【課題】従来技術における、封止するステップの際、透光板が破損する問題を解決でき、歩留まりを高めることができる透光板の傾斜を低減可能にするイメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透光板の傾斜を低減可能にするイメージセンサの製造方法は、半製品を準備するステップ（Ｓ１０）と、予熱するステップ（Ｓ２０）と、接着剤を塗布するステップ（Ｓ３０）と、透光板を配置するステップ（Ｓ４０）と、封止するステップ（Ｓ５０）と、を含む。半製品を予熱することにより、接着剤を塗布するステップ（Ｓ３０）及び透光板を配置するステップ（Ｓ４０）における製造環境を安定させ、半製品に透光板３０を平坦に接合させることができる。本発明により、透光板３０の傾斜及び破損を低減できるため、歩留まりを高めることができる。 （もっと読む）

【課題】液状樹脂に含有される蛍光体の発光強度のばらつきを抑えることで、色度を均一に保つことができる充填装置を提供する。
【解決手段】ポッティング装置は、発光素子からの光に励起されて発光する蛍光体を含有した液状樹脂を封止樹脂として、発光素子が底部に配置された容器であるパッケージ部に充填する充填装置である。ポッティング装置は、封止樹脂が貯留されるシリンジ２と、試料吐出面Ｓに吐出された封止樹脂に向けて光を照射して蛍光体を発光させる光源部１０と、蛍光体の発光強度を測定する測定部１１と、発光強度が所定範囲を外れているときに異常と判断する制御部９とを備えている。光源部１０は、照光する照明装置１０ａと光を出射する照射用ファイバ１０ｂから構成され、測定部１１は、蛍光体からの光を入射させ伝送する測定用ファイバ１１ａと発光強度を測定して制御部９へ通知する光測定器１１ｂから構成されている。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体チップ間に樹脂材料を良好に充填し、樹脂材料によって半導体チップのバンプ電極が覆われることを防ぎ、半導体装置の動作信頼性を向上する。
【解決手段】メモリチップ１２ａの一面上に、メモリチップ１２ａの一面よりも面積が小さいインターフェースチップ１２ｂを積層する積層工程と、メモリチップ１２ａの外周部に第１の封止樹脂材１６を供給し、メモリチップ１２ａとインターフェースチップ１２ｂとの間に第１の封止樹脂材１６を充填する充填工程と、を有する。充填工程では、メモリチップ１２ａの一面上に形成された、メモリチップ１２ａの外周部の一端からインターフェースチップ１２ｂが積層される領域まで延在する濡れ広がり性促進膜１５に沿って第１の封止樹脂材１６を濡れ広がらせた後、第１の封止樹脂材１６を毛細管力によってメモリチップ１２ａとインターフェースチップ１２ｂとの間に充填する。 （もっと読む）

【課題】発光素子パッケージの樹脂塗布装置、及びこれを用いる発光素子パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】内部に液状樹脂が充填される樹脂貯蔵手段１１と、上記樹脂貯蔵手段１１下部に結合されて樹脂が吐出される樹脂吐出手段１２を含む樹脂塗布部１０と、樹脂塗布のとき上面に発光素子パッケージ５０が配置される領域を有し、上記配置される発光素子パッケージ５０と電気的に接続されるように構成された支持部２０と、上記樹脂塗布部１０と上記支持部２０には両端子が接続され、電圧を印加する電圧印加部４０と、上記樹脂塗布部１０及び上記支持部２０にそれぞれ電気的に接続され、上記樹脂塗布部１０と上記発光素子パッケージ５０の接触を電気信号で感知する感知部３０とを含む発光素子パッケージの樹脂塗布装置１００及びこれを用いる発光素子パッケージ５０の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップどうしの接続部の破断や半導体チップにクラックが発生するのを抑制できるＣｏＣ型の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の面９１にバンプ電極１２が設けられた第１の半導体チップ１０ａと、両面にバンプ電極１２が設けられた第２の半導体チップ１０ｂと、を準備する工程と、第１の半導体チップの第１の面９１の上に第２の半導体チップを積層すると共に、第１の半導体チップのバンプ電極と第２の半導体チップのバンプ電極とを電気的に接続してチップ積層体１１を形成する工程と、第１の半導体チップの第２の面９２の少なくとも外周を載置面９３に密着させた状態で、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間の隙間に封止樹脂１４を充填する工程と、封止樹脂を充填する工程の後に、チップ積層体の第２の半導体チップと配線基板とを接続固定する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】限られた量のアンダーフィル材によって半導体素子側面全周でフィレットの高さを確保可能である半導体装置、半導体装置の製造方法、及びパッケージを提供すること。
【解決手段】パッケージ１０は、ＷＬ−ＣＳＰであって、半導体素子１３の回路面１３Ａの下側に樹脂層２１が形成される。パッケージ１０における半導体素子１３の側面全周に渡り樹脂層２１よりも上部に段部１６が形成される。その段部１６にアンダーフィル材１５を追加注出することによって、段部１６上に供給されたアンダーフィル材１５が段部１６の上面１６Ａに滞留して段部１６全体を覆う。従って半導体素子１３の側面全体を覆うフィレット１５Ａを形成できる。樹脂層２１とシリコンチップである半導体素子１３との界面接着の信頼性が確実に確保される。 （もっと読む）

【課題】微小な樹脂量の調整を可能とすることで、封止樹脂部の厚みのばらつきを抑止して、色度のばらつきを抑えることができる発光装置の封止樹脂調整装置および発光装置の封止樹脂調整方法を提供する。
【解決手段】ポッティング装置は、発光素子Ｌが配置された反射体Ｒに充填された液状樹脂を先端部に付着させるニードル部と、ニードル部の先端部を、反射体内の液状樹脂に漬浸した後に上昇させる制御装置とを備えている。ニードル４１の先端部を、反射体Ｒ内の液状樹脂（封止樹脂Ｍ）に漬浸し、ニードル４１の先端に余分な液状樹脂を付着させて除去することで、反射体Ｒ内の液状樹脂の量を微調整することで、封止樹脂Ｍの厚みの均一化を図る。そうすることで色度のばらつきを抑止することができる。 （もっと読む）

【課題】金属製のリードフレームを用いない基板レス半導体パッケージの製造方法（例えばWLPの製造方法等）に使用されるチップ仮固定用の粘着テープであって、樹脂封止工程中チップが移動しないように保持して、指定の位置からのずれが小さく、且つ、粘着剤層への埋りこみによるスタンドオフが小さく、且つ、使用後に軽剥離可能な半導体装置製造用耐熱性粘着テープを提供する。
【解決手段】金属製のリードフレームを用いない基板レス半導体チップ１を樹脂封止する際に、貼着して使用される半導体装置製造用耐熱性粘着テープ２であって、ガラス転移温度が１８０℃を超える基材３層の片面、または、両面に、１８０℃での弾性率が１．０×１０^５Ｐａ以上の粘着剤層を設けてなることを特徴とする半導体装置製造用耐熱性粘着テープ。 （もっと読む）

【課題】個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあっても、ＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるＬＥＤパッケージ製造システムを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子の発光特性を予め個別に測定して得られた素子特性情報１２、規定の発光特性を具備したＬＥＤパッケージを得るための樹脂の適正塗布量と素子特性情報とを対応させた樹脂塗布情報１４を予め準備し、部品実装装置Ｍ１によって実装されたＬＥＤ素子の基板における位置を示す実装位置情報７１ａと素子特性情報１２とを関連付けたマップデータ１８をマップ作成処理部７４によって基板毎に作成し、樹脂塗布装置Ｍ４において、マップデータ１８と樹脂塗布情報１４に基づき適正塗布量の樹脂を基板に実装された各ＬＥＤ素子に塗布する。 （もっと読む）

【課題】基板の一方主面に樹脂が配置された複合電子部品を製造するときに発生する基板の反りを低減することができる複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）複数個の個片になる部分を含む基板１２の一方主面１２ａに、個片になる部分ごとに電子部品を実装する第１の工程と、（ii）実装された電子部品を覆うように、基板１２の一方主面１２ａに未硬化の樹脂１４を配置する第２の工程と、（iii）未硬化の樹脂１４を加熱して硬化させた後、常温に戻す第３の工程と、（iｖ）硬化した樹脂１４及び基板１２を、基板１２に含まれる個片になる部分に沿って切断して、複数個の複合電子部品に分割する第４の工程とを備える。第３の工程において、基板１２の他方主面１２ｂに仮固定用部材２０を貼り付けた状態で、未硬化の樹脂１４を加熱して硬化させた後、常温に戻し、基板１２の反りを抑制する。 （もっと読む）

【解決手段】発光半導体素子用リフレクターに収容された発光半導体素子の電極がリードの電極にフリップチップ方式で接続され、素子とリードフレームとの間隙部がアンダーフィル材で充填硬化されていると共に、上記発光半導体素子及びリフレクターの表面を覆って０．０５〜１０μｍ厚さの酸化ケイ素硬化被膜が形成されてなることを特徴とする発光半導体装置。
【効果】本発明によれば、ガス透過性を大幅に改善することでリフレクターの反射率低下を防止し、腐食性ガスの侵入による腐食を防止することができ、これにより長期の信頼性を確保した発光半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＦ方式あるいはＳＯＦ方式で組み立てられ、ボイドや未充填などの問題の無い液状封止樹脂組成物および半導体装置を提供する。
【解決手段】耐熱性フィルム基板上の回路とその回路上に搭載される半導体素子との接続部が２個以上存在する半導体装置の接続部の封止に用いられる液状封止樹脂組成物であって、２５℃における粘度が０．５以上２．５Ｐａ・ｓ以下であり、２５℃から１５０℃へ昇温速度１０℃／分で加熱したときの重量減少率が２．５％以下であり、且つ予め６０〜１２０℃に加温した透明ヒーター４の上へ半導体装置の耐熱性フィルム基板３側を下にして乗せ、接続部２に対して液状封止樹脂組成物５を供給すると同時に、透明ヒーター４の下部より耐熱性フィルム基板３越しに接続部２全体を観測する外観評価を実施したとき、接続部２が液状封止樹脂組成物５で全て満たされるまでの間、ボイドや未充填が発生しない液状封止樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装された半導体装置において、半導体素子を適切に保護しつつ、半導体装置の反り量を低減する。
【解決手段】半導体素子２と樹脂回路基板４とを、半導体素子２に形成された突起電極３を介してフリップチップ接続し、半導体素子２と樹脂回路基板４間の隙間を第１の樹脂５により封止する。樹脂回路基板４における半導体素子２が実装されている面を、半導体素子２と共に第１の樹脂５とは異なる第２の樹脂６で覆う。さらに、半導体素子２上の第２の樹脂６で覆われている部分に凹部７を設け、凹部７に第１の樹脂５と第２の樹脂６とは異なる第３の樹脂または金属８を設ける。 （もっと読む）

【課題】高温動作しても信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】半導体素子１が実装された回路面４ｆを有する回路基板４と、半導体素子１に接合された配線部材６または９と、線膨張係数が半導体素子１よりも配線部材の線膨張係数に近い材料（エポキシ樹脂やフィラ等）により構成され、半導体素子１と少なくとも配線部材の一部とを含んで回路面４ｆを封止する封止体１２と、封止体１２を構成する材料の弾性率よりも低い弾性率を有する材料（ポリイミド樹脂等）で構成され、半導体素子１と封止体１２との間で、かつ、半導体素子１の少なくとも配線部材が接合された面１ｆを被覆する被覆膜１３と、被覆膜１３と封止体１２との界面Ｉｆ_Ｒをまたいで被覆膜１３と封止体１２との間に介在するフィラ１４と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールドする際のノズルの詰まりを抑制し、安定して連続生産することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、上面が開放されたキャビティ１５を有する第一金型のキャビティ１５内に素子を配置し、キャビティ１５に、ノルボルネン系樹脂を含む主剤１７と、触媒を含む硬化剤１９とを、それぞれ別のノズルから注入し、キャビティ１５を覆うように第一金型上に第二金型を配置してノルボルネン系樹脂を硬化させる、樹脂モールド型電子部品の製造方法とした。これにより本発明は、ノズル内ではノルボルネン系樹脂が硬化しないため、ノズルの詰まりを抑制し、安定して連続生産することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＦ方式又はＳＯＦ方式で組み立てられた半導体装置に対する液状封止樹脂組成物の流入挙動を観測する方法を提供すること。
【解決手段】耐熱性フィルム基板３上の回路と該回路上に搭載される半導体素子１又はその他の電子部品との接続部が２個以上存在し、前記接続部へ液状封止樹脂組成物５を流入及び硬化させて組み立てられる、ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）方式又はＳＯＦ（システム・オン・フィルム）方式の半導体装置において、前記接続部への液状封止樹脂組成物の流入挙動を観測する方法であって、半導体装置の耐熱性フィルム基板の下部に透明ヒーター４を配置し、前記透明ヒーターの下部より半導体装置下部越しに前記接続部を観測すると同時に前記接続部に液状封止樹脂組成物を供給することを特徴とする、液状封止樹脂組成物の流入挙動観測方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ半導体素子を搭載し、小型化・大容量化したパワー半導体や、高温動作可能なＳｉＣ半導体素子を搭載したパワー半導体装置等の高温動作対応の半導体素子を用いたパワー半導体装置の厳しいヒートサイクル環境下における熱応力の発生を抑制した構造のパワー半導体装置を得ることを目的としている。
【解決手段】半導体素子２と、半導体素子２が搭載されたリードフレーム３と、リードフレーム３に絶縁シート５を介して配置された金属材料６、９とが、封止樹脂７で封止さる。金属材料６、９は露出しており、半導体素子２に対して金属材料６、９の位置とは反対側である封止樹脂７の面に、樹脂組成物層８が設けられ、樹脂組成物層８の無機充填材の充填率が封止樹脂７の無機充填材の充填率以下である。 （もっと読む）

【課題】生産タクトが高く、しかも実装部品を実装基板に確実に接着できる基板実装装置と、この基板実装装置を用いた基板実装方法を得る。
【解決手段】実装基板１４に実装される複数の実装部品１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃのそれぞれに対応させて分割された複数の基板側加熱部材２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃが基板保持部材２０に設けられる。実装部品１６を実装する部分でのみ基板側加熱部材２４により熱硬化性樹脂１８を加熱し、実装部品１６が未だ実装されていない部分では熱硬化性樹脂１８を硬化させないようにする。 （もっと読む）

【課題】メタル基板を備えた半導体装置における金属バリの発生を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法並びに電子装置を提供する。
【解決手段】一面側にチップ搭載部を有するメタル母基板を用意する工程と、一以上の半導体チップ２２，２４が積層されてなるチップ積層体を、前記チップ搭載部上に形成する工程と、前記メタル母基板の一面側および前記チップ積層体の側面を覆うとともに、前記チップ積層体の一面側を露出するように封止体３６を形成する工程と、前記メタル母基板および封止体３６を他面側からダイシングすることにより、個片化した前記メタル母基板からなるメタル基板１２を形成するとともに、メタル基板１２の一面側の端部に封止体３６に向かって突出する構成のメタル基板１２からなる突出部１８を形成する工程と、からなる半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線基板との間にボイドが発生するのを効果的に防ぎ、フリップチップ実装の信頼性を高める半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板１における半導体素子２の側端部２ｅの近傍に、アンダーフィル３の塗布位置８がある。配線基板１には、アンダーフィル３が塗布される塗布位置８の近傍であって、半導体素子２のコーナー部２ａ，２ｂに対向する位置に、アンダーフィル３の充填の際にアンダーフィル３の進行を減速させる凹部４ａ，４ｂが形成されている。 （もっと読む）