未満であり、前記第２の膜は、前記第１の膜に対する濡れ性が悪い材料で前記ライン・アンド・スペース構造を覆うことにより成膜される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、所定の方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるように、ポリイミド樹脂組成物を脱気する脱気工程と、金属基材上に、上記ポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】基板を薄板化しても基板の反りを抑制でき、耐熱性、機械特性に優れた絶縁膜で保護された半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の一方の面に第１表面電極２を形成し、第１表面電極２が形成された基板の表面に、芳香族テトラカルボン酸及び芳香族テトラカルボン酸二無水物から選ばれる１種以上のアシル化合物を、前記芳香族ジアミンよりも１モル％以上多く反応して得られるポリアミド酸を含むポリイミド前駆体組成物を塗布し、イミド化して絶縁膜３を形成し、第１表面電極２及び絶縁膜３が少なくとも形成された基板１を、第１表面電極側からダイシングして素子ユニットを分離して半導体素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、半導体装置の製造に適用した際に絶縁不良等の問題を生じにくい絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成されたものであって、フッ素系ガスでエッチングした際のエッチングレートが、ＳｉＯ膜の０．７５倍以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】製造過程の絶縁膜の剥離や飛散を抑制して半導体装置を歩留まり良く製造する。
【解決手段】ウェーハの上方に下地となる第１絶縁膜を介して第２絶縁膜を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、熱処理を行った後（ステップＳ３，Ｓ４）、その熱処理後の第２絶縁膜の一部を選択的に除去する（ステップＳ５）。熱処理の間、第１絶縁膜を第２絶縁膜で覆い、熱処理時の第１絶縁膜の剥離及び飛散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 剥離の発生の少ない薄膜多層配線基板とその製造方法を提案する。
【解決手段】 少なくとも一つの前記配線層が、下層の配線層上に形成された第一のＳｉＯ_２薄膜と、前記第一のＳｉＯ_２薄膜上に形成されたＳｉＯＮ薄膜と、前記ＳｉＯＮ薄膜上に形成された第二のＳｉＯ_２薄膜と、前記第二のＳｉＯ_２薄膜に埋め込まれて形成された配線導体と、前記配線導体と接続しかつ前記第一のＳｉＯ_２薄膜、前記ＳｉＯＮ薄膜および前記第二のＳｉＯ_２薄膜を貫通して前記下層の配線層の配線導体と電気的に接続するビア導体と、前記第二のＳｉＯ_２薄膜上に形成されたＳｉＮ薄膜と、で構成されている。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有するとともに、ＴＦＴの性能安定性が高いトランジスタ基板及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面にガスバリア層２０が設けられたプラスチック基材１２と、前記プラスチック基材上に設けられ、ゲート電極４２、ゲート絶縁層３０、酸化物半導体又は有機半導体を含む活性層４４、ソース電極４６、及びドレイン電極４８を有する電界効果型薄膜トランジスタ４０と、を含み、前記ガスバリア層が、少なくとも１つの有機層２４と少なくとも１つの無機層２２，２６とが積層した構造を有し、且つ、前記ゲート絶縁層が、少なくとも１つの有機層３４と少なくとも１つの無機層３２，３６とが積層した構造を有することを特徴とするトランジスタ基板１０。 （もっと読む）

【課題】基板実装による誘導素子（インダクタ）の特性劣化を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に電極１１ａ，１１ｂが設けられた半導体基板１０と、電極１１ａ，１１ｂと整合する位置に第１の開口部を有する第１の絶縁樹脂層１２と、第１の開口部を介して電極１１ａ，１１ｂと導通した第１の配線層１３ａ，１３ｂと、第１の開口部と異なる位置に第２の開口部を有する第２の絶縁樹脂層１４と、第２の絶縁樹脂層１４上に設けられ、かつ誘導素子１５ｃを有する第２の配線層１５と、第２の絶縁樹脂層１４および第２の配線層１５の上において少なくとも誘導素子１５ｃを覆う電気絶縁性を有する磁性体層１９と、第２の配線層１６に導通する実装用端子１７とを備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、かつレジスト膜の露光時、反射率の低下が可能なアモルファスカーボン膜を形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、ウエハ上にエッチング対象膜を形成する工程、処理容器内にＣＯガス及びＮ２ガスを含む処理ガスを供給する工程、供給されたＣＯガス及びＮ２ガスからアモルファスカーボンナイトライド膜３３０を成膜する工程、膜３３０上に酸化シリコン膜３３５を形成する工程、膜３３５上にＡｒＦレジスト膜３４５を形成する工程、ＡｒＦレジスト膜３４５をパターニングする工程、ＡｒＦレジスト膜３４５をマスクとして酸化シリコン膜３３５をエッチングする工程、酸化シリコン膜３３５をマスクとしてアモルファスカーボンナイトライド膜３３０をエッチングする工程、アモルファスカーボンナイトライド膜３３０をマスクとしてエッチング対象膜をエッチングする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置の製造工程を大幅に簡略化する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上方に配置された絶縁層及び画素電極を有し、画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続され、表面に凹凸を有し、かつ、反射機能を有し、絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素及び有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造を有し、絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料及び顔料の少なくともいずれか一を含む遮光膜である表示装置とする。 （もっと読む）

有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）を絶縁体材料として用いて薄層トランジスタが製造される。有機ケイ酸塩ガラスは、シロキサンと酸素からプラズマ化学気相成長法によって被着されたＳｉＯ_２−シリコーンハイブリッド材料であってよい。これらのハイブリッド材料は、ゲート誘電体として、サビング層としておよび／またはバックチャネル不動態化層として利用されてよい。トランジスタは、従来のあらゆるＴＦＴ幾何形状で製造されてよい。
（もっと読む）

【課題】 良好な特性を有する酸化物薄膜トランジスタ、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
酸化物半導体層９上面に積層するゲート絶縁層５を、有機絶縁体からなる下側の有機絶縁層５１と、無機絶縁体からなる上側の無機絶縁層５２とから構成した。また、無機絶縁層５２を、パーヒドロポリシラザン溶液を用いた塗布法により形成した。酸化物半導体層９の上面には、酸化物半導体層９にダメージを与えることなく形成可能な有機絶縁層５１のみが接触する構成としたため、酸化物半導体層９にダメージを与えることなく、ゲート絶縁層５を形成させることができる。また、塗布法を用いたことにより、大がかりな装置を用いることなく、簡単、且つ安価に、無機絶縁層５２を形成することができる。これにより、性能の良い酸化物薄膜トランジスタを、簡単、且つ安価に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を得ることができる有用な有機絶縁材料を提供し、また、低誘電率、低密度、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を提供し、さらにそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の有機絶縁材料は、重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とするかご型構造を有するかご型構造化合物のプレポリマーを含む有機絶縁材料であって、前記プレポリマーは、ＧＰＣ−ＲＡＬＬＳ法により測定される重量平均分子量及び慣性半径の両対数グラフにおける重量平均分子量が５０万以上２００万以下の範囲の直線の傾きが、０．３３以上０．４７以下である。本発明の樹脂膜は、前記有機絶縁材料を、加熱、活性エネルギー線照射、又は加熱と活性エネルギー線照射により、架橋反応させて得られる。本発明の半導体装置は、前記樹脂膜を具備する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極同士の間隔が狭い場合においても、基板に損傷を与えることなく微細なコンタクトホールを安定して形成することが可能な半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１１の上に互いに間隔をおいて形成されたゲート電極１３と、基板１１の上に、ゲート電極１３同士の間の領域を埋め且つゲート電極１３を覆うように形成された第１の絶縁膜１６と、第１の絶縁膜１６の上に下側から順次形成された第２の絶縁膜１７及び第３の絶縁膜１８と、第１の絶縁膜１６、第２の絶縁膜１７及び第３の絶縁膜１８を貫通し、ソース・ドレイン領域１５と電気的に接続されたコンタクトプラグ２２とを備えている。第１の絶縁膜１６は、水素原子を含み且つフッ素原子を含まないガスによりドライエッチング可能な材料からなる。 （もっと読む）

基板の外に導通する微小空洞（１）を備える基板（２）の表面は、複数の懸濁状態の粒子（４）と構造体（３）とを含む水溶液と接触している。垂直方向への圧力が、構造体（３）と基板（２）の表面との間の基板の開口部に加えられ、構造体（３）及び表面の相対的運動が、基板の開口部に適用される。少なくとも１つの粒子（４）は、したがって、それぞれの微小空洞（１）内へ送り込まれ、微小空洞（１）内で、ナノサイズの糸又はナノチューブの正中央のための触媒材料である多孔質材料を形成する。
（もっと読む）

【課題】エッチング加工後のアモルファスカーボン膜をウエット洗浄した際の酸化による劣化を抑制することができるアモルファスカーボン膜の処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 環境感受性デバイスの水蒸気による劣化を防止することを目的とする。
【解決手段】基板上に、環境感受性素子と、バリア性積層体とを、該順に有し、かつ、該バリア性積層体は、少なくとも１層の水素化窒化珪素層と、少なくとも１層の他の無機層とを有する、環境感受性デバイス。 （もっと読む）