【課題】
ディスペンサ自体を減圧下にさらすことなく、減圧雰囲気下で液状材料をディスペンスしてボイドを抑制する。
【解決手段】
ステージ２０上に対象物１０が設置された後、ステージ２０上にチャンバ３０が設置される。チャンバ３０は、液状材料５０を格納したキャピラリ３３を有する。チャンバ３０とステージ２０との間に第１の密封空間４０が形成される。また、蓋材６０がチャンバ３０上に設置され、チャンバの吐出部３３に格納された液状材料５０と蓋材６０との間に、第２の密封空間４５が形成される。さらに、第１の密封空間４０を減圧することにより、吐出部３３から対象物１０上に液状材料５０が吐出される。その後、チャンバ３０内は大気に開放され、仮に発生していた場合であってもボイドの縮小が達成される。 （もっと読む）

【課題】前処理時に媒体にダメージを与えることを防止するとともに良好な印刷品質が得られる印刷方法及び印刷装置を提供する。
【解決手段】樹脂でモールドされた半導体装置３に対し、低圧水銀ランプの光を照射して表面処理を行う表面処理部９と、半導体装置３の表面に活性光線で硬化する液体の液滴を吐出するノズルを有する吐出ヘッドと、半導体装置３上の液滴に活性光線を照射する照射部と、を備える印刷装置に関する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル液を用いたときと同等の効果が得られ基板と半導体チップ間の充填方法を実現する。
【解決手段】プリント基板３３の複数の電極部にハンダバンプ３９を形成し、この複数のハンダバンプを介して半導体チップ４１をプリント基板に搭載する。その際、プリント基板のハンダバンプが形成された面側を覆うアンダーフィル用の熱可塑性のフィルム３０を準備する。このフィルムは、ハンダバンプ部分が取り除かれているとともに半導体チップが搭載される部分の周縁部が突起状に形成されており、フィルムでプリント基板を覆った後にフィルムを基板に貼り合せ、次いで半導体チップをプリント基板に搭載してリフロー炉に搬送し、このリフロー炉において加熱および加圧ＨＰして、ハンダバンプを溶融する。 （もっと読む）

【課題】ワークをクランプする際に、キャビティ駒がワーク当接面の傾斜に追従してクランプしてワークを破損することなくクランプすることが可能なモールド金型を提供する。
【解決手段】上型キャビティ凹部３の底部を形成するスイベル駒４が昇降かつ傾動可能に支持されており、スイベル駒４は、ワーク当接面と反対面に凸状球面部４ｃが形成されており、対向するガイド駒１６の凹状球面部１６ｃにガイドされて傾動する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する。
【解決手段】リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する工程と、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す工程と、封止樹脂の不要部分６００を除去する除去工程と、を有する。まず、モールド工程前において、リードフレーム２００の支持フレーム２４０の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部２６０を形成する。また、除去工程において、半抜き加工部２６０を除去することにより、不要部分６００を除去する。 （もっと読む）

【課題】ポットからの樹脂漏れを防止するとともに、プランジャをスムーズに摺動させることができるトランスファ成形方法及び成形装置を提供すること。
【解決手段】高周波加熱より溶融させた樹脂２０ａをキャビティ１５に加圧、注入してワークＷを樹脂封止するトランスファ成形方法において、金属により形成され上型１１、及び絶縁物により形成された下型１２に備わる金属製のプランジャ１３が高周波発生装置１４に接続されており、ワークＷの一部を、キャビティ１５の外で上型１１に接触させた状態で型締めして、高周波発生装置１４により上型１１及びプランジャ１３に高周波を印加し、ワークＷを高周波電極として機能させてポット１７内に配置した樹脂タブレット２０を高周波加熱する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する。次いで、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止する（モールド工程）。次いで、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す。次いで、封止樹脂の不要部分を除去する（除去工程）。ここで、リードフレーム２００の支持フレーム２４０には、切れ込みが形成されている。これにより、支持フレーム２４０の一部が可動部２６０として、支持フレーム２４０の本体につながりつつ、折畳み可能になっている。また、除去工程において、可動部２６０を除去することにより、不要部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置が有する半導体素子と封止樹脂との界面に形成される隙間を分散する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子１０と、前記半導体素子１０の電極形成面の反対面及び側面を覆う封止樹脂１２と、を備え、前記半導体素子１０の電極形成面の外周部分に前記封止樹脂１２が入り込む導入路と導入路より深い溝が形成され、封止樹脂１２に荷重をかけることにより樹脂導入路と溝に入り込み、隙間が部分的に集中することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】封止体が形成された基板（組み立て体）の反りを抑制する。
【解決手段】多数個取り基板１０に貫通孔１０ｅ，１０ｆを形成し、かつ成形金型の下型に下面ゲート側キャビティや下面エアベント側キャビティが形成されたことで、多数個取り基板１０の上面１０ａ側の本体封止部１７ａやゲート側周辺封止部１７ｂだけでなく、下面１０ｂ側にもゲート側下面封止部１８ａやエアベント側下面封止部１８ｂが形成され、これにより、基板の下面１０ｂ側にも熱膨張または熱収縮による応力を発生させることができ、基板の両面において発生する応力のバランスを取って多数個取り基板１０の反りを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの成形品質を向上する。
【解決手段】まず、型開きしたモールド金型２にワークＷを供給する。また、大きさが均一の粒体樹脂１２を計数する。キャビティ凹部１１に対応する位置であって、計数した複数の粒体樹脂１２を配分して、複数の供給領域Ａ１のそれぞれに供給する。ここで、供給領域Ａ１とその周囲を仕切る段差部Ｂ１によって、供給領域Ａ１に供給された粒体樹脂１２の動きを規制する。次いで、供給された複数の粒体樹脂１２を溶融する。モールド金型２を型締めしてワークＷを保持し、溶融した樹脂１２が充填されたキャビティ凹部１１で、ワークＷを樹脂封止する。 （もっと読む）

【課題】回路基板等の平坦面にフリップチップ実装が可能な小型、多機能の光学デバイス１を提供する。
【解決手段】光学デバイス１は、窪み３を有する収納部材２と、この窪み３の底面６の側に第一活性領域５を向ける光学素子４と、窪み３の底面６側に機能性素子１４を設置した機能性素子基板１５とを備え、光学素子４と機能性素子基板１５は窪み３の上端面１９から突出しないように収納部材２に収納される。収納部材２は、第一活性領域５に対向する窪み３の底部が透明な第一透明領域７であり、窪み３の内側面８に段差部１１が形成され、この段差部１１に機能性素子基板１５が接合している。段差部１１の段差表面には段差電極１２が形成され、底面６に形成した第三電極Ｅ３や上端面１９に形成した第四電極Ｅ４と内側面８に形成した側面電極９を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】体格の小型化を図るとともに、より確実に半導体チップ間の電位干渉を抑制しつつ製造工程を簡素化することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】各ダイパッド（２１，３１）の一面上に、対応する半導体チップ（２３，３３）を搭載してなる構造体（１１，１２）の準備工程と、ダイパッド（２１，３１）が対向するようにリードフレーム（２０，３０）を保持した状態で、金型（１００，１０１）内に樹脂を注入するモールド成形工程と、モールド成形工程後、タイバー（２５，３５）を除去する除去工程を備える。モールド成形工程では、対向方向において、第１半導体チップ（２３）と第２半導体チップ（３３）の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく所定厚さを有するスペーサ（１４）を介して、第１リードフレーム（２０）及び第２リードフレーム（３０）を積層配置する。 （もっと読む）

【課題】ブレーク用溝を形成した集合基板にアンダーフィル樹脂を注入しても、安定して個基板に分割することが容易である電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）複数個分の個基板になる個基板領域１４ａ〜１４ｄにそれぞれ実装部品１６が実装され、少なくとも一方の主面に、個基板領域１４ａ〜１４ｄの境界線１２に沿ってブレーク用溝が形成された集合基板１０を準備し、（ii）隣り合う実装部品１６の間から、アンダーフィル樹脂２０を注入して、アンダーフィル樹脂２０を実装部品１６と集合基板１０との間の隙間に入り込ませた後、アンダーフィル樹脂２０を硬化させ、（iii）個基板領域１４ａ〜１４ｄの境界線１２ｘ，１２ｙ上に残ったアンダーフィル樹脂２０を、境界線１２ｘ，１２ｙに沿ってレーザー光線を照射して切断し、（ｖi）集合基板１０をブレーク用溝に沿って折り曲げて切断し、個基板に分割する。 （もっと読む）

【課題】電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電を防止する電子部品の製造方法およびその方法により製造された電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、実装基板１０上に弾性表面波素子２０を実装する工程と、実装基板１０上に実装された弾性表面波素子２０を覆うように封止樹脂４０を形成する工程と、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理を行なう工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】種々の配置の回路基板に対応し得る、少ない樹脂量で実現できる封止方法を新たに見出して、電子回路装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電子部品１３を搭載した回路基板１２を収容する筐体１１に液状化した樹脂材料３０を導入し、導入した樹脂材料３０の表面をカバー部材２０で覆って押し込み、部分的に樹脂材料３０を押し上げた後に硬化させる、電子回路装置の製造方法であって、上記カバー部材２０は、電子部品１３を搭載した回路基板１２を覆うように形成され、回路基板１２に搭載した最も背の高い電子部品１３に対応する位置に液状化した樹脂材料３０が通過し得る孔を有しており、樹脂材料３０の表面を当該カバー部材２０で押し込むことにより液状化した樹脂材料３０が電子部品１３を封止するとともに上記孔から余剰の樹脂材料３０が流出するよう構成されている、上記の製造方法。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上と信頼性の向上とを図ることを可能とするとともにコストの削減をも可能とする樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】第１面に１個の電極が形成され、第２面に２個以上の電極が形成された半導体素子１１１と、半導体素子１１１を搭載する第１ダイパッド１２２及び第１リード１２４を有する第１リードフレーム１２０と、第１リードフレーム１２０とは隔離して配置される第２ダイパッド１３２及び第２リードを有する第２リードフレーム１３０と、接続部１４２及び第３リード１２４４有する第３リードフレーム１４０とを備える樹脂封止型半導体装置１０１であって、第２面に形成された電極のうちの１個の電極は、第１ダイパッド１２２に直接接続され、第２面に形成された他の電極は、第２ダイパッド１３２に直接接続され、第１面に形成された電極は、電気接続子１５０を介して第３リードフレーム１４０の接続部１４２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの成形装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージの成形装置は、少なくとも１つの第１半導体チップが安定して支持される下金型、前記下金型の上部に位置して少なくとも１つの第２半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第１半導体チップの成形空間のための第１キャビティを有する中金型、前記中金型の上部に位置して前記中金型と対向する面に前記第２半導体チップの成形空間のための第２キャビティを有する上金型、前記下金型を貫通して前記第１キャビティと連結される第１供給ポート、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２キャビティと連結される第２供給ポート、及び前記下金型の下部に位置して前記第１及び第２供給ポートに各々備わり、前記第１及び第２供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第１及び第２キャビティに供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットを含む。 （もっと読む）

【課題】機械的強度および対候性に優れた電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、複数の電気素子１１を準備する工程と、複数の電気素子１１をそれぞれ実装する複数の基板２０の集合体である基体２０Ａを準備する工程と、基体２０Ａ上に樹脂２１を形成する工程（図１（ｅ））と、複数の電気素子１１を樹脂２１に押圧することにより、複数の電気素子１１の側面の一部を樹脂２１に接合する工程と、複数の電気素子１１に研磨処理を施して複数の電気素子１１を薄化する工程と、基体２０Ａを分割することにより、複数の基板２０を個片化する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】パッケージのうち封止層の表面に窪みが形成されることを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造プロセスにおいて、半導体ウエハ２１上への液状の封止材料３３の塗布、脱泡、仮焼成からなる一連の工程を実行して仮硬化状態の封止膜１７−１を形成した後、再度液状の封止材料３３の塗布、脱泡、本焼成からなる一連の工程を実行して、仮硬化状態の封止膜１７−１と、その後に塗布した封止材料３３からなる封止膜１７−２が、境目のない一体の層をなす封止層１７が形成される。また、これにより、均一な膜厚を有するとともに、平坦な表面状態を有する封止層１７が形成される。 （もっと読む）

【課題】封止前基板と封止済基板とを容易に取り扱うことによって、高い生産性でＬＥＤパッケージを製造する。
【解決手段】キャリア１４に封止前基板１をはめ込む。次に、そのキャリア１４を上型１８に固定する。次に、下型１７と上型１８とを型締めする。これにより、封止前基板１に装着された複数のＬＥＤチップ１３を、キャビティに満たされた流動性樹脂２６に浸す。次に、流動性樹脂２６を硬化させて硬化樹脂２８を形成する。これにより、複数のＬＥＤチップ１３を一括して樹脂封止する。次に、下型１７と上型１８とを型開きして、封止済基板２９がはめ込まれたキャリア１４を取り出す。次に、キャリア１４から封止済基板２９を突き出す。次に、封止済基板２９を切断する。これにより、封止済基板２９を、各ＬＥＤチップ１３にそれぞれ相当する複数のＬＥＤパッケージに個片化する。 （もっと読む）