【課題】本発明は、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】キャップ層と、磁化固着層と、前記キャップ層と前記磁化固着層との間に設けられた磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられたトンネル絶縁スペーサ層と、前記磁化固着層中、前記磁化固着層と前記トンネル絶縁スペーサ層との間、前記トンネル絶縁スペーサ層と前記磁化自由層との間、前記磁化自由層中、及び前記磁化自由層と前記キャップ層との間の何れかに設けられ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＣｄから選択される少なくとも１つの元素、並びにＦｅ、Ｃｏ、及びＮｉから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化物を有する機能層と、を備えた積層体と、前記積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比の低下や再生分解能の劣化を発生させることなく、スピントランスファトルクに起因する磁気ノイズを抑制する。
【解決手段】本発明は、第１磁気シールド７２ａと、第２磁気シールド７２ｂと、第１磁気シールド７２ａと、第２磁気シールド７２ｂと、の間に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１磁化自由層１０３を含む磁気抵抗効果膜７１と、磁気抵抗効果膜７１と、第１磁気シールド７２ａと、の間に設けられ、第１磁気シールド７２ａよりも飽和磁束密度が高い第３磁気シールド７２ｃと、を有する再生ヘッド部７０を備えた磁気ヘッド１１０である。 （もっと読む）

【課題】外部からの磁場を遮蔽する磁気シールド効果が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたスイッチング素子ＴＲを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＩＩ１と、平板状の引出配線ＬＥＬと、引出配線ＬＥＬとスイッチング素子ＴＲとを接続する接続配線ＩＣＬと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層ＭＦＬを含み、引出配線ＬＥＬ上に形成された磁気抵抗素子ＴＭＲとを備える。磁化自由層ＭＦＬの磁化状態を変化させることが可能な配線ＤＬと配線ＢＬとを備えている。磁気抵抗素子ＴＭＲが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子ＴＭＲの上部に配置された第１の高透磁率膜ＣＬＡＤ２が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｏ−Ｆｅバッファ層を備える膜面垂直通電（ＣＰＰ）読出しセンサを提供する。
【解決手段】 ピン止めおよび磁気抵抗特性を改善するために、Ｃｏ−Ｆｅバッファ層を備える膜面垂直通電（ＣＰＰ）読出しセンサが、提案される。この読出しセンサは、それぞれキーパ層構造の下側部分と上側部分にある第１と第２のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、それぞれ基準層構造の下側部分と上側部分にある第３と第４のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、検知層構造の下側部分にある第５のＣｏ−Ｆｅバッファ層を含む。第１のバッファ層は、ピン止め層に隣接して、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特定の組成を有する。第２と第３のバッファ層は、反平行結合層に隣接し、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特別な組成を有する。第４と第５のバッファ層は、バリアおよびスペーサ層に隣接し、磁気抵抗特性を改善するための特定の組成を有する。 （もっと読む）

【課題】膜面垂直通電（ＣＰＰ）読み取りセンサの縦バイアス積層構造を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ読み取りセンサの検知層構造を安定化させるための、改良された縦バイアス積層構造を有する読み取りヘッドが提供される。縦バイアス積層構造は、２つの側部領域の各々において、絶縁層によってＣＰＰ読み取りセンサから分離され、絶縁層とＣＰＰ読み取りセンサとともに、読み取りヘッド内の上側および下側強磁性シールドの間に挟まれる。本発明の好ましい実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層を含み、シード層を持たないため、絶縁層のみの厚さで、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層とＣＰＰ読み取りセンサの間の間隔が決定される。シード層を持たないＦｅ−Ｐｔ縦バイアス層は、アニーリング後に良好な膜面内の硬磁性を呈し、間隔が狭いため、この安定化方式は有効である。 （もっと読む）

【課題】電流誘起磁壁移動を利用して書き込みを行うメモリセルを有する磁気メモリにおいて、より低い書き込み電流で書き込み可能にするための技術を提供する。
【解決手段】磁気メモリのメモリセル８０が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのいずれか、又はこれらの群から選択される２以上の材料からなる第１下地層４１と、第１下地層４１の上に形成された、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕのいずれか、又はこれらの群から選択される２以上の材料からなる第２下地層４２と、第２下地層４２の上に形成された、垂直磁気異方性を有する磁壁移動層１０とを備えている。磁壁移動層１０は、磁化方向が反転可能な磁化自由領域１３を有しており、磁化自由領域１３の磁化方向は、書き込み電流を磁化自由領域１３に流すことによって電流誘起磁壁移動によって反転される。第２下地層の膜厚は、０．９ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 大きなＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 磁化固着層５と、磁化自由層７と、磁化固着層５と磁化自由層７との間に設けられた非磁性層６と、磁化自由層７の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられたＡｕを含む第１の金属層４と、第１の金属層４の磁化自由層７が設けられた側とは反対の側に設けられたＣｕＮｉ合金を含む第２の金属層３と第２の金属層３の第１の金属層４が設けられた側とは反対の側に設けられた第１の電極２と、磁化固着層５の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられた第２の電極８とを備え、磁化固着層５及び磁化自由層７の一方がハーフメタルを含み、第１の電極２から第２の電極８に向かって電流が流れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 小さな駆動電流で効率よく高周波磁界を発生させることができる磁気記録ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の強磁性層１０ｂと、第２の強磁性層３０と、第１の強磁性層１０ｂと第２の強磁性層３０との間に設けられた中間層２２と、第１の強磁性層１０ｂの中間層２２が設けられた側とは反対側に設けられたＣｏＩｒ合金を含む第３の強磁性層１０aと、第３の強磁性層１０aの第１の強磁性層１０ｂが設けられた側とは反対の側に設けられた主磁極６１（第１の磁極）と、第２の強磁性層３０の中間層２２が設けられた側とは反対の側に設けられたリータンパス６２（第２の磁極）とを備えることを特徴とする磁気記録ヘッド１１０。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに磁気メモリを提供することを可能にする。
【解決手段】第１磁性層１４と、第１磁性層上に設けられたトンネルバリア層１６と、トンネルバリア層上に設けられＣｏＦｅを含む第２磁性層１８ａと、第２磁性層上に設けられ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｅのうちの少なくとも１つの元素および窒素を含む非磁性層１９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】検波出力や発振出力等の点で、著しい特性向上は困難である。
【解決手段】マイクロ波素子１００は、面内磁化膜の磁化自由層１０３と、面内磁化膜の磁化固定層１０５と、磁化自由層１０３と磁化固定層１０５の間に設けられたトンネルバリア層１０４とを有する磁気抵抗素子を用いたマイクロ波素子において、磁気抵抗素子の膜面直方向の軸から３°以上３０°以下の外部磁界を印加する外部磁界印加機構３０２と、磁化固定層１０５の膜面直方向の反磁界に対する磁化自由層１０３の膜面直方向の反磁界の比が０．５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率を向上した磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、絶縁層１６１と、絶縁層を貫通する導電部１６２と、を含む中間層１６と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。本製造方法は、絶縁層と、絶縁層を貫通する導電部１６ｐと、を含む構造体を形成する工程（ステップＳ１１０）と、構造体に、希ガスを含むイオン及びプラズマの少なくともいずれかの照射を行う第１処理工程（ステップＳ１２０）と、第１処理工程が施された構造体に対して、酸素及び窒素の少なくともいずれかのガスへの曝露、イオンビーム照射及びプラズマ照射の少なくともいずれかを行う第２処理工程（ステップＳ１３０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小さな電流密度でスピン注入磁化反転することができる、スピン注入デバイス及びスピン注入磁気装置並びに磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】 単層の強磁性固定層２６からなるスピン偏極部９とスピン偏極部９上に形成された第１の非磁性層からなる注入接合部７とを有しているスピン注入部１と、スピン注入部１に接して設けられる強磁性フリー層２７と、強磁性フリー層２７の表面に形成された第２の非磁性層２８と、を備え、第１の非磁性層が絶縁体または導電体からなり、第２の非磁性層２８がＲｕ、Ｉｒ、Ｒｈの何れかでなり、外部磁界を印加しないで、且つ、スピン偏極部９と強磁性フリー層２７の表面に形成される第２の非磁性層２８との膜面垂直方向に電流を流して強磁性フリー層２７の磁化を反転させる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス頻度を低減でき、適切なメンテナンス時期を見極めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、イオンを発生させるイオン源４０と、イオン源４０からのイオンビーム４５を受けるターゲット３６と、第一真空容器１１内に収容されてターゲット３６からのスパッタ粒子４６を受けるウエハ１を保持するウエハホルダ１８と、第二真空容器２２へのスパッタ粒子４６の付着を抑制する防着板５１と、防着板５１へ付着するスパッタ粒子４６の付着量を予測する付着量予測部６１とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気特性を損なうことなく、より小さなＦＬＷを有する磁気抵抗効果素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この磁気抵抗効果素子の形成方法は、基体の上にＭＴＪスタックを形成することと、ＭＴＪスタックをパターニングしてＦＬＷが第１の幅であるＭＴＪ素子を形成することと、２０°未満の入射角のイオンビームを用いた第１のＩＢＥ処理を行い、ＦＬＷを第１の幅よりも狭い第２の幅とすることと、（ｄ）６０°を超える入射角のイオンビームを用い、弧を描くような掃引動作を伴いながら第２のＩＢＥ処理を行い、第１のＩＢＥ処理の際に生じた残渣を除去すると共に、ＦＬＷを第２の幅よりも狭い第３の幅とすることと、２０°未満の入射角のイオンビームを用いた第３のＩＢＥ処理を行い、第２のＩＢＥ処理で生じた側壁における損傷部分を除去すると共にＦＬＷを第３の幅よりも狭い第４の幅とすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、固定抵抗素子を磁気抵抗効果素子よりも少ない積層数にて、電気抵抗値Ｒｓ及び抵抗温度係数（ＴＣＲ）が磁気抵抗効果素子とほぼ同等になるように調整できる磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態における磁気センサ１は、基板２上に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されて成る磁気抵抗効果素子１０と、前記磁気抵抗効果素子１０と電気的に接続された固定抵抗素子２０とを有し、前記固定抵抗素子２０は、Ｆｅ単層２２と、前記Ｆｅ単層２２よりも抵抗温度係数（ＴＣＲ）が低い非磁性層２１とを積層して構成され、前記磁気抵抗効果素子１０よりも積層数が少ないことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子への不純物の侵入や応力の負荷を抑制し、低い駆動電力で高精度に作動する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面上に位置する磁気抵抗素子ＭＲＤとを備えている。その他、保護層ＩＩＩと、配線ＢＬと、第１上部電極ＵＥＬ１と、第２上部電極ＵＥＬ２とを備えている。保護層ＩＩＩは、磁気抵抗素子ＭＲＤの側面を覆うように配置されている。配線ＢＬは、上記磁気抵抗素子ＭＲＤの上部に位置する。第１上部電極ＵＥＬ１は、上記磁気抵抗素子ＭＲＤ上に、平面視における大きさが磁気抵抗素子ＭＲＤと実質的に同じであるものが配置されている。第２上部電極ＵＥＬ２は、上記第１上部電極ＵＥＬ１上にて、上記第１上部電極ＵＥＬ１と電気的に接続されており、平面視における大きさが第１上部電極ＵＥＬ１より大きい。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が充分大きいことと、ピン層の保磁力が充分大きく、フリー層の保磁力を小さくすることとが両立された磁気センサを提供すること。
【解決手段】基板１上に下地層２と、シード層３と、ピン層４と、トンネル障壁層５と、フリー層６と、キャップ層７と、がこの順に設けられてなり、前記フリー層６及び前記ピン層４は、一部または全部がアモルファス磁性材料からなる磁化固定層を有し、前記フリー層６及び／または前記ピン層４が有する磁化固定層は、前記トンネル障壁層５側から順に、アモルファス磁性材料層Ｂと、アモルファス磁性材料層Ａとを少なくとも備え、前記アモルファス磁性材料層Ｂが含有するアモルファス磁性材料ｂは、前記アモルファス磁性材料層Ａが含有するアモルファス磁性材料ａよりも、結晶化温度あるいは微細結晶化温度が低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。第１の強磁性層の上面はプラズマエッチ処理がなされている。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】センサーの出力が線形となり、有効利用可能な測定信号を容易に得ることができる測定アセンブリを提供する。
【解決手段】本発明は、磁界の強度を計測するための磁気抵抗磁界センサーと電子処理回路とを有する。センサーは、基準要素（２）と分離要素（３）と磁界を感知する要素（４）との積層体（１）を備え、基準要素（２）と感知要素（４）がそれぞれ第１方向と第２方向における第１磁気異方性と第２磁気異方性を有する。感知要素（４）は、強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体からなっており、この重畳体は、測定用磁界の方向における成分が、測定用磁界の強度の関数として可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメント（１０）を与えるようになっている。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化材料を適用し、ＴＭＲ比の高い磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】ＣｏＦｅＢ層４１／ＭｇＯバリア層１０／ＣｏＦｅＢ層４２の外側に融点が１６００℃以上の単体金属、もしくはその金属を含んだ合金からなる中間層３１，３２を挿入する。中間層３１，３２の挿入により、アニール時におけるＣｏＦｅＢ層の結晶化をＭｇＯ（００１）結晶側から進行させ、ＣｏＦｅＢ層をｂｃｃ（００１）で結晶配向させる。 （もっと読む）