【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。例えば、チャンネル領域１０２は、グラフェンが１層から４層程度積層されたものである。図１に示す例では、ゲート電極１０４は、チャンネル領域１０２にゲート絶縁層１０３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽５１内の第二主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に配置されたドーパントを蒸着材料６４として加熱し、蒸着材料６４の蒸気を発生させ、成膜対象物２８表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層２６を形成する。蒸着材料６４の蒸気は、成膜対象物２８と蒸着材料６４の間に配置した放出量制限部材６３の貫通孔６６を通過させることで減少させるので、半導体層２６に微少量含有させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置および該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に水素透過膜を形成し、水素透過膜上に水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行って、酸化物半導体膜から水素を脱離させ、酸化物半導体膜の一部に接するソース電極およびドレイン電極を形成し、水素捕縛膜の露出されている部分を除去して、水素透過膜のチャネル保護膜を形成する半導体装置の作製方法である。また、該作製方法で作製された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない転写用シリコン層を有するシリコン層転写用基板を提供する。
【解決手段】第１の基板であるシリコン基板１２と、前記シリコン基板上に配置された犠牲層であって、シリコンとゲルマニウム及び炭素から選ばれる少なくとも一種の元素との化合物からなる少なくとも１層のシリコン化合物層を有し、該犠牲層を構成する化合物層が全て臨界膜厚以下の厚みを有する犠牲層１４と、前記犠牲層上に配置されたシリコン層であって、第２の基板に転写される転写用シリコン層１６と、を備え、前記シリコン基板及び前記シリコン層の少なくとも一方に前記犠牲層に通じる溝又は穴が設けられているシリコン層転写用基板１０。 （もっと読む）

【目的】
原子レベルで平坦な表面を有し、シリカやシリケート等の表面付着のない基板処理方法を提供する。
【解決手段】
ＥＤＴＡキレート化合物とＥＤＡとの混合溶液を用いて化合物単結晶基板の加工変質層をエッチングして除去する第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程後、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によりエッチングを行う第２のエッチング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】層状構造の窒化ガリウム膜を汎用的の高められたプロセスで選択的に形成することの可能な窒化ガリウム膜の形成方法、及び該形成方法を用いて窒化ガリウム膜を形成する装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム膜を反応性スパッタにて単結晶の基板Ｓ上に形成するときに、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウム膜の成長速度の極大値に対して３０％以上９０％以下の成長速度となる範囲とする。また、基板温度Ｔ（℃）、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚである高周波電力をバイアス電力Ｐ（Ｗ／ｃｍ^２）とするとき、基板温度Ｔ及びバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｔ≧０．００８３Ｐ−４．７、Ｔ≦０．００８４Ｐ−６．６を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】ＭＢＥ成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体の製造に用いる原料を供給する原料供給装置６２において、鉛直方向に延びて外周面が液体を流下させることができるような表面である液体流下面９０になされた原料保持体６４と、原料保持体の高さ方向の途中に設けられて原料の液体である原料液体を貯留すると共に濡れ性によって原料液体を液体流下面９０に沿って流下させる原料液体貯留部６６と、原料保持体内に設けられて、原料液体貯留部を原料が濡れ性を発揮するように加熱すると共に原料保持体の先端部を原料液体の蒸発温度まで加熱する加熱手段６８とを備える。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】結晶成長面５からの傾斜面６の角度が４０度以上９０度以下であり頂面３Ｔを有する六角錐状の凸部３を有する種基板２の表面に炭化珪素単結晶層４を成長させることで、種基板２の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層４で基底面内欠陥９に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部３の頂面３Ｔに制限する。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物半導体を再現性良く形成することができる窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ｃ面を主面とするサファイア基板とアルミニウムを含有するターゲットとを距離をあけて配置する工程と、サファイア基板とターゲットとの間にＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加して行なわれるＤＣマグネトロンスパッタ法によりサファイア基板の表面上にアルミニウム含有窒化物中間層を形成する工程と、を含み、アルミニウム含有窒化物中間層上に（００４）面を主面とする窒化物半導体を形成する工程とを含む窒化物半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低いＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板は、気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶（０＜ｘ≦１）の成長方法で得られたＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の表面１３を加工することにより得られる平坦な主面３１を有するＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板３０であって、結晶成長の際、その雰囲気中に不純物を含めることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減し、ピット１０ｐ底部から主成長平面１１に対して実質的に垂直方向に伸びる線状転位集中部１０ｒの密度が１０⁵ｃｍ^-2以下であり、結晶成長後において主成長平面１１の総面積に対するピット１０ｐの開口面１０ｓの総面積の割合が３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフのトランジスタ、或いは当該トランジスタを含んで構成される回路を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域として機能する第１の酸化物半導体層と、当該第１の酸化物半導体層と重なるソース電極層及びドレイン電極層と、当該第１の酸化物半導体層、当該ソース電極層、及び当該ドレイン電極層と接するゲート絶縁層と、当該ゲート絶縁層に接して当該第１の酸化物半導体層と重なる第２の酸化物半導体層と、当該第２の酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層とを有する半導体装置及びその作製に関する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶品質を有するＧａＮ層のようなＩＩＩ族−窒化物が得られる方法で形成されたＩＩＩ族−窒化物／基板構造と、少なくとも１つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板１の上に、例えばＧａＮ層５のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法であり、基板１は、少なくともＧｅ表面３、好適には六方対称を有する。この方法は、基板１を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板１を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面３の上に、例えばＧａＮ層５のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくとも錫（Ｓｎ）を含み、ＳｎＯとＳｎＯ_２の合計を１００モル％としたときのＳｎＯの割合が３０モル％未満である非晶質酸化物薄膜。 （もっと読む）

【課題】膜を形成する基板の温度制御を安定して行なう真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置１００は、基板２０の上に膜を形成する真空蒸着装置であって、基板ホルダ１０３と、ホルダ加熱部１０５と、基板２０上に形成する膜の原料をその内部に収容する原料保持部と、第１遮断部１１１と、第２遮断部１１２と、を備えている。第１遮断部１１１は、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能である。第２遮断部１１２は、第１遮断部１１１と選択的に、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能であり、開口部１１２ａを有する。第２遮断部１１２の開口部１１２ａの内接円の半径は、基板２０の外接円の半径の１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】複合基板を用いた半導体装置の製造において単結晶炭化珪素基板の間の隙間に起因した工程変動を抑制する。
【解決手段】第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の辺Ｓ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の辺Ｓ２とが直線状に並ぶように、第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の頂点Ｐ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の頂点Ｐ２とが互いに突き合わされている。また第１の辺の少なくとも一部と、第２の辺の少なくとも一部とが、第３の単結晶炭化珪素基板１３の第３の辺Ｓ３に突き合わされている。 （もっと読む）