光マトリックスデバイスの製造方法
【課題】故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる光マトリックスデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ステップＳ１ではゲート線を形成し、そのステップＳ１で形成されたゲート線の断線もしくは短絡を、ステップＳ２では上述したステップＳ１の直後で検査するので、ステップＳ２で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。ステップＳ５ではデータ線を形成し、そのステップＳ５で形成されたデータ線の断線もしくは短絡を、ステップＳ６では上述したステップＳ５の直後で検査するので、ステップＳ６で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。その結果、発見された故障箇所をステップＳ３、Ｓ７で確実に修復することができる
【解決手段】ステップＳ１ではゲート線を形成し、そのステップＳ１で形成されたゲート線の断線もしくは短絡を、ステップＳ２では上述したステップＳ１の直後で検査するので、ステップＳ２で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。ステップＳ５ではデータ線を形成し、そのステップＳ５で形成されたデータ線の断線もしくは短絡を、ステップＳ６では上述したステップＳ５の直後で検査するので、ステップＳ６で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。その結果、発見された故障箇所をステップＳ３、Ｓ７で確実に修復することができる
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野などに用いられる光マトリックスデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光マトリックスデバイスとして、大別すると、受光素子で構成されたデバイスおよび発光素子で構成されたデバイスがある。受光素子としては、光撮像センサや、医療分野や、非破壊検査、ＲＩ(Radio Isotope)検査を含む産業分野などに用いられる放射線撮像センサなどがある。発光素子としては、テレビジョンやパーソナルコンピュータのモニタとして用いられる薄型画像ディスプレイなどがある。なお、本明細書中では、光は、広義に放射線も含んでいる。
【０００３】
放射線撮像センサとしてＸ線検出器を例に採って説明する。Ｘ線検出器はＸ線感応型のＸ線変換層（変換層）を備えており、Ｘ線の入射によりＸ線変換層はキャリア（電荷情報）に変換し、その変換されたキャリアを読み出すことでＸ線を検出する。Ｘ線変換層としては非晶質のアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）膜が用いられる。
【０００４】
被検体にＸ線を照射して放射線撮像を行う場合には、被検体を透過した放射線像がアモルファスセレン膜上に投影されて、像の濃淡に比例したキャリアが膜内に発生する。その後、膜内で生成されたキャリアが、２次元マトリックス状に配列されたキャリア収集電極に収集されて、所定時間（『蓄積時間』とも呼ばれる）分だけ積分された後、薄膜トランジスタを経由して外部に読み出される。
【０００５】
このようなＸ線検出器を製造するには、２次元マトリックス状に配列された薄膜トランジスタからなるスイッチング素子や上述したキャリア収集電極などをパターン形成したガラス基板（絶縁基板）上に、アモルファスセレン膜を蒸着することで得られる。
【０００６】
ところで、Ｘ線検出器などに代表される光マトリックスデバイスには、縦横に走る細長い配線（アドレス信号線やデータ信号線）が必要である。これらは、その製造過程において、往々にして断線・短絡する場合がある。したがって、断線・短絡のような故障箇所を検査する検査工程が設けられており、その検査工程で故障箇所を発見した場合には、その故障箇所を修復する（例えば、特許文献１〜３参照）。検査としては、例えば顕微鏡による目視検査や、配線に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的な検査などがあり、修復としては、例えばレーザ照射によって冗長回路を溶融・接続することによる断線配線の接続や、レーザ照射による短絡配線の切断や、電圧印加によって絶縁膜を導電性に変えることによる断線配線の接続などがある。
【０００７】
一方、上述したように、Ｘ線検出器などに代表される光マトリックスデバイスは蒸着等によって主に製造され、通常は真空中などの環境下で製造される。そして、最終的には保護層によって配線やパターン等を覆うことで大気中に取り出すことができる。したがって、かかる検査を行う場合には、保護層を覆って最終的に製造した後でないと、その断線もしくは短絡を発見することができず、修復することができない。なお、保護層に開口部（コンタクト）を設け、その開口部を介して検査を行う。
【特許文献１】特開平１１−２３３７４６号公報
【特許文献２】特開平０９−３１１６４６号公報
【特許文献３】特開２００２−１００７５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、かかる従来方法では、全ての故障パターンが網羅されるわけでなく、製造歩留まり低下はさほど改善されない。例えば、上述した開口部を介して検査を行うと、開口部以外の箇所で故障がある場合には、その故障箇所を発見することができず、修復することもできない。
【０００９】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる光マトリックスデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線を形成する第１の配線形成工程と、その第１の配線形成工程で形成された前記アドレス信号線の断線もしくは短絡を前記第１の配線形成工程の直後で検査する第１の検査工程と、その第１の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第１の修復工程と、前記アドレス信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第１の修復工程の後で形成する第１の後形成工程とを備えることを特徴とするものである。
【００１１】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、第１の配線形成工程では、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線を形成し、その第１の配線形成工程で形成されたアドレス信号線の断線もしくは短絡を、第１の検査工程では上述した第１の配線形成工程の直後で検査する。したがって、第１の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所を第１の修復工程で確実に修復することができる。そして、アドレス信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を、第１の後形成工程では上述した第１の修復工程の後で形成する。その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明は、光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成する第２の配線形成工程と、その第２の配線形成工程で形成された前記データ信号線の断線もしくは短絡を前記第２の配線形成工程の直後で検査する第２の検査工程と、その第２の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第２の修復工程と、前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第２の修復工程の後で形成する第２の後形成工程とを備えることを特徴とするものである。
【００１３】
［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、第２の配線形成工程では、各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成し、その第２の配線形成工程で形成されたデータ信号線の断線もしくは短絡を、第２の検査工程では上述した第２の配線形成工程の直後で検査する。したがって、第２の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所を第２の修復工程で確実に修復することができる。そして、データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を、第２の後形成工程では上述した第２の修復工程の後で形成する。その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００１４】
上述したアドレス信号線の断線もしくは短絡を検査する前者の発明（請求項１に記載の発明）と、上述したデータ信号線の断線もしくは短絡を検査する後者の発明（請求項２に記載の発明）とを組み合わせてもよい。
すなわち、請求項１に記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成する第２の配線形成工程と、その第２の配線形成工程で形成された前記データ信号線の断線もしくは短絡を前記第２の配線形成工程の直後で検査する第２の検査工程と、その第２の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第２の修復工程と、前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第２の修復工程の後で形成する第２の後形成工程とを備えることを特徴とするものである（請求項３に記載の発明）。
【００１５】
［作用・効果］請求項３に記載の発明によれば、第１の配線形成工程では、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線を形成し、その第１の配線形成工程で形成されたアドレス信号線の断線もしくは短絡を、第１の検査工程では上述した第１の配線形成工程の直後で検査する。したがって、第１の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所を第１の修復工程で確実に修復することができる。そして、アドレス信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を、第１の後形成工程では上述した第１の修復工程の後で形成する。
一方で、第２の配線形成工程では、各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成し、その第２の配線形成工程で形成されたデータ信号線の断線もしくは短絡を、第２の検査工程では上述した第２の配線形成工程の直後で検査する。したがって、第２の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所を第２の修復工程で確実に修復することができる。そして、データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を、第２の後形成工程では上述した第２の修復工程の後で形成する。
その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００１６】
上述した請求項３では、各アドレス信号線の断線もしくは短絡、各データ信号線の断線もしくは短絡を検査して修復する発明であったが、下記の請求項４のように、アドレス信号線・データ信号線にまたがる故障箇所を検査して修復する場合には、以下のようになる。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線と前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線とを、絶縁膜を介してそれぞれ形成する第３の配線形成工程と、その第３の配線形成工程で形成された前記アドレス信号線・前記データ信号線間の絶縁もしくは短絡を前記第３の配線形成工程の直後で検査する第３の検査工程と、その第３の検査工程で発見された絶縁もしくは短絡である故障箇所を修復する第３の修復工程と、前記アドレス信号線・前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第３の修復工程の後で形成する第３の後形成工程とを備えることを特徴とするものである。
【００１８】
［作用・効果］請求項４に記載の発明によれば、第３の配線形成工程では、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線と各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線とを、絶縁膜を介してそれぞれ形成し、その第３の配線形成工程で形成されたアドレス信号線・前記データ信号線間の絶縁もしくは短絡を、第３の検査工程では上述した第３の配線形成工程の直後で検査する。したがって、第３の検査工程で絶縁もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所を第３の修復工程で確実に修復することができる。そして、アドレス信号線・データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を、第３の後形成工程では上述した第３の修復工程の後で形成する。その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００１９】
上述したこれらの発明では、デバイスの少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成する場合に有用である（請求項５に記載の発明）。印刷塗布製膜の場合には大気中でデバイスの少なくとも一部を形成することが可能なので、第１の配線形成工程の直後で第１の検査工程での検査を、第２の配線形成工程の直後で第２の検査工程での検査を、あるいは第３の配線形成工程の直後で第３の検査工程での検査を行うことが可能で、光マトリックスデバイスを製造する工程で、その効果を発揮することができる。
【００２０】
特に、請求項１や請求項３や請求項４のようにアドレス信号線を形成する場合には、アドレス信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成する（請求項６に記載の発明）と、大気中でアドレス信号線の少なくとも一部を形成することが可能なので、第１の配線形成工程の直後で第１の検査工程での検査を、あるいは第３の配線形成工程の直後で第３の検査工程での検査を行うことが可能で、光マトリックスデバイスを製造する工程で、その効果を発揮することができる。
【００２１】
また、請求項２や請求項３や請求項４のようにデータ信号線を形成する場合には、データ信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成する（請求項７に記載の発明）と、大気中でデータ信号線の少なくとも一部を形成することが可能なので、第２の配線形成工程の直後で第２の検査工程での検査を、あるいは第３の配線形成工程の直後で第３の検査工程での検査を行うことが可能で、光マトリックスデバイスを製造する工程で、その効果を発揮することができる。
【００２２】
また、請求項３や請求項４のようにアドレス信号線およびデータ信号線を形成する場合には、アドレス信号線、データ信号線のうちの少なくともいずれか一方の信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成する（請求項８に記載の発明）と、大気中でアドレス／データ信号線の少なくとも一部を形成することが可能なので、第１の配線形成工程の直後で第１の検査工程での検査を、第２の配線形成工程の直後で第２の検査工程での検査を、あるいは第３の配線形成工程の直後で第３の検査工程での検査を行うことが可能で、光マトリックスデバイスを製造する工程で、その効果を発揮することができる。
【００２３】
上述したこれらの発明において、上述した光に関する素子の一例は受光素子である（請求項９に記載の発明）。受光素子の場合には、データ信号線は、受光によって検出された信号を読み出すための読み出し信号線となり、アドレス信号線は、その読み出しを制御するための読み出し制御線となる。上述したこれらの発明において、上述した光に関する素子の他の一例は発光素子である（請求項１０に記載の発明）。
【００２４】
上述したこれらの発明において、上述したデバイスの一例はアクティブマトリックスデバイスである（請求項１１に記載の発明）。上述したデバイスの他の一例はパッシブマトリックスデバイスである（請求項１２に記載の発明）。
【００２５】
光は上述したように放射線を含んでいる。したがって、光は放射線であってもよいし（請求項１３に記載の発明）、放射線以外の赤外線、可視光線、紫外線であってもよい。光が放射線の場合には、請求項９のような受光素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスは、マトリックス放射線検出器となり、さらに請求項１１のようなアクティブマトリックスデバイスでは、アクティブマトリックス放射線検出器となる。
【発明の効果】
【００２６】
この発明に係る光マトリックスデバイスの製造方法によれば、第１の配線形成工程では、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線を形成し、その第１の配線形成工程で形成されたアドレス信号線の断線もしくは短絡を、第１の検査工程では上述した第１の配線形成工程の直後で検査するので、第１の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができ、発見された故障箇所を第１の修復工程で確実に修復することができる（請求項１に記載の発明）。
あるいは、第２の配線形成工程では、各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成し、その第２の配線形成工程で形成されたデータ信号線の断線もしくは短絡を、第２の検査工程では上述した第２の配線形成工程の直後で検査するので、第２の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができ、発見された故障箇所を第２の修復工程で確実に修復することができる（請求項２に記載の発明）。
あるいは、第３の配線形成工程では、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線と各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線とを、絶縁膜を介してそれぞれ形成し、その第３の配線形成工程で形成されたアドレス信号線・前記データ信号線間の絶縁もしくは短絡を、第３の検査工程では上述した第３の配線形成工程の直後で検査するので、第３の検査工程で絶縁もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができ、発見された故障箇所を第３の修復工程で確実に修復することができる（請求項３に記載の発明）。
その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【実施例】
【００２７】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係るＸ線透視撮影装置のブロック図であり、図２は、Ｘ線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路であり、図３は、平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。本実施例では、光マトリックスデバイスとして受光素子で構成されたデバイスを例に採り、受光素子で構成されたデバイスとしてフラットパネル型Ｘ線検出器（以下、適宜「ＦＰＤ」という）を例に採る。
【００２８】
本実施例に係るＸ線透視撮影装置は、図１に示すように、被検体Ｍを載置する天板１と、その被検体Ｍに向けてＸ線を照射するＸ線管２と、被検体Ｍを透過したＸ線を検出するＦＰＤ３とを備えている。ＦＰＤ３は、この発明における光マトリックスデバイスに相当する。
【００２９】
Ｘ線透視撮影装置は、他に、天板１の昇降および水平移動を制御する天板制御部４や、ＦＰＤ３の走査を制御するＦＰＤ制御部５や、Ｘ線管２の管電圧や管電流を発生させる高電圧発生部６を有するＸ線管制御部７や、ＦＰＤ３から電荷信号であるＸ線検出信号をディジタル化して取り出すＡ／Ｄ変換器８や、Ａ／Ｄ変換器８から出力されたＸ線検出信号に基づいて種々の処理を行う画像処理部９や、これらの各構成部を統括するコントローラ１０や、処理された画像などを記憶するメモリ部１１や、オペレータが入力設定を行う入力部１２や、処理された画像などを表示するモニタ１３などを備えている。
【００３０】
天板制御部４は、天板１を水平移動させて被検体Ｍを撮像位置にまで収容したり、昇降、回転および水平移動させて被検体Ｍを所望の位置に設定したり、水平移動させながら撮像を行ったり、撮像終了後に水平移動させて撮像位置から退避させる制御などを行う。ＦＰＤ制御部５は、ＦＰＤ３を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させることによる走査に関する制御などを行う。高電圧発生部６は、Ｘ線を照射させるための管電圧や管電流を発生してＸ線管２に与え、Ｘ線管制御部７は、Ｘ線管２を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させることによる走査に関する制御や、Ｘ線管３側のコリメータ（図示省略）の照視野の設定の制御などを行う。なお、Ｘ線管２やＦＰＤ３の走査の際には、Ｘ線管２から照射されたＸ線をＦＰＤ３が検出できるようにＸ線管２およびＦＰＤ３が互いに対向しながらそれぞれの移動を行う。
【００３１】
コントローラ１０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成されており、メモリ部１１は、ＲＯＭ（Read-only Memory）やＲＡＭ（Random-Access Memory）などに代表される記憶媒体などで構成されている。また、入力部１２は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。Ｘ線透視撮影装置では、被検体Ｍを透過したＸ線をＦＰＤ３が検出して、検出されたＸ線に基づいて画像処理部９で画像処理を行うことで被検体Ｍの撮像を行う。
【００３２】
ＦＰＤ３は、図２に示すように、Ｘ線などの放射線が入射することによりキャリアが生成される放射線感応型の半導体厚膜３１と、半導体厚膜３１の表面に設けられた電圧印加電極３２と、半導体厚膜３１の放射線入射側とは反対側にある裏面に設けられたキャリア収集電極３３と、キャリア収集電極３３への収集キャリアを溜める電荷蓄積用のコンデンサＣａと、コンデンサＣａに蓄積された電荷を取り出すための通常時ＯＦＦ（遮断）の電荷取り出し用のスイッチ素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒとを備えている。本実施例では、半導体厚膜３１は放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質、例えばアモルファスセレンで形成されているが、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であってもよい。
【００３３】
この他に、本実施例では、薄膜トランジスタＴｒのソースに接続されているデータ線３４と、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続されているゲート線３５とを備えており、電圧印加電極３２，半導体厚膜３１，キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４およびゲート線３５が絶縁基板３６の上に積層されて構成されている。キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４およびゲート線３５で、読み出しパターンを構成する。データ線３４は、この発明におけるデータ信号線に相当し、ゲート線３５は、この発明におけるアドレス信号線に相当する。
【００３４】
図２、図３に示すように、縦・横式２次元マトリックス状配列で多数個（例えば、1024個×1024個や4096×4096個）形成されたキャリア収集電極３３ごとに、上述した各々のコンデンサＣａおよび薄膜トランジスタＴｒがそれぞれ接続されており、それらキャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，および薄膜トランジスタＴｒが各検出素子ＤＵとしてそれぞれ分離形成されている。また、電圧印加電極３２は、全検出素子ＤＵの共通電極として全面にわたって形成されている。また、上述したデータ線３４は、図３に示すように、横（Ｘ）方向に複数本に並列されているとともに、上述したゲート線３５は、図３に示すように、縦（Ｙ）方向に複数本に並列されており、各々のデータ線３４およびゲート線３５は各検出素子ＤＵに接続されている。また、データ線３４はアンプアレイ回路３７に接続されており、ゲート線３５はゲートドライバ回路３８に接続されている。なお、２次元マトリックス状配列であれば、検出素子ＤＵの配列個数は上述の1024個×1024個や4096×4096個だけでなく、実施形態に応じて配列個数を変更して使用することができる。検出素子ＤＵは、この発明における光に関する素子に相当し、この発明における受光素子にも相当する。
【００３５】
検出素子ＤＵは２次元マトリックス状配列で絶縁基板３６にパターン形成されており、検出素子ＤＵがパターン形成された絶縁基板３６は『アクティブ・マトリックス基板』とも呼ばれている。
【００３６】
続いて、本実施例に係るＸ線透視撮影装置およびフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の作用について説明する。電圧印加電極３２に高電圧（例えば数１００Ｖ〜数１０ｋＶ程度）のバイアス電圧ＶＡを印加した状態で、検出対象である放射線を入射させる。このバイアス電圧ＶＡの印加の制御についてもＦＰＤ制御部５から行う。
【００３７】
放射線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報として電荷蓄積用のコンデンサＣａに蓄積される。ゲートドライバ回路３８の信号取り出し用の走査信号（すなわちゲート駆動信号）によって、ゲート線３５が選択されて、さらに選択されたゲート線３５に接続されている検出素子ＤＵが選択指定される。その指定された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、選択されたゲート線３５の信号によってＯＮ状態に移行した薄膜トランジスタＴｒを経由して、データ線３４に読み出される。
【００３８】
また、各検出素子ＤＵのアドレス（番地）指定は、データ線３４およびゲート線３５の信号取り出し用の走査信号（ゲート線３５の場合にはゲート駆動信号、データ線３４の場合にはアンプ駆動信号）に基づいて行われる。アンプアレイ回路３７やゲートドライバ回路３８に信号取り出し用の走査信号が送り込まれると、ゲートドライバ回路３８から縦（Ｙ）方向の走査信号（ゲート駆動信号）に従って各検出素子ＤＵが選択される。そして、横（Ｘ）方向の走査信号（アンプ駆動信号）に従ってアンプアレイ回路３７が切り換えられることによって、選択された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、データ線３４を介してアンプアレイ回路３７に送り出される。そして、アンプアレイ回路３７で増幅されて、Ｘ線検出信号としてアンプアレイ回路３７から出力されてＡ／Ｄ変換器８に送り込まれる。Ａ／Ｄ変換器８は、ＦＰＤ３からの電荷信号であるＸ線検出信号をディジタル化して取り出す。
【００３９】
上述の動作によって、例えばＸ線透視撮影装置の透視Ｘ線像の検出に本実施例に係るＦＰＤ３を用いた場合、データ線３４を介して外部に読み出された電荷情報（Ｘ線検出信号）が画像情報に変換されて、Ｘ線透視画像として出力される。
【００４０】
上述した説明から明らかなように、ＦＰＤ３において、データ線３４は、各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線であって、本実施例のように光に関する素子が検出素子ＤＵ（すなわち受光素子）の場合には、受光（本実施例では放射線の検出）によって検出された信号（本実施例ではＸ線検出信号）を読み出すための読み出し信号線となる。また、ＦＰＤ３において、ゲート線３５は、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線であって、本実施例のように光に関する素子が検出素子ＤＵ（すなわち受光素子）の場合には、その読み出しを制御するための読み出し制御線となる。このような薄膜トランジスタＴｒなどの能動素子を備えることで、ＦＰＤ３はアクティブマトリックスデバイスとなる。
【００４１】
次に、ＦＰＤ３の製造方法について、図４〜図１３を参照して説明する。図４は、実施例に係る一連の製造工程の流れを示すフローチャートであり、図５（ａ）〜図１０（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の製造工程を示す概略平面図であり、図５（ｂ）〜図１０（ｂ）は、図５（ａ）〜図１０（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、図１１、図１２は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の製造工程を示す概略断面図であり、図１３は、図４とは別の一連の製造工程の流れを示すフローチャートである。
【００４２】
図４に示すようにゲート線３５を形成する（ステップＳ１）。具体的には、先ず、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、ガラスで形成された絶縁基板３６に上述したゲート線３５およびグランド線（接地線）４１を積層形成する。なお、ゲート線３５の形成は、ゲート線３５のグランド線４１やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の形成も含む。このゲート線３５およびグランド線４１の形成は、この発明における第１の配線形成工程に相当する。
【００４３】
形成されたゲート線３５（グランド線４１も含む）の断線もしくは短絡をステップＳ１の直後で検査する（ステップＳ２）。断線の検査はゲート線３５の配線両端の抵抗値を直接に測定する、あるいはゲート線３５に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的なものであってもよいし、光学顕微鏡等により目視で画像認識を行うものであってもよい。短絡の検査も、互いに隣接するゲート線３５の間／ゲート線３５・グランド線４１の間の抵抗値を直接に測定する、あるいはゲート線３５・グランド線４１に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的なものであってもよいし、光学顕微鏡等により目視で画像認識を行うものであってもよい。なお、ゲート線３５の検査も、ゲート線３５の形成と同様に、ゲート線３５のグランド線４１やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の検査も含む。このゲート線３５の検査は、この発明における第１の検査工程に相当する。
【００４４】
もし、ステップＳ２でゲート線３５の断線もしくは短絡を発見したら、その発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する（ステップＳ３）。修復は、レーザ照射によって冗長回路を溶融・接続することによる断線配線の接続であってもよいし、レーザ照射による短絡配線の切断であってもよいし、電圧印加によって絶縁膜を導電性に変えることによる断線配線の接続であってもよい。なお、ゲート線３５の修復も、ゲート線３５の形成や検査と同様に、ゲート線３５のグランド線４１やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の修復も含む。このゲート線３５の修復は、この発明における第１の修復工程に相当する。
【００４５】
ゲート線３５の形成（ステップＳ１）、検査（ステップＳ２）、修復（ステップＳ３）の後に、ゲート線３５の後に形成されるべき所定の形成部分を形成する（ステップＳ４）。具体的には、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、ゲート線３５およびグランド線４１とともに、絶縁基板３６に絶縁膜４２を積層形成する。そして、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、絶縁膜４２を挟んでゲート線３５の対向位置の一部にゲートチャンネル４３を形成する。
【００４６】
図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、水平面内においてこのゲートチャンネル４３を挟んで上述したキャリア収集電極３３および上述したデータ線３４（ステップＳ５）を絶縁膜４２に積層形成する。キャリア収集電極３３は、絶縁膜４２を挟んでグランド線４１に対向するように積層形成する。データ線３４を除く、絶縁膜４２、ゲートチャンネル４３およびキャリア収集電極３３は、ゲート線３５の後に形成されるべき所定の形成部分でもある。したがって、絶縁膜４２、ゲートチャンネル４３およびキャリア収集電極３３は、この発明における形成されるべき所定の形成部分に相当する。これらの絶縁膜４２、ゲートチャンネル４３およびキャリア収集電極３３の形成は、この発明における第１の後形成工程に相当する。なお、データ線３４の形成は、データ線３４のグランド線（接地線）（図示省略）やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の形成も含む。このデータ線３４の形成は、この発明における第２の配線形成工程に相当する。
【００４７】
また、ステップＳ１でゲート線３５を形成し、ステップＳ４で絶縁膜４２を形成し、ステップＳ５でデータ線３４を形成することで、データ線３４とゲート線３５とを絶縁膜５１を介してそれぞれ形成することになる。したがって、ステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５は、この発明における第３の配線形成工程に相当する。
【００４８】
なお、ゲートチャンネル４３に対向したゲート線３５の一部分と、データ線３４のゲートチャンネル４３側の部分と、ゲートチャンネル４３と、キャリア収集電極３３のゲートチャンネル４３側の部分と、ゲート線３５／データ線３４・ゲートチャンネル４３・キャリア収集電極３３間に介在する絶縁膜４２とで、図９に示すように薄膜トランジスタＴｒを構成する。また、キャリア収集電極３３と、それに対向したグランド線４１、キャリア収集電極３３／グランド線４１間に介在する絶縁膜４２とで、図９に示すようにコンデンサＣａを構成する。
【００４９】
形成されたデータ線３４の断線もしくは短絡をステップＳ５の直後で検査するとともに、形成されたゲート線３５・データ線３４間の絶縁もしくは短絡をステップＳ５の直後で検査する（ステップＳ６）。断線の検査は、データ線３４の配線両端の抵抗値を直接に測定する、あるいはデータ線３４に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的なものであってもよいし、光学顕微鏡等により目視で画像認識を行うものであってもよい。短絡の検査も、互いに隣接するデータ線３４の間／データ線３４・グランド線（図示省略）の間の抵抗値を直接に測定する、あるいはデータ線３４・グランド線に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的なものであってもよいし、光学顕微鏡等により目視で画像認識を行うものであってもよい。また、ゲート線３５・データ線３４間の絶縁もしくは短絡の検査は、ゲート線３５・データ線３４の抵抗値を直接に測定する、あるいはゲート線３５・データ線３４に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的なものであってもよいし、光学顕微鏡により目視で画像認識を行うものであってもよい。通常、ゲート線３５・データ線３４間は絶縁されているが、特殊な構造によってゲート線３５・データ線３４間が電気的に接続されている場合において、ゲート線３５・データ線３４間の絶縁の検査を行ってもよい。なお、データ線３４の検査も、データ線３４の形成と同様に、データ線３４のグランド線やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の検査も含む。このデータ線３４の検査は、この発明における第２の検査工程に相当し、ゲート線３５・データ線３４間の検査は、この発明における第３の検査工程に相当する。
【００５０】
もし、ステップＳ６でデータ線３４の断線もしくは短絡を発見したら、あるいはゲート線３５・データ線３４間の絶縁もしくは短絡を発見したら、その発見された断線もしくは短絡、あるいは絶縁もしくは短絡である故障箇所を修復する（ステップＳ７）。修復は、ゲート線３５の修復と同様に、レーザ照射によって冗長回路を溶融・接続することによる断線配線の接続であってもよいし、レーザ照射による短絡配線の切断であってもよいし、電圧印加によって絶縁膜を導電性に変えることによる断線配線の接続であってもよい。なお、データ線３４の修復も、データ線３４の形成や検査と同様に、データ線３４のグランド線やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の修復も含む。このデータ線３４の修復は、この発明における第２の修復工程に相当し、この発明における第３の修復工程にも相当する。
【００５１】
データ線３４の形成（ステップＳ５）、検査（ステップＳ６）、修復（ステップＳ７）の後に、データ線３４の後に形成されるべき所定の形成部分を形成する（ステップＳ８）。具体的には、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、キャリア収集電極３３、データ線３４およびゲートチャンネル４３とともに、絶縁膜４２に絶縁膜４４を積層形成する。上述した半導体厚膜３１（図２や後述する図１１、図１２を参照）によって生成されたキャリアをキャリア収集電極３３に収集するために、半導体厚膜３１に直接に接触すべくキャリア収集電極３３の大部分には絶縁膜４４を積層形成せずに、キャリア収集電極３３の周囲のみを絶縁膜４４を積層形成する。すなわち、キャリア収集電極３３の部分を開口するように絶縁膜４４を積層形成する。そして、図１１に示すように、キャリア収集電極３３に直接に接触するように絶縁膜４４に半導体厚膜３１を積層形成する。
【００５２】
図１２に示すように、上述した電圧印加電極３２を半導体厚膜３１に積層形成する。絶縁膜４４、半導体厚膜３１および電圧印加電極３２は、データ線３４の後に形成されるべき所定の形成部分でもある。したがって、絶縁膜４４、半導体厚膜３１および電圧印加電極３２は、この発明における形成されるべき所定の形成部分に相当する。これらの絶縁膜４４、半導体厚膜３１および電圧印加電極３２の形成は、この発明における第２の後形成工程に相当し、第３の後形成工程にも相当する。
【００５３】
保護層（図示省略）を電圧印加電極３２に積層形成することで、キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４およびゲート線３５で構成された読み出しパターンを有したＦＰＤ３の一連の製造を終了する。
【００５４】
これらの読み出しパターンの形成については、蒸着を採用してもよいが、大気中で積層形成して、簡易に、かつ薄く製造するのであれば印刷塗布製膜を採用するのがより好ましい。印刷塗布製膜は、転写であってもよいし、インクジェット法であってもよい。もちろん、印刷塗布製膜以外の手法として、蒸着やスピンコートや電解メッキやスパッタリングなどのフォトリソグラフィ法によるパターン技術を採用して積層形成してもよいし、印刷塗布製膜（転写やインクジェット法）を採用して積層形成してもよいし、印刷塗布製膜以外の手法と印刷塗布製膜とを組み合わせて積層形成してもよい。
【００５５】
読み出しパターンを形成する絶縁基板３６は、上述したガラスに限定されず、プラスチックなどであってもよい。また、読み出しパターンを形成する基板は、本実施例では絶縁基板３６としたが、これに限定されない。例えば、ステンレス鋼などの金属であってもよい。絶縁膜４２，４４を形成する絶縁体については、ポリイミドやポリビニルフェノールなどの有機物であってもよいし、無機物であってもよい。
【００５６】
ゲート線３５、グランド線４１、キャリア収集電極３３、データ線３４および電圧印加電極３２を形成する導電体については、銀ペースト等の金属であってもよいし、無機物からなる薄膜（例えばＩＴＯなどの透明電極）や、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン系）やＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）などに代表される高導電性の有機物からなる薄膜であってもよい。ゲートチャンネル４３を形成する半導体については、ペンタセンなどの有機物からなる有機半導体であってもよいし、低温ポリシリコンあるいは半導体厚膜３１でも述べたようにアモルファスセレンなどの無機物からなる無機半導体であってもよい。逆に、半導体厚膜３１を形成する半導体についても、上述したアモルファスセレン以外に、放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質、あるいは光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であれば、有機半導体であってもよい。
【００５７】
このように、キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４およびゲート線３５から構成される読み出しパターンについて、読み出しパターンの全てを有機薄膜で積層形成してもよいし、読み出しパターンの少なくとも一部を有機薄膜で積層形成してもよいし、読み出しパターンを無機物で積層形成してもよい。有機薄膜の中でも、ペンタセンやナフタセンなどの単結晶に代表される有機低分子（本実施例ではゲートチャンネル４３をペンタセンで形成）と、有機高分子（本実施例ではＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン系）やＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）など）とがあり、両者のうちのいずれかを選択することで具体的な積層形成方法が異なる。読み出しパターンとして有機低分子を選択した場合には蒸着によって積層形成を行い、読み出しパターンとして有機高分子を選択した場合には印刷塗布製膜（転写やインクジェット法）によって積層形成を行う。
【００５８】
また、有機高分子以外を選択した場合でも、インクジェット法でナノサイズ（１０−９ｍｍ程度）からなる導電性インクを吹き付けてゲート線３５、グランド線４１、キャリア収集電極３３、データ線３４あるいは電圧印加電極３２を形成することが可能である。また、インクジェット法でナノサイズ（１０−９ｍｍ程度）からなる半導体インクを吹き付けて、ゲートチャンネル４３を吹き付けることが可能である。
【００５９】
したがって、データ線３４およびゲート線３５の少なくとも一部を有機薄膜以外の無機薄膜や金属で積層形成する場合でも、印刷塗布製膜（転写やインクジェット法）によって積層形成を行うことが可能である。この場合には、好ましくは酸化し難い材料（例えば銀や金や白金などの貴金属）をナノサイズ（１０−９ｍｍ程度）の粒子にして、吹き付けてデータ線３４やゲート線３５の積層形成を行う。また、データ線３４やゲート線３５のような配線を、上述した蒸着や印刷以外のフォトリソグラフィ法によるパターン技術（例えばスピンコートや電解メッキやスパッタリングなど）を利用して積層形成してもよい。
【００６０】
図４のフローでは、第１の配線形成工程に相当するステップＳ１、第１の検査工程に相当するステップＳ２、第１の修復工程に相当するステップＳ３の後に、ステップＳ４の絶縁膜などを含んだゲート線３５の後形成（第１の後形成工程）を経て、第２の配線形成工程に相当するステップＳ５、第２の検査工程に相当するステップＳ６（第３の検査工程も兼用）、第２の修復工程に相当するステップＳ７（第３の修復工程も兼用）を行っている。すなわち、アドレス信号線に相当するゲート線３５の形成、検査、修復を先に行った後に、データ信号線に相当するデータ線３４の形成、検査、修復を行っている。
【００６１】
図４のフローのように、ゲート線３５の形成、検査、修復（第１の配線形成工程、第１の検査工程、第１の修復工程）を先に行った後に、データ線３４の形成、検査、修復（第２の配線形成工程、第２の検査工程、第２の修復工程）を行う必要はなく、データ線３４の形成、検査、修復（第２の配線形成工程、第２の検査工程、第２の修復工程）を行った後に、ゲート線３５の形成、検査、修復（第１の配線形成工程、第１の検査工程、第１の修復工程）を行ってもよい。図１３では、図４のステップＳ１〜Ｓ４、Ｓ５〜Ｓ８の順序が入れ替わっている。各ステップの説明は図４と同じであるので、その説明を省略する。なお、図１３では、ゲート線３５に関するステップＳ１〜Ｓ４を後で行うことから、ステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１は、この発明における第３の配線形成工程に相当し、ステップＳ２は、この発明における第１の検査工程・第３の検査工程に相当し、ステップＳ３は、この発明における第１の修復工程・第３の修復工程に相当する。
【００６２】
上述した本実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３の製造方法によれば、ステップＳ１ではゲート線３５を形成し、そのステップＳ１で形成されたゲート線３５の断線もしくは短絡を、ステップＳ２では上述したステップＳ１の直後で検査する。したがって、ステップＳ２で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所をステップＳ３で確実に修復することができる。そして、ゲート線３５の後に形成されるべき所定の形成部分（本実施例では絶縁膜４２、ゲートチャンネル４３およびキャリア収集電極３３）を、ステップＳ４では上述したステップＳ３の後で形成する。その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、完成してからでは判別しにくい不良を事前に除去することができるので、高価な検査装置が不要となるという効果をも奏する。
【００６３】
一方で、本実施例では、ステップＳ５ではデータ線３４を形成し、そのステップＳ５で形成されたデータ線３４の断線もしくは短絡を、ステップＳ６では上述したステップＳ５の直後で検査する。したがって、ステップＳ６で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所をステップＳ７で確実に修復することができる。そして、データ線３４の後に形成されるべき所定の形成部分（本実施例では絶縁膜４４、半導体厚膜３１および電圧印加電極３２）を、ステップＳ８では上述したステップＳ７の後で形成する。その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、完成してからでは判別しにくい不良を事前に除去することができるので、高価な検査装置が不要となるという効果をも奏する。
【００６４】
また、本実施例では、図４のフローでは、ステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５ではゲート線３５・データ線３４を、絶縁膜５１を介してそれぞれ形成し、ステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５で形成されたゲート線３５・データ線３４間の絶縁もしくは短絡を、ステップＳ６では上述したステップＳ５の直後で検査する。したがって、ステップＳ６で絶縁もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所をステップＳ７で確実に修復することができる。そして、ゲート線３５・データ線３４の後に形成されるべき所定の形成部分（本実施例では絶縁膜４４、半導体厚膜３１および電圧印加電極３２）を、ステップＳ８では上述したステップＳ７の後で形成する。
【００６５】
一方、本実施例では、図１３のフローでは、ステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１ではデータ線３４・ゲート線３５を、絶縁膜を介してそれぞれ形成し、ステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１で形成されたデータ線３４・ゲート線３５間の絶縁もしくは短絡を、ステップＳ２では上述したステップＳ１の直後で検査する。したがって、ステップＳ２で絶縁もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所をステップＳ３で確実に修復することができる。そして、データ線３４・ゲート線３５の後に形成されるべき所定の形成部分を、ステップＳ４では上述したステップＳ３で形成する。
【００６６】
その結果、図４のフローや図１３のフローにおいても、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、完成してからでは判別しにくい不良を事前に除去することができるので、高価な検査装置が不要となるという効果をも奏する。
【００６７】
この発明では、ＦＰＤ３の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成する場合に有用である。上述したように、印刷塗布製膜の場合には大気中でＦＰＤ３の少なくとも一部を形成することが可能なので、ステップＳ１の直後でステップＳ２での検査を、ステップＳ５の直後でステップＳ６での検査を、図４のフローではステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５のステップＳ５の直後でステップＳ６での検査を、図１３のフローではステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１のステップＳ１の直後でステップＳ２での検査を行うことが可能で、ＦＰＤ３を製造する工程で、その効果を発揮することができる。
【００６８】
特に、ゲート線３５を形成する場合には、ゲート線３５の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成すると、大気中でゲート線３５の少なくとも一部を形成することが可能なので、ステップＳ１の直後でステップＳ２での検査を、あるいは図１３のフローではステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１の直後でステップＳ２での検査を行うことが可能で、ＦＰＤ３を製造する工程で、その効果を発揮することができる。特に、インクジェット法ならば、形成したい所定の部分にインクを滴下するのが可能であるので、例えば、ゲート線３５の断線箇所のみを再接続するといった修復工程の挿入が可能となるという効果をも奏する。
【００６９】
また、データ線３４を形成する場合には、データ線３４の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成すると、大気中でデータ線３４の少なくとも一部を形成することが可能なので、ステップＳ５の直後でステップＳ６での検査を、あるいは図４のフローではステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５の直後でステップＳ６での検査を行うことが可能で、ＦＰＤ３を製造する工程で、その効果を発揮することができる。特に、インクジェット法ならば、形成したい所定の部分にインクを滴下するのが可能であるので、例えば、データ線３４の断線箇所のみを再接続するといった修復工程の挿入が可能となるという効果をも奏する。
【００７０】
また、データ線３４およびゲート線３５を形成する場合には、ゲート線３５、データ線３４のうちの少なくともいずれか一方の信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成すると、大気中でデータ線３４／ゲート線３５の少なくとも一部を形成することが可能なので、ステップＳ１の直後でステップＳ２での検査を、ステップＳ５の直後でステップＳ６での検査を、図１３のフローではステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１の直後でステップＳ２での検査を行い、図４のフローではステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５の直後でステップＳ６での検査を行うことが可能で、ＦＰＤ３を製造する工程で、その効果を発揮することができる。特に、インクジェット法ならば、形成したい所定の部分にインクを滴下するのが可能であるので、例えば、データ線３４／ゲート線３５の断線箇所のみを再接続するといった修復工程の挿入が可能となるという効果をも奏する。
【００７１】
本実施例では、光に関する素子は受光素子（検出素子ＤＵ）である。受光素子の場合には、データ信号線は、受光によって検出された信号を読み出すための読み出し信号線（データ線３４）となり、アドレス信号線は、その読み出しを制御するための読み出し制御線（ゲート線３５）となる。また、本実施例では、デバイスは薄膜トランジスタＴｒなどの能動素子を備えたアクティブマトリックスデバイスである。光が放射線の場合には、受光素子（検出素子ＤＵ）を、図３に示すように２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスは、マトリックス放射線検出器（本実施例ではフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３）となり、本実施例のようにアクティブマトリックスデバイスでは、アクティブマトリックス放射線検出器（本実施例ではフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３）となる。
【００７２】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００７３】
（１）上述した実施例では、図１に示すようなＸ線透視撮影装置を例に採って説明したが、この発明は、例えばＣ型アームに配設されたＸ線透視撮影装置にも適用してもよい。また、この発明は、Ｘ線ＣＴ装置にも適用してもよい。
【００７４】
（２）上述した実施例では、入射した放射線を半導体厚膜３１（変換層）によって電荷情報に直接に変換した、「直接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用したが、入射した放射線をシンチレータなどの変換層によって光に変換し、光感応型の物質で形成された半導体層によってその光を電荷情報に変換する「間接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用してもよい。光感応型の半導体層については、フォトダイオードで形成してもよい。
【００７５】
（３）上述した実施例では、Ｘ線を検出するＸ線検出器を例に採って説明したが、この発明は、ＥＣＴ（Emission Computed Tomography）装置のように放射性同位元素（ＲＩ）を投与された被検体から放射されるγ線を検出するγ線検出器に例示されるように、放射線を検出する放射線検出器であれば特に限定されない。同様に、この発明は、上述したＥＣＴ装置に例示されるように、放射線を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。
【００７６】
（４）上述した実施例では、Ｘ線などに代表される放射線検出器を例に採って説明したが、この発明は、放射線以外の光（例えば赤外線、可視光線、紫外線など）を検出する光検出器のような受光素子で構成された光マトリックスデバイスにも適用できる。したがって、光を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。
【００７７】
（５）上述した実施例では、受光素子（実施例では検出素子ＤＵ）で構成された光マトリックスデバイスを例に採って説明したが、この発明は、図１４に示すような発光素子（例えば発光ダイオードや有機エレクトロルミネセンス等）６０で構成された光マトリックスデバイスにも適用できる。なお、上述した実施例では、アドレス信号線がゲート線３５であるとともに、データ信号線がデータ線３４であって、ゲート線３５とデータ線３４とが２次元マトリックス状に配列されているが、図１４では、アドレス信号線６１とデータ信号線６２とをそれぞれ選択することで、選択された発光素子６０を発光させる。したがって、上述した実施例における図２、図３でのデータ線３４の流れと、この図１４でのデータ信号線６２の流れとは逆方向であることに留意されたい。
【００７８】
（６）上述した実施例では、アクティブマトリックスデバイスを例に採って説明したが、この発明は、図１４（ａ）に示す能動素子（薄膜トランジスタＴｒ）を備えたアクティブマトリックス以外にも、図１４（ｂ）に示すようなパッシブマトリックスデバイスにも適用できる。
【００７９】
（７）インクジェット法を適用した場合において、インクジェットプリンタのプリンタヘッドと、検査用のプローバが同じ製造装置内に併設されているのが好ましい。併設することで、検査を即座に行うことができ、故障箇所をより確実に発見することができ、発見された故障箇所をより確実に修復することができる。
【００８０】
（８）上述した実施例では、図４のフローでは、第１の配線形成工程に相当するステップＳ１、第１の検査工程に相当するステップＳ２、第１の修復工程に相当するステップＳ３、ステップＳ４の絶縁膜などを含んだゲート線３５の後形成（第１の後形成工程）を経て、第２の配線形成工程に相当するステップＳ５、第２の検査工程に相当するステップＳ６（第３の検査工程も兼用）、第２の修復工程に相当するステップＳ７（第３の修復工程も兼用）を行い、第３の配線形成工程に相当するステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５を全て行ったが、必ずしも全部行う必要はない。データ信号線（実施例ではデータ線３４）の検査・修復が必要なければ、図４のフローを参照すると、第２の検査工程に相当するステップＳ６、第２の修復工程に相当するステップＳ７を省いて、第１の配線形成工程に相当するステップＳ１、第１の検査工程に相当するステップＳ２、第１の修復工程に相当するステップＳ３、ステップＳ４の絶縁膜などを含んだゲート線３５の後形成を経て、第２の配線形成工程に相当するステップＳ５のみを行えばよい。逆に、アドレス信号線（実施例ではゲート線３５）の検査・修復が必要なければ、図４のフローを参照すると、第１の検査工程に相当するステップＳ２、第１の修復工程に相当するステップＳ３を省いて、第１の配線形成工程に相当するステップＳ１、ステップＳ４の絶縁膜などを含んだゲート線３５の後形成を経て、第２の配線形成工程に相当するステップＳ５、第２の検査工程に相当するステップＳ６、第２の修復工程に相当するステップＳ７のみを行ってもよい。また、データ信号線（実施例ではデータ線３４）の検査・修復、およびアドレス信号線（実施例ではゲート線３５）の検査・修復が必要なければ、アドレス信号線・データ信号線間の絶縁もしくは短絡を検査・修復するために、図４のフローの場合には、第３の配線形成工程に相当するステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５を行って、第３の検査工程に相当するステップＳ６、第３の修復工程に相当するステップＳ７のみを行ってもよい。図１３のフローの場合も同様である。
【００８１】
（９）上述した実施例では、データ線３４やゲート線３５などの各配線を全て形成してから検査・修復を行ったが、１本ごと、あるいは複数本ごとに形成した後に検査・修復を行うという工程を複数回繰り返してもよい。また、図１５（検出素子等の図示を省略）に示すように、例えばデータ線３４が中央を境界にして、上下に別れて延びている場合には、一方のデータ線３４を形成した後に検査・修復を行った後に、他方のデータ線３４を形成した後に検査・修復を行ってもよい。
【００８２】
（１０）形成されるべき所定の形成部分は構造によって適宜変更される。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
以上のように、この発明は、テレビジョンやパーソナルコンピュータのモニタとして用いられる薄型画像ディスプレイや、医療分野や、非破壊検査、ＲＩ(Radio Isotope)検査を含む産業分野などに用いられる放射線撮像センサなどに適している。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】実施例に係るＸ線透視撮影装置のブロック図である。
【図２】Ｘ線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【図３】平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【図４】実施例に係る一連の製造工程の流れを示すフローチャートである。
【図５】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図６】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図７】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図８】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図９】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１０】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１１】実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略断面図である。
【図１２】実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略断面図である。
【図１３】図４とは別の一連の製造工程の流れを示すフローチャートである。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、発光素子で構成された光マトリックスデバイスの等価回路である。
【図１５】データ線が中央を境界にして、上下に別れて延びている場合におけるフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【符号の説明】
【００８５】
３ … フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）
３４ … データ線
３５ … ゲート線
ＤＵ … 検出素子
【技術分野】
【０００１】
この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野などに用いられる光マトリックスデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光マトリックスデバイスとして、大別すると、受光素子で構成されたデバイスおよび発光素子で構成されたデバイスがある。受光素子としては、光撮像センサや、医療分野や、非破壊検査、ＲＩ(Radio Isotope)検査を含む産業分野などに用いられる放射線撮像センサなどがある。発光素子としては、テレビジョンやパーソナルコンピュータのモニタとして用いられる薄型画像ディスプレイなどがある。なお、本明細書中では、光は、広義に放射線も含んでいる。
【０００３】
放射線撮像センサとしてＸ線検出器を例に採って説明する。Ｘ線検出器はＸ線感応型のＸ線変換層（変換層）を備えており、Ｘ線の入射によりＸ線変換層はキャリア（電荷情報）に変換し、その変換されたキャリアを読み出すことでＸ線を検出する。Ｘ線変換層としては非晶質のアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）膜が用いられる。
【０００４】
被検体にＸ線を照射して放射線撮像を行う場合には、被検体を透過した放射線像がアモルファスセレン膜上に投影されて、像の濃淡に比例したキャリアが膜内に発生する。その後、膜内で生成されたキャリアが、２次元マトリックス状に配列されたキャリア収集電極に収集されて、所定時間（『蓄積時間』とも呼ばれる）分だけ積分された後、薄膜トランジスタを経由して外部に読み出される。
【０００５】
このようなＸ線検出器を製造するには、２次元マトリックス状に配列された薄膜トランジスタからなるスイッチング素子や上述したキャリア収集電極などをパターン形成したガラス基板（絶縁基板）上に、アモルファスセレン膜を蒸着することで得られる。
【０００６】
ところで、Ｘ線検出器などに代表される光マトリックスデバイスには、縦横に走る細長い配線（アドレス信号線やデータ信号線）が必要である。これらは、その製造過程において、往々にして断線・短絡する場合がある。したがって、断線・短絡のような故障箇所を検査する検査工程が設けられており、その検査工程で故障箇所を発見した場合には、その故障箇所を修復する（例えば、特許文献１〜３参照）。検査としては、例えば顕微鏡による目視検査や、配線に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的な検査などがあり、修復としては、例えばレーザ照射によって冗長回路を溶融・接続することによる断線配線の接続や、レーザ照射による短絡配線の切断や、電圧印加によって絶縁膜を導電性に変えることによる断線配線の接続などがある。
【０００７】
一方、上述したように、Ｘ線検出器などに代表される光マトリックスデバイスは蒸着等によって主に製造され、通常は真空中などの環境下で製造される。そして、最終的には保護層によって配線やパターン等を覆うことで大気中に取り出すことができる。したがって、かかる検査を行う場合には、保護層を覆って最終的に製造した後でないと、その断線もしくは短絡を発見することができず、修復することができない。なお、保護層に開口部（コンタクト）を設け、その開口部を介して検査を行う。
【特許文献１】特開平１１−２３３７４６号公報
【特許文献２】特開平０９−３１１６４６号公報
【特許文献３】特開２００２−１００７５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、かかる従来方法では、全ての故障パターンが網羅されるわけでなく、製造歩留まり低下はさほど改善されない。例えば、上述した開口部を介して検査を行うと、開口部以外の箇所で故障がある場合には、その故障箇所を発見することができず、修復することもできない。
【０００９】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる光マトリックスデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線を形成する第１の配線形成工程と、その第１の配線形成工程で形成された前記アドレス信号線の断線もしくは短絡を前記第１の配線形成工程の直後で検査する第１の検査工程と、その第１の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第１の修復工程と、前記アドレス信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第１の修復工程の後で形成する第１の後形成工程とを備えることを特徴とするものである。
【００１１】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、第１の配線形成工程では、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線を形成し、その第１の配線形成工程で形成されたアドレス信号線の断線もしくは短絡を、第１の検査工程では上述した第１の配線形成工程の直後で検査する。したがって、第１の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所を第１の修復工程で確実に修復することができる。そして、アドレス信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を、第１の後形成工程では上述した第１の修復工程の後で形成する。その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明は、光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成する第２の配線形成工程と、その第２の配線形成工程で形成された前記データ信号線の断線もしくは短絡を前記第２の配線形成工程の直後で検査する第２の検査工程と、その第２の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第２の修復工程と、前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第２の修復工程の後で形成する第２の後形成工程とを備えることを特徴とするものである。
【００１３】
［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、第２の配線形成工程では、各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成し、その第２の配線形成工程で形成されたデータ信号線の断線もしくは短絡を、第２の検査工程では上述した第２の配線形成工程の直後で検査する。したがって、第２の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所を第２の修復工程で確実に修復することができる。そして、データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を、第２の後形成工程では上述した第２の修復工程の後で形成する。その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００１４】
上述したアドレス信号線の断線もしくは短絡を検査する前者の発明（請求項１に記載の発明）と、上述したデータ信号線の断線もしくは短絡を検査する後者の発明（請求項２に記載の発明）とを組み合わせてもよい。
すなわち、請求項１に記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成する第２の配線形成工程と、その第２の配線形成工程で形成された前記データ信号線の断線もしくは短絡を前記第２の配線形成工程の直後で検査する第２の検査工程と、その第２の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第２の修復工程と、前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第２の修復工程の後で形成する第２の後形成工程とを備えることを特徴とするものである（請求項３に記載の発明）。
【００１５】
［作用・効果］請求項３に記載の発明によれば、第１の配線形成工程では、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線を形成し、その第１の配線形成工程で形成されたアドレス信号線の断線もしくは短絡を、第１の検査工程では上述した第１の配線形成工程の直後で検査する。したがって、第１の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所を第１の修復工程で確実に修復することができる。そして、アドレス信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を、第１の後形成工程では上述した第１の修復工程の後で形成する。
一方で、第２の配線形成工程では、各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成し、その第２の配線形成工程で形成されたデータ信号線の断線もしくは短絡を、第２の検査工程では上述した第２の配線形成工程の直後で検査する。したがって、第２の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所を第２の修復工程で確実に修復することができる。そして、データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を、第２の後形成工程では上述した第２の修復工程の後で形成する。
その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００１６】
上述した請求項３では、各アドレス信号線の断線もしくは短絡、各データ信号線の断線もしくは短絡を検査して修復する発明であったが、下記の請求項４のように、アドレス信号線・データ信号線にまたがる故障箇所を検査して修復する場合には、以下のようになる。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線と前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線とを、絶縁膜を介してそれぞれ形成する第３の配線形成工程と、その第３の配線形成工程で形成された前記アドレス信号線・前記データ信号線間の絶縁もしくは短絡を前記第３の配線形成工程の直後で検査する第３の検査工程と、その第３の検査工程で発見された絶縁もしくは短絡である故障箇所を修復する第３の修復工程と、前記アドレス信号線・前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第３の修復工程の後で形成する第３の後形成工程とを備えることを特徴とするものである。
【００１８】
［作用・効果］請求項４に記載の発明によれば、第３の配線形成工程では、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線と各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線とを、絶縁膜を介してそれぞれ形成し、その第３の配線形成工程で形成されたアドレス信号線・前記データ信号線間の絶縁もしくは短絡を、第３の検査工程では上述した第３の配線形成工程の直後で検査する。したがって、第３の検査工程で絶縁もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所を第３の修復工程で確実に修復することができる。そして、アドレス信号線・データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を、第３の後形成工程では上述した第３の修復工程の後で形成する。その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００１９】
上述したこれらの発明では、デバイスの少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成する場合に有用である（請求項５に記載の発明）。印刷塗布製膜の場合には大気中でデバイスの少なくとも一部を形成することが可能なので、第１の配線形成工程の直後で第１の検査工程での検査を、第２の配線形成工程の直後で第２の検査工程での検査を、あるいは第３の配線形成工程の直後で第３の検査工程での検査を行うことが可能で、光マトリックスデバイスを製造する工程で、その効果を発揮することができる。
【００２０】
特に、請求項１や請求項３や請求項４のようにアドレス信号線を形成する場合には、アドレス信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成する（請求項６に記載の発明）と、大気中でアドレス信号線の少なくとも一部を形成することが可能なので、第１の配線形成工程の直後で第１の検査工程での検査を、あるいは第３の配線形成工程の直後で第３の検査工程での検査を行うことが可能で、光マトリックスデバイスを製造する工程で、その効果を発揮することができる。
【００２１】
また、請求項２や請求項３や請求項４のようにデータ信号線を形成する場合には、データ信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成する（請求項７に記載の発明）と、大気中でデータ信号線の少なくとも一部を形成することが可能なので、第２の配線形成工程の直後で第２の検査工程での検査を、あるいは第３の配線形成工程の直後で第３の検査工程での検査を行うことが可能で、光マトリックスデバイスを製造する工程で、その効果を発揮することができる。
【００２２】
また、請求項３や請求項４のようにアドレス信号線およびデータ信号線を形成する場合には、アドレス信号線、データ信号線のうちの少なくともいずれか一方の信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成する（請求項８に記載の発明）と、大気中でアドレス／データ信号線の少なくとも一部を形成することが可能なので、第１の配線形成工程の直後で第１の検査工程での検査を、第２の配線形成工程の直後で第２の検査工程での検査を、あるいは第３の配線形成工程の直後で第３の検査工程での検査を行うことが可能で、光マトリックスデバイスを製造する工程で、その効果を発揮することができる。
【００２３】
上述したこれらの発明において、上述した光に関する素子の一例は受光素子である（請求項９に記載の発明）。受光素子の場合には、データ信号線は、受光によって検出された信号を読み出すための読み出し信号線となり、アドレス信号線は、その読み出しを制御するための読み出し制御線となる。上述したこれらの発明において、上述した光に関する素子の他の一例は発光素子である（請求項１０に記載の発明）。
【００２４】
上述したこれらの発明において、上述したデバイスの一例はアクティブマトリックスデバイスである（請求項１１に記載の発明）。上述したデバイスの他の一例はパッシブマトリックスデバイスである（請求項１２に記載の発明）。
【００２５】
光は上述したように放射線を含んでいる。したがって、光は放射線であってもよいし（請求項１３に記載の発明）、放射線以外の赤外線、可視光線、紫外線であってもよい。光が放射線の場合には、請求項９のような受光素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスは、マトリックス放射線検出器となり、さらに請求項１１のようなアクティブマトリックスデバイスでは、アクティブマトリックス放射線検出器となる。
【発明の効果】
【００２６】
この発明に係る光マトリックスデバイスの製造方法によれば、第１の配線形成工程では、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線を形成し、その第１の配線形成工程で形成されたアドレス信号線の断線もしくは短絡を、第１の検査工程では上述した第１の配線形成工程の直後で検査するので、第１の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができ、発見された故障箇所を第１の修復工程で確実に修復することができる（請求項１に記載の発明）。
あるいは、第２の配線形成工程では、各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成し、その第２の配線形成工程で形成されたデータ信号線の断線もしくは短絡を、第２の検査工程では上述した第２の配線形成工程の直後で検査するので、第２の検査工程で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができ、発見された故障箇所を第２の修復工程で確実に修復することができる（請求項２に記載の発明）。
あるいは、第３の配線形成工程では、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線と各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線とを、絶縁膜を介してそれぞれ形成し、その第３の配線形成工程で形成されたアドレス信号線・前記データ信号線間の絶縁もしくは短絡を、第３の検査工程では上述した第３の配線形成工程の直後で検査するので、第３の検査工程で絶縁もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができ、発見された故障箇所を第３の修復工程で確実に修復することができる（請求項３に記載の発明）。
その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【実施例】
【００２７】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係るＸ線透視撮影装置のブロック図であり、図２は、Ｘ線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路であり、図３は、平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。本実施例では、光マトリックスデバイスとして受光素子で構成されたデバイスを例に採り、受光素子で構成されたデバイスとしてフラットパネル型Ｘ線検出器（以下、適宜「ＦＰＤ」という）を例に採る。
【００２８】
本実施例に係るＸ線透視撮影装置は、図１に示すように、被検体Ｍを載置する天板１と、その被検体Ｍに向けてＸ線を照射するＸ線管２と、被検体Ｍを透過したＸ線を検出するＦＰＤ３とを備えている。ＦＰＤ３は、この発明における光マトリックスデバイスに相当する。
【００２９】
Ｘ線透視撮影装置は、他に、天板１の昇降および水平移動を制御する天板制御部４や、ＦＰＤ３の走査を制御するＦＰＤ制御部５や、Ｘ線管２の管電圧や管電流を発生させる高電圧発生部６を有するＸ線管制御部７や、ＦＰＤ３から電荷信号であるＸ線検出信号をディジタル化して取り出すＡ／Ｄ変換器８や、Ａ／Ｄ変換器８から出力されたＸ線検出信号に基づいて種々の処理を行う画像処理部９や、これらの各構成部を統括するコントローラ１０や、処理された画像などを記憶するメモリ部１１や、オペレータが入力設定を行う入力部１２や、処理された画像などを表示するモニタ１３などを備えている。
【００３０】
天板制御部４は、天板１を水平移動させて被検体Ｍを撮像位置にまで収容したり、昇降、回転および水平移動させて被検体Ｍを所望の位置に設定したり、水平移動させながら撮像を行ったり、撮像終了後に水平移動させて撮像位置から退避させる制御などを行う。ＦＰＤ制御部５は、ＦＰＤ３を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させることによる走査に関する制御などを行う。高電圧発生部６は、Ｘ線を照射させるための管電圧や管電流を発生してＸ線管２に与え、Ｘ線管制御部７は、Ｘ線管２を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させることによる走査に関する制御や、Ｘ線管３側のコリメータ（図示省略）の照視野の設定の制御などを行う。なお、Ｘ線管２やＦＰＤ３の走査の際には、Ｘ線管２から照射されたＸ線をＦＰＤ３が検出できるようにＸ線管２およびＦＰＤ３が互いに対向しながらそれぞれの移動を行う。
【００３１】
コントローラ１０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成されており、メモリ部１１は、ＲＯＭ（Read-only Memory）やＲＡＭ（Random-Access Memory）などに代表される記憶媒体などで構成されている。また、入力部１２は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。Ｘ線透視撮影装置では、被検体Ｍを透過したＸ線をＦＰＤ３が検出して、検出されたＸ線に基づいて画像処理部９で画像処理を行うことで被検体Ｍの撮像を行う。
【００３２】
ＦＰＤ３は、図２に示すように、Ｘ線などの放射線が入射することによりキャリアが生成される放射線感応型の半導体厚膜３１と、半導体厚膜３１の表面に設けられた電圧印加電極３２と、半導体厚膜３１の放射線入射側とは反対側にある裏面に設けられたキャリア収集電極３３と、キャリア収集電極３３への収集キャリアを溜める電荷蓄積用のコンデンサＣａと、コンデンサＣａに蓄積された電荷を取り出すための通常時ＯＦＦ（遮断）の電荷取り出し用のスイッチ素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒとを備えている。本実施例では、半導体厚膜３１は放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質、例えばアモルファスセレンで形成されているが、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であってもよい。
【００３３】
この他に、本実施例では、薄膜トランジスタＴｒのソースに接続されているデータ線３４と、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続されているゲート線３５とを備えており、電圧印加電極３２，半導体厚膜３１，キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４およびゲート線３５が絶縁基板３６の上に積層されて構成されている。キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４およびゲート線３５で、読み出しパターンを構成する。データ線３４は、この発明におけるデータ信号線に相当し、ゲート線３５は、この発明におけるアドレス信号線に相当する。
【００３４】
図２、図３に示すように、縦・横式２次元マトリックス状配列で多数個（例えば、1024個×1024個や4096×4096個）形成されたキャリア収集電極３３ごとに、上述した各々のコンデンサＣａおよび薄膜トランジスタＴｒがそれぞれ接続されており、それらキャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，および薄膜トランジスタＴｒが各検出素子ＤＵとしてそれぞれ分離形成されている。また、電圧印加電極３２は、全検出素子ＤＵの共通電極として全面にわたって形成されている。また、上述したデータ線３４は、図３に示すように、横（Ｘ）方向に複数本に並列されているとともに、上述したゲート線３５は、図３に示すように、縦（Ｙ）方向に複数本に並列されており、各々のデータ線３４およびゲート線３５は各検出素子ＤＵに接続されている。また、データ線３４はアンプアレイ回路３７に接続されており、ゲート線３５はゲートドライバ回路３８に接続されている。なお、２次元マトリックス状配列であれば、検出素子ＤＵの配列個数は上述の1024個×1024個や4096×4096個だけでなく、実施形態に応じて配列個数を変更して使用することができる。検出素子ＤＵは、この発明における光に関する素子に相当し、この発明における受光素子にも相当する。
【００３５】
検出素子ＤＵは２次元マトリックス状配列で絶縁基板３６にパターン形成されており、検出素子ＤＵがパターン形成された絶縁基板３６は『アクティブ・マトリックス基板』とも呼ばれている。
【００３６】
続いて、本実施例に係るＸ線透視撮影装置およびフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の作用について説明する。電圧印加電極３２に高電圧（例えば数１００Ｖ〜数１０ｋＶ程度）のバイアス電圧ＶＡを印加した状態で、検出対象である放射線を入射させる。このバイアス電圧ＶＡの印加の制御についてもＦＰＤ制御部５から行う。
【００３７】
放射線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報として電荷蓄積用のコンデンサＣａに蓄積される。ゲートドライバ回路３８の信号取り出し用の走査信号（すなわちゲート駆動信号）によって、ゲート線３５が選択されて、さらに選択されたゲート線３５に接続されている検出素子ＤＵが選択指定される。その指定された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、選択されたゲート線３５の信号によってＯＮ状態に移行した薄膜トランジスタＴｒを経由して、データ線３４に読み出される。
【００３８】
また、各検出素子ＤＵのアドレス（番地）指定は、データ線３４およびゲート線３５の信号取り出し用の走査信号（ゲート線３５の場合にはゲート駆動信号、データ線３４の場合にはアンプ駆動信号）に基づいて行われる。アンプアレイ回路３７やゲートドライバ回路３８に信号取り出し用の走査信号が送り込まれると、ゲートドライバ回路３８から縦（Ｙ）方向の走査信号（ゲート駆動信号）に従って各検出素子ＤＵが選択される。そして、横（Ｘ）方向の走査信号（アンプ駆動信号）に従ってアンプアレイ回路３７が切り換えられることによって、選択された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、データ線３４を介してアンプアレイ回路３７に送り出される。そして、アンプアレイ回路３７で増幅されて、Ｘ線検出信号としてアンプアレイ回路３７から出力されてＡ／Ｄ変換器８に送り込まれる。Ａ／Ｄ変換器８は、ＦＰＤ３からの電荷信号であるＸ線検出信号をディジタル化して取り出す。
【００３９】
上述の動作によって、例えばＸ線透視撮影装置の透視Ｘ線像の検出に本実施例に係るＦＰＤ３を用いた場合、データ線３４を介して外部に読み出された電荷情報（Ｘ線検出信号）が画像情報に変換されて、Ｘ線透視画像として出力される。
【００４０】
上述した説明から明らかなように、ＦＰＤ３において、データ線３４は、各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線であって、本実施例のように光に関する素子が検出素子ＤＵ（すなわち受光素子）の場合には、受光（本実施例では放射線の検出）によって検出された信号（本実施例ではＸ線検出信号）を読み出すための読み出し信号線となる。また、ＦＰＤ３において、ゲート線３５は、各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線であって、本実施例のように光に関する素子が検出素子ＤＵ（すなわち受光素子）の場合には、その読み出しを制御するための読み出し制御線となる。このような薄膜トランジスタＴｒなどの能動素子を備えることで、ＦＰＤ３はアクティブマトリックスデバイスとなる。
【００４１】
次に、ＦＰＤ３の製造方法について、図４〜図１３を参照して説明する。図４は、実施例に係る一連の製造工程の流れを示すフローチャートであり、図５（ａ）〜図１０（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の製造工程を示す概略平面図であり、図５（ｂ）〜図１０（ｂ）は、図５（ａ）〜図１０（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、図１１、図１２は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の製造工程を示す概略断面図であり、図１３は、図４とは別の一連の製造工程の流れを示すフローチャートである。
【００４２】
図４に示すようにゲート線３５を形成する（ステップＳ１）。具体的には、先ず、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、ガラスで形成された絶縁基板３６に上述したゲート線３５およびグランド線（接地線）４１を積層形成する。なお、ゲート線３５の形成は、ゲート線３５のグランド線４１やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の形成も含む。このゲート線３５およびグランド線４１の形成は、この発明における第１の配線形成工程に相当する。
【００４３】
形成されたゲート線３５（グランド線４１も含む）の断線もしくは短絡をステップＳ１の直後で検査する（ステップＳ２）。断線の検査はゲート線３５の配線両端の抵抗値を直接に測定する、あるいはゲート線３５に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的なものであってもよいし、光学顕微鏡等により目視で画像認識を行うものであってもよい。短絡の検査も、互いに隣接するゲート線３５の間／ゲート線３５・グランド線４１の間の抵抗値を直接に測定する、あるいはゲート線３５・グランド線４１に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的なものであってもよいし、光学顕微鏡等により目視で画像認識を行うものであってもよい。なお、ゲート線３５の検査も、ゲート線３５の形成と同様に、ゲート線３５のグランド線４１やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の検査も含む。このゲート線３５の検査は、この発明における第１の検査工程に相当する。
【００４４】
もし、ステップＳ２でゲート線３５の断線もしくは短絡を発見したら、その発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する（ステップＳ３）。修復は、レーザ照射によって冗長回路を溶融・接続することによる断線配線の接続であってもよいし、レーザ照射による短絡配線の切断であってもよいし、電圧印加によって絶縁膜を導電性に変えることによる断線配線の接続であってもよい。なお、ゲート線３５の修復も、ゲート線３５の形成や検査と同様に、ゲート線３５のグランド線４１やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の修復も含む。このゲート線３５の修復は、この発明における第１の修復工程に相当する。
【００４５】
ゲート線３５の形成（ステップＳ１）、検査（ステップＳ２）、修復（ステップＳ３）の後に、ゲート線３５の後に形成されるべき所定の形成部分を形成する（ステップＳ４）。具体的には、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、ゲート線３５およびグランド線４１とともに、絶縁基板３６に絶縁膜４２を積層形成する。そして、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、絶縁膜４２を挟んでゲート線３５の対向位置の一部にゲートチャンネル４３を形成する。
【００４６】
図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、水平面内においてこのゲートチャンネル４３を挟んで上述したキャリア収集電極３３および上述したデータ線３４（ステップＳ５）を絶縁膜４２に積層形成する。キャリア収集電極３３は、絶縁膜４２を挟んでグランド線４１に対向するように積層形成する。データ線３４を除く、絶縁膜４２、ゲートチャンネル４３およびキャリア収集電極３３は、ゲート線３５の後に形成されるべき所定の形成部分でもある。したがって、絶縁膜４２、ゲートチャンネル４３およびキャリア収集電極３３は、この発明における形成されるべき所定の形成部分に相当する。これらの絶縁膜４２、ゲートチャンネル４３およびキャリア収集電極３３の形成は、この発明における第１の後形成工程に相当する。なお、データ線３４の形成は、データ線３４のグランド線（接地線）（図示省略）やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の形成も含む。このデータ線３４の形成は、この発明における第２の配線形成工程に相当する。
【００４７】
また、ステップＳ１でゲート線３５を形成し、ステップＳ４で絶縁膜４２を形成し、ステップＳ５でデータ線３４を形成することで、データ線３４とゲート線３５とを絶縁膜５１を介してそれぞれ形成することになる。したがって、ステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５は、この発明における第３の配線形成工程に相当する。
【００４８】
なお、ゲートチャンネル４３に対向したゲート線３５の一部分と、データ線３４のゲートチャンネル４３側の部分と、ゲートチャンネル４３と、キャリア収集電極３３のゲートチャンネル４３側の部分と、ゲート線３５／データ線３４・ゲートチャンネル４３・キャリア収集電極３３間に介在する絶縁膜４２とで、図９に示すように薄膜トランジスタＴｒを構成する。また、キャリア収集電極３３と、それに対向したグランド線４１、キャリア収集電極３３／グランド線４１間に介在する絶縁膜４２とで、図９に示すようにコンデンサＣａを構成する。
【００４９】
形成されたデータ線３４の断線もしくは短絡をステップＳ５の直後で検査するとともに、形成されたゲート線３５・データ線３４間の絶縁もしくは短絡をステップＳ５の直後で検査する（ステップＳ６）。断線の検査は、データ線３４の配線両端の抵抗値を直接に測定する、あるいはデータ線３４に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的なものであってもよいし、光学顕微鏡等により目視で画像認識を行うものであってもよい。短絡の検査も、互いに隣接するデータ線３４の間／データ線３４・グランド線（図示省略）の間の抵抗値を直接に測定する、あるいはデータ線３４・グランド線に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的なものであってもよいし、光学顕微鏡等により目視で画像認識を行うものであってもよい。また、ゲート線３５・データ線３４間の絶縁もしくは短絡の検査は、ゲート線３５・データ線３４の抵抗値を直接に測定する、あるいはゲート線３５・データ線３４に接続された端子に電気信号を送り込むことによる電気的なものであってもよいし、光学顕微鏡により目視で画像認識を行うものであってもよい。通常、ゲート線３５・データ線３４間は絶縁されているが、特殊な構造によってゲート線３５・データ線３４間が電気的に接続されている場合において、ゲート線３５・データ線３４間の絶縁の検査を行ってもよい。なお、データ線３４の検査も、データ線３４の形成と同様に、データ線３４のグランド線やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の検査も含む。このデータ線３４の検査は、この発明における第２の検査工程に相当し、ゲート線３５・データ線３４間の検査は、この発明における第３の検査工程に相当する。
【００５０】
もし、ステップＳ６でデータ線３４の断線もしくは短絡を発見したら、あるいはゲート線３５・データ線３４間の絶縁もしくは短絡を発見したら、その発見された断線もしくは短絡、あるいは絶縁もしくは短絡である故障箇所を修復する（ステップＳ７）。修復は、ゲート線３５の修復と同様に、レーザ照射によって冗長回路を溶融・接続することによる断線配線の接続であってもよいし、レーザ照射による短絡配線の切断であってもよいし、電圧印加によって絶縁膜を導電性に変えることによる断線配線の接続であってもよい。なお、データ線３４の修復も、データ線３４の形成や検査と同様に、データ線３４のグランド線やその他のバイアス線（例えば冗長回路）の修復も含む。このデータ線３４の修復は、この発明における第２の修復工程に相当し、この発明における第３の修復工程にも相当する。
【００５１】
データ線３４の形成（ステップＳ５）、検査（ステップＳ６）、修復（ステップＳ７）の後に、データ線３４の後に形成されるべき所定の形成部分を形成する（ステップＳ８）。具体的には、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、キャリア収集電極３３、データ線３４およびゲートチャンネル４３とともに、絶縁膜４２に絶縁膜４４を積層形成する。上述した半導体厚膜３１（図２や後述する図１１、図１２を参照）によって生成されたキャリアをキャリア収集電極３３に収集するために、半導体厚膜３１に直接に接触すべくキャリア収集電極３３の大部分には絶縁膜４４を積層形成せずに、キャリア収集電極３３の周囲のみを絶縁膜４４を積層形成する。すなわち、キャリア収集電極３３の部分を開口するように絶縁膜４４を積層形成する。そして、図１１に示すように、キャリア収集電極３３に直接に接触するように絶縁膜４４に半導体厚膜３１を積層形成する。
【００５２】
図１２に示すように、上述した電圧印加電極３２を半導体厚膜３１に積層形成する。絶縁膜４４、半導体厚膜３１および電圧印加電極３２は、データ線３４の後に形成されるべき所定の形成部分でもある。したがって、絶縁膜４４、半導体厚膜３１および電圧印加電極３２は、この発明における形成されるべき所定の形成部分に相当する。これらの絶縁膜４４、半導体厚膜３１および電圧印加電極３２の形成は、この発明における第２の後形成工程に相当し、第３の後形成工程にも相当する。
【００５３】
保護層（図示省略）を電圧印加電極３２に積層形成することで、キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４およびゲート線３５で構成された読み出しパターンを有したＦＰＤ３の一連の製造を終了する。
【００５４】
これらの読み出しパターンの形成については、蒸着を採用してもよいが、大気中で積層形成して、簡易に、かつ薄く製造するのであれば印刷塗布製膜を採用するのがより好ましい。印刷塗布製膜は、転写であってもよいし、インクジェット法であってもよい。もちろん、印刷塗布製膜以外の手法として、蒸着やスピンコートや電解メッキやスパッタリングなどのフォトリソグラフィ法によるパターン技術を採用して積層形成してもよいし、印刷塗布製膜（転写やインクジェット法）を採用して積層形成してもよいし、印刷塗布製膜以外の手法と印刷塗布製膜とを組み合わせて積層形成してもよい。
【００５５】
読み出しパターンを形成する絶縁基板３６は、上述したガラスに限定されず、プラスチックなどであってもよい。また、読み出しパターンを形成する基板は、本実施例では絶縁基板３６としたが、これに限定されない。例えば、ステンレス鋼などの金属であってもよい。絶縁膜４２，４４を形成する絶縁体については、ポリイミドやポリビニルフェノールなどの有機物であってもよいし、無機物であってもよい。
【００５６】
ゲート線３５、グランド線４１、キャリア収集電極３３、データ線３４および電圧印加電極３２を形成する導電体については、銀ペースト等の金属であってもよいし、無機物からなる薄膜（例えばＩＴＯなどの透明電極）や、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン系）やＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）などに代表される高導電性の有機物からなる薄膜であってもよい。ゲートチャンネル４３を形成する半導体については、ペンタセンなどの有機物からなる有機半導体であってもよいし、低温ポリシリコンあるいは半導体厚膜３１でも述べたようにアモルファスセレンなどの無機物からなる無機半導体であってもよい。逆に、半導体厚膜３１を形成する半導体についても、上述したアモルファスセレン以外に、放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質、あるいは光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であれば、有機半導体であってもよい。
【００５７】
このように、キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４およびゲート線３５から構成される読み出しパターンについて、読み出しパターンの全てを有機薄膜で積層形成してもよいし、読み出しパターンの少なくとも一部を有機薄膜で積層形成してもよいし、読み出しパターンを無機物で積層形成してもよい。有機薄膜の中でも、ペンタセンやナフタセンなどの単結晶に代表される有機低分子（本実施例ではゲートチャンネル４３をペンタセンで形成）と、有機高分子（本実施例ではＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン系）やＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）など）とがあり、両者のうちのいずれかを選択することで具体的な積層形成方法が異なる。読み出しパターンとして有機低分子を選択した場合には蒸着によって積層形成を行い、読み出しパターンとして有機高分子を選択した場合には印刷塗布製膜（転写やインクジェット法）によって積層形成を行う。
【００５８】
また、有機高分子以外を選択した場合でも、インクジェット法でナノサイズ（１０−９ｍｍ程度）からなる導電性インクを吹き付けてゲート線３５、グランド線４１、キャリア収集電極３３、データ線３４あるいは電圧印加電極３２を形成することが可能である。また、インクジェット法でナノサイズ（１０−９ｍｍ程度）からなる半導体インクを吹き付けて、ゲートチャンネル４３を吹き付けることが可能である。
【００５９】
したがって、データ線３４およびゲート線３５の少なくとも一部を有機薄膜以外の無機薄膜や金属で積層形成する場合でも、印刷塗布製膜（転写やインクジェット法）によって積層形成を行うことが可能である。この場合には、好ましくは酸化し難い材料（例えば銀や金や白金などの貴金属）をナノサイズ（１０−９ｍｍ程度）の粒子にして、吹き付けてデータ線３４やゲート線３５の積層形成を行う。また、データ線３４やゲート線３５のような配線を、上述した蒸着や印刷以外のフォトリソグラフィ法によるパターン技術（例えばスピンコートや電解メッキやスパッタリングなど）を利用して積層形成してもよい。
【００６０】
図４のフローでは、第１の配線形成工程に相当するステップＳ１、第１の検査工程に相当するステップＳ２、第１の修復工程に相当するステップＳ３の後に、ステップＳ４の絶縁膜などを含んだゲート線３５の後形成（第１の後形成工程）を経て、第２の配線形成工程に相当するステップＳ５、第２の検査工程に相当するステップＳ６（第３の検査工程も兼用）、第２の修復工程に相当するステップＳ７（第３の修復工程も兼用）を行っている。すなわち、アドレス信号線に相当するゲート線３５の形成、検査、修復を先に行った後に、データ信号線に相当するデータ線３４の形成、検査、修復を行っている。
【００６１】
図４のフローのように、ゲート線３５の形成、検査、修復（第１の配線形成工程、第１の検査工程、第１の修復工程）を先に行った後に、データ線３４の形成、検査、修復（第２の配線形成工程、第２の検査工程、第２の修復工程）を行う必要はなく、データ線３４の形成、検査、修復（第２の配線形成工程、第２の検査工程、第２の修復工程）を行った後に、ゲート線３５の形成、検査、修復（第１の配線形成工程、第１の検査工程、第１の修復工程）を行ってもよい。図１３では、図４のステップＳ１〜Ｓ４、Ｓ５〜Ｓ８の順序が入れ替わっている。各ステップの説明は図４と同じであるので、その説明を省略する。なお、図１３では、ゲート線３５に関するステップＳ１〜Ｓ４を後で行うことから、ステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１は、この発明における第３の配線形成工程に相当し、ステップＳ２は、この発明における第１の検査工程・第３の検査工程に相当し、ステップＳ３は、この発明における第１の修復工程・第３の修復工程に相当する。
【００６２】
上述した本実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３の製造方法によれば、ステップＳ１ではゲート線３５を形成し、そのステップＳ１で形成されたゲート線３５の断線もしくは短絡を、ステップＳ２では上述したステップＳ１の直後で検査する。したがって、ステップＳ２で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所をステップＳ３で確実に修復することができる。そして、ゲート線３５の後に形成されるべき所定の形成部分（本実施例では絶縁膜４２、ゲートチャンネル４３およびキャリア収集電極３３）を、ステップＳ４では上述したステップＳ３の後で形成する。その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、完成してからでは判別しにくい不良を事前に除去することができるので、高価な検査装置が不要となるという効果をも奏する。
【００６３】
一方で、本実施例では、ステップＳ５ではデータ線３４を形成し、そのステップＳ５で形成されたデータ線３４の断線もしくは短絡を、ステップＳ６では上述したステップＳ５の直後で検査する。したがって、ステップＳ６で断線もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所をステップＳ７で確実に修復することができる。そして、データ線３４の後に形成されるべき所定の形成部分（本実施例では絶縁膜４４、半導体厚膜３１および電圧印加電極３２）を、ステップＳ８では上述したステップＳ７の後で形成する。その結果、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、完成してからでは判別しにくい不良を事前に除去することができるので、高価な検査装置が不要となるという効果をも奏する。
【００６４】
また、本実施例では、図４のフローでは、ステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５ではゲート線３５・データ線３４を、絶縁膜５１を介してそれぞれ形成し、ステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５で形成されたゲート線３５・データ線３４間の絶縁もしくは短絡を、ステップＳ６では上述したステップＳ５の直後で検査する。したがって、ステップＳ６で絶縁もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所をステップＳ７で確実に修復することができる。そして、ゲート線３５・データ線３４の後に形成されるべき所定の形成部分（本実施例では絶縁膜４４、半導体厚膜３１および電圧印加電極３２）を、ステップＳ８では上述したステップＳ７の後で形成する。
【００６５】
一方、本実施例では、図１３のフローでは、ステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１ではデータ線３４・ゲート線３５を、絶縁膜を介してそれぞれ形成し、ステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１で形成されたデータ線３４・ゲート線３５間の絶縁もしくは短絡を、ステップＳ２では上述したステップＳ１の直後で検査する。したがって、ステップＳ２で絶縁もしくは短絡である故障箇所を確実に発見することができる。そして、発見された故障箇所をステップＳ３で確実に修復することができる。そして、データ線３４・ゲート線３５の後に形成されるべき所定の形成部分を、ステップＳ４では上述したステップＳ３で形成する。
【００６６】
その結果、図４のフローや図１３のフローにおいても、故障箇所を確実に除去することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、完成してからでは判別しにくい不良を事前に除去することができるので、高価な検査装置が不要となるという効果をも奏する。
【００６７】
この発明では、ＦＰＤ３の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成する場合に有用である。上述したように、印刷塗布製膜の場合には大気中でＦＰＤ３の少なくとも一部を形成することが可能なので、ステップＳ１の直後でステップＳ２での検査を、ステップＳ５の直後でステップＳ６での検査を、図４のフローではステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５のステップＳ５の直後でステップＳ６での検査を、図１３のフローではステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１のステップＳ１の直後でステップＳ２での検査を行うことが可能で、ＦＰＤ３を製造する工程で、その効果を発揮することができる。
【００６８】
特に、ゲート線３５を形成する場合には、ゲート線３５の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成すると、大気中でゲート線３５の少なくとも一部を形成することが可能なので、ステップＳ１の直後でステップＳ２での検査を、あるいは図１３のフローではステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１の直後でステップＳ２での検査を行うことが可能で、ＦＰＤ３を製造する工程で、その効果を発揮することができる。特に、インクジェット法ならば、形成したい所定の部分にインクを滴下するのが可能であるので、例えば、ゲート線３５の断線箇所のみを再接続するといった修復工程の挿入が可能となるという効果をも奏する。
【００６９】
また、データ線３４を形成する場合には、データ線３４の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成すると、大気中でデータ線３４の少なくとも一部を形成することが可能なので、ステップＳ５の直後でステップＳ６での検査を、あるいは図４のフローではステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５の直後でステップＳ６での検査を行うことが可能で、ＦＰＤ３を製造する工程で、その効果を発揮することができる。特に、インクジェット法ならば、形成したい所定の部分にインクを滴下するのが可能であるので、例えば、データ線３４の断線箇所のみを再接続するといった修復工程の挿入が可能となるという効果をも奏する。
【００７０】
また、データ線３４およびゲート線３５を形成する場合には、ゲート線３５、データ線３４のうちの少なくともいずれか一方の信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成すると、大気中でデータ線３４／ゲート線３５の少なくとも一部を形成することが可能なので、ステップＳ１の直後でステップＳ２での検査を、ステップＳ５の直後でステップＳ６での検査を、図１３のフローではステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１の直後でステップＳ２での検査を行い、図４のフローではステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５の直後でステップＳ６での検査を行うことが可能で、ＦＰＤ３を製造する工程で、その効果を発揮することができる。特に、インクジェット法ならば、形成したい所定の部分にインクを滴下するのが可能であるので、例えば、データ線３４／ゲート線３５の断線箇所のみを再接続するといった修復工程の挿入が可能となるという効果をも奏する。
【００７１】
本実施例では、光に関する素子は受光素子（検出素子ＤＵ）である。受光素子の場合には、データ信号線は、受光によって検出された信号を読み出すための読み出し信号線（データ線３４）となり、アドレス信号線は、その読み出しを制御するための読み出し制御線（ゲート線３５）となる。また、本実施例では、デバイスは薄膜トランジスタＴｒなどの能動素子を備えたアクティブマトリックスデバイスである。光が放射線の場合には、受光素子（検出素子ＤＵ）を、図３に示すように２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスは、マトリックス放射線検出器（本実施例ではフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３）となり、本実施例のようにアクティブマトリックスデバイスでは、アクティブマトリックス放射線検出器（本実施例ではフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３）となる。
【００７２】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００７３】
（１）上述した実施例では、図１に示すようなＸ線透視撮影装置を例に採って説明したが、この発明は、例えばＣ型アームに配設されたＸ線透視撮影装置にも適用してもよい。また、この発明は、Ｘ線ＣＴ装置にも適用してもよい。
【００７４】
（２）上述した実施例では、入射した放射線を半導体厚膜３１（変換層）によって電荷情報に直接に変換した、「直接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用したが、入射した放射線をシンチレータなどの変換層によって光に変換し、光感応型の物質で形成された半導体層によってその光を電荷情報に変換する「間接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用してもよい。光感応型の半導体層については、フォトダイオードで形成してもよい。
【００７５】
（３）上述した実施例では、Ｘ線を検出するＸ線検出器を例に採って説明したが、この発明は、ＥＣＴ（Emission Computed Tomography）装置のように放射性同位元素（ＲＩ）を投与された被検体から放射されるγ線を検出するγ線検出器に例示されるように、放射線を検出する放射線検出器であれば特に限定されない。同様に、この発明は、上述したＥＣＴ装置に例示されるように、放射線を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。
【００７６】
（４）上述した実施例では、Ｘ線などに代表される放射線検出器を例に採って説明したが、この発明は、放射線以外の光（例えば赤外線、可視光線、紫外線など）を検出する光検出器のような受光素子で構成された光マトリックスデバイスにも適用できる。したがって、光を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。
【００７７】
（５）上述した実施例では、受光素子（実施例では検出素子ＤＵ）で構成された光マトリックスデバイスを例に採って説明したが、この発明は、図１４に示すような発光素子（例えば発光ダイオードや有機エレクトロルミネセンス等）６０で構成された光マトリックスデバイスにも適用できる。なお、上述した実施例では、アドレス信号線がゲート線３５であるとともに、データ信号線がデータ線３４であって、ゲート線３５とデータ線３４とが２次元マトリックス状に配列されているが、図１４では、アドレス信号線６１とデータ信号線６２とをそれぞれ選択することで、選択された発光素子６０を発光させる。したがって、上述した実施例における図２、図３でのデータ線３４の流れと、この図１４でのデータ信号線６２の流れとは逆方向であることに留意されたい。
【００７８】
（６）上述した実施例では、アクティブマトリックスデバイスを例に採って説明したが、この発明は、図１４（ａ）に示す能動素子（薄膜トランジスタＴｒ）を備えたアクティブマトリックス以外にも、図１４（ｂ）に示すようなパッシブマトリックスデバイスにも適用できる。
【００７９】
（７）インクジェット法を適用した場合において、インクジェットプリンタのプリンタヘッドと、検査用のプローバが同じ製造装置内に併設されているのが好ましい。併設することで、検査を即座に行うことができ、故障箇所をより確実に発見することができ、発見された故障箇所をより確実に修復することができる。
【００８０】
（８）上述した実施例では、図４のフローでは、第１の配線形成工程に相当するステップＳ１、第１の検査工程に相当するステップＳ２、第１の修復工程に相当するステップＳ３、ステップＳ４の絶縁膜などを含んだゲート線３５の後形成（第１の後形成工程）を経て、第２の配線形成工程に相当するステップＳ５、第２の検査工程に相当するステップＳ６（第３の検査工程も兼用）、第２の修復工程に相当するステップＳ７（第３の修復工程も兼用）を行い、第３の配線形成工程に相当するステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５を全て行ったが、必ずしも全部行う必要はない。データ信号線（実施例ではデータ線３４）の検査・修復が必要なければ、図４のフローを参照すると、第２の検査工程に相当するステップＳ６、第２の修復工程に相当するステップＳ７を省いて、第１の配線形成工程に相当するステップＳ１、第１の検査工程に相当するステップＳ２、第１の修復工程に相当するステップＳ３、ステップＳ４の絶縁膜などを含んだゲート線３５の後形成を経て、第２の配線形成工程に相当するステップＳ５のみを行えばよい。逆に、アドレス信号線（実施例ではゲート線３５）の検査・修復が必要なければ、図４のフローを参照すると、第１の検査工程に相当するステップＳ２、第１の修復工程に相当するステップＳ３を省いて、第１の配線形成工程に相当するステップＳ１、ステップＳ４の絶縁膜などを含んだゲート線３５の後形成を経て、第２の配線形成工程に相当するステップＳ５、第２の検査工程に相当するステップＳ６、第２の修復工程に相当するステップＳ７のみを行ってもよい。また、データ信号線（実施例ではデータ線３４）の検査・修復、およびアドレス信号線（実施例ではゲート線３５）の検査・修復が必要なければ、アドレス信号線・データ信号線間の絶縁もしくは短絡を検査・修復するために、図４のフローの場合には、第３の配線形成工程に相当するステップＳ１，Ｓ４，Ｓ５を行って、第３の検査工程に相当するステップＳ６、第３の修復工程に相当するステップＳ７のみを行ってもよい。図１３のフローの場合も同様である。
【００８１】
（９）上述した実施例では、データ線３４やゲート線３５などの各配線を全て形成してから検査・修復を行ったが、１本ごと、あるいは複数本ごとに形成した後に検査・修復を行うという工程を複数回繰り返してもよい。また、図１５（検出素子等の図示を省略）に示すように、例えばデータ線３４が中央を境界にして、上下に別れて延びている場合には、一方のデータ線３４を形成した後に検査・修復を行った後に、他方のデータ線３４を形成した後に検査・修復を行ってもよい。
【００８２】
（１０）形成されるべき所定の形成部分は構造によって適宜変更される。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
以上のように、この発明は、テレビジョンやパーソナルコンピュータのモニタとして用いられる薄型画像ディスプレイや、医療分野や、非破壊検査、ＲＩ(Radio Isotope)検査を含む産業分野などに用いられる放射線撮像センサなどに適している。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】実施例に係るＸ線透視撮影装置のブロック図である。
【図２】Ｘ線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【図３】平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【図４】実施例に係る一連の製造工程の流れを示すフローチャートである。
【図５】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図６】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図７】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図８】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図９】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１０】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１１】実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略断面図である。
【図１２】実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の製造工程を示す概略断面図である。
【図１３】図４とは別の一連の製造工程の流れを示すフローチャートである。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、発光素子で構成された光マトリックスデバイスの等価回路である。
【図１５】データ線が中央を境界にして、上下に別れて延びている場合におけるフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【符号の説明】
【００８５】
３ … フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）
３４ … データ線
３５ … ゲート線
ＤＵ … 検出素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線を形成する第１の配線形成工程と、その第１の配線形成工程で形成された前記アドレス信号線の断線もしくは短絡を前記第１の配線形成工程の直後で検査する第１の検査工程と、その第１の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第１の修復工程と、前記アドレス信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第１の修復工程の後で形成する第１の後形成工程とを備えることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項２】
光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成する第２の配線形成工程と、その第２の配線形成工程で形成された前記データ信号線の断線もしくは短絡を前記第２の配線形成工程の直後で検査する第２の検査工程と、その第２の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第２の修復工程と、前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第２の修復工程の後で形成する第２の後形成工程とを備えることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成する第２の配線形成工程と、その第２の配線形成工程で形成された前記データ信号線の断線もしくは短絡を前記第２の配線形成工程の直後で検査する第２の検査工程と、その第２の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第２の修復工程と、前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第２の修復工程の後で形成する第２の後形成工程とを備えることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項４】
光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線と前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線とを、絶縁膜を介してそれぞれ形成する第３の配線形成工程と、その第３の配線形成工程で形成された前記アドレス信号線・前記データ信号線間の絶縁もしくは短絡を前記第３の配線形成工程の直後で検査する第３の検査工程と、その第３の検査工程で発見された絶縁もしくは短絡である故障箇所を修復する第３の修復工程と、前記アドレス信号線・前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第３の修復工程の後で形成する第３の後形成工程とを備えることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記デバイスの少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成することを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項１、請求項３または請求項４のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記アドレス信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成することを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項２から請求項４のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記データ信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成することを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項３または請求項４に記載の記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記アドレス信号線、前記データ信号線のうちの少なくともいずれか一方の信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成することを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記光に関する素子は受光素子であることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記光に関する素子は発光素子であることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記デバイスは、アクティブマトリックスデバイスであることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記デバイスは、パッシブマトリックスデバイスであることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記光は放射線であることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１】
光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線を形成する第１の配線形成工程と、その第１の配線形成工程で形成された前記アドレス信号線の断線もしくは短絡を前記第１の配線形成工程の直後で検査する第１の検査工程と、その第１の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第１の修復工程と、前記アドレス信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第１の修復工程の後で形成する第１の後形成工程とを備えることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項２】
光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成する第２の配線形成工程と、その第２の配線形成工程で形成された前記データ信号線の断線もしくは短絡を前記第２の配線形成工程の直後で検査する第２の検査工程と、その第２の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第２の修復工程と、前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第２の修復工程の後で形成する第２の後形成工程とを備えることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線を形成する第２の配線形成工程と、その第２の配線形成工程で形成された前記データ信号線の断線もしくは短絡を前記第２の配線形成工程の直後で検査する第２の検査工程と、その第２の検査工程で発見された断線もしくは短絡である故障箇所を修復する第２の修復工程と、前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第２の修復工程の後で形成する第２の後形成工程とを備えることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項４】
光に関する素子を２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスを製造する方法であって、前記各素子のアドレス位置を指定制御するアドレス信号線と前記各素子のデータ位置を指定制御するデータ信号線とを、絶縁膜を介してそれぞれ形成する第３の配線形成工程と、その第３の配線形成工程で形成された前記アドレス信号線・前記データ信号線間の絶縁もしくは短絡を前記第３の配線形成工程の直後で検査する第３の検査工程と、その第３の検査工程で発見された絶縁もしくは短絡である故障箇所を修復する第３の修復工程と、前記アドレス信号線・前記データ信号線の後に形成されるべき所定の形成部分を前記第３の修復工程の後で形成する第３の後形成工程とを備えることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記デバイスの少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成することを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項１、請求項３または請求項４のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記アドレス信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成することを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項２から請求項４のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記データ信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成することを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項３または請求項４に記載の記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記アドレス信号線、前記データ信号線のうちの少なくともいずれか一方の信号線の少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成することを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記光に関する素子は受光素子であることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記光に関する素子は発光素子であることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記デバイスは、アクティブマトリックスデバイスであることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記デバイスは、パッシブマトリックスデバイスであることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記光は放射線であることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００９−４９０４８（Ｐ２００９−４９０４８Ａ）
【公開日】平成２１年３月５日（２００９．３．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２１０９９５（Ｐ２００７−２１０９９５）
【出願日】平成１９年８月１３日（２００７．８．１３）
【出願人】（０００００１９９３）株式会社島津製作所 (3,708)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月５日（２００９．３．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月１３日（２００７．８．１３）
【出願人】（０００００１９９３）株式会社島津製作所 (3,708)
【Ｆターム（参考）】
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