【課題】互いに異なる時間帯に送信された高速の第１の光パルス信号と第１の光パルス信号よりも低速の第２の光パルス信号とを高精度に受信することが可能な受信回路を提供する。
【解決手段】受信回路１００は、フォトダイオード１から出力された電流信号ＩＳを差動の電圧信号ＶＳｐ，ＶＳｎに変換するための第１の増幅回路１０と、第１の増幅回路１０の出力側に互いに並列に設けられた第２および第３の増幅回路２０，３０とを含む。第２の増幅回路２０は高速信号用のリミッティングアンプである。第３の増幅回路３０は、電圧信号ＶＳｐ，ＶＳｎのピーク値を検出するピークホールド回路４０と比較器４５とを含む。比較器４５は、ピークホールド回路４０の出力を分圧した値と、電圧信号ＶＳｐ，ＶＳｎの信号強度とを比較することによって、電圧信号ＶＳｐ，ＶＳｎが低速かつ低デューティ比の場合であってもその論理レベルを正確に検知できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、耐衝撃性に優れ、画像欠陥の発生を防止した高画質の放射線画像検出装置を提供することにある。
【解決手段】２次元的に配列された光電変換素子を含むセンサー基板と、前記センサー基板上に配置された保護層と、前記保護層上に配置され表面を平坦化する下引層と、前記下引層上に配置された蛍光体を含むシンチレータ層と、前記シンチレータ層上に配置された耐湿保護層を有し、前記下引層にガラス転移温度が−３０℃〜９０℃の樹脂を含有することを特徴とする放射線画像検出装置。 （もっと読む）

【課題】薄型で光取り出し効率の高い光半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】支持基板上に、互いに離間する第１及び第２の導電部材を複数形成し、該第１及び第２の導電部材の上面の一部を保護膜で被覆する第１の工程と、前記第１及び第２の導電部材の間に遮光性の熱硬化性樹脂を含む基体を形成する第２の工程と、前記保護膜を除去し、該保護膜を除去した前記第１及び／又は第２の導電部材上に光半導体素子を載置し、前記光半導体素子を、透光性樹脂からなる封止部材で被覆する第４の工程と、前記支持基板を除去する第４の工程と、前記光半導体素子を個片化して光半導体装置を得る第５の工程を含む光半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】部品を基板に実装する際に、基板を加熱せずに熱硬化性接着剤を局所的に加熱して硬化させる手段を提供する。
【解決手段】ステージ装置１０上に搭載基板８及び部品６が載置される。ステージ装置の垂直上方に、垂直移動可能な吸着ヘッド４０が設けられる。吸着ヘッドに吸着された部品の電極に接触子が接触する。吸着ヘッドの垂直上方に、垂直移動可能なカメラ１６が配置される。ステージ装置の動作、吸着ヘッドの動作、接触子への通電、及びカメラの動作を制御コンピュータ３０が制御する。 （もっと読む）

【課題】光路の変更が容易で光軸位置合わせ精度が高い光モジュール及び量産性に富むその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のリードと、第２のリードと、前記第１のリード上に接着された光半導体素子と、前記光半導体素子と前記第１のリードの一方の端部と前記第２のリードの一方の端部とが埋め込まれた第１の成型体と、を有する光半導体部と、第３のリードと、第４のリードと、前記第３のリードの一方の端部と前記第４のリードの一方の端部とが埋め込まれ前記光半導体素子の光路を変更可能な第２の成型体と、を有する光学素子部と、を備え、突出した前記第１のリードと突出した前記第３のリードとが接合された金属接合部が形成され、前記第１及び第２のリードと、前記第３及び第４のリードと、のうちの少なくともいずれかは外に向かって凸となる折り曲げ部を有することを特徴とする光モジュール及びその製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 測定環境における電磁波の影響を排除して微弱な光を検出する光検出装置および生体情報測定装置を提供すること。
【解決手段】 受光器２２（光検出装置）は、電気的に接地されたシールドケース２２ａおよび入射窓２２ｃを備えて、ケース内２２ａ内に受光素子２２ｂおよび増幅器２３を収容している。これにより、外部に存在する雑音電界（ノイズ）の受光素子２２ｂおよび増幅器２３への伝播を防止することができる。また、増幅器２３は、その出力インピーダンスが受光素子２２ｂの出力インピーダンスに比して小さく、受光素子２２ｂから出力された電気的な信号を増幅して低インピーダンスによって出力する。これにより、出力信号に対して雑音電界（ノイズ）の影響を極めて小さくして、出力信号のＳ／Ｎ比の悪化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電磁波に対してシールド性を有するとともに、金属被覆光ファイバによって電流や電気信号の伝送も可能な光送受信モジュールを提供する。
【解決手段】発光素子１２と光結合された第１の光ファイバ１５および受光素子１３と光結合された第２の光ファイバ１６は、表面に金属被覆１５ａ，１６ａが設けられた金属被覆光ファイバであり、箱状で絶縁体からなる箱体２１の両面が導電性被覆２３，２４で被覆されたパッケージ２０において、パッケージ２０の内外の導電性被覆２３，２４は互いに電気的に独立しており、そのうち一方の導電性被覆２３は、一方の光ファイバ１５の金属被覆１５ａと電気的に接続され、他方の導電性被覆２４は、他方の光ファイバ１６の金属被覆１６ａと電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】平面光導波路回路と面型受光素子を高効率に結合することができる光結合回路の設計方法及び光結合回路を提供すること
【解決手段】本発明にかかる光結合回路の設計方法は、平面光導波路回路３からスポットサイズコンバータ７を介して生成された楕円光を受光素子４に放射する光結合回路の設計方法である。はじめに、平面光導波路回路３から受光素子４に放射される光の受光面積を決定する。次に、決定された光の受光面積以下の面積になるように、前記受光素子に放射された楕円光の形状を決定する。次に、決定された楕円光の形状を、前記受光素子の受光面の形状として決定する。 （もっと読む）

【課題】 従来のレーザー受光器は、レーザーが光路を通過する際に生じる反射、回折、散乱などによる光ノイズや周囲光によるノイズによる影響を効果的に排除できなかった。各ノイズの強度が異なるために一定の閾値では対処出来なかった為である。
【解決手段】 信号を有効とするための閾値を回路上やソフトウェア上での記憶手段により主信号の最大値の近傍に自動的に設定することにより、光雑音による外乱を削減し目的とする信号を精度良く測定することができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、画素が微細化されても混色抑制する。
【解決手段】各画素に対応して形成された各色フィルタ成分３６から成るオンチップカラーフィルタ３８と、隣接する各色フィルタ成分３６の境界に形成された遮光体３７を有する。さらに、各色フィルタ成分３６の直下に、セルフアラインにより形成された下凸レンズ３９を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の光電素子を備える場合であっても、光電素子間の距離及びレンズ間の距離を狭めることで小型化することができる光通信モジュールを提供する。
【解決手段】ＯＳＡ１のベース１０、受信用レンズ面１５、送信用レンズ面１６及び柱部１７等を透光性の合成樹脂で一体成形する構成とすることにより、受信用レンズ面１５及び送信用レンズ面１６の間の距離を短くすることができ、ＯＳＡ１を小型に製造することができる。また、送信用レンズ面１６をベース１０に突設された柱部１７の突端に設け、受信用レンズ面１５及び送信用レンズ面１６の間の柱部１７の周面を平面１７ａとすることにより、平面１７ａを境にして光を反射させることができるため、送信側から受信側へ、及び、受信側から送信側へ光が漏れることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】オフセット補正の精度を落とすことなく、補正時間を短縮することのできる放射線画像検出装置を提供する。
【解決手段】電荷を生成し蓄積するフォトダイオード１５２と、フォトダイオード１５２において、放射線が照射されたときに生成する電荷を蓄積時間Ｔ０の間蓄積させた後、蓄積した電荷を撮像信号として読み出す信号読出し回路１７と、フォトダイオード１５２において、放射線が照射されないときに生成する電荷を蓄積時間Ｔ１の間蓄積させた後、蓄積した電荷をオフセット信号として読み出す信号読出し回路１７と、撮像信号に対して、オフセット信号をＴ０／Ｔ１倍した補正信号に基づくオフセット補正を行う画像データ補正部２８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを改善する構造を有するセンサーチップを提供する。
【解決手段】
センサーチップ１は、主面に受光部３を備えた半導体基板２と、半導体基板２の主面上
に設けられ、受光部３の周囲及び上方を囲うように形成されることにより、半導体基板２
との間の受光部３上方に中空部７を備える光透過性部材５と、光透過性部材５上に設けら
れた光透過性保護部材６とを有する。光透過性部材５が、半導体基板２の主面との接着性
を有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】導電ペーストが有する抵抗の低減を図ることができる、光通信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール１では、ガラスエポキシ基板２の一方面と発光素子１５との間隔Ｄが、ガラスエポキシ基板２の表面に対するソルダレジスト１０の高さＨよりも小さくなっている。ガラスエポキシ基板２の一方面と光学素子との間隔Ｄが小さいので、導電ペースト１７の厚さが小さくてよい。したがって、導電ペースト１７が有する抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】改質領域を形成することによる半導体基板の機械強度の低下を抑制すると共に、クロストークの抑制効果を向上させることが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備え、半導体基板３の隣接するｐ型半導体領域５間の領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、ｐ型半導体領域５の配置方向に離隔し且つｐ型半導体領域５の配置方向に交差する方向に延びる２つの改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子や、受光素子等外部の素子との間において、光の伝搬を行う際に、光の伝搬損失を低減させることができる光導波路および光導波路モジュールを提供すること。
【解決手段】光導波路３は、上部クラッド層３３および下部クラッド層３１と、上部クラッド層３３と、下部クラッド層３１とに挟まれたコア層３２とを備え、所定方向に沿って延在するものである。光導波路３は、延在方向と交差する一対の端面が傾斜面となっている。この傾斜面は、上部クラッド層３３の端面、コア層３２の端面、下部クラッド層３１の端面で構成され、上部クラッド層３３側から、下部クラッド層３１側に向かって外側に傾斜している。この傾斜面と、コア層３２内の光軸（光導波路３の延在方向に沿った軸）とがなす角度は約４５度である。また、コア層３２の延在方向中心部の厚みと、コア層３２の端部の厚みとが異なっている。さらに、この光導波路３は可とう性を有したフィルムである。 （もっと読む）

【課題】簡素な半導体素子の吊り下げ支持構造を実現することで、小型化や製造効率向上等に容易に対応できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１と、前記半導体素子１の外周に対応した形状の内周枠部４ａおよび外周枠部４ｂを有してなる二重構造の枠体４と、前記枠体４によって一端近傍が保持されるリードフレーム２と、前記内周枠部４ａと前記外周枠部４ｂとの間に配されて前記半導体素子１と前記リードフレーム２を電気的に接続する電気接続部５とを備えて、半導体装置を構成する。そして、前記半導体素子１の前記枠体４への当接によって当該半導体素子１の前記リードフレーム２に対する位置が定まり、前記枠体４および前記電気接続部５を介在させた接合により前記半導体素子１が前記リードフレーム２に吊り下げ支持されるようにする。 （もっと読む）

【課題】筐体外に曝しても受光感度等の測定性能の劣化を抑えられ、モジュールを取り付けた装置全体としての小型・薄型化が可能で、取り回しが容易な、特定波長域の光強度を測定する光センサモジュールを提供する。
【解決手段】ＵＶセンサモジュール１はベース基板３とＵＶセンサ素子２と樹脂材４とを備える。ベース基板３は主面外形状が矩形状である。ＵＶセンサ素子２はベース基板３に搭載され、ベース基板３に並行する受光面に入射する光から紫外線光量を検出する。樹脂材４は、ＵＶセンサ素子２をベース基板３に封止し、ベース基板３に並行する表面４Ａがベース基板３と一致する主面外形状で且つ研磨処理されていて、該表面４Ａから入射する紫外線を透過する。 （もっと読む）

半導体撮像素子アレイを製造することと、前記素子を伸縮性インターコネクトに相互接続することと、プリストレインされたエラストマースタンプにより前記アレイを二次非平面表面に転写することと、を備える、撮像アレイ製造プロセス方法を提供するシステム、デバイス、及び方法が提示される。
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【課題】光アセンブリーの光出力信号を電気信号に変換するための少なくとも１つのフォトダイオードを有している、光信号（ＳＥ）を受信するための検出モジュールにおいて、簡単に製造され、同時に、定義高さに従う検出モジュールを提供する。
【解決手段】光アセンブリー５０は、少なくとも１つのコリメーター８０を有し、出力側において、互いに平行に進行する平行電磁光線により構成される少なくとも１つのビームを、光インターフェースとしての自由放射接続１８０を介して電気アセンブリー６０に伝送し、また、電気アセンブリーは、光アセンブリーからのビームを自由放射接続を介して受信する。 （もっと読む）