【課題】 蛍光体あるいは光電変換素子の応答特性に起因するアーチファクトすなわち残像による画質の劣化を防ぎ、透視やアンギオグラフィのように、高速の動画撮影に好適な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 上記課題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、動作状態検出手段と残像補正手段を有することを特徴とする。さらに撮影条件検出手段は耐久時間、環境温度、Ｘ線エネルギー、センサバイアスなどの動作状態を検出し、検出された動作状態に応じて、予め定められたＬＵＴなどから最適な残像補正パラメータを決定し、画像出力を補正することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は放射線（７）を検出する放射線検出器に関する。基板（１）上に置かれた半導体層（２）は変換層（６、９）と重ねられている。半導体層（２）は多数の検出素子（Ｄ）から形成された検出器アレイの構成要素である。検出素子（Ｄ）の感度を高めるために、半導体層（２）が多結晶半導体材料から作られることが考慮される。
（もっと読む）

【課題】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、感度が高く、環境負荷の小さい光導電性材料からなるものとする。
【解決手段】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層であって、この光導電層をＢｉＸ₃（ただし、ＸはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ中の少なくとも１種である。）からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜４の多結晶質層21に及ぼす下地の影響を低減し、均一で良好な性状の光電変換膜４を得ることができるＸ線検出器１を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ基板３の下部電極９上に、非晶質層20、多結晶質層21を順に形成し、多層構造の光電変換膜４を形成する。非晶質層20により、ＴＦＴ基板３の表面の段差を埋め、さらには、下地の性状、特に結晶性を多結晶質層21に伝えない。ＴＦＴ基板３の下部電極９上に光電変換膜４を多層に形成したことで、光電変換膜４の多結晶質層21に及ぼす下地の影響を低減し、均一で良好な性状の光電変換膜４を得る。
（もっと読む）

【課題】遠赤外〜赤外領域の画像処理を行う高感度イメージセンサの構造およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 ストイキオメトリ制御されたＩＶ−ＶＩ族化合物半導体を材料とするｐｎ接合、ショットキー接合によるフォトダイオードをアレイ化し、該フォトダイオードアレイをシリコン系もしくはＧａＡｓ系信号処理用回路チップに接合し、高感度に遠赤外〜赤外領域の画像処理を行うイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、感度が高く、環境負荷の小さい光導電性材料からなるものとする。
【解決手段】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネル１０を構成する光導電層４であって、この光導電層をＢｉＭＯ₄（ただし、ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ中の少なくとも１種である。）からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】寿命の長いＸ線検出器を提供する。
【解決手段】ヨウ化鉛を用いたＸ線光導電膜５の表面に、鉛を用いたバイアス電極層６を形成する。バイアス電極層６の鉛が腐食した場合、Ｘ線光導電膜５内のヨウ化鉛が分解され、乖離したヨウ素原子とバイアス電極層６中の鉛原子とが化合してヨウ化鉛となる。反応前後での物質の変化が無いからエネルギ状態に変化が無く、腐食反応は極めて起こりにくい。バイアス電極層６中の元素がＸ線光導電膜５中に微量に拡散しても、Ｘ線光導電膜５のヨウ化鉛中にバイアス電極層６の鉛が拡散するに過ぎない。不純物として悪影響を及ぼさず、Ｘ線検出器１の性能が低下しない。
（もっと読む）

【課題】コンパクトで大きな電流出力の得られるセンサを実現する。
【解決手段】誘電体による光起電力材料の多結晶焼成体、単結晶のバルク薄片又は薄膜若しくは厚膜による膜構造体２６を用いた光起電力部と、この光起電力部を挟んで設けられた一対の電極とを設ける。一対の電極は、チタン（Ｔｉ）膜２４と白金（Ｐｔ）膜２５からなる下部電極、錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）膜から成る上部電極２７である。このような構成により、光起電力部である膜構造体２６に照射される光のエネルギーに応じた電力を導出する。 （もっと読む）

高エネルギー放射線検出用の医療および産業アプリケーション、特に、断層治療（ｔｏｍｏｔｈｅｒａｐｙ）、および他の画像誘導放射線治療システムで用いられる検知器。本検知器は、筐体に収容されているのが好ましい。複数の検知器要素が、筐体内にインストールされている。検知器要素は、基板（３８）、基板の少なくとも１つの表面上に付着した読出し電極層（４０）、読出し電極層の少なくとも１つの表面に付着したアモルファスセレニウム層（４２）、およびアモルファスセレニウム層の少なくとも１つの表面に付着した高電圧電極層（４４）を含んでいるのが好ましい。比較的簡単で、安価で、高効率な放射線検出器を提供する。
（もっと読む）

【課題】イメージングセンサ内の電荷を好適に駆逐できるシステム及び方法を提供する。
【解決手段】センサ２４０上方にプレート２５０をまたプレート２５０の隣に光源２６０を配置する。Ｘ線発生器にてセンサ２４０に向けＸ線が照射されるとこのＸ線により電荷が生成されセンサ２４０内に蓄えられる。コントローラは、センサ２４０から電荷を駆逐すべきか否かを判別し、駆逐すべきであると判別したときには、光源を制御して光源２６０からの光Ｌでプレート２５０を照らしセンサ２４０の頂面２４２上に光ＲＬを広げる。これによって、センサ２４０から電荷が駆逐される。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線光導電膜の剥離および腐食を防止できるＸ線検出器を提供する。
【解決手段】Ｘ線光導電膜５としてヨウ化鉛を用いる。画素電極13およびＸ線光導電膜５の間の界面と、Ｘ線光導電膜５およびバイアス電極層６の間の界面とに酸化鉛薄膜22を形成する。画素電極13よびバイアス電極層６とＸ線光導電膜５との結合力を向上できる。画素電極13と酸化鉛薄膜22とが金属酸化物であり、Ｘ線光導電膜５と酸化鉛薄膜22とが鉛化合物であるから、密着性を向上でき、剥がれを防止できる。反応性の極めて高いＸ線光導電膜５からの画素電極13およびバイアス電極層６の腐食を防止できる。
（もっと読む）

【課題】 高感度である光電変換層を有する撮像装置において、当該光電変換層の劣化を防止し、特に高輝度のスポット光を含む撮像を可能とする。
【解決手段】 Ｓｅを主体とし且つアバランシェ増倍機能を持つ非晶質半導体層と、ＳｅとＴｅを含み且つ入射光の大部分を吸収して電荷に変換し得る機能を持つ非晶質光電変換層とを少なくとも有する光電変換膜と、前記光電変換膜の第１の面に形成された第１のバリア層と、前記第１のバリア層上に形成された透光性電極と、前記光電変換膜の第２の面に形成された第２のバリア層と、前記光電変換膜の第２の面の側に設けられた、前記光電変換膜で生成される信号電荷を読み出す電荷読み出し手段と、を有する撮像装置であって、前記光電変換膜の温度を、前記非晶質光電変換層のガラス転移温度以上であって前記非晶質半導体層のガラス転移温度＋３０℃以下に制御する温度制御手段と、前記光電変換層の電界が０．８×１０⁸〜１．１×１０⁸Ｖ／ｍとなるように、前記透光性電極を介して電圧を印加する電圧印加手段と、を有することを特徴とする撮像装置。 （もっと読む）

【課題】 高い光電変換効率を有し、かつ画素の高集積化が可能で、しかも素子を組合わせても偽色を生じない光電変換要素、それを用いた高感度、高画質で偽色の無い画像を再生できるカラーセンサー及びカラー撮像システムを提供すること。また、その製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも色素を付着させた半導体膜、正孔輸送膜および電極により構成される光電変換要素において、該半導体膜が他の物質とともに共蒸着された後、該他の物質を除去することによりポーラス状とされた半導体膜であることを特徴とする光電変換要素と上記半導体膜製造法、及びこの要素を用いたカラーセンサー並びにカラー撮像システム。 （もっと読む）

【課題】シリコン・オン・インシュレータ技術を使用して形成した放射線検出器を提供すること。
【解決手段】この放射線検出器は、絶縁基板上に形成され、ＰＮＰＮ構造を有するシリコン層と、このＰＮＰＮ構造上に形成され、ＰＮゲートを有するゲート層とを備える。放射線検出器内の入射放射線に応答してのみ、ラッチアップが生じる。第２の態様は、シリコン・オン・インシュレータＰＮＰＮダイオード構造を備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、放射線検出器である。第３の態様は、絶縁基板上に形成されたシリコン層を備えており、このシリコン層が、ＰＮＰＮ構造とＰＮＰＮ構造の上に形成されたゲート層とを備え、このゲート層がＰＮゲートを備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、シリコン・オン・インシュレータ放射線検出器である。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの時間分解能が十分に高い無機シンチレータを提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明の無機シンチレータは、放射線によりシンチレーションを起こすことが可能な無機シンチレータであって、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｃｅ及びＳｉを含有する金属酸化物からなり、空間群Ｃ２／ｃの単斜晶に属する結晶であり、かつ下記式（１）及び（２）で表される条件を同時に満足するものである。
｛Ａ_Ｌｕ／（Ａ_Ｌｕ＋Ａ_Ｇｄ＋Ａ_Ｃｅ）｝＜０．５０ …（１）
｛Ａ_Ｃｅ／（Ａ_Ｌｕ＋Ａ_Ｇｄ＋Ａ_Ｃｅ）｝≧０．００２ …（２）
ここで、式（１）及び（２）中、Ａ_Ｌｕは結晶中のＬｕの数を示し、Ａ_Ｇｄは結晶中のＧｄの数を示し、Ａ_Ｃｅは結晶中のＣｅの数を示す。 （もっと読む）

センサに関連する電子回路を含む、赤外線検出ピクセルのための単層を有する熱センサ構造。電子回路は小さい範囲に置かれ、そのため、ピクセル用電子回路が無い層と比べても、ピクセルが配置される範囲に対しての電子回路の影響は少ない。その層は、シリコンに対してのアクセス・ビアがあるため、基板に対しての付着が構造的に制限され、それにより基板に対して熱的に隔離される。更に、これは、単層の下の基板からシリコンが除去されて形成されたピットにより隔離される。熱センサは、多数のピクセルを含むアレイを有することができ、ピクセルおよび電子回路のための単層を有する。

（もっと読む）

【課題】 基板全体における光導電層の膜厚および組成の均一性に優れた二次元画像検出器、並びに、該二次元画像検出器を生産性良く（効率的に）かつ安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】 二次元画像検出器は、複数の画素電極１０…を有するアクティブマトリクス基板１と、上記画素電極１０…に積層された光導電層２とを少なくとも備えており、上記光導電層２が、転写基板上で所定の膜厚に形成された後、上記アクティブマトリクス基板１上に転写されることにより構成されている。つまり、二次元画像検出器の製造方法は、転写基板上で所定の膜厚に光導電層２を形成した後、該光導電層２を上記アクティブマトリクス基板１上に転写する方法である。光導電層２は、粒子状の光導電体と、バインダとの混合物を含んでなっている。上記バインダは、アクティブマトリクス基板１の耐熱温度以下の軟化点を有することがより好ましい。 （もっと読む）