【課題】酸素欠損の発生を抑制する。
【解決手段】ガリウム（Ｇａ）若しくはスズ（Ｓｎ）の一部又は全部の代わりにゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成する。ゲルマニウム（Ｇｅ）原子は、酸素（Ｇｅ）原子との結合の少なくとも一つの結合エネルギーがガリウム（Ｇａ）又はスズ（Ｓｎ）の場合よりも高い。このため、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて構成される酸化物半導体結晶において、酸素欠損が発生しにくい。このことから、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成することにより、酸素欠損の発生の抑制を図る。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ異なるマスクを用いた個別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、酸化物半導体層の下に第１の電極層および第２の電極層を設けてコンタクト抵抗の低減を図る。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Ｐｂ（４０６ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｐｂ、Ｚｒ（４６８ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｚｒ、Ｔｉ（４５３ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｔｉをそれぞれ求める。Ｉ_Ｐｂ／（Ｉ_Ｚｒ＋Ｉ_Ｔｉ）の値をＰ_１としたとき、０．４＜Ｐ_１＜０．７を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフの電気特性を有し、オン電流の高い、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用いた高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、少なくともゲート電極を覆って設けられた、開口部を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、開口部を介して酸化物半導体膜と接する配線と、を有し、少なくとも酸化物半導体膜と配線とが接する領域の、下地絶縁膜および酸化物半導体膜の間に、絶縁膜および絶縁膜上に設けられたバッファ層を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】面内方向での膜厚の均一性に優れ、電荷保持特性に優れた窒化シリコン膜の成膜方法、及び窒化シリコン膜を備えた不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第２の窒化シリコン膜を形成する工程と、第２の窒化シリコン膜上に第２の窒化シリコン膜よりも光学吸収係数が大きくかつ光学吸収係数ｋが０．６０〜１．２６の第１の窒化シリコン膜を、ステップ成膜法により形成する工程と、を有する窒化シリコン膜の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層の溝に埋め込まれた電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設ける。チャネル形成領域は、サイドウォールを側壁に有するゲート電極層と重なる位置に形成される。溝は、深い領域と浅い領域を有し、サイドウォールは、浅い領域と重なり、配線との接続は、深い領域と重なる。 （もっと読む）

【課題】メモリデバイス中の酸素拡散バリアとしてＲｕおよび／またはＲｕＯ２を選択的に形成する方法と、そのようなＲｕ系拡散バリアを有するメモリデバイスを提供する。
【解決手段】ＭＩＭキャパシタ構造を形成する方法は、導電性の下部電極プラグ３３を露出させるリセスを備えたベース構造を得る工程と、ベース構造材料に比較した下部電極プラグ上へのＲｕ成長の培養時間の違いに基づいて、下部電極プラグ上にＲｕ５０を選択成長させる工程と、選択成長したＲｕ５０を酸化する工程と、酸化したＲｕ５０の上にＲｕ含有下部電極６０を堆積する工程と、Ｒｕ含有下部電極６０の上に誘電体層７０を形成する工程と、誘電体層７０の上に導電性の上部電極７１を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】少なくともＢｉ、Ｂａ、Ｆｅ及びＴｉを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともＢｉ、Ｂａ、Ｆｅ及びＴｉを含む前駆体溶液であって、水溶液とした場合にｐＨが７以上である前駆体溶液３１を下電極２０上に塗布し、塗布した前駆体溶液３１を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する。圧電素子の製造方法は、圧電セラミックス３０に電極を形成する工程を備える。液体噴射ヘッドの製造方法は、圧電素子の製造方法により圧電素子を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】ジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料は結晶化しやすい材料とすることができ、成膜直後において、結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成することができる。従って、酸化物半導体膜の成膜後の加熱処理を省略することができるため、量産に適したプロセスである。具体的には、少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料に、４族元素の一つであるジルコニウムを含ませる。少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料にジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料膜（ＩｎＺｒＺｎＯ_Ｘ膜）を提供する。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を維持しつつ、微細化を達成した半導体装置を提供する。また、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極層をマスクとした不純物の導入処理によって自己整合的にチャネル形成領域と一対の低抵抗領域とが形成される酸化物半導体層を有し、ゲート電極層を挟んで設けられる一対の配線層が低抵抗領域と電気的に接続し、配線層が形成される領域の下部に低抵抗領域と接する電極層が設けられている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が６配位した構造とし、インジウムは酸素が５配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高いオン電流を得ることができるトランジスタを用いた、半導体装置。
【解決手段】トランジスタが、絶縁表面上の一対の第１導電膜と、一対の第１導電膜上の半導体膜と、一対の第１導電膜にそれぞれ接続されている一対の第２導電膜と、半導体膜上の絶縁膜と、絶縁膜上において、半導体膜と重なる位置に設けられた第３導電膜とを有する。また、半導体膜上における第３導電膜の端部と、一対の第２導電膜が設けられた領域とは、離隔している。 （もっと読む）

【課題】微細化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、上面に、一方向に延び上方に突出した複数本のアクティブエリアが形成された半導体基板と、前記アクティブエリア間のトレンチの下部に埋め込まれた素子分離絶縁体と、第１の絶縁材料からなり、前記素子分離絶縁体の直上域に配置され、下部が前記トレンチ内に配置され、上部が前記アクティブエリアの上端よりも上方に突出した絶縁ブロックと、前記第１の絶縁材料とは異なる第２の絶縁材料からなり、前記半導体基板及び前記絶縁ブロックの上方に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜内に形成され、下端が前記アクティブエリアの上面に接続されたコンタクトと、を備える。前記コンタクトにおける前記絶縁ブロックの直上域に位置する部分の下面は、前記コンタクトにおける前記アクティブエリアの直上域に位置する部分の下面よりも上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、第１の導電層及び第２の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第１の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第２の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく且つ歪み量の大きい圧電素子を有する液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置の製造方法及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０、弾性膜５０、密着層５６、電極６０を形成する工程と、電極６０の上方に、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含む前駆体溶液を塗布して塗布膜を形成する工程と、塗布膜を実温１６５℃以上１８５℃以下の温度で加熱する乾燥工程と、乾燥工程の後、実温３３０℃以上４４０℃以下の温度で加熱する脱脂工程と、脱脂工程の後、脱脂した塗布膜を加熱して結晶化させ圧電膜７２を形成する結晶化工程、を具備し、所定厚さの圧電層７０を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層中に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が下地絶縁層から露出した電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設け、電極層において、または、酸化物半導体層の低抵抗領域であって電極層と重畳する領域において、酸化物半導体層の上層に設けられる配線層との電気的な接続を行うトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面のプラズマ酸化により、界面準位密度が低くリーク電流の少ない高品質な酸化膜をシリコン表面上に形成する。
【解決手段】
酸化膜の形成方法は、ＫｒとＯ_２の混合ガス中にプラズマを形成することにより原子状酸素Ｏ＊を発生させ、前記原子状酸素Ｏ＊によりシリコン表面をプラズマ酸化するプラズマ酸化工程を含み、前記プラズマ酸化工程は、８００〜１２００ｍＴｏｒｒの圧力範囲において実行される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ（半導体装置）において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの端部と、ゲート電極層４０１の端部とを重畳させ、更に酸化物半導体層４０３のチャネル形成領域となる領域に対して、ゲート電極層４０１を確実に重畳させることで、トランジスタのオン特性を向上させる。また、絶縁層４９１中に埋め込み導電層を形成し、埋め込み導電層４８１ａ，４８１ｂと、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂとの接触面積を大きくとることで、トランジスタのコンタクト抵抗を低減する。ゲート絶縁層４０２のカバレッジ不良を抑制することで、酸化物半導体層４０３を薄膜化し、トランジスタの微細化を実現する。 （もっと読む）