【課題】封止前基板と封止済基板とを容易に取り扱うことによって、高い生産性でＬＥＤパッケージを製造する。
【解決手段】キャリア１４に封止前基板１をはめ込む。次に、そのキャリア１４を上型１８に固定する。次に、下型１７と上型１８とを型締めする。これにより、封止前基板１に装着された複数のＬＥＤチップ１３を、キャビティに満たされた流動性樹脂２６に浸す。次に、流動性樹脂２６を硬化させて硬化樹脂２８を形成する。これにより、複数のＬＥＤチップ１３を一括して樹脂封止する。次に、下型１７と上型１８とを型開きして、封止済基板２９がはめ込まれたキャリア１４を取り出す。次に、キャリア１４から封止済基板２９を突き出す。次に、封止済基板２９を切断する。これにより、封止済基板２９を、各ＬＥＤチップ１３にそれぞれ相当する複数のＬＥＤパッケージに個片化する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のリードフレームにおいて、内部と連結していなく、引く抜きが可能な吊り部を設けているリードフレームを提供し、容易に製造でき、電気的にショートが発生しない、半導体装置の製造方法と半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明のリードフレームは、ダイパッドと、インナーリードと、アウターリードと、タイバーと、外枠体とを備えたリードフレームにおいて、外枠体から突出した吊り部が設けられ、吊り部は樹脂成形後に樹脂封止体の中に埋め込まれ、かつ突出方向に沿って細く形成されていることを特徴とする。また、本発明の半導体装置の製造方法は、樹脂封止体に埋め込まれた、リードフレームの吊り部を垂直方向に変形させ、吊り部を水平方向に移動させ、樹脂封止体から引き抜くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極間の接続抵抗の低減、電極間の接続距離・接続箇所数の低減、及び十分な薄型化を、工程短縮を図りつつも容易且つ確実に実現することのできる半導体装置を得る。
【解決手段】表面に接続導電膜２４が形成された封止層２０を、リードフレーム１１上に設けられた化合物半導体素子１０の電極１０ａ〜１０ｄと、各リード１０ａ〜１０ｃ及びリードフレーム１１に接続導電膜２４が接触するように当接し、接続導電膜２４により電極と１０ａ〜１０ｄと各リード１０ａ〜１０ｃ及びリードフレーム１１とを電気的に接続すると共に、封止層２０により化合物半導体素子１０を封止する。 （もっと読む）

【課題】半田付け工程を行う必要がなく、材料コストを効果的に低減するとともに製造工程の簡素化を図ることができる半導体パッケージ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】能動面２０ａを有し、能動面に複数の導電バンプ２００が設けられたチップ２０と、表面にアンダーフィル２１０が設けられた基材２１と、を提供する工程と、チップの能動面をアンダーフィルに結合させることにより各導電バンプをアンダーフィルに埋設させる工程と、基材を除去することによりアンダーフィルを露出させる工程と、チップをアンダーフィルによりパッケージ基板に結合させることでチップを各導電バンプによりパッケージ基板に電気的に接続させる工程と、を備える半導体パッケージ構造の製造方法。アンダーフィルをチップの能動面に結合させた上で、アンダーフィルをパッケージ基板に設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】電極間の位置ずれを抑制できる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、ディスペンサーを移動させながら、異方性導電ペーストをディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を、除去装置により除去する工程と、異方性導電ペースト層上に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層３を形成する工程とを備える。除去装置により除去する前の異方性導電ペースト層３Ａにおいて、第１の領域を除去装置１４により除去するか、又は塗布量が多い第２の領域を除去装置により除去する。 （もっと読む）

【課題】従来技術における、封止するステップの際、透光板が破損する問題を解決でき、歩留まりを高めることができる透光板の傾斜を低減可能にするイメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透光板の傾斜を低減可能にするイメージセンサの製造方法は、半製品を準備するステップ（Ｓ１０）と、予熱するステップ（Ｓ２０）と、接着剤を塗布するステップ（Ｓ３０）と、透光板を配置するステップ（Ｓ４０）と、封止するステップ（Ｓ５０）と、を含む。半製品を予熱することにより、接着剤を塗布するステップ（Ｓ３０）及び透光板を配置するステップ（Ｓ４０）における製造環境を安定させ、半製品に透光板３０を平坦に接合させることができる。本発明により、透光板３０の傾斜及び破損を低減できるため、歩留まりを高めることができる。 （もっと読む）

【課題】マルチチップモジュールを金型に固定することなく、当該モジュールのインサート部の周囲を成形材料によって覆うことのできるグロープラグ制御装置及びグロープラグ制御装置の製造方法の提供。
【解決手段】金型２０内のキャビティ２７にゲート２５を通じて充填される成形材料によって周囲を覆われた板状の一次成型部と、一次成型部７０に収容されてグロープラグの発熱を制御する制御部４０とを備えるＧＣＵ１００である。一次成型部７０においてキャビティ２７に開口するゲート２５の開口部２５ａと対向する対向縁部７１は、開口部２５ａに近接するほど板厚の減少する形状である。キャビティ２７に充填される成形材料を、対向縁部７１に沿って円滑に流動させることにより、成形材料から一次成型部７０に作用する抵抗力は、低減される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とテープ基材との間のすき間に対して、未充填や気泡等の不具合を生じさせることなく適切に充填剤を充填させることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１００は、テープ基材１０２と、配線パターン１０４と、配線パターン１０４と電気的に接続された半導体素子１０８と、テープ基材１０２の表面を覆い、且つ半導体素子１０８との対向領域に表面側開口部１０６ａを有する表面側絶縁保護膜１０６と、テープ基材１０２の裏面を覆い、且つ表面側開口部１０６ａの裏側となる部分に裏面側開口部１１２ａを有する裏面側絶縁保護膜１１２とを備える。表面側絶縁保護膜１０６は、前記対向領域よりも外側に突出している突出開口部１０６ｂを有する。裏面側開口部１１２ａは、テープ基材１０２の表面における半導体素子１０８との対向領域の１．００〜８．５０倍の大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを回路基板に効率よく実装することができるフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】回路面Ｓに突起電極２を有しかつ回路面Ｓに絶縁性樹脂層３が形成された半導体チップ１０を、回路面Ｓを下にして支持具６上に載置するチップ準備工程と、支持具６上に載置された半導体チップ１０に対して、空気の吸引孔を備えた吸着面を下面に有する吸着ツール７を上方から近づけ、前記吸着面が半導体チップ１０と接触しない位置で、前記吸引孔による空気の吸引により半導体チップ１０を支持具６上からピックアップして前記吸着面に非接触で吸着させるチップピックアップ工程と、半導体チップ１０を加熱しながら吸着ツール７により半導体チップ１０の回路面Ｓを回路基板４に押圧して、回路基板４と半導体チップ１０とを電気的に接続するチップ実装工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールド成形時に押し棒にて押圧しても基板を破損することなく、樹脂バリの発生をなくすことのできる半導体モジュールの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】パワー半導体モジュール１は、絶縁層１ａを挟む両面にそれぞれ金属パターン１ｂ、１ｃを設けた絶縁基板１Ａ上に、半導体を実装した状態で、これらを樹脂２にてモールドし、絶縁基板１Ａの半導体を実装した面と反対側の面に設けた金属パターン１ｂをモールドした樹脂２から外側へ露出させる。絶縁基板１Ａ上に、高さ方向に弾性変形が可能で、かつパワー半導体モジュールのモールド成形時の型に設けた押圧棒１１ａを受けるための押圧棒受け弾性部材５を、接合した。 （もっと読む）

【課題】パッケージの外面の切削又は研削加工によって放熱部材を露出させるものにあって、切削面における平面度の低下を抑える。
【解決手段】半導体装置２１は、パッケージ２２内に、２組の半導体チップ２３及び金属ブロック体２８を備え、下面に共通の放熱板２４、上面に放熱板２５、２６を備える。放熱板２４の露出面に、前後方向に延びる凹部２４ａを設ける。半導体装置２１の製造にあたっては、半導体チップ２３、金属ブロック体２８、放熱板２４、２５、２６等を接合し、エポキシ樹脂によりモールドしてパッケージ２２を形成する。この後、パッケージ２２の下面を、切削ラインＣまで切削して放熱板２４を露出させる。凹部２４ａによって放熱板２４が分断されるので、放熱板２４が深く切削されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】第１，第２の接続対象部材の接続信頼性を高めることができる接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、第１の接続対象部材２上に、熱硬化性成分を含む硬化性組成物を直線状に塗布して、硬化性組成物層を形成する工程と、硬化性組成物層上に、第１の接続対象部材２よりも小さい第２の接続対象部材４を積層する工程と、硬化性組成物層を加熱して本硬化させて、硬化物層３を形成する工程とを備える。本発明に係る接続構造体１の製造方法では、塗布方向と直交する方向における硬化性組成物層の中央部３ｘの最小厚み（μｍ）をＴとしたときに、塗布方向と直交する方向における硬化性組成物層の中央部３ｘの外側の縁部３ｙの最大厚み（μｍ）が１．１Ｔ以上、１．６Ｔ以下になるように、かつ縁部３ｙが盛り上がった形状になるように、硬化性組成物を直線状に塗布する。 （もっと読む）

【課題】応力に弱い回路部を有する半導体素子を基板上に搭載したものを、フィラー入りの樹脂よりなるモールド材で封止するにあたって、簡略化された工程にて、半導体素子の回路部を適切に保護しつつ、フィラー入りの樹脂による半導体素子および基板の封止を行う。
【解決手段】一面２１側に回路部２３を有する半導体素子２０を基板１０上に搭載してなる構造体１を、金型１００内に配置する構造体配置工程の後、絶縁性のフィラー３１を含有する樹脂３０を、金型１００内に充填するモールド工程を行う半導体装置の製造方法において、構造体配置工程では、樹脂３０中のフィラー３１が回路部２３に侵入することなく且つ樹脂３０は侵入する大きさの隙間２００を規定する隙間規定手段１０１を、金型１００内にて回路部２３を囲むように設けた状態とし、その後、モールド工程では、この状態にてフィラー３１を含有する樹脂３０の充填を行う。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性樹脂シートにあらかじめスリットを形成することで、加熱硬化時にシートと部品間、およびシート内部に内在する気体を効率よく樹脂外へ放出する。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に実装された半導体部品２と、半導体部品２の面積よりも大きな面積を有し、かつ複数のスリット６を有する熱硬化性樹脂シート３と、を備え、スリット６は、少なくとも半導体部品２が搭載される領域の全域およびその周囲に設けられており、熱硬化性樹脂シート３と半導体基板１により半導体部品２が封止されている。 （もっと読む）

【課題】 比較的大きな厚さ公差を有する絶縁基板であっても、簡単な構造の製造装置で、樹脂モールド成形時に絶縁基板を破損することなく、また樹脂のバリの発生をなくすことができるパワー半導体モジュールの構造を提供する。
【解決手段】
パワー半導体モジュール１は、絶縁層１ａを挟む両面にそれぞれ金属パターン１ｂ、１ｃを設けた絶縁基板１Ａ上に、半導体を実装した状態で、これらを樹脂２にてモールドし、絶縁基板１Ａの半導体を実装した面と反対側の面に設けた金属パターン１ｂをモールドした樹脂２から外側へ露出させる。絶縁基板１Ａ上に、パワー半導体モジュール１のモールド成形時の型１１に設けた押圧棒１１ａを受けるための押圧棒受け部材５を、高温で溶融し常温で凝固する温度変形部材６を介して設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の反りを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、半導体チップが搭載され、前記半導体チップが熱硬化性の樹脂で覆われた配線基板を、第１の温度で前記樹脂を熱硬化して第１の成型品を製造し、第１の成型品の反りの向きと量を測定し、反りの向きと量を減らすような第２の温度を選定し、半導体チップが搭載され、前記半導体チップが熱硬化性の樹脂で覆われた配線基板を、前記第２の温度で前記樹脂を熱硬化して第２の成型品を製造する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを用いたマルチチップ型の半導体装置においては、特性上又は強度上の観点から、少なくとも一部のチップをリードフレームの一部であるダイパッド上に搭載することが一般的である。しかし、サブミリメートル領域のパッケージ厚さが要求されるマルチチップ薄型パッケージにおいては、通常のダイパッド上への搭載では、十分な薄型化を達成することは困難である。
【解決手段】本願発明は、チップ間ワイヤ接続を有する薄型樹脂封止マルチチップ長方形パッケージの半導体装置の製造方法において、少なくとも一つのチップがダイパッドサポートリードよりも薄くされたダイバッド上に固着されており、そのダイパッドは前記長方形の一対の長辺をそれぞれが連結するように配置された複数のダイパッドサポートリードによって支持されており、樹脂モールドの際には、前記一対の長辺の一方の側から封止樹脂を導入するものである。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止・樹脂硬化後の、半導体装置製造用耐熱性粘着テープ２をチップから剥離する工程では、軽剥離であることが必要とされるため、高温下で高い粘着性をもった一般の感圧型の粘着剤では、剥離時に軽剥離にはならずに剥離が困難となったり、図２に示すような糊残りを生じたり、あるいは剥離帯電を起こす。
【解決手段】半導体チップを樹脂封止する際に、貼着して使用されるチップ仮固定用粘着テープであって、ウレタンポリマー成分とビニル系ポリマーとを含有した樹脂層の一方の面に、熱膨張性微小球を含有する熱膨張性粘着層を有することを特徴とする半導体装置製造用基板レス耐熱性粘着テープ。 （もっと読む）

【課題】リリースフィルムの破れを可及的に防止できる成形金型を提供する。
【解決手段】型開閉方向に形成された収納孔１６および収納孔１６に続く拡径孔１７を有するクランパ１８と、クランパ１８の収納孔１６内に収納されたキャビティブロック２０とを有し、キャビティ凹部２４が、キャビティブロック２０の底面２０ａ、段差壁面１６ａおよび拡径孔１７の内壁面１７ａをキャビティ面とする空間で形成され、キャビティ凹部２４に連通して、キャビティ凹部２４に沿って供給されるリリースフィルム３８をキャビティ凹部２４面に吸着する吸引孔４０が形成された成形金型において、キャビティブロック２０の底面２０ａの周縁部に、キャビティ凹部２４内方向に突出して、キャビティ凹部２４の深さを浅くする突周部５０が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品の圧縮成形用金型３（上型３ａ、下型３ｂ）を搭載した成形ユニット４を所要複数個、有する電子部品の樹脂成形装置１において、各成形ユニット４における成形温度（成形ユニットの成形温度及び樹脂成形型の成形温度）を効率良く均等にする。
【解決手段】所要複数個の成形ユニット４（４Ａ、４Ｂ、４Ｃ）を一列に配置した電子部品の樹脂成形装置において、各成形ユニット４間に及び一列に配置した成形ユニット群７
の両側に、断熱手段（樹脂板２０、真空断熱部材３０）を設けて構成する。成形ユニット４に断熱手段（樹脂板２０、真空断熱部材３０）を設けた状態で、成形装置１に設けた成形ユニット４の圧縮成形用金型３で基板２に装着した電子部品を圧縮成形する。 （もっと読む）