【課題】エピタキシアル沈着工程だけを用いて製造される縁部端子領域を有する高電圧半導体ディバイスを提供すること。
【解決手段】半導体ディバイスの製造方法は相互に対向する第１及び第２の主表面を有する半導体基板を設けることを含む。この方法は、上記の半導体基板に少なくとも１つの溝と、第１メサおよび第２メサとを設けることを含む。この方法は、また、各溝の両側壁と底部とを酸化し、ドープされた酸化物を各溝ならびに第１および第２メサの頂部に沈着させて、沈着せられた酸化物が流動して、各第１メサのシリコンが完全に二酸化ケイ素に変換し、各第２メサのシリコンが部分的にのみ二酸化ケイ素に変換し、各溝には酸化物が充填される温度で、半導体基板を熱酸化させることを含む。 （もっと読む）

【課題】下部金属層、中間誘電体層、および上部金属層を含む層のスタックを、半導体基板上に形成する方法に関し、特に、金属−絶縁体−金属キャパシタ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】下部金属層は、Ｒｕ層の制御された酸化により得られたルテニウム酸化層により覆われたルテニウム層である。誘電体層は、酸化剤として水を用いた原子層成長による、薄いＴｉＯ_２保護層の最初の堆積と、これに続くＯ_３を酸化剤として用いたＡＬＤによる第２誘電体の堆積とにより得られる。好適には、第２誘電体は、ルチル相のＴｉＯ_２層である。薄い保護層は、Ｏ_３によるエッチングからＲｕを保護し、ルチル相ＴｉＯ_２の形成を容易にする。Ｒｕ層の粗さが変化しないように、Ｒｕ層を酸化する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】収縮率および引っ張り応力の低いアイソレーション構造の形成方法の提供。
【解決手段】基板表面に多孔質化剤を含む第１のポリシラザン組成物を塗布および焼成して、屈折率が１．３以下の多孔質シリカ質膜を形成させ、次いでその膜の表面に第２のポリシラザン組成物を含浸させ、焼成することにより、屈折率１．４以上のシリカ質膜からなるアイソレーション構造を形成させる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく、良好な圧電特性を有する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】液体噴射ヘッド６００は、ノズル孔６１２に連通する圧力発生室６２２と、圧電体層２０、および圧電体層２０に電圧を印加する電極１０，３０を有する圧電素子１００と、を含み、圧電体層２０は、ペロブスカイト型構造の複合酸化物からなり、複合酸化物は、Ａサイトの元素として、ビスマス、ナトリウム、およびバリウムを含み、Ｂサイトの元素として、銅、およびチタンを含み、銅およびチタンの総量に対する、銅の割合は、７ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下である。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく、良好な圧電特性を有する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】液体噴射ヘッド６００は、ノズル孔６１２に連通する圧力発生室６２２と、圧電体層２０、および圧電体層２０に電圧を印加する電極１０，３０を有する圧電素子１００と、を含み、圧電体層２０は、ペロブスカイト型構造の複合酸化物を含み、複合酸化物は、Ａサイトの元素として、ビスマス、ナトリウム、およびバリウムを含み、Ｂサイトの元素として、チタンを含み、Ｂサイトの元素に対する、Ａサイトの元素のモル比（Ａサイトの元素／Ｂサイトの元素）は、１．０４以上１．０８以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上にパターニングされたＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜を生成する製膜方法において、拡散制御性能、またはパッシベーション性能を満たすＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜を生成する。
【解決手段】ＳｉＯ₂および／もしくはＳｉＯ₂前駆体を含む溶液を半導体基板上にパターニングして塗布して第１パターンを生成するステップと、ＣＶＤ法によってＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜を生成するステップと、フッ酸水溶液に浸漬させて前記第１パターンを除去することにより、前記ＣＶＤ法によるＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜からなる第２パターンを生成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の欠陥を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置システムを提供する。
【解決手段】金属膜としてのTiN膜及び絶縁膜としてのZrO₂膜が形成されたウエハを処理室へ搬入し、この処理室にZrO₂膜を改質する改質ガスとしてO₂を供給し、このウエハに電磁波を照射することにより、ZrO₂膜を構成する双極子を励起してZrO₂膜を改質し、ウエハを処理室から搬出する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ窒化処理によって形成した酸化窒化珪素膜からのＮ抜けによる膜中窒素濃度の低下を抑制し、被処理体間・ロット間での窒素濃度のばらつきを最小限にする。
【解決手段】 絶縁膜の改質方法は、被処理体の表面に露出した酸化珪素膜をプラズマ窒化処理し、酸化窒化珪素膜を形成する窒化処理工程と、前記酸化窒化珪素膜の表面を酸化処理する改質工程とを行い、窒化処理工程の終了から前記改質工程の開始までの間、真空雰囲気を維持する。また、プラズマ窒化処理は、窒化処理工程直後の酸化窒化珪素膜の膜中窒素濃度をＮ_Ｃ０とし、改質工程後の酸化窒化珪素膜の膜中窒素濃度の目標値をＮ_ＣＴとしたとき、Ｎ_Ｃ０＞Ｎ_ＣＴとなるように行う。 （もっと読む）

【課題】低コストで量産性の高い不純物拡散を実現する。
【解決手段】基板１０に不純物を拡散する不純物拡散方法では、まず、基板１０において不純物を拡散すべき領域１８に、不純物の拡散を防止するマスク材料を含む溶液を塗布する。次に、基板１０を乾燥して、溶液に含まれる溶媒の一部を蒸発させた半乾きマスク１４を形成する。次に、基板１０に対し不純物の気相拡散を行う。これにより、半乾きマスク１４に形成された拡散領域１８は、半乾きマスク１４を形成しなかった拡散領域１６に比べて、不純物の濃度が高くなる。 （もっと読む）

【課題】基板上に、下部電極層、ピンド層、トンネルバリア層、フリー層、上部電極層を順次成膜してなるトンネル磁気抵抗効果素子において、極力小さい膜厚で良好な被覆性を確保できるトンネルバリア層を実現する。
【解決手段】基板１０上に、下部電極層２０、ピンド層３０、トンネルバリア層４０、フリー層５０、上部電極層６０が順次積層されてなるトンネル磁気抵抗効果素子１において、トンネルバリア層４０は、原子層成長法により成膜されたアルミナなどからなり、膜厚を薄いものとしても、下地のピンド層３０の表面に存在する凹凸の被覆性を高め、トンネルバリア層４０の膜厚ばらつきを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】絶縁性酸化物の量産性を高めこと、また、そのような絶縁性酸化物を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与すること、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、パルスＤＣスパッタリング等の大きな基板に適用できる量産性の高いスパッタリング方法で成膜し、これを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させる。膜のその他の部分は添加された材料の濃度が低下し、十分な絶縁性を呈するため、半導体装置のゲート絶縁物等に利用できる。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、圧電特性に優れた新規な圧電材料を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型構造を有する圧電材料は，一般式（１）で表される。(Ｂｉ_1-xＢａ_x)（Ｆｅ_1-xＴｉ_x）Ｏ₃・・・（１）但し，０＜ｘ＜１である。ｘは、ペロブスカイト型構造のＡサイトにおけるＢａ組成であって、ＢサイトにおけるＴｉ組成である。圧電材料は、環境上問題となる鉛（Ｐｂ）を含まないため、極めて有用である。さらに、鉛フリーでありながら、良好な圧電特性、例えば充分な格子のひずみ量を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】紫外光による基板のダメージを最小限に抑えながら基板の酸化膜の改質を行う。
【解決手段】オゾンと紫外光とを基板１１に供して基板１１上の酸化膜を改質する酸化膜改質装置１は、格納された基板１１に対してオゾンと紫外光が供される処理炉２と、前記改質が開始されてからの基板１１に供された後のオゾンガスのオゾン濃度の上昇を検出しこの検出したオゾン濃度の上昇速度の変化に基づき紫外光の照射を制御する制御部７とを備える。制御部７は前記オゾン濃度の上昇速度の低下を検出した時点で基板１１に対する紫外光の照射を停止させる。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの内部に酸化障壁となる膜を形成しなくても、トレンチの内部に埋め込まれた埋め込み材料に空隙が発生することを抑制することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともトレンチ６の側壁に酸化膜７が形成されている半導体基板１を加熱し、半導体基板１の表面にアミノシラン系ガスを供給して半導体基板１上にシード層８を形成し、シード層８が形成された半導体基板１を加熱し、シード層８の表面にモノシランガスを供給してシード層８上にシリコン膜９を形成し、シリコン膜９が形成された半導体基板１のトレンチ６を、焼成することで収縮する埋め込み材料１０を用いて埋め込み、トレンチ６を埋め込む埋め込み材料１０を、水及び／又はヒドロキシ基を含む雰囲気中で焼成するとともに、シリコン膜９、及びシード層８をシリコン酸化物に変化させる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、ノーマリーオフの特性を有し、かつ電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】基板に第１の熱処理を行い、次に基板上に下地絶縁層を形成し、次に下地絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、第１の熱処理から酸化物半導体層の形成までを大気に暴露せずに行う。次に、酸化物半導体層を成膜した後、第２の熱処理を行う。下地絶縁層には、加熱により酸素を放出する絶縁層を用いる。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜を、簡便で低コストに、パターニングする方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に油性インクのパターンを形成する工程と、前記油性インクのパターンが形成された基板上に有機ケイ素ポリマーを塗布する工程と、ホットプレート法により、前記基板上に形成された前記有機ケイ素ポリマーを酸化してシリコン酸化膜を形成すると共に、前記油性インクを分解することにより油性インクのパターン上のシリコン酸化膜を剥離し、前記油性インクのパターンとは逆のパターン形状を有するシリコン酸化膜のパターンを形成する工程と、前記シリコン酸化膜のパターンが形成された基板を洗浄して、前記分解した油性インクおよび剥離したシリコン酸化膜を除去する工程と、を有することを特徴とするシリコン酸化膜のパターニング方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいてシリコン含有物質を選択的に酸化する方法を提供する。
【解決手段】一態様において、急速熱処理装置を用いて水素を多く含む雰囲気中で高圧において、インサイチュで水蒸気を生成させて基板を選択的に酸化することができ、基板における金属やバリヤ層のような他の物質を酸化しない。金属又は他層を酸化させずにポリシリコン層とゲート酸化物層のみを選択的に酸化する。最良の選択的酸化条件は、圧力が約１５０トール〜約８００トール、特に約２５０トール〜６００トール、例えば、４５０トールで、温度が約７００℃を超え、特に約８００℃〜約１０００℃、例えば、９５０℃で達成される。 （もっと読む）

【課題】基板側面に付着した異物の効率的な除去が可能な、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０Ａの側面に保護材３を形成する工程と、基板１０Ａの少なくとも一方の主面に機能層４Ａを形成する工程と、保護材３を基板１０Ａから剥離する工程と、
を有することを特徴とする、デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明では、低温での成膜処理により、良質なゲート絶縁膜が得られる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明では上記課題を解決するため、シリコン基板１０上に、６００℃以下で原子層堆積法により、ゲート絶縁膜の少なくとも一部となる二酸化シリコン膜３１を形成する酸化膜形成工程と、二酸化シリコン膜３１の表面に対し、酸化処理を行う表面処理工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜または金属シリケート膜を含む薄膜ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、Ｖ_ＦＢを十分に制御し、Ｖ_ｔｈを十分に制御すること。
【解決手段】基板１上に、第１の金属の酸化膜、または、第１の金属のシリケート膜からなる第１高誘電率ゲート絶縁膜５を形成する第１工程と、第１高誘電率ゲート絶縁膜５上に、第２の金属の酸化膜からなる第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する第２工程と、第２高誘電率ゲート絶縁膜６上に、ゲート電極膜７を形成する第３工程と、を有し、前記第２工程では、第２の金属元素および炭化水素基からなる主原料と、溶媒材料と、を混合した混合材料を用いて、原子層蒸着法により第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）