【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置
を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびド
レイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、
ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、酸化物半導体層の厚さは１ｎｍ以上１０ｎｍ以
下であり、ゲート絶縁層は、ゲート絶縁層に用いられる材料の比誘電率をε_ｒ、ゲート絶
縁層の厚さをｄとして、ε_ｒ／ｄが、０．０８（ｎｍ^−１）以上７．９（ｎｍ^−１）以下
の関係を満たし、ソース電極とドレイン電極との間隔は１０ｎｍ以上１μｍ以下である半
導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴなどのトランジスタ特性がばらつく状況や、ＲＦ回路から電源が供給され
電源が安定しない状況で、ＳＲＡＭを作製する場合、従来の１つのメモリセルに６つのト
ランジスタの構成では読み出し時にメモリセルが保持する値が書き換わる誤書き込みが発
生してしまう。
【解決手段】ＳＲＡＭのメモリセルは、書き込みの回路と読み出しの回路を分離する事に
より、ＳＲＡＭの誤書き込みを防ぎ、安定した動作を行うことを可能にする。また、書き
込みのタイミングを考慮する事により、誤書き込みを起こさず、より確実に書き込みの動
作を行うことが可能なＳＲＡＭを提供する。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性の劣化やバラツキを低減でき、整流機能を有する不揮発性抵抗変化素子を提供する。
【解決手段】金属元素を含む上部電極１と、ｎ型半導体を含む下部電極２と、上部電極１と下部電極２との間に配置され、上部電極１が含む金属元素から構成される導体部を有する抵抗変化層３とを備える。抵抗変化層３が有する導体部は下部電極２との間に離間を有している。 （もっと読む）

【課題】主成分として有害物質鉛元素を含まずに、強誘電性を示しかつ外部磁場によって分極の大きさを制御可能な新規なマンガン酸化物、およびそのメモリへの利用を提供する。
【解決手段】マンガン酸化物は、ペロブスカイト構造を有する、式（１）Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘＭｎＯ_３（１≧ｘ＞０．４）・・・（１）で表されるマンガン酸化物である。単位格子１の対称中心には磁性イオンであるＭｎイオン３が存在する。単位格子１の対称中心をＭｎサイトとする。単位格子１が有する８個の頂点には、ＳｒイオンおよびＢａイオンのうちいずれか一方が存在している。単位格子１が有する頂点をＳｒサイト２とする。単位格子１が有する６面の面心には、Ｏイオン４が存在する。 （もっと読む）

【課題】高集積化に適した不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、第１乃至第３のフィン型積層構造Ｆｉｎ１〜Ｆｉｎ３を有する。第１乃至第３のフィン型積層構造Ｆｉｎ１〜Ｆｉｎ３は、第１の方向に積み重ねられる第１及び第２の半導体層Ｓｍ１，Ｓｍ２を備える。第１及び第２のアシストゲート電極ＡＧ１，ＡＧ２は、第３の方向に並んで配置され、第３のフィン型積層構造Ｆｉｎ３の第１の方向にある表面上で互いに分断される。第１のアシストゲートトランジスタＡＧＴ１は、第１及び第３のフィン型積層構造Ｆｉｎ１，Ｆｉｎ３内に形成され、第２のアシストゲートトランジスタＡＧＴ２は、第２及び第３のフィン型積層構造Ｆｉｎ２，Ｆｉｎ３内に形成される。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】直列に接続されたメモリセルと、メモリセルを選択して第２信号線及びワード線を駆動する駆動回路と、書き込み電位のいずれかを選択して第１信号線に出力する駆動回路と、ビット線の電位と参照電位とを比較する読み出し回路と、書き込み電位及び参照電位を生成して駆動回路および読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有し、メモリセルの一は、ビット線及びソース線に接続された第１のトランジスタと、第１、第２の信号線に接続された第２のトランジスタと、ワード線、ビット線及びソース線に接続された第３のトランジスタを有し、第２のトランジスタは酸化物半導体層を含み、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方が接続された、多値型の半導体装置。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供と、さらに、これらの微細化を達成した半導体装置の良好な特性を維持しつつ、３次元高集積化を図る。
【解決手段】絶縁層中に埋め込まれた配線と、絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体層と、ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、絶縁層は、配線の上面の一部を露出するように形成され、配線は、その上面の一部が絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、絶縁層から露出した領域において、ソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用いる。酸化物半導体積層には、酸素又は／及びドーパントを導入してもよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接する下地となる膜との界面の電子状態が良好なトランジスタ。
【解決手段】下地となる膜は酸化物半導体膜と同様の原子配列を有し、下地となる膜と酸化物半導体膜とが接している面において、面内の下地膜の最隣接原子間距離と酸化物半導体の格子定数の差を、下地となる膜の同面内における最隣接原子間距離で除した値は０．１５以下、好ましくは０．１２以下、さらに好ましくは０．１０以下、さらに好ましくは０．０８以下とする。例えば、立方晶系の結晶構造を有し（１１１）面に配向する安定化ジルコニアを含む下地となる膜上に酸化物半導体膜を成膜することで、下地となる膜の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有する酸化物半導体膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し
、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形
成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことによ
り、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成
し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面
に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】微細化に伴う短チャネル効果を抑制しつつ、トランジスタの電気特性のしきい値電圧（Ｖｔｈ）をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフを達成した半導体装置、及びその作製方法を提供する。また、ソース領域、及びドレイン領域と、チャネル形成領域との間のコンタクト抵抗を低くして良好なオーミックコンタクトがとれる半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、少なくともチャネル形成領域となる、酸化物半導体層の一部をエッチングによって部分的に薄くし、そのエッチングによってチャネル形成領域の膜厚を調節する。また、酸化物半導体層の厚い領域に、リン（Ｐ）、またはホウ素（Ｂ）を含むドーパントを導入し、ソース領域、及びドレイン領域を酸化物半導体層中に形成することにより、ソース領域、及びドレイン領域と接続するチャネル形成領域とのコンタクト抵抗を低くする。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増大を抑制し且つ微細化を達成した半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に電界で加速されたイオンを照射して、当該酸化物半導体膜の表面の平均面粗さを低減することにより、トランジスタのリーク電流の増大および消費電力の増大を抑制することができる。さらに、加熱処理を行って、酸化物半導体膜が当該酸化物半導体膜表面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成することにより、酸化物半導体膜の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】充分なキャパシタ容量を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、次の工程を含む。まず、基板（半導体基板１０２）上に下部電極１５２を形成する。次いで、下部電極１５２を第１結晶化処理する。次いで、第１結晶化処理後の下部電極１５２の上に容量絶縁層１５４を形成する。次いで、容量絶縁層１５４を第２結晶化処理する。この後、容量絶縁層１５４上に上部電極１５６を形成する。 （もっと読む）

【課題】活性領域における上記プラグと、活性領域の外部における上記プラグとの双方を有する、微細化された半導体装置において、枠付け絶縁膜を確実に形成し、かつ導電性などの機能を最適化することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成される活性領域と、平面視における活性領域の周辺に形成されるゲート接続領域と、活性領域上に形成される複数の第１のトランジスタＴＧに挟まれる領域に形成される、第１のトランジスタＴＧと第１のトランジスタＴＧよりも上側の層とを電気的に接続するための第１の接続層ＣＴと、ゲート接続領域上に形成される第２のトランジスタＴＧと、第２のトランジスタＴＧよりも上側の層とを電気的に接続するための第２の接続層とを備えている。上記第１の接続層ＣＴには第１の導電部ＰＰ１ａと第２の導電部ＰＰ２ａとを含み、第２の接続層ＳＮＣには第３の導電部ＰＰ２ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと容量素子とを有し、第２のトランジスタの半導体層にはオフセット領域が設けられた半導体装置を提供する。第２のトランジスタを、オフセット領域を有する構造とすることで、第２のトランジスタのオフ電流を低減させることができ、長期に記憶を保持可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】低電流動作に優れると共に良好な保持特性を有する記憶素子および記憶装置を提供する。
【解決手段】本開示の記憶素子は、第１電極、記憶層および第２電極をこの順に有し、記憶層は、第１電極側に設けられた抵抗変化層と、少なくとも１種の金属元素を含むと共に、第２電極側に設けられたイオン源層とを備え、イオン源層は、テルル（Ｔｅ），硫黄（Ｓ）およびセレン（Ｓｅ）のうちの少なくとも１種のカルコゲン元素を含むと共に、抵抗変化層側に設けられた第１イオン源層と、第１イオン源層とはカルコゲン元素の含有量が異なると共に、第２電極側に設けられた第２イオン源層とからなる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置及び、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供する。また、消費電力が低い半導体装置及び消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供する。また、量産性の高い半導体装置及び量産性の高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素欠損を生じることなく酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すればよい。具体的には、酸化物半導体層に酸素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すればよい。特に酸素の添加方法としては、高エネルギーの酸素をイオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて添加する方法が好ましい。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】浮遊状態の配線と洗浄水との間において高い密度で電荷が移動することに起因する配線の高抵抗化を防ぐ。
【解決手段】半導体製造装置の製造工程中において、半導体基板１Ｓなどと絶縁された浮遊状態となる銅配線である第１層配線Ｌ１の上面に、電気的に機能する接続ビアＰＬ２と電気的に機能しないダミービアＤＰ２とを接続させて形成する。これにより、第１層配線Ｌ１の上面に接続ビアＰＬ２を形成するためのビアホールを形成した後の洗浄工程中に、第１層配線Ｌ１に溜まった電荷が洗浄水中に移動する際、前記電荷をダミービアＤＰ２形成用のビアホールにも分散させることで、接続ビアＰＬ２形成用のビアホールの底部のみに前記電荷が集中することを防ぐ。 （もっと読む）