【課題】短波長の光を放射又は吸収するよう機能する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体光デバイスの主要部に、高純度の酸化モリブデンが提供される。本発明においては、半導体光デバイスの発光領域又は吸収領域に高純度の酸化モリブデンが用いられる。これにより、深紫外波長領域の光を放射又は吸収できる安価な光デバイスが実現される。 （もっと読む）

【課題】プラズモン共鳴吸収を利用して光を検出するとともに、波長選択性が高く、光を電流に変換して検出する光検出器を提供する。
【解決手段】
基板４上に、電流検出プローブ１、ナノチェイン部２、電流検出プローブ３からなる光検出部が配置されている。ナノチェイン部２は、プラズモン共鳴吸収を有する金属構造体であり、複数の金属ナノ粒子２ａがボトルネックを介して互いに連結されている。電流検出プローブ１、３は、各々先端が所定の角度に形成された角部を有しており、この角部が、ナノチェイン部２の先端、すなわち、金属ナノ粒子２ａの角と対向するように配置される。電流−電圧特性の初期電圧の変化により、光検出が行われる。 （もっと読む）

【課題】基板製造時の静電気不良の発生を防ぐ一方で、駆動時のリーク電流による信号値の変動を抑制することができる画像検出装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０の製造時に各データ配線３に発生する静電気は、双方向ダイオード３０Ａを介して共通配線１１０に放電される。また、双方向ダイオード３０Ａは、第１許容レベルが保護回路１１２の第２許容レベルよりも高くなるように構成しているので、駆動時の各データ配線３に発生するリーク電流は、保護回路１１２を介して共通配線１１１Ａ、１１１Ｂに放電される。 （もっと読む）

【課題】アモルファスセレンを備えた放射線画像検出器の焼き付きを防止する放射線画像検出器用収納容器を提供する。
【解決手段】ケース部１０,１１の全面が６００〜７００ｎｍの全波長の光に対して透過率１０％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる光マトリックスデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ステップＳ１ではゲート線を形成し、そのステップＳ１で形成されたゲート線の断線もしくは短絡を、ステップＳ２では上述したステップＳ１の直後で検査するので、ステップＳ２で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。ステップＳ５ではデータ線を形成し、そのステップＳ５で形成されたデータ線の断線もしくは短絡を、ステップＳ６では上述したステップＳ５の直後で検査するので、ステップＳ６で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。その結果、発見された故障箇所をステップＳ３、Ｓ７で確実に修復することができる （もっと読む）

【課題】簡易な構成で製造コストを低減できる光電変換素子及びその製造方法を提案する。
【解決手段】ｐｎ接合を設けなくとも、ＣｏＳｉ_ｘからなる光電変換膜３の正極４の近傍付近に光Ｌを照射することにより光誘起電流を発生させることができるので、従来のようなｐｎ接合を形成する複雑な製造プロセスを省くことができ、当該ｐｎ接合等の各種構成が不要な分だけ、簡易な構成で製造コストを低減できる。また、キャリアの移動経路をデバイス表面に制限でき、散乱や伝送損失を低減化し、高速なキャリアを利用した高周波デバイスができる。 （もっと読む）

【課題】小型・簡便な固体素子型の火炎センサーとして利用可能な紫外線センサーなどに応用される（Ｇａ_1‐xＩｎ_x）₂Ｏ₃（ただし、０＜ｘ＜１）混晶であって、ｘ値を任意に設定することが可能な（Ｇａ_1‐xＩｎ_x）₂Ｏ₃混晶を低コストで製造する。
【解決手段】２‐メトキシエタノールとモノエタノールアミンの混合溶液にガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドを溶解させたゾルを基板上に塗布し、空気中６００〜１２００℃で３０〜９０分焼成することにより薄膜を得る。ガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドとは任意の比率で混合される。これにより、（Ｇａ_1‐xＩｎ_x）₂Ｏ₃混晶のｘ値を任意に設定でき、ｘ値に応じて２５０〜２８０ｎｍの紫外光が検出できる。 （もっと読む）

【課題】感度安定性、残像特性を改善した画像検出装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上に、Ｘ線が照射されることにより電荷が発生する半導体膜６が形成されると共に、各々対向配置された２つの蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４を含み、半導体膜６に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の電荷蓄積容量５が半導体膜６とガラス基板１の間に形成されたＴＦＴアクティブマトリクス基板１０と、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０のガラス基板１側の面に対して光を照射するバックライト４０と、を備え、蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４は、半導体膜６の当該電荷蓄積容量５が形成された領域に対してバックライト４０から所定強度以上の光が照射されるように形成した。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器を電極と記録用光導電層との間に結晶化防止層を設けても皺の発生を抑制することが可能なものとする。
【解決手段】基板１上に、複数の基準電極２と、ａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素を含有するａ−Ｓｅからなる結晶化防止層４’と、バイアス電極７をこの順に積層してなる放射線画像検出器１０において、記録用光導電層５と結晶化防止層４’との間に、金属フッ化物、金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）からなる群より選ばれる少なくとも一つの特定物質を含有したａ−Ｓｅからなる熱変形防止層６を設ける。
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【課題】放射線検出器を長期に亘って電気特性（暗電流、欠陥）を維持することが可能なものとする。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過するバイアス電極７と、バイアス電極７を透過した記録用の電磁波の照射により電荷を発生するａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、前記発生電荷を蓄積する蓄電部と、複数の基準電極２と、基板１とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、バイアス電極７と記録用光導電層５との間に、特定物質として、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）のうち少なくとも１種を含有するａ−Ｓｅ層であって、かつ前記特定物質の濃度が０．００３〜０．０３モル％である中間層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】光導電層の劣化を抑制するとともに、光導電層下に設けられた電荷収集電極に対する絶縁性を確保する。
【解決手段】延長電極部431が、ガラス基板408上の光導電層404の無い領域で、高電圧線432と電気的に接続されているため、光導電層404へ付与される圧力が軽減され、光導電層404の劣化を抑制できる。また、正孔注入阻止層402が、延長電極部431とガラス基板408との間から光導電層404の側面と延長電極部431との間を通って、光導電層404上へ形成されているので、光導電層404とガラス基板408との間にギャップがあっても、延長電極部431から電荷収集電極407aへ沿面放電を抑制でき、光導電層404下に設けられた電荷収集電極407aに対する絶縁性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダ内における温度の均一性を保持しつつ、基板ホルダ表面への成膜材料の付着（蒸着）を実質的に防止可能とする真空蒸着装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を真空蒸着させて膜を形成する真空蒸着装置であって、前記基板を保持する基板ホルダを、基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とから構成し、前記基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とを異なる材料から構成するとともに、前記基板保持部を熱伝導率１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、かつ比重４．０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以下の材料で、前記蒸着領域規制部材（マスク）を融点１３００℃以上の材料でそれぞれ構成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カルコゲン薄膜トランジスタアレイを備えた電子医療映像装置を提供する。
【解決手段】外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部と、電子−正孔対を分離し、その極性によって信号生成部内の互いに反対側に密集されるように、信号生成部の一面に接触して電気信号を印加する電源と、信号生成部に接触し、分離された電荷のうち一種を流入して保存する信号保存部と、信号保存部に接触し、信号保存部に制御信号を印加して信号保存部に保存された電荷による電気信号を伝達されて映像信号に変換する信号変換部とを備えている。信号生成部は、カルコゲン素材のうち一つである非晶質セレンを使用するか、又はカルコゲンを利用した化合物素材であるＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅを使用できる。また、信号保存部は、ＧＳＴを含む薄膜トランジスタアレイ、あるいはＣＩＳを利用した薄膜トランジスタアレイを備えて構成できる。 （もっと読む）

【課題】被蒸着材上に均一で欠陥のない非晶質セレンの膜を形成できるセレン蒸着装置を提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に設置され、被蒸着材を保持する保持機構と、保持機構の下部に配置され、セレンを主成分とする蒸発材料を蒸発させる蒸発源と、蒸発源の外周の少なくとも一部を覆う蒸発源カバー、蒸発源に対向して配置され蒸発源から被蒸着材に向かう蒸発材料の蒸気を遮蔽するシャッター及び保持機構に保持された被蒸着材と蒸発源との間の蒸発材料が通過する領域を覆う防着カバーの少なくとも１つとを有し、さらに、蒸発源カバー、シャッター及び防着カバーの少なくとも１つを６０℃以下または１００℃以上に保持する温度調整機構とを有する構成とすることで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器の記録用光導電層の結晶化を抑制するとともに、放射線検出器を剥離に対する安定性と整流特性に優れたものとする。
【解決手段】記録用の放射線に対して透過性を有する第１の電極層１、記録用の放射線を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層２、第１の電極層１で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部、読取用電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層４、読取用電磁波に対して透過性を有する第２の電極層５をこの順に積層してなる放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線検出装置１０において、記録用光導電層２と第１の電極層１の間、または読取用光導電層４と第２の電極層５との間に電子輸送性材料を含有した電荷輸送層６を有し、電子輸送性材料の電子親和力をＥａ１、記録用光導電層２または読取用光導電層４の電子親和力をＥａ２としたときに、Ｅａ１−Ｅａ２＜０．４ｅＶとする。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を、放射線光電変換膜と電極との間の剥がれを抑制することが可能であって、暗電流、残像等の電気特性に優れたものとする。
【解決手段】放射線光電変換膜１２と、この放射線光電変換膜１２の一方の面側に設けられた第１の電極１１と、放射線光電変換膜１２の他方の面側に設けられた第２の電極１４と、放射線光電変換膜１２と第２の電極１４との間に位置する電荷ブロック層１３とを有する放射線検出器において、電荷ブロック層１３の微小な領域において表面粗さＲａを０．８ｎｍ以上１．８ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器において、環境の温度変化による変形や破壊を防止する。
【解決手段】放射線の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、その光導電層の熱膨張係数ａ１より小さい熱膨張係数を有する基板とがこの順に積層された放射線画像検出器において、基板の光導電層が設けられた側とは反対側に、基板の熱膨張係数より大きい熱膨張係数ａ２を有する変形抑制層を基板に固定して備え、光導電層の膜厚がｄ１であり、変形抑制層の膜厚がｄ２であるとき、下記式（１）を充足するように構成する。
（もっと読む）

【課題】放射線画像検出器において、画像濃度ムラを抑制して画質の向上を図る。
【解決手段】放射線画像検出器１０は、負電圧が印加されるとともに、放射線画像を担持した記録用の電磁波を透過する第１の電極層１と、第１の電極層１を透過した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する記録用光導電層２と、記録用光導電層２において発生した電荷に応じた信号を検出するための複数の電極を有する第２の電極層６とがこの順に積層されている。記録用光導電層２と第２の電極層６との間に、絶縁体に電子輸送性分子をドープしてなる電子輸送層を第２の電極層６の全面を覆うように設ける。 （もっと読む）

【課題】光と磁気とを個別に検出可能な光磁気検出デバイスを提供すること。
【解決手段】ナノグラニュラ膜においては、磁界強度に応じて抵抗変化を起こす（磁気抵抗変化：特性曲線Ｍ）と共に、光照射の有無により抵抗変化を起こす（光抵抗変化：特性曲線Ｏ）。このような特性を用いることにより、例えば、抵抗値のレベルにより、光を検出したのか、あるいは磁気を検出したのかを判定することが可能である。すなわち、このナノグラニュラ膜を用いることにより、光と磁気とを個別に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】製造が簡単で、かつ、安価な紫外線検出センサー及びその製造方法を提供する。
また、紫外線検出センサーを使った紫外線の検出方法及び太陽電池を提供する。
【解決手段】紫外線検出センサー１は、ガラス基板２を有し、そのガラス基板２の上面に
焼結ＩＴＯ膜３が形成されているとともに、焼結ＩＴＯ膜３の両端部に電気的に接続され
た外部端子４が形成されている。 （もっと読む）