【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 （もっと読む）

低抵抗率および高移動度を持つ安定したｐ型ＺｎＯ薄膜を成長させるための方法が、提供される。本方法は、ｎ型Ｌｉ−Ｎｉ共ドープＺｎＯターゲットをチャンバー中に提供することと、基板をチャンバー中に提供することと、ターゲットをアブレーションして薄膜を基板に形成することとを含む。
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【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板７１を用意し、この単結晶シリコン基板７１上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層７２を形成し、この単結晶シリコン犠牲層７２上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層７２より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層７２を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を製造する。 （もっと読む）

【課題】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法を提供する。
【解決手段】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法であって、パルスレーザ源を提供し、前記パルスレーザ源が出射するレーザ１を透明な基板３を介してターゲット５上に集光させて、前記レーザのエネルギーを使用して前記ターゲットの部分を融除又は蒸発させ、前記基板を前記ターゲットに対して並進運動させる、前記融除又は蒸発された前記ターゲットの材料が前記基板上に堆積し、前記基板上にパターン構造を形成できるようにする。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有するヘテロ界面の形成、ひいては高い選択性を持ったＩｎＰエッチストッパー層の形成を実現するエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、ＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、第１のＶ族元素の供給量が第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層上に第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物単結晶を生産することが可能な窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る窒化物単結晶の製造方法は、異種基板１を準備する工程と、上記異種基板１上に窒化物単結晶膜３を形成する工程とを備える。上記異種基板１が前記窒化物単結晶膜３の成膜温度範囲内で昇華する材料からなり、上記窒化物単結晶膜３を形成する工程では、上記異種基板１の昇華温度以下の温度から成膜を開始し、その後、上記異種基板１の昇華温度以上の温度に成膜温度を上げる。窒化物単結晶膜３はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮであり、異種基板１はＳｉＣであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板上に金属と活性窒素種とを供給して反応させる窒化物半導体薄膜の製造方法において、金属と活性窒素種との供給比率を容易に制御可能とし、且つ、結晶品質や表面平坦性に優れた窒化物半導体薄膜を形成可能とする手段を提供する。
【解決手段】窒化物半導体薄膜の製造方法は、インジウムをストイキオメトリ条件Ｓを越えて過剰に供給する金属過剰供給工程と、該金属過剰供給工程で基板１０の上に析出したインジウムドロップレット１５を、活性窒素種１２をストイキオメトリ条件Ｓに達するまで供給することによってインジウムナイトライド層１６に転換するドロップレット転換工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に単結晶４Ｈ−ＳｉＣ又は単結晶６Ｈ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ基板５を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に、前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら１５００℃以上２２００℃以下で加熱制御する。これによって、当該単結晶ＳｉＣ基板５の表面が、単結晶ＳｉＣ基板を構成するＳｉＣ分子の積層方向の１周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端し、分子レベルで平坦化される。前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面におけるSi等の材料から成る対象表面部のみに選択的に薄膜を形成するうえで、CVD法を用いることなく、簡便に基板上に選択的に膜を形成する選択的膜製造方法を提供する。
【解決手段】圧力10〜202kPa(76〜1520Torr)の水素及び希ガスの混合ガスを主体とする反応ガスが充填された反応室内に、比較的高温に保持した基板、及び、比較的低温に保持した、水素化物が揮発性であるターゲットを平行に配置し、基板とターゲットの間に放電を生起させることで、対象表面部上と、他の表面上との間での膜堆積速度の違いを利用して対象表面部上に選択的にターゲットの薄膜を形成する。希ガスとしてはHeやNeを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンス強度が高い井戸層を有する量子井戸構造、半導体レーザ、フォトルミネッセンス強度が高い化合物半導体層を製造する方法及び化合物半導体層のフォトルミネッセンス強度を用いてＭＢＥ装置の状態を管理する方法を提供する。
【解決手段】量子井戸構造は、ＩｎＧａＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓからなる井戸層を有し、井戸層の酸素濃度が５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

本開示は、概して、制御された量子ドットを成長させる技法、および量子ドットの構造に関する。いくつかの例では、基板を用意することと、基板上に欠陥を形成することと、基板上に層を堆積することと、欠陥に沿って量子ドットを形成することとのうちの１つまたは複数を含む方法が記載されている。
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【課題】表面の清浄度及び平坦性に優れた酸化亜鉛基板を得るための酸化亜鉛基板の表面処理方法、及び該方法で処理された酸化亜鉛基板を使用する酸化亜鉛結晶の製造方法の提供。
【解決手段】真空チャンバ１３内で加熱された酸化亜鉛基板３の表面に、ガリウム蒸発源１１からのガリウム分子線ビームを照射して、前記酸化亜鉛基板３の表面をエッチングすることを特徴とする酸化亜鉛基板３の表面処理方法；かかる方法で酸化亜鉛基板３の表面を処理し、次いでその表面において、亜鉛源６、プラズマ励起酸素源５６により、酸化亜鉛結晶を成長させることを特徴とする酸化亜鉛結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない良質な単結晶インゴットが形成される炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、上部が開口され、底部１１ａに昇華用原料５０を収容する反応容器本体１１と、該反応容器本体１１の上部開口１１ｂを覆う蓋体１２と、該蓋体１２の裏面側と種結晶６０との間に配設される保護部材１４とを備え、前記種結晶６０を前記昇華用原料５０に対向して配置し、前記昇華用原料５０を加熱して発生させた原料ガスＧを前記種結晶６０に供給して該種結晶６０から単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置１であり、前記保護部材１４は、結晶成長中の加熱温度によって溶融及び／又は気化する金属を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比の微細ホールに対して高いボトムカバレッジ率で、かつ、膜厚分布の面内均一性よく成膜できる高い生産性の成膜方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内で基板Ｗを保持し、チャンバ内が、１０〜３０Ｐａの高圧力領域に保持されるようにスパッタガスを導入し、基板に対向近接配置されたターゲット２に直流電圧を印加すると共に、基板に高周波バイアス電圧を印加し、ターゲット側の直流プラズマと基板側の高周波バイアスプラズマとが重畳されたプラズマをターゲット及び基板間に発生させてターゲットをスパッタして成膜する。ターゲットの下方に磁場を局所的に形成する磁石ユニット６をターゲット中央から径方向外方にオフセット配置し、成膜中、少なくともターゲットの中央部を除くその外周が侵食されるように磁石ユニットを回転移動する。 （もっと読む）

【課題】例えば５００℃程度以下の低温成長でも、ＺｎＯ層の表面平坦性の低下が抑制されたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管にＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビーム３ａを発生させる工程と、基板１１の上方に、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管から第１のビーム３ａを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓＳｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＧａＡｓ_ｘＳｂ_１−ｘ（０．３３≦ｘ≦０．６５）を成膜するとき、Ｖ族のヒ素（Ａｓ）およびアンチモン（Ｓｂ）の両方の分子の供給量の和を、ＩＩＩ族のガリウム（Ｇａ）の分子の供給量の１５倍以上とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の全表面にわたって均一な厚みを有しかつ品質の安定したＳｉ₃Ｎ₄へテロエピタキシャルバッファ層を容易にかつ安価に作製する作成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ₃Ｎ₄単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の表面平坦性低下は抑制しつつ、成長速度の向上が図られたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管３ａと５ａにＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビームを発生させる工程と、成長温度を６００℃以上として、基板の上方に、Ｚｎソースガン２から、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管３ａと５ａから第１のビームを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】 従来の化合物半導体へテロ接合の製造方法では、微小な信号電流を扱う半導体装置において十分な雑音特性を得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第１の半導体を、第１の基板温度で成長させる。第１の半導体の成長を停止させ、第１の半導体の表面に、Ｖ族元素の原料を供給しながら、基板の温度を、第１の基板温度とは異なる第２の基板温度に変化させる。第１の半導体の上に、第１の半導体とは異なるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第２の半導体を、第２の基板温度で成長させる。基板の温度を第１の基板温度から第２の基板温度に変化させる工程が、基板の温度を測定する工程と、Ｖ族元素の供給量が、測定された前記基板の温度における供給量の目標下限値と目標上限値との間に納まるように、供給量を制御する工程とを含む。 （もっと読む）