説明

Fターム[5F061AA01]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆の形成 (9,309) | 封止の種類 (1,982) | 樹脂封止 (1,963)

Fターム[5F061AA01]の下位に属するFターム

Fターム[5F061AA01]に分類される特許

101 - 120 / 1,807


【課題】車載用電子モジュールをモールドする際にコネクタ端子の変形や樹脂漏れなどが起こり難く成形品質を高めた樹脂モールド方法を提供する。
【解決手段】車載用電子モジュール1を型開きしたトランスファ成形用の第一のモールド金型6に搬入し、熱硬化性樹脂をポット9内に搬入し、コネクタ4を除いた基板面を第一のモールド金型6によりクランプして電子部品2が搭載された基板面を一次成形する工程と、一次成形された車載用電子モジュール1を、第二のモールド金型12に搬入し、一次成形されたパッケージ部11とコネクタ4のコネクタ成形部4aをクランプして露出する基板接続端子5aを二次モールドする工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】実装効率を維持しながら、信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】金型内で金属板2に搭載された電子部品の周囲に流動性の高い絶縁樹脂6を圧縮しながら充填し、その後絶縁樹脂6を硬化させることにより、電子部品の損傷や金属線の変形や短絡を防ぎ、配線基板の反りや歪、クラック等の発生を防止して信頼性を向上させながら、高密度に電子部品を配線基板の内部に内蔵することができる。 (もっと読む)


【課題】低コストかつ小型で高機能なパワーモジュールを得ること。
【解決手段】実施の形態にかかるパワーモジュール100は、金属ベース3と、前記金属ベース3の上に搭載されたパワー素子9と、前記パワー素子9を制御する部品7を搭載し、貫通穴6を備えた制御基板4と、前記金属ベース3の一面のみ露出させ、前記金属ベース3、前記パワー素子9、及び前記制御基板4を覆って封止する樹脂5とを備える。 (もっと読む)


【課題】キュアタイムを短縮すると同時に、樹脂流動時においては樹脂の流動性を高く維持する。
【解決手段】対向する上下金型102、104で半導体チップ132が搭載された基板130をクランプし、金型内に充填した樹脂160を用いて基板130を封止する樹脂封止金型100であって、下型104を構成する圧縮金型108に、金型内に充填される樹脂160の対向方向の厚みよりも圧縮金型108の表面に近い位置に、シートヒータ140Bを埋設する。 (もっと読む)


【課題】マトリクス状に多数の単位デバイス領域が配置されたリードフレームを用いて、樹脂封止型半導体装置の組み立てが行われるが、パッケージの微細化に伴い、樹脂封止工程に於いて、樹脂未充填不良が増加する傾向にある。通常、リードフレームは、樹脂封止後に、切断金型等により個々の単位デバイス領域に分離される。このときリードフレームに一つでも未充填の単位デバイス領域があると、切断金型等による切断時に、リードはばらばらに飛び散るため、切断金型や製品を傷つける恐れがある。従って、切断金型等によるリードフレームの切断前に、パッケージ充填検査を行い、充填不良があるリードフレームは、その後の処理対象から除外しなければならない。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法における個片モールド方式に於いて、モールド後に、未充填不良が発見された単位デバイス領域に対して、補修処理を施すものである。 (もっと読む)


【課題】より優れる側面電磁遮蔽効果を有する半導体パッケージ及びその実装方法を提供する。
【解決手段】半導体実装方法により、基板ユニット213を有するマザー基板を提供し、基板ユニット213の角隅に接地連結の位置合わせマーク215を設置する。基板ユニット213の上にチップ220を設置する。マザー基板の上表面211に封止体230を形成して基板ユニット213と分割ラインとを連続被覆する。マザー基板の下表面212に分割ラインに沿って少なくともマザー基板を貫通する複数の半切断溝240を形成する。位置合わせマーク215を被覆連結するようにマザー基板の下表面212と半切断溝群240とに第一電磁遮蔽層251をパターン化形成する。封止体230を個片化分割した後、封止体230の頂面231と分割側面232とに第一電磁遮蔽層251と連結する第二電磁遮蔽層252を形成する。 (もっと読む)


【課題】接続信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ5は、第1金属により形成されたバンプ電極51を有する。また、回路基板1は、第2金属と第3金属とにより形成された金属層27を有する。この回路基板1は、半導体チップ5のバンプ電極51が形成された面と対向するように、半導体チップ5と接合している。バンプ電極51と金属層27とが接合する接合部300は、第1金属を含む第1領域320と、第1金属を含む海部と、第2金属を含む島部と、を有する海島構造からなる第2領域340と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】封止後の半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布を均一にすることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】封止後の半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になるような、封止前の半導体チップのPN接合部の不純物濃度の面内分布を求める。この求めた不純物濃度の面内分布を持つPN接合部を半導体チップの裏面側に形成する。このPN接合部を形成した後に、半導体チップを樹脂で封止する。 (もっと読む)


【課題】個片のLED素子の発光波長がばらつく場合にあってもLEDパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるLEDパッケージ製造システムにおける樹脂塗布装置および樹脂塗布方法を提供する。
【解決手段】LED素子を蛍光体を含む樹脂によって覆って成るLEDパッケージの製造に用いられる樹脂塗布において、樹脂8を発光特性測定用として試し塗布した透光部材43を透光部材載置部41に載置し、上方に配置された光源部45から蛍光体を励起する励起光を発光し透光部材43に塗布された樹脂8に上方から照射することにより樹脂8が発する光の発光特性を発光特性測定部によって測定した測定結果と予め規定された発光特性との偏差を求め、この偏差に基づいて実生産用としてLED素子に塗布されるべき樹脂の適正樹脂塗布量を導出する。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体チップ、又は半導体チップとその他の電子部品とを樹脂で固定して一体化し、高密度化の半導体装置を歩留まり良く製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板11の上に接着剤層12を介して金属層13を配置する。その後、金属層13の上に、金属層13の金属と反応して粘着性を有する化合物を生成する溶液を付着させ、粘着層14を形成する。次に、粘着層14の上に電子部品15を載置し、電子部品15を樹脂層16で被覆する。次いで、レーザ照射等により接着剤層12の接着力を減少させた後、支持基板11を樹脂層16から分離する。その後、接着剤層12及び金属層13等を除去して疑似ウェハとした後、疑似ウェハの表面に配線等を形成する。 (もっと読む)


【課題】成形品の製造歩留まりを向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】上テーパプレート24に対して、そのテーパ面24aと対向するテーパ面25aを有する下テーパプレート25を型開閉方向と直交する方向に移動して、テーパ面24aおよびテーパ面25aでスライドさせると共に、下テーパプレート25を介してインサートブロック22を型開閉方向に移動させてクランプ位置を固定させる。次いで、ワークWが第1クランプ力C1より高い第2クランプ力C2でクランプされた状態で、キャビティ15aが完全に充填されるまで第1樹脂圧P1で溶融樹脂28aを注入し、ワークWが第2クランプ力C2より高い第3クランプ力C3でクランプされた状態で、キャビティ15aで充填された溶融樹脂28aに対して第1樹脂圧P1より高い第2樹脂圧P2で加圧する。 (もっと読む)


【課題】熱伝導性のベース板に回路基板を接着固定して、回路部品をモールド樹脂で一体化した樹脂封止形電子制御装置の小型化を図る。
【解決手段】ベース20は、第一の露出部21a及び第二の露出部21bと、中間窓穴22aに隣接した隣接平坦部22bを有しており、背高の低発熱部品である第一の回路部品31は、中間窓穴22aに配置されており、背低の高発熱部品である第二の回路部品32は、隣接平坦部22bに配置されている。背高の第一の回路部品31の高さ寸法は、ベース板20の厚さ寸法と重なっているので、全体としての厚さ寸法が抑制されるとともに、高発熱部品と低発熱部品とが分離配置されているので、低発熱部品の実装密度を高めて回路基板30の面積を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】減圧成形手段を採用した樹脂成形装置に搭載して用いられる樹脂成形用の型を樹脂成形装置に対して簡易に且つ効率良く交換する。
【解決手段】樹脂成形用の型4の外方周囲に、係脱具12を介して外気遮断部材10を係脱可能に装設する。そして、型4の交換時には、まず、各型4・8の型面と各外気遮断部材10・11の接合面とを接合させる型締めを行う。次に、型4の外方周囲に装設した外気遮断部材10を係着する係脱具12を取り外してその両者の係着状態を解除すると共に、係脱具14を介して各外気遮断部材10・11の両者を係着する。次に、各外気遮断部材10・11を係着した状態で、各型4・8の型面を離反させる型開工程を行って各外気遮断部材10・11の両者を同時に移動させることにより、型4の外方周囲に装設した外気遮断部材10を型4の外方周囲から退避させて型4交換用の空間部Sを構成する。 (もっと読む)


【課題】フィルムを用いたモールドにおいて静電破壊を防止し、かつ封止部の外観品質および製品の信頼性の向上を図る。
【解決手段】上型11および下型12と、チップ組み立て体7をフレーム整列部16にセットするローダ部13と、モールド樹脂の充填後の型開き完了後、チップ組み立て体7を把持して下型12上の下側フィルム9からチップ組み立て体7を剥離させ、かつチップ組み立て体7をフレーム収納部14まで搬送するフレーム取り出し部17と、モールドを終えたチップ組み立て体7を収納するフレーム収納部14と、上側フィルム8および下側フィルム9の除電を行うフィルム除電部25と、モールド金型10の除電を行う金型除電部と、モールド後のチップ組み立て体7を除電する製品除電部27とからなり、フィルム、モールド金型10および製品を除電してモールドを行って静電破壊を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】モールド工程において、モールド流れの導きと流速バランス取りが可能な非アレイバンプのフリップチップモールドの構造体を提供する。
【解決手段】基板110は、はんだマスク層112に覆われる上表面111を有し、複数のパッド113と少なくとも1つのモールド流れガイドバー114を設置する。モールド流れガイドバー114は、パッド無し空白区域Aに設置され、かつパッド113とはんだマスク層112を越える高さHを有して突起状に形成される。チップ120は複数個のバンプ121を有し、かつ基板110上にフリップチップ接合されることで、バンプ群121をパッド群113に接合させ、チップ120と基板110との間にモールド流れ間隙Sを形成する。モールド封止材130は上表面111に形成されてチップ120を密封し、モールド流れ間隙Sに十分充填されてバンプ群121とモールド流れガイドバー114を密封している。 (もっと読む)


【課題】接続性及び接合後の信頼性に優れた電極接合を行うことのできるバックグラインド−アンダーフィル一体型テープを提供する。また、該バックグラインド−アンダーフィル一体型テープを用いた半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂層と、バンプ保護層と、基材層とをこの順で有し、封止しようとする半導体チップのバンプの平均高さをBh、前記熱硬化性樹脂層の厚みをUh、前記バンプ保護層の厚みをPhとしたとき、下記式(1)を満たすバックグラインド−アンダーフィル一体型テープ。
0.8×Bh≦Uh+Ph<1.5×Bh (1) (もっと読む)


【課題】出射光の色ムラを抑制できる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置10は、上面側に凹部15aを有する基材15と、凹部15aの底面に搭載された半導体発光素子11とを備える。基材15に、凹部15a内と基材15の外面とを連結する少なくとも1つの導入口17が設けられている。 (もっと読む)


【課題】形品の成形品質を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】モールド金型2は、対向して設けられ、ワークWを挟み込んでクランプする上型3および下型4と、上型3に設けられた超音波振動部21、22と、上型33および下型4がワークWをクランプして形成される内部空間Cに設けられ、かつ、超音波振動部21、22と接続され、内部空間C内の溶融樹脂19aへ超音波振動部21、22の振動を伝搬する伝搬部としてフィルム23とを備えている。このフィルム23は、上型3のクランプ面3aに張設されている。 (もっと読む)


【課題】モールド成型済みリードフレームの製品部分からランナー部分を適切に切り離すこと。
【解決手段】支持機構1、2は、封止材料により集積回路が封止された製品部分22がゲート部分24を介してランナー部分23に接合されているモールド成型済みリードフレーム20を、移動方向12に平行である直線17に製品部分22のうちの第1製品部分26が正射影された点28が製品部分22のうちの第1製品部分26よりゲート部分24から遠い第2製品部分27が直線17に正射影された点29より移動方向12の側に配置されるように、支持する。パンチ3は、支持機構1、2に対して移動方向12に移動することにより、ランナー部分23を押す。モールド成型済みリードフレーム20は、ランナー部分23がパンチ3に押されることにより、製品部分22がランナー部分23から切り離される。 (もっと読む)


【課題】成形金型を用いた半導体装置の樹脂封止方法としてのトランスファモールド方式においては、キャビティ部の容積に相当する樹脂量だけでなく、ランナ部に充填される樹脂量も含めた樹脂材料を準備しなければならない。なお、ランナ部に形成された樹脂体は、最終的には完成品から切り離されるため、使用する樹脂材料に無駄が生じる。
【解決手段】本願発明は、多数の単位デバイス領域を有する平面状基体をその各単位デバイス領域は、上金型および下金型間に形成される多数のモールドキャビティに対応するように、両金型間に収容して、各単位デバイス領域を樹脂封止する半導体装置の製造方法に於いて、各モールドキャビティに対応する部分に、樹脂タブレット供給して、ポット部を含む各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより、樹脂封止を実行するものである。 (もっと読む)


101 - 120 / 1,807