【課題】放射線の照射によって電荷を発生する電荷発生層を備えた放射線画像検出器において、放射線の照射による画素欠陥の拡大を抑制する。
【解決手段】予め検出された画素欠陥部位に放射線の照射を抑制する放射線照射抑制部材３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 漏れ電荷による残像の発生を低減する。
【解決手段】 放射線検出装置１は、放射線画像情報を担持した電磁波を透過する上部平面電極２１と、電磁波の照射により電荷を発生する電荷発生層２２と、電荷発生層２２において発生した電荷を収集する複数の分割電極２３とを有している。この分割電極２３は、上部平面電極２１に対して傾いている傾斜電極面２３ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】並列配置された複数のスキャン配線と、スキャン配線と交差して設けられた複数のデータ配線と、スキャン配線とデータ配線とに接続されマトリクス状に設けられた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続されマトリクス状に設けられたセンサ部と、マトリクス状に設けられたセンサ部に対して共通にバイアス電圧を印加するために配置された複数の共通配線と、を備えた画像検出器において、電子ノイズを低減させて検出画像の画質を向上させる。
【解決手段】スキャン配線１０１、データ配線３および共通配線１０２のそれぞれを絶縁膜を介して設けられた互いに異なる金属層により形成する。 （もっと読む）

【課題】共通電極の高抵抗化を抑制することができる放射線検出器を提供する
【解決手段】放射線検出器１は、結晶性中間層３０の結晶粒径が光導電層１７の結晶粒径よりも小さいため、結晶性中間層３０の前面３０ａにおける凹凸の度合いが、光導電層１７の前面１７ａにおける凹凸の度合いに対して緩和される。よって、光導電層１７の前面１７ａに結晶性中間層３０を形成して当該結晶性中間層３０の前面３０ａに共通電極１８を形成することにより、共通電極１８が不連続に形成されるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】共通電極の高抵抗化を抑制すると共に共通電極の剥がれを防止する。
【解決手段】放射線検出器１は、信号読出し基板２を備えている。信号読出し基板２は、画素電極７を有する画素ユニット４が基板３の前面３ａに２次元マトリックス状に配列されて構成されている。信号読出し基板２の前面２ａには、結晶性を有する光導電層１７が形成されている。光導電層１７の前面１７ａには、導電性を有するコンタクト補助層３０が形成されている。コンタクト補助層３０の前面３０ａには、共通電極１８が形成されている。コンタクト補助層３０の前面３０ａにおける単位領域当たりの表面積は、光導電層１７の前面１７ａにおける単位領域当たりの表面積よりも小さくなっている。また、コンタクト補助層３０は、前方から見て共通電極１８を含み且つ光導電層１７の前面１７ａに含まれるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】放射線撮像パネルを構成する光導電体を、感度低下に起因するゴーストやコントラスト変化が実質上ないものとする。
【解決手段】放射線検出器を構成する放射線により電荷を発生する光導電体において、光導電体をＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）からなり、波長４５０ｎｍの拡散反射率が波長６００ｎｍの拡散反射率の７５％以上であるもの、あるいは、Ｂｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）からなり、波長４５０ｎｍにおける線吸収係数が１０ｃｍ^-1以下であるものとする。 （もっと読む）

【課題】放射線を感度よく検出することができる。
【解決手段】放射線検出器１は、基板３及び基板３の前面３ａに配列された画素電極７を有する信号読出し基板２と、信号読出し基板２の前面２ａに形成された光導電層１７と、光導電層１７の前面１７ａに形成された第１コンタクト補助層３０と、第１コンタクト補助層３０の前面３０ａに形成された第２コンタクト補助層５１と、第２コンタクト補助層５１の前面５１ａに形成された共通電極１８と、を備えている。第２コンタクト補助層５１の結晶粒径が光導電層１７の結晶粒径よりも小さいため、前面５１ａにおける凹凸の度合いは、前面１７ａにおける凹凸の度合いに対して緩和される。さらに、第１コンタクト補助層３０の抵抗値が光導電層１７及び第２コンタクト補助層５１よりも低いため、光導電層１７で生じた信号電荷が第２コンタクト補助層５１にスムーズに移動する。 （もっと読む）

【課題】放射線撮像パネルを構成する光導電体を、感度低下に起因する、ゴーストやコントラスト変化が実質上ないものとする。
【解決手段】放射線画像情報を記録する放射線撮像パネルを構成するＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）からなる多結晶の光導電体を、基板６上にＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）の多結晶体からなるシード層７を成膜し、水熱合成によりシード層上にＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）の多結晶体を成長させる。 （もっと読む）

向上した電子遷移を有する材料１３４（図１ｃ）を含む、光電子デバイス。該電子遷移は、界面における電子状態を混合することによって向上される。界面は、ナノウェル、ナノドット、またはナノワイヤによって形成され得る。該材料は、フェルミエネルギレベルと、複数のキャリアポケットと、界面における混合された電子状態とを有し、混合された電子状態は、フェルミエネルギレベルのｋＴ以下である初期の状態と、フェルミエネルギレベルのｋＴ以上である第２の状態とを備え、ｋはボルツマン定数であり、Ｔはケルビン温度であり、該材料は、界面における所定の対称性の崩壊を有する。
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直接変換放射線検出器は、直接変換材料で構成されている検出器本体と、
上記検出器本体の放射線受信表面と働くように結合されている複数の区分化された電極部材と、上記検出器本体の第２側面と働くように結合されている裏側電極とを備えている。上記放射線検出器は、受信した放射線が、上記区分化された電極部材に入射するように構成されている。上記放射線検出器は、様々な高線束放射線検出アプリケーションに関して低減された分極効果を提供する。
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【課題】ＴＦＴ方式の放射線画像検出器において、点欠陥抑制と残像抑制との両立を可能にする具体的な構成を明確化する。
【解決手段】放射線画像検出器は、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層２０と、電荷発生層２０において発生した電荷を収集する収集電極８、および収集電極８によって収集された電荷を読み出すためのスイッチ素子３を有する画素部１１が２次元状に多数配列された検出層１０とが積層された構造を有する。収集電極８の周縁部全周に保護膜１８を設け、収集電極８の全面積に対する収集電極８の保護膜１８で覆われていない部分の面積の比率（フィルファクター）を４０％以上、９９．８％以下にする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ方式の放射線画像検出器において、暗電流抑制と残像抑制とを両立させる。
【解決手段】放射線画像検出器は、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層２０と、電荷発生層２０において発生した電荷を収集する収集電極８、および収集電極８によって収集された電荷を読み出すためのスイッチ素子３を有する画素部１１が２次元状に多数配列された検出層１０とが積層された構造を有する。収集電極８の周縁部に、収集電極８の中央部の電界強度に対する収集電極８の端部の電界強度の比を小さくする電界比低減部品として保護膜１８を設ける。 （もっと読む）

【課題】単一光子検出の際に、より高い量子効率が得られる超伝導光検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導受光材料からなる細線（１０２）を、密に詰めるようにメアンダ形状で、結晶基板（１０１）の表面に配置するとともに、そのメアンダ形状の細線の隙間に対応する位置で、結晶基板の裏面あるいは絶縁膜を介した上層に、別のメアンダ形状の細線（１０３）を配置する。これにより、複数組のメアンダ形状の細線が互いにずらされて、ほぼ隙間のなく重ねて設置される。最初のメアンダ形状の細線（１０２）の隙間に照射された光子（１０４）は、次のメアンダ形状の細線（１０３）に照射されるため、すべての光子は必ずいずれかの細線に照射され、光照射域での光子の取りこぼしが無いので、量子効率が格段に向上する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属が特定の濃度分布を有し、感度劣化が少なく、電子走行性特性に優れた記録用光導電層を備えた放射線固体センサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】記録用光導電層の両側に電極が設けられ、この電極間に所定のバイアス電圧を印加して、放射線入射によって記録用光導電層内部に発生する電荷を電気信号として検出する放射線固体センサーにおいて、電極間に所定領域が設けられ、この領域のアルカリ金属平均濃度が、電極間の領域以外の部分の１０倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】湿式成膜可能で製造が容易であり、安定性がよく、かつ高い変換効率を与える有機光起電力素子、およびそれを備えた、分光器やフィルターが要らず、色素の選択により検出波長が可変であり、かつ特定波長以下の光に対してのみ検出が可能である光センサーを提供することを課題とする。
【解決手段】透明電極と背面電極との間に光起電力層としてＪ会合色素、導電性高分子および任意に高分子電解質を介在させてなることを特徴とする有機光起電力素子により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器の防湿構造をより簡単に形成する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に載置された、対向する２辺から信号線１２が引き出された方形の放射線検出部１１とを備えた放射線画像検出器において、放射線検出部１１の外周の３辺以下に沿ってのみ、絶縁性を有するリブ部材１３を基板１０および信号線１２上に設置するとともに、リブ部材１３の上面に沿って防湿性フィルム１４を貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生し、その電荷を蓄積することにより放射線画像を記録する放射線画像検出器であって、多数のエレメント（線状電極）によって放射線画像を読み出す放射線画像検出器において、ピンホールを生じることなく上記エレメント上に正孔注入阻止層や結晶化防止層を形成する。
【解決手段】エレメント１９ａおよびサブエレメント１９ｂを順テーパ形状で形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の撮影領域のそれぞれに適した位置でガードリング電極を使用可能とし、クロストークや無効領域からの流入電荷を低減して、アーチファクトや雑音の低減、ＳＮＲの向上、ダイナミックレンジの拡大などの画質の向上と無効被曝の低減を実現する。
【解決手段】光電変換層を挟んで複数の画素電極117と共通電極とを設けた放射線検出器において、放射線検出素子の画素電極117間に素子間ガードリング電極111を隣接して配置し、素子間ガードリング電極111を電気的に解放した状態と接地電位と接続した状態との間で切り替えることで、放射線検出素子が放射線を検出する面積を変更する。 （もっと読む）

【課題】 記録用光導電層および読取用光導電層等を備え、照射された放射線の線量あるいは該放射線の励起により発せられる光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として、記録用光導電層と読取用光導電層との間に形成される蓄電部に蓄積する放射線固体検出器において、検出画像の分解能を向上させる。
【解決手段】 記録光に対して透過性を有する第１導電層１１、記録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層１２、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層１４、ストライプ電極１５およびサブストライプ電極１６を備えた第２導電層、読取光に対して透過性を有する支持体１８等をこの順に配してなる放射線固体検出器１０において、読取用光導電層１４を単画素毎に分離する隔壁状部材１７を配して、読取用光導電層１４の各画素領域間での電荷の移動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む基材上へも形成可能であり、光導電特性や機械的特性、耐酸化性等に優れると共にこれらの特性が経時的にも安定して維持できる半導体膜を提供すること。
【解決手段】基材上に形成され、１３族元素と窒素と１５原子％以上の酸素とを含むことを特徴とする半導体膜。 （もっと読む）