【課題】予めモールド金型内に供給されて溶融したキャビティ内樹脂とポット内樹脂同士を溶融結合させることで樹脂の流動量が少なくワークに与える負荷が少ないうえに所定の樹脂圧に保圧して高い成形品質を維持することができる樹脂モールド方法を提供する。
【解決手段】モールド樹脂を型開きしたモールド金型１の下型キャビティ凹部１１ａとポット９に対して各々供給し下型キャビティ凹部１１ａに対応する位置にワークＷを供給してモールド金型１を型閉じすることによりワークＷをクランプし、溶融したポット内樹脂１６をトランスファ成形により下型キャビティ凹部１１ａへ圧送りすることで溶融したキャビティ内樹脂１５に所定樹脂圧を加えながら加圧硬化させる。 （もっと読む）

【課題】使用する樹脂の種類や成形部分の形状の違いに拘わらず、成形品を確実に所望の金型に残留させて取り出す。
【解決手段】第１金型、第２金型及び第３金型を接離可能に配置し、第２金型と第３金型の間に基板５６を挟持し、第２金型に形成した成形用凹部３８と基板５６とで形成されるキャビティ内に、第１金型に形成したランナー溝１６と、第２金型に形成した縦ランナー孔を介して樹脂を充填することにより、基板５６に実装した電子部品を樹脂封止する。第１金型は、ランナー溝１６内で固化した樹脂を突き出すランナーエジェクタピン３２と、ランナーエジェクタピン３２を作動させる第１金型用エジェクタプレートと、を備える。第２金型は、エジェクタプレートに連動し、成形用凹部３８で固化した樹脂を突き出す製品エジェクタピン４２を備える。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化が可能な電子部品の製造装置を提供する。
【解決手段】電子部品保持部５０の型対向面５０Ａに、電子部品６０を有する基板６１を保持させると共に共通ピン５３を型２０に向けて立設する。共通ピン５３が、離型シート３０を貫通して、型２０の上面２０Ａの共通ピン穴２２に挿入されることにより、電子部品６０が成型部２１内の樹脂Ｒ中に位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】チップ積層体の薄型化を図りつつ、チップ積層体と配線基板との間の接続信頼性を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体チップ１２ａ〜１２ｅが積層されたチップ積層体３と、チップ積層体３を一面に搭載する配線基板２と、複数の半導体チップ１２ａ〜１２ｅの各隙間に充填された状態で、チップ積層体３を封止する第１の封止体４と、第１の封止体４で封止されたチップ積層体３の全体を覆った状態で、配線基板２の一面を封止する第２の封止体５とを備え、配線基板２の一面を被覆する絶縁膜１１には、チップ積層体３の周囲からはみ出した第１の封止体４のせり上がり部分４ａを逃がす開口部１７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】
ウエハレベルでの積層ウエハ間へのアンダーフィルの充填において、ボイドの発生及びウエハの汚染を防止する。
【解決手段】
ウエハ１００及び１００’の少なくとも一方上に、枠状の流出防止構造体１２０と、該流出防止構造体の内部に配置される１つ以上のガイド構造体１３０とを形成する。これらの構造体１２０、１３０を挟むようにウエハ１００と１００’とを積み重ねた後に、流出防止構造体１２０によって囲まれたウエハ１００と１００’との間の空隙にアンダーフィルを充填する。各ウエハは、半導体チップが形成されたチップ形成領域１１０を有し、流出防止構造体１２０は、チップ形成領域１１０を取り囲み且つ樹脂の注入口２２１及び流出口２２２を有するように形成される。ガイド構造体１３０は、注入口２２１と流出口２２２との間に並列配置された複数の樹脂流路２４１−２４５を形成するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成形性に優れ、なおかつトランスファー成形時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料および（Ｆ）カップリング剤を含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成形温度が１００℃〜２００℃、成型圧力２０ＭＰａ以下、６０〜１２０秒の条件でトランスファー成形した時に生じるバリ長さが５ｍｍ以下であり、かつ熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射による滓の発生を抑えるようにするとともに、分断後の低誘電率膜にダメージを与えないようにする。
【解決手段】半導体ウエハ６１の一方の面６１ａの上に形成された低誘電率膜２１をドライエッチングすることにより低誘電率膜２１に溝２１ａを形成し、低誘電率膜２１の上に封止層４１を形成するとともに、低誘電率膜２１の溝２１ａ内に封止層４１の一部を埋め込み、半導体ウエハ６１及び封止層４１を低誘電率膜２１の溝２１ａに沿って分割する。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体チップ間に樹脂材料を良好に充填し、樹脂材料によって半導体チップのバンプ電極が覆われることを防ぎ、半導体装置の動作信頼性を向上する。
【解決手段】メモリチップ１２ａの一面上に、メモリチップ１２ａの一面よりも面積が小さいインターフェースチップ１２ｂを積層する積層工程と、メモリチップ１２ａの外周部に第１の封止樹脂材１６を供給し、メモリチップ１２ａとインターフェースチップ１２ｂとの間に第１の封止樹脂材１６を充填する充填工程と、を有する。充填工程では、メモリチップ１２ａの一面上に形成された、メモリチップ１２ａの外周部の一端からインターフェースチップ１２ｂが積層される領域まで延在する濡れ広がり性促進膜１５に沿って第１の封止樹脂材１６を濡れ広がらせた後、第１の封止樹脂材１６を毛細管力によってメモリチップ１２ａとインターフェースチップ１２ｂとの間に充填する。 （もっと読む）

【課題】樹脂で封止されている半導体装置の製造装置の構造を簡易化する。
【解決方法】金型２０のキャビティ２３内には、リードフレーム３０が載置可能とされている。可動ピン４１は、キャビティ２３内に挿脱可能とされ、その先端には先端面４１ａが備えられている。コイルバネ４２は、下向きの押さえ力Ｆ１を、可動ピン４１に付勢している。注入手段２４は、樹脂５０に成型圧力Ｐをかけてキャビティ２３内に樹脂５０を充填する。可動ピン４１は、先端側の径に比して後端側の径が大きくなっている。先端面４１ａがリードフレーム３０に接触する状態でキャビティ２３内に樹脂５０が充填されて可動ピン４１が樹脂５０内に浸漬すると、樹脂５０の成型圧力Ｐによって、先端面４１ａがリードフレーム３０から離れる方向（上向き）の第１の離反力Ｆ２が可動ピン４１に発生する。押さえ力Ｆ１に比して第１の離反力Ｆ２が大きくされている。 （もっと読む）

【課題】保温性に優れたプリヒータを提供する。
【解決手段】プリヒータ１は、被成形品３ａが載置される下ヒータ部３１と、下ヒータ部３１に対向する位置へ移動可能な上ヒータ部３２と、鉛直方向に下ヒータ部３１を移動させる下駆動部とを有している。被成形品３ａが載置された下ヒータ部３１の上方で対向する位置に移動した上ヒータ部３２に対して、下駆動部によって下ヒータ部３１を近づけて、被成形品３ａを下ヒータ部３１と上ヒータ部３２とで挟んでプリヒートする。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制することができる、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）および（Ｂ）成分とともに、下記の（Ｃ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂および酸無水物の少なくとも一方である硬化剤。（Ｃ）特定の構造で（メタ）アクリル基を有するヘミアセタールエステル化合物。 （もっと読む）

【課題】配線パターンに亀裂や断線が生じ難い半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、回路形成面側に電極パッドが形成された半導体チップを、前記電極パッドが支持体の一方の面と接するように、前記支持体の一方の面に配置する第１工程と、前記半導体チップの側面及び背面を覆うように、前記支持体の一方の面に第１絶縁層を形成する第２工程と、前記支持体を除去し、前記電極パッド上に内部接続端子を形成する第３工程と、前記半導体チップの前記回路形成面上及び前記第１絶縁層上に、前記内部接続端子を覆うように第２絶縁層を形成する第４工程と、前記内部接続端子の端部を前記第２絶縁層の上面に露出させる第５工程と、前記第２絶縁層の上面に、前記内部接続端子の端部と電気的に接続する配線パターンを形成する第６工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄い樹脂モールド製品に対して樹脂の充填性を向上させたモールド金型を提供する。
【解決手段】本発明のモールド金型は、複数の半導体チップ３０を実装した半導体実装基板１００の樹脂モールドを行うために用いられるモールド金型であって、半導体実装基板１００を上面側から押さえるように構成された上型５０と、半導体実装基板を下面側から押さえるように構成された下型６０とを有し、上型５０及び下型６０の少なくとも一つには、樹脂モールドにより樹脂２０が充填されるキャビティ５７が形成されており、キャビティ５７には、半導体実装基板１００のカット部位に対応する位置に凹部５８が形成されており、凹部５８の幅は、半導体実装基板１００のカット幅以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のワイヤの検査を行うための装置の処理負担を軽減すること。
【解決手段】配線基板と、配線基板上に載置された半導体素子と、複数の所定形状のワイヤとを有する検査対象半導体装置の封止前後の状態を所定の方向から撮影した２つの２次元画像データを取得する２次元画像取得部１と、２つの２次元画像データを用い、複数のワイヤ各々ごとに、封止前後における２次元的変化量を算出する２次元的変化量算出部２と、複数のワイヤ各々ごとに、所定形状のワイヤの両端を結ぶ直線を回転軸として所定角度回転した場合における回転前後の３次元的変化量を、２次元的変化量から算出するための相関情報を利用し、複数のワイヤ各々ごとに、封止前後における３次元的変化量を算出する３次元的変化量算出部３とを有する検査装置。 （もっと読む）

【課題】モールド金型にワークと共に搬入された樹脂が金型クランプ面からの加熱により硬化が進まないように搬入して金型クランプ時のモールド樹脂の流動性を確保することで成形品質を向上させた樹脂モールド装置を提供する。
【解決手段】プレス部Ｃに備えたモールド金型には、半導体チップ粘着面側に樹脂が供給されたキャリアプレートＫを金型クランプ面より離間させて支持するワーク支持部３７が金型クランプ状態において金型クランプ面より金型内に退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】安価に製造でき、積層し易く、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、このような半導体装置を複数積層した半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体装置は、配線を含む基板を備える。少なくとも１つの第１面側半導体チップが、その基板の第１面上に搭載され、配線と電気的に接続されている。第１面側金属ボールは、基板の第１面上に設けられ、配線を介して第１面側半導体チップと電気的に接続されている。第１面側樹脂は、基板の第１面上の配線、第１面側半導体チップおよび第１面側金属ボールを封止する。第１面側金属ボールの頂部は、第１面側樹脂の表面から突出して露出している。 （もっと読む）

【課題】再配置型の電子装置の製造工程において、電子部品の位置ずれが発生せず、また、封止材や電子部品に破損が生じにくく、残渣が付着した場合でも簡便に除去することが可能な電子装置の製造方法、信頼性の高い電子装置、電子装置パッケージの製造方法および電子装置パッケージを提供すること。
【解決手段】本発明の電子装置の製造方法は、加熱により熱分解することで溶融または気化する樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤を支持基材の表面に供給したのち乾燥させて固定樹脂層を形成する工程と、電子部品を固定する工程と、封止材層を形成させる工程と、電子部品配置封止材硬化物を得る工程と、前記電子部品配置封止材硬化物を前記支持基材から剥離させる工程とを有し、前記固定樹脂層を形成する工程において、２００℃における粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１００００ｍＰａ・ｓ以下の前記固定樹脂層を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数プレス部に搬入されるワークにコンパクトな装置構成で効率よくしかも製品に応じた仕様でワークに液状樹脂を供給できる液状樹脂供給装置を提供する。
【解決手段】シリンジ１９に充填された液状樹脂５をワークＷに吐出して供給するディスペンスユニット１８に交換用の複数のシリンジ１９を保持したシリンジ供給部１７が回転可能に設けられ、ディスペンスユニット１８はシリンジ供給部１７から交換用のシリンジ１９を受け取って液材吐出位置Ｊに保持されたワークＷに液状樹脂５を所定量吐出して供給する。 （もっと読む）

【課題】ケースとカバーとをレーザー溶接により接合する工程や、接着材を用いてケースとカバーとを接着する工程を省略することができ、剛性を向上させた電子回路装置を提供する。
【解決手段】金属製のケース１０１およびカバー１０２により形成される内部空間ＳＰに収納される回路基板を備える電子回路装置であって、ケース１０１およびカバー１０２は、それぞれ内部空間ＳＰを挟んで対向する対向面部１０１Ａ，１０２Ａと、対向面部１０１Ａ，１０２Ａの周縁から立ち上がる側面部１０１Ｂ，１０２Ｂとを有し、カバー１０２は、その側面部１０２Ｂがケース１０１の側面部１０１Ｂよりも内側に入り込むようにケース１０１に嵌め込まれており、カバー１０２の側面部１０２Ｂは、回路基板１０３Ａを封止するようにケース１０１の内側に充填されて硬化された封止樹脂１０５によってケース１０１に固定されている。 （もっと読む）