放射線検出器が、第一の表面及び第一の表面の反対側の第二の表面を有する半導体結晶と、半導体結晶の第一の表面と電気的に結合されて、第一の電極と結晶との間に電流を流す第一の電極と、第一の電極と半導体結晶との間に部分的に透過性の電気的障壁を生成するように、第一の表面において半導体結晶と第一の電極との間に設けられる絶縁層とを含んでいる。絶縁層は、約５０ナノメートルから約５００ナノメートルにわたる厚みを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所望の波長領域においてＵＶ感度が高い特性を有する紫外線センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る紫外線センサ１は、酸化物半導体で構成された基板２と、基板２内に形成された内部電極６と、基板２の一面の所定領域３ａに、所定の形状に形成された外部電極３とを備え、外部電極３は、基板２と外部電極３との境界線の長さが、所定領域３ａの外周の長さよりも長くなるような形状に形成してある。さらに、基板２は、ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体で構成されている。 （もっと読む）

【課題】可視光やＵＶ−Ａの紫外線に感度の持たない安価な紫外線センサを提供すること。
【解決手段】本発明のワイドギャップ酸化物半導体及びそれを用いた紫外線センサは、光吸収層を酸化亜鉛に酸化アルミニウムを添加することにより、禁制帯幅を３．６ｅＶ以上となる構成となっているので、可視光やＵＶ−Ａの紫外線などの長波長の光を吸収せず、ＵＶ−ＢやＵＶ−Ｃの紫外線のみに感度をもつ紫外線センサを安価に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ₁₂ＸＯ₂₀粉子を収集電荷量を向上させることが可能なものとする。
【解決手段】Ｂｉ₁₂ＸＯ₂₀粒子（ただし、ＸはＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉからなる群より選ばれる少なくとも１種である）を５００℃〜８００℃の範囲で熱処理することにより下記一般式（１）を満たすＢｉ₁₂ＸＯ₂₀粒子を得る。
１＜α≦２００・・・（１）
（一般式（１）中、αはＢｉ₁₂ＸＯ₂₀粒子の断面をＴＥＭにより１０回観察した際の粒子内の結晶子の数の平均値である。） （もっと読む）

【課題】収集電荷を向上させることが可能な放射線光導電体を製造するのに好適なＢｉ₁₂ＸＯ₂₀粉子（ただし、ＸはＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉからなる群より選ばれる少なくとも１種である）を提供する。
【解決手段】Ｂｉ₁₂ＸＯ₂₀粒子を製造する際に、Ｆｅを実質的に含まない原料、反応装置を用いることにより、Ｆｅ含有量を５ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 真空紫外領域で高輝度発光するフッ化物結晶を提供する。また、該フッ化物結晶からなり、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる新規な真空紫外発光素子、及び低バックグラウンドノイズのダイヤモンド受光素子やＡｌＧａＮ受光素子を、従来の光電子増倍管の代替として組み込んだ小型の放射線検出器に好適に使用できる真空紫外発光シンチレーターを提供する。
【解決手段】 Ｋ_３ＬｕＦ_６とＫＦの混合相からなるフッ化物結晶及び、該フッ化物結晶からなることを特徴とする真空紫外発光素子、及び真空紫外発光シンチレーターである。 （もっと読む）

【課題】可視光照射に対して高い光電流応答性を示し、光触媒、光センサとなる新規な可視光応答性組成物を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍ、酸素からなり、ＭはＬａ、Ｓｒからなる群から選ばれた１種の元素であり、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍの合計を１００％としたときの元素含有比（モル比）がＦｅ：８５〜９７％、Ｔｉ：１〜１０％、Ｍ：０．１〜７％の範囲内にあることを特徴とする可視光応答性組成物。上記可視光応答性組成物をもって構成される光電極、光センサー乃至光触媒。上記光センサー乃至光触媒による水電解方法。 （もっと読む）

【課題】可視光照射に対して高い光電流応答性を示し、光触媒、光センサとなる新規な可視光応答性組成物を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍ、酸素からなり、ＭはＣａ、Ｂｉからなる群から選ばれた１種の元素であり、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍの合計を１００％としたときの元素含有比（モル比）がＦｅ：８１〜９０％、Ｔｉ：９〜１０％、Ｍ：０．１〜１０％の範囲内にあることを特徴とする可視光応答性組成物。上記可視光応答性組成物をもって構成される光電極、光センサー乃至光触媒。上記光センサー乃至光触媒による水電解方法。 （もっと読む）

【課題】可視光照射に対して高い光電流応答性を示し、光触媒、光センサとなる新規な可視光応答性組成物を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｎ、酸素からなり、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｎの合計を１００％としたときの元素含有比（モル比）がＦｅ：８９〜９２％、Ｔｉ：１〜１０％、Ｚｎ：０．１〜１０％の範囲内にあることを特徴とする可視光応答性組成物。上記可視光応答性組成物をもって構成される光電極、光センサー乃至光触媒。上記光センサー乃至光触媒による水電解方法。 （もっと読む）

【課題】可視光照射に対して高い光電流応答性を示し、光触媒、光センサとなる新規な可視光応答性組成物を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍ、酸素からなり、ＭはＡｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔａからなる群から選ばれた１種の元素であり、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍの合計を１００％としたときの元素含有比（モル比）がＦｅ：５０〜８５％、Ｚｒ：８〜４８％、Ｍ：０．０１〜２９％の範囲内にあることを特徴とする可視光応答性組成物。上記可視光応答性組成物をもって構成される光電極、光センサー乃至光触媒。上記光センサー乃至光触媒による水電解方法。 （もっと読む）

【課題】光子との光カップリング性および光吸収性の両方に優れた超伝導単一光子検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導単一光子検出素子１００は、酸化マグネシウムからなる基板１０と、基板１０の表面に形成された窒化ニオブ配線１３と、窒化ニオブ配線１３上に形成されたキャビティ層１２と、キャビティ層１２上に形成された反射層１１と、基板１０の裏面に形成された反射防止層１４と、を備える。窒化ニオブ配線１３は、所定のバイアス電流が流れるよう、伝送線路１５を介してバイアス源に接続されて、超伝導状態において使用される。基板１０の裏面側から窒化ニオブ配線１３に光子Ｐが入射した際の窒化ニオブ配線１３の抵抗変化に基づいて、光子Ｐが１個ずつ検出される。光カップリング効率Ｐｃが飽和する基板１０の厚み範囲Ｌ１opt内に、基板１０の厚みＬ１が設定されている。 （もっと読む）

少なくとも１つの実施形態では、物体の画像を生成するための赤外線（ＩＲ）検出器が提供される。ＩＲ検出器は、Ｍ列とＮ行のアレイに配置された複数の感熱素子を具える。各感熱素子は、少なくとも１つの発振信号を受信し、物体から熱出力の少なくとも一部を検出するよう構成されている。各感熱素子はさらに、検出した熱出力の少なくとも一部を示す電気出力信号を生成し、少なくとも１つの発振信号で電気出力信号を変調して物体の画像の少なくとも一部を示す変調出力信号を生成するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノスケール量子サイズ効果を利用した赤、緑及び青を良好に発光する無機ＥＬ素子を作製する手段として、ナノスケールのＩｎＳｂ粒子もしくはＳｂ粒子と、主にマトリクスであるＡｌ酸化物を同時に含む複合構造薄膜材料を新規に提供することにある。
【解決手段】一般式（ＩｎＳｂ）_ｘＡｌ_ｙＯ_{１００−ｘ−ｙ}で表される平均直径１３０ｎｍ以下のＩｎＳｂナノ粒子、又は一般式Ｓｂ_ｘＡｌ_ｙＯ_{１００−ｘ−ｙ}（但し、０＜ｘ≦４０，２０≦ｙ≦４５，各数字は原子分率を示す）で表される平均直径６５ｎｍ以下のＳｂナノ粒子が主にＡｌ酸化物から構成される光機能性デバイス用薄膜材料並びにそれらを用いた光半導体素子を、薄膜製造装置、例えば高周波スパッタリング装置を用いて成膜を行う。なお、この際、基板として適当な基板、例えばガラス基板を用いる。成膜終了後、所望の特性を発現させるために、適当な雰囲気、例えば真空中において熱処理を施すことにより適当な形態の薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 後方散乱による画質劣化を低減しながらも、放射線の漏洩を防止することが可能なフラットパネル型放射線検出器を提供すること。
【解決手段】 フラットパネル型放射線検出器は、放射線変換膜１１と、ＴＦＴ１２と、原子番号が１２以上３０以下の金属または実効原子番号１２以上３０以下の合金からなり、そこに直接入射した放射線は通過させるが散乱した放射線は通過させない第１金属板１３と、原子番号が７３以上の金属または実効原子番号７３以上の合金からなり、放射線を通過させない第２金属板１４と、電気回路基板１５とが、この順に積層された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】短時間化、低コスト化が可能な一次元ナノ構造体の製造方法、一次元ナノ構造体の製造装置及び電子デバイスの製造方法並びにこの方法によって製造された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】厚さが５００ｎｍ以下のアモルファス酸化バナジウム薄膜を基板上に形成し、酸素、窒素、希ガスの単独又は混合ガスを用い、減圧又は常圧の雰囲気において、室温で薄膜にエネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ²以下のパルスレーザを照射して二酸化バナジウムを母材とし単斜晶型又はルチル型の結晶構造を有する一次元ナノ構造体としてナノワイヤを形成し、基板をエッチング処理して基板にナノワイヤを残存させる。一次元ナノ構造体の製造方法は、二酸化バナジウムの金属−絶縁体相転移を利用した各種の電子デバイスの製造に適用される。 （もっと読む）

【課題】光応答性を有するｐ型の半導体を提供する。
【解決手段】窒素（Ｎ）が添加されたタンタル（Ｔａ）及び酸素（Ｏ）を含むｐ型の半導体材料とする。特に、窒素の添加量が７．１原子％以上４９．９原子％以下とされたＴａ_２Ｏ_５構造を有するものとすることが好適である。 （もっと読む）

【課題】 デポラリゼーション中における誤認等を防止することのできる断層撮影装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 被検体から放出される放射線を検出して得る測定データに基づき被検体の断層画像を再生成する断層撮影装置において、放射線検出器における放射線の検出度合に応じて、放射能の有無を表す放射能有無信号を出力する放射能有無信号出力部と、放射線検出器のデポラリゼーションを実行するための実行指令を出力するデポラリゼーション実行指令部と、デポラリゼーション実行指令部から実行指令が出力されると、デポラリゼーション開始直前の放射能有無信号の信号レベルを保持信号として出力する保持出力部と、放射能有無信号出力部から出力される検出信号と、保持出力部から出力される保持信号の論理和を出力する論理和出力部と、放射線の測定中であることを報知する報知信号として、論理和出力部の出力を報知する報知部とを含む。 （もっと読む）

【課題】 信号読出し基板上の省スペース化を図ることができる放射線検出器を提供する。
【解決手段】 放射線検出器１においては、共通電極１８に導電性接着剤３１によって給電線２２が接続されているので、共通電極１８に給電線２２を電気的に接続するために信号読出し基板２上に所定のスペースを確保することが不要となる。そして、多孔質状の光導電層１７において信号読出し基板２と導電性接着剤３１との間に位置する部分に電気絶縁材３２が入り込んでいるため、製造時等に導電性接着剤３１が光導電層１７に染み込むことに起因して画素電極７と共通電極１８とが短絡するのを防止することができる。従って、放射線検出器１によれば、共通電極１８に給電線２２を直接接続して、信号読出し基板２上の省スペース化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】信頼性向上、小型化、諸特性の改善ができるＸ線検出器11を提供する。
【解決手段】光検出基板21およびシンチレータ層24を有するＸ線検出器本体12を、基台31と多重カバー体32とを有する筐体13に収容する。シンチレータ層24のＸ線入射面29に対向して多重カバー体32の複数のカバー37を多重に配置し、最も内側のカバー37とシンチレータ層24のＸ線入射面29との間に空隙40を形成する。空隙40の寸法は、多重カバー体32の外力に対する弾性変形領域内における最大撓み量以下とする。多重カバー体32の外面に加えられた外力を複数のカバー37で受け止める。外力が加えられた多重カバー体32に弾性変形領域の撓みが発生し、最も内側のカバー37がシンチレータ層24のＸ線入射面29と接し、外力をシンチレータ層24全体でも受け止める。これによりＸ線検出器11全体に応力を分散させ、シンチレータ層24での応力集中を軽減し、信頼性向上、小型化、諸特性を改善する。 （もっと読む）

【課題】半導体層において発生した電荷信号を読み出すための線状電極が多数配列された電極層を備えた放射線画像検出器において、ショート不良や結晶化などによる画像欠陥を生じることなく線状電極の断線不良を修復する。
【解決手段】線状電極５ａの長さ方向に伸びる側端部に沿って隔壁部材６を設け、隔壁部材６に挟まれた線状電極５ａの断線箇所に導電性部材を分散させた溶剤２０を滴下し、硬化させて断線箇所の修復をし、断線箇所の修復の後、半導体層を形成する。 （もっと読む）