【課題】寄生バイポーラトランジスタのゲインを低下することにより、誤動作や動作特性の変動が少ない半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】シリコン層３の上面上には、シリコン酸化膜６が部分的に形成されている。シリコン酸化膜６上には、ポリシリコンから成るゲート電極７が部分的に形成されている。ゲート電極７の下方に存在する部分のシリコン酸化膜６は、ゲート絶縁膜として機能する。ゲート電極７の側面には、シリコン酸化膜８を挟んで、シリコン窒化膜９が形成されている。シリコン酸化膜８及びシリコン窒化膜９は、シリコン酸化膜６上に形成されている。ゲート長方向に関するシリコン酸化膜８の幅Ｗ１は、シリコン酸化膜６の膜厚Ｔ１よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】バッファ層の結晶成長時に高抵抗化の不純物をドーピングすることなく上層の化合物半導体の結晶品質を保持するも、バッファ層を高抵抗化してオフリーク電流を確実に抑制し、信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２の裏面から、化合物半導体積層構造２の少なくともバッファ層２ａに不純物、例えばＦｅ，Ｃ，Ｂ，Ｔｉ，Ｃｒのうちから選ばれた少なくとも１種類を導入し、バッファ層２ａの抵抗値を高くする。 （もっと読む）

【課題】優れた電子輸送性を有する有機ｎ型半導体として利用可能であり、有機溶媒への溶解性にも優れる含窒素縮合環化合物を提供すること。
【解決手段】式（１−１）又は式（１−２）で表される構造単位を有する含窒素縮合環化合物。
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【課題】特性の良好な半導体装置（薄膜トランジスタ）を製造する。
【解決手段】本発明は、（ａ）基板ＳＵＢの上方に、第１金属酸化物を含有する半導体からなる導電層を形成する工程と、（ｂ）導電層上に第２金属酸化物を含有する半導体からなる犠牲層ＳＬを形成する工程と、（ｃ）導電層と犠牲層ＳＬとの積層膜を加工する工程と、（ｄ）上記（ｃ）工程の後、犠牲層ＳＬ上に、金属膜を形成する工程と、（ｅ）上記（ｄ）工程の後、上記金属膜の第１領域をドライエッチングにより除去する工程と、（ｆ）上記（ｅ）工程の後、上記第１領域の上記犠牲層ＳＬをウェットエッチングにより除去する工程と、を有し、上記（ｃ）工程と、上記（ｆ）工程との間に、（ｇ）導電層に熱処理を施し、導電層を結晶化し、導電層ＣＬｃとする工程を有する。かかる工程によれば、ドライエッチングにより生じた犠牲層ＳＬのダメージ領域ＤＲを除去できる。 （もっと読む）

【課題】縦型電界効果トランジスタとその製造方法及び電子機器において、基材の材料の選択の幅を広げること。
【解決手段】基材１と、基材１の上に形成され、ソース電極とドレイン電極のうちの一方となる第１の電極２と、基材１の上に形成され、第１の電極２に重なる開口１２を備えた第１の絶縁膜３と、開口１２の横の第１の絶縁膜３の上に形成されたゲート電極６と、第１の絶縁膜３の上に形成され、開口１２を備えた第２の絶縁膜８と、開口１２の横の第２の絶縁膜８の上に形成され、ソース電極とドレイン電極のうちの他方となる第２の電極１０と、開口１２の側面に形成されたゲート絶縁膜１６と、第１の電極２、第２の電極１０、及びゲート絶縁膜１６上に形成され、酸化物半導体を材料とするチャネル１７とを有する縦型電界効果トランジスタによる。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性に優れ、誘電率が低く、優れた積層性を有するゲート絶縁膜を備え、移動度が高く、リーク電流の小さい半導体素子を提供すること。
【解決手段】熱架橋性樹脂組成物からなる塗布型有機ゲート絶縁膜と、半導体層とを有する半導体素子であって、前記有機ゲート絶縁膜の硬化温度が１３０〜１５０℃であり、かつ、前記有機ゲート絶縁膜表面の接触角が７０〜８０°であり、前記半導体層が、有機半導体または無機酸化物半導体で形成されていることを特徴とする半導体素子。 （もっと読む）

【課題】結晶グレインサイズが拡大し、結晶性の高い領域が増加し、キャリア移動度が向上した有機半導体層を有する有機トランジスタ、該有機トランジスタを用いた表示装置、及び該有機トランジスタの製造方法の提供。
【解決手段】基板１と、ゲート電極２と、ゲート絶縁層３と、有機半導体層５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、有機半導体層５と接する結晶促進層４とから構成される有機トランジスタであって、前記結晶促進層４は、少なくとも、前記有機半導体層５に接する第二の単分子膜と、該第二の単分子膜に接する第一の単分子膜とから構成され、前記第二の単分子膜を構成する有機分子骨格群が面内の少なくとも一方向に等しい重心間距離で配列した領域があり、前記有機半導体層５を構成する、少なくとも前記領域に接する有機分子骨格群が、面内の少なくとも一方向に等しい重心間距離で配列していることを特徴とする有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】半導体層とゲート電極との間に絶縁膜が形成された半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】基板の上方に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極と、を有し、前記絶縁膜は炭素を主成分とするアモルファス膜を含むものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】多結晶酸化物半導体をチャネルとして用い、キャリアの移動度を保ちつつ、素子特性のばらつきを低減することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、ボトムゲート型のＴＦＴであり、基板１１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、多結晶酸化物半導体を主成分とするチャネル層１４およびソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂをこの順に備えている。チャネル層１４の膜厚は、チャネル層を構成する多結晶酸化物半導体の平均結晶粒の直径よりも薄くなるように形成することにより、キャリアの走行方向が制御され素子特性が安定化する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体活性層の薄膜を与え得る新規な化合物が求められている。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｘ、Ｙ、Ｗ及びＺは、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を表す。ｎは０または１を表す。
Ｐ^１、Ｐ^２、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、式（２）


（式（２）中、Ｒは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又はシリル基を表す。）
で表される基、芳香族炭化水素基又は芳香族性複素環基を表す。Ｐ^１、Ｐ^２、Ｑ^１及びＱ^２の少なくとも１つの基は、前記式（２）で表される基である。）
で表される化合物。 （もっと読む）

【課題】空気安定性、良好な溶解度、および高い移動度を持つ有機薄膜トランジスタ用半導体を提供する。
【解決手段】特定構造のチアキサンテノチアキサンテン化合物を活性層として用いる。チアキサンテノチアキサンテン化合物は主に結晶性または液晶である。この化合物は、空気安定性、良好な溶解度、および高い移動度を確実にするように設計される。有機薄膜トランジスタは一般に、基板２０上に、ゲート電極３０、ソース電極５０およびドレイン電極６０、ゲート電極をソースおよびドレイン電極と分離する電気絶縁ゲート誘電体層４０、およびゲート誘電体層と接触し、ソースおよびドレイン電極を架橋する半導体層７０を含む。 （もっと読む）

【課題】 電荷輸送性や移動度が高く、安定性に優れた有機半導体層、及びＯｎ／Ｏｆｆ比が高い有機電子デバイスを得ること。また、この有機電子デバイスを低コストに製造すること。
【解決手段】 特定構造の有機半導体材料と特定の有機化合物とを含有する有機電子デバイス用組成物を用いる。具体的には、アヌレン構造を有する有機化合物、及び芳香環基とアルキル基がエステル結合、カルボン酸アミド結合、カルボニル結合又はフェニルエステル結合している有機化合物を含有することを特徴とする有機電子デバイス用組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】ゲート動作に関与する結晶表面における表面電荷蓄積を大幅に低減し、ピンチオフ特性が得られる、高性能のＩｎＮ系ＦＥＴを提供すること。
【解決手段】チャネル層としてＩｎＮ系半導体を含む電界効果トランジスタである半導体装置であって、ＩｎＮ系半導体でなるチャネル層２の表面（ｃ面）に、段差を形成して窒化物半導体の六方晶結晶のａ面もしくはｍ面でなる側壁面２ａを形成し、この側壁面２ａにゲート電極６が配置され、ゲート電極６を挟むようにソース電極３とドレイン電極４がｃ面上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度、空気安定性および良好な溶解性を示す半導体化合物の提供。
【解決手段】下式に代表される化合物：
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【課題】キャリア移動度がさらに向上した有機半導体デバイス、該デバイスに含まれる薄膜及び該薄膜に含まれる化合物が求められていた。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、及びＳＯ_２を表す。Ｒ^１〜Ｒ^８は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数６〜３０のアリール基又は炭素数４〜３０のヘテロアリール基を表す。）
で表されるジカルコゲノベンゾジピロール化合物。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜及びその作製方法を提供する。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】厚さが７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微結晶半導体膜であり、微結晶半導体膜の表面から一部が突出する結晶粒を有し、当該結晶粒は配向面を有し、且つ１３ｎｍ以上の大きさの結晶子を有する微結晶半導体膜である。また、微結晶半導体膜の膜密度が２．２５ｇ／ｃｍ^３以上２．３５ｇ／ｃｍ^３以下、好ましくは２．３０ｇ／ｃｍ^３以上２．３３ｇ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタの活性層に好適に用いられる非晶質酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、非晶質酸化物層２を形成する前に、基板１表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板１表面にプラズマを照射したり、あるいは基板１表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物層２を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板１上に、非晶質酸化物層２を形成する後に、非晶質酸化物層２の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎを含み、酸化物に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、および［Ｉｎ］としたとき、下記式（１）〜（３）を満足するものである。
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）≧−０．５３×［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＋０．３６ ・・・（１）
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）≧２．２８×［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）−２．０１ ・・・（２）
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）≦１．１×［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）−０．３２ ・・・（３） （もっと読む）

【課題】工程増を最小限とした簡便な手法で、素子形成領域における化合物半導体と同時に、しかもその結晶性を損なうことなく確実な素子分離を実現し、信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上の素子分離領域に初期層３を選択的に形成し、初期層３上を含むＳｉ基板１上の全面に化合物半導体の積層構造４を形成して、積層構造４は、素子分離領域では初期層３と共に素子分離構造４Ｂとなり、素子形成領域ではソース電極５、ドレイン電極６及びゲート電極７が形成される素子形成層４Ａとなる。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタの活性層に好適に用いられる非晶質酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、非晶質酸化物層２を形成する前に、基板１表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板１表面にプラズマを照射したり、あるいは基板１表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物層２を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板１上に、非晶質酸化物層２を形成する後に、非晶質酸化物層２の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）