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Fターム[5F088AA01]の内容

受光素子−共通事項、放射線検出 (20,668) | 受光素子、放射線検出素子の種類 (1,496) | フォトダイオード(PD) (1,007)

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【課題】受発光素子と光配線を光学的に精度良く、且つ、容易に位置合わせできることを課題とする。
【解決手段】電気配線が一方の面に配置された絶縁樹脂層と、受発光部を絶縁樹脂層側に向けて配置した受発光素子と、受発光素子と光学的に接続する位置に配置された光配線からなる光基板において、前記絶縁樹脂層の一部が除去された溝部に前記光配線が配置され、絶縁樹脂層の電気配線を有する側の表面と、光配線の受発光部側の表面が同一平面にあることを特徴とする光基板とする。 (もっと読む)


【課題】レーザビームが受光素子の受光面に斜めに入射しても、レーザビームを正確なタイミングで検出することが可能な受光装置を提供する。
【解決手段】レーザビームLは、シリンドリカル型のレンズ5aの長手方向と直交する方向に入射して来て、レンズ5a表面で屈折されて該レンズ5aの中心向きに偏向され、レンズ5a中央直下の受光素子3の受光面に入射する。このとき、レンズ5a表面位置でのレーザビームLの入射角度αが大きくても、受光素子3の受光面に対するレーザビームLの入射角度βが小さくなり(α>β)、レーザビームLが受光素子3の受光面の真上近くから入射する。このため、レーザビームLがレンズ5a表面に入射した後では、レーザビームLが透光性樹脂5内で乱反射されることはなく、受光素子3によるレーザビームLの検出タイミングに誤差が生じることはない。 (もっと読む)


【課題】 シンチレーター素子内で発光した光がシンチレーター素子の出射光面での反射
することにより生ずる損失を低減し、半導体光検出素子への入射光を増加させ出力を向上
させる。
【解決手段】 シンチレーター素子の半導体光検出素子対向面に異なる2種類の金属酸化
膜を交互に多数積層した光反射防止膜を真空中で直接形成し、シンチレーター素子の半導
体光検出素子対向面で発生する光反射による損失を低減し、半導体光検出素子に入射する
光量を約10%上げることができ、高解像度の画像が得られる放射線検出器を提供するこ
とができた。 (もっと読む)


【課題】反射面による光路変換機能を有した光導波路の導波コアと光結合される光素子を実装するための空間を、光導波路に形成できるようにした光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール1Aは、光が伝搬される導波コア40と導波コア40に光を閉じ込めるクラッド41を有する光導波路4と、面型の光素子2が実装される回路基板5とを備え、光導波路4は、導波コア40の伸びる方向に沿った一の端面に形成された斜面に、導波コア40の端面を露出させた反射面42と、反射面42と対向する位置のアンダークラッド41aを、光素子2が入る大きさで開口させた素子実装開口部43とを備え、光素子2が素子実装開口部43に入れられ、光素子2と光導波路4の反射面42が位置合わせされて、光導波路4が回路基板5に実装される。 (もっと読む)


【課題】波長の異なる光を分離するためにフィルタを空間的に配置すると、物理的なスペースが多く必要になるという問題を解決する。
【解決手段】波長分離型フォトダイオード71は、隣接して設けられた少なくとも2つの面受光型フォトダイオード73の受光面に、それぞれ異なる波長の光を選択的に透過させる、薄膜よりなる波長選択フィルタ74をそれぞれ直接設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】受光素子の受光感度の低下を招くことなく、受光効率を向上可能な光通信モジュールを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る双方向光送受信モジュールは、基板と;前記基板上に配置され、波長に応じて光を透過または反射する波長分波器と;前記基板上に配置され、前記波長分波器を介して受信用の光が入射し、当該光を電気信号に変換する受光素子と;前記基板上に配置され、送信用の光を発光する発光素子とを備える。そして、前記送信用の光は、前記波長分波器を介して出力される。また、前記受光素子の受光部は、前記基板表面と水平な面内において前記受信用の光の光軸と直交する方向の長さが当該光軸と平行な方向の長さよりも長いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】素寸法を縮小化した場合に、配線間容量の増大を避けながら、有効領域における光電変換部の感度が低下することを抑制する。
【解決手段】光電変換装置は、光電変換部が遮光されていない有効領域と、光電変換部が遮光された遮光領域とを有する光電変換装置であって、前記有効領域の光電変換部と前記遮光領域の光電変換部とが配された半導体基板と、前記半導体基板の上に配された多層配線構造とを備え、前記多層配線構造は、前記有効領域の最上配線層であり、アルミニウムを主成分とする第1配線層と、前記第1配線層を覆うように、前記有効領域及び前記遮光領域に配された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配された前記遮光領域の最上配線層であり、アルミニウムを主成分とする第2配線層とを含み、前記絶縁膜は、前記有効領域の光電変換部の上方に位置する部分が層内レンズの少なくとも一部として機能する。 (もっと読む)


【課題】小型化、薄型化を実現した光学系を備えた原子発振器を提供する。
【解決手段】この光学系1aは、台座10の上に設置された端面発光型レーザダイオード(コヒーレント光源)2、受動光学素子4、ガスセル6、及び台座12の上に設置したフォトダイオード(導波路型受光素子:光検出器)8を基板11上の面方向に沿って順次配置し、夫々の素子が図示しないボンディングワイヤにより基板11に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】装置の信頼性の確保と小型軽量化を実現しつつ、製品の歩留まりを良好にできる受発光ユニット、及び光学式エンコーダを提供する。
【解決手段】検出ユニット1Aは、第一、第二の受光素子アレイ6,7が設けられた基板側半導体素子1a上に発光部13を備えたLEDチップ2が搭載されている。LEDチップ2には樹脂が塗布されて封止層16を形成することによって発光部13が被覆される。第一、第二の受光素子アレイ6,7とLEDチップ2との間には、樹脂の塗布時におけるLEDチップ2側から第一、第二の受光素子アレイ6,7側への樹脂の流れ止めを行うための堰部17aが設けられている。 (もっと読む)


【課題】 ホログラムなどの光学的変化パターンが被照射物に圧着や印刷されている領域で、反射された光を受光することにより、被照射物に対する真偽判別可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】 照射部に光を照射する複数の光学波長を有する一方の導光体光源と、一方の導光体光源と異なる照射角度から照射部に光を照射する他方の導光体光源と、他方の導光体光源の照射角度領域に沿って設けられ、他方の導光体光源を介して照射部に光を照射するアレイ状にLEDチップを搭載したLEDアレイ光源とを具備し、一方の導光体光源、他方の導光体光源及びLEDアレイ光源を選択的に点灯制御することにより、異なる角度から照射した光を受光し、被照射物のホログラム領域の電気信号を検出する。 (もっと読む)


【課題】簡単な工程により、優れた精度で受発光素子と光導波路とを光結合することのできる光導波路デバイスの製法と、それによって得られる光導波路デバイスと、それに用いられる光導波路接続構造を提供する。
【解決手段】アンダークラッド層10の上に凸状のコアパターン11が形成された光導波路フィルムを準備するとともに、基板1上に実装された受光素子2を封止する封止樹脂層7の上面に、その底部が上記受発光素子2の受光部2aと重なる凹部を賦形し、上記封止樹脂層の凹部に上記光導波路フィルムの凸状のコアパターン11を嵌合させることにより、受光素子2と光導波路フィルムの光導波路とを光結合した。そして、嵌合部以外のコアパターン11を、オーバークラッド層13で被覆した。 (もっと読む)


【課題】 X線撮像表示装置等に用いられるフォトセンサーの製造において、フォトダイオードの不良チェックを行う必要があるため、フォトセンサー用アレイ基板に対して、暗状態と光照射状態の2つの状況下でテストを実施する必要がある。ガード抵抗として逆スタガ型のTFTを用いる場合、光照射状況下ではバックチャネル側に光が照射されるのでTFTのON抵抗が減少する。サイズの小型化で改善されうるが、静電気対策のために最低限必要なサイズ以下にはできない。
【解決手段】 ガード抵抗400はTFT201、202で形成されて、かつ、バックチャネル上部に形成された遮光膜21aにより遮光されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板の剛性を維持し、高品質の光伝送モジュールを容易に製造することを可能にする。
【解決手段】本発明に係る光伝送モジュールは、上記基板を補強する補強部品を備え、上記補強部品が、上記基板の、上記光素子が搭載された面に配置されているとともに、上記補強部品が、上記基板面に垂直な方向から見て、上記光素子の最大長さ部分よりも長い構造部分を少なくとも2カ所含んでおり、該2つの構造部分が、上記基板面に垂直な方向から見た場合に、少なくとも上記光素子が配置されている領域を挟んで対向して配置されている構成である。 (もっと読む)


【課題】筒状蓋体と鏡筒との係合構造を工夫して、従来方式の光学モジュールに比べて極めて小型化できるようにする共に、レンズの焦点を容易かつ簡単に調整できるようにする。
【解決手段】所定の位置に開口部4を有し、かつ、焦点調整用のレンズ2を内包すると共に内周部に設けられた係合用の凹部1aを有するレンズユニット11と、レンズ2から所定距離を隔てて設けられたレーザダイオード5を有し、かつ、外周部に設けられた係合用の凸部3aを有するCANパッケージ13とを備え、レンズユニット11がCANパッケージ13に覆い被されるように組み立てられ、レンズユニット11の凹部1aとCANパッケージ13の凸部3aとが係合されてなるものである。部品組み立て時、CANパッケージ13に対するレンズユニット11の自らの位置を自在に移動できる。 (もっと読む)


【課題】放射線検出部とコリメータとの相対位置関係を調整する位置調整手段を有しつつ省スペースである放射線撮像装置を提供し、高精度な核医学診断装置を提供する。
【解決手段】放射線を検出する複数の検出素子(21)が面配列してなる検出部(20)と、複数の検出素子(21)に対応する複数の入射孔(52)が開口し特定の入射方向の前記放射線を選別して検出素子(21)に入射させるコリメータ(50)と、このコリメータ(50)の側周面(53)に固設される第1筐体(40)に合体し収容室(G)を形成する第2筐体(30)と、検出部(20)を保持するとともに、入射面(51)に沿う方向に遊動可能な隙間を空けて収容室(G)に収容される保持体(60)と、第2筐体(30)及び保持体(60)の相対位置関係を前記隙間の許容範囲内で調整する位置調整手段(70)とを、備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】小型薄型化することができるとともに、高解像度を有するセンサ素子実装体を得ることができるセンサ素子実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】センサ素子が形成された基板上に、スペーサ粒子を含有する光硬化型及び/又は熱硬化型接着剤を塗布して、前記センサ素子を囲繞する閉じた形状を有する接着剤パターン層を形成する工程と、減圧雰囲気下において、前記基板上に、前記接着剤パターン層を介して、透明基板を貼り合わせる工程と、前記減圧雰囲気下において、前記接着剤パターン層に対して、光照射及び/又は加熱を行うことによって、前記接着剤パターン層を硬化させる工程とを有するセンサ素子実装体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光コネクタにおける光ファイバを保持する被せ部材であるフェルールが、振動により位置が変化することを防止し、光モジュールの特性への影響を改善することができる光コネクタを提供することを目的とした。
【解決手段】光信号と電気信号とを変換する光モジュールと、前記光モジュールと光ファイバの両者を支持すると共に両者を接続するハウジングとを備えた光コネクタにおいて、光ファイバ7を保持する被せ部材であるフェルール8は、ハウジング26が備える装入孔部内に配置され、さらに当該装入孔部に押圧部材が設けられ、押圧部材によって光ファイバが光モジュール側に押圧されていること。 (もっと読む)


【課題】光通信伝送路を伝播する不可視光を用いて通信回線の使用状態の有無を目視で容易に判別することができる通信光検知器を提供する。
【解決手段】光ファイバからなる光通信伝送路の接続部に設置され、前記光通信伝送路の通信光の有無を検知する通信光検知器であって、両端からそれぞれ光ファイバの端部が挿入されるスリーブ5と、前記スリーブ5内で前記光ファイバの端部が突き合せられている時に、前記端部から前記スリーブ5内に漏れ出た通信光を検知するための光検知部6とを備える。 (もっと読む)


【課題】光信号の損失、劣化を確実に低減できる光電気混載パッケージ及び光電気混載モジュールを提供すること。
【解決手段】光電気混載パッケージ2は、はんだボール49、光素子24、突出部53及び光導波構造部71を備える。はんだボール49は、はんだボール接合部48上に接合されるとともに光導波路付き基板61に接続される。光素子24は、発光部25を光導波路81側に向けた状態で光素子実装部56上に実装される。突出部53は、配線基板10の裏面13側から光導波路付き基板61側に突出する。光導波構造部71は、コア及びクラッドを有し、配線基板10の主面12及び突出部53の先端面54を貫通する。なお、はんだボール接合部48の表面から突出部53の先端面54との段差A1は、はんだボール49の最大径A2の半分以上の大きさである。 (もっと読む)


【課題】ディジタルX線イメージング・システムの生産に伴うコスト及びサイクル時間の両方を低減するディジタルX線検出器用撮像パネルを提供する。
【解決手段】フラット・パネル検出器のピクセル構造の構築において、ダイオード・シリコン及びFETシリコンを同時に蝕刻して、分離した構造(アレイ・フォトダイオード及び入出力素子等)を形成し、このときダイオード・シリコン構造の端辺又は外周が直下のFETSi構造に自動整列される。堆積時全厚分のFETゲート誘電層(61)、及びFETシリコン層(63)の(少なくとも)一部は、フラット・パネル検出器の全体にわたってダイオード・シリコンの直下に残存する。 (もっと読む)


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