【課題】配線層間の正常な電気的導通が取れている半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上又は基板の表面層に少なくとも２層の配線層を備え、前記２層の配線層の内、下層配線層がシリコンからなる際に、前記下層配線層と上層配線層間に炭化珪素層を備えたことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】低いコンタクト抵抗および高い耐食性を両立したＡｌ合金膜を有する表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物導電膜とＡｌ合金膜とが直接接触しており、前記Ａｌ合金膜の接触表面に合金成分が析出して存在する表示装置であって、前記Ａｌ合金膜が、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ及びＣｏよりなる群から選ばれる元素（以下Ｘ１と称することがある）の少なくとも１種以上、且つ前記元素Ｘ１と金属間化合物を形成することのできる元素（以下Ｘ２と称することがある）の少なくとも１種以上を含み、最大径１５０ｎｍ以下のＸ１−Ｘ２又はＡｌ−Ｘ１−Ｘ２で示される金属間化合物が形成されており、前記Ａｌ合金膜の接触表面の算術平均粗さＲａが２．２ｎｍ以上２０ｎｍ以下ある。 （もっと読む）

【課題】配線のエッチング特性を良好に維持することができるエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、リン酸４０乃至６５重量％、硝酸２乃至５重量％、酢酸２乃至２０重量％、リン酸塩を含む化合物０．１乃至２重量％、アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物０．１乃至２重量％、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする水を含むエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、Ａｌ合金膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液に対する腐食性を改善できるＡｌ合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．２〜２．０原子％、および元素群Ｘ（Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ）より選択される少なくとも１種の元素を含むと共に、希土類元素と高融点金属群（Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ）からなる元素群Ｑより選択される少なくとも１種の元素を０．０２〜１原子％含み、かつ、粒径が１００ｎｍを超える析出物が１０^−６ｃｍ^２あたり１個以下であるところに特徴を有するＡｌ合金膜と、該Ａｌ合金膜を備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】 接触抵抗を小さく抑えた状態で対向電極間をつなぐように配置することが容易で、しかも、電極間ギャップ長に比べてチャネル長を短縮することのできる半導体素子及びその製造方法、その半導体素子を配置した電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びにその半導体素子を配置した半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体材料からなる半導体部１と、磁性導体材料からなり、半導体部１の両側に連結する第１の電極部２および第２の電極部３とで、細長い棒状の半導体素子４を構成する。帯磁した磁性体層を有するソース電極２２およびドレイン電極２３に対し、両電極間をつなぎ、それぞれの電極に対し第１の電極部２および第２の電極部３において磁力で接触する配置を、半導体素子４に自己整合的に形成させ、電界効果トランジスタ２０を作製する。第１および第２の電極部２、３は、ソース電極２２およびドレイン電極２３の延長として機能する。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗率のコンタクトを実現した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体と接した第１の金属層を酸化防止用の第２の金属層で覆った状態で、第１の金属層のみをシリサイド化し、酸素混入のないシリサイド層を形成する。第１の金属層の材料として、半導体との仕事関数の差が所定の値となるような金属が用いられ、第２の金属層の材料として、アニール温度で第１の金属層と反応しない金属が用いられる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜と電極との電気的なコンタクトが良好で、性能のバラツキがない半導体薄膜の製造方法、またこれを用いて、既成容量が少なく、高性能で動作が安定した薄膜トランジスタを製造することにある。
【解決手段】半導体前駆体を含有する液体材料を液滴にして基板上に塗設し、乾燥させて島状のパターンをもつ半導体前駆体薄膜を形成し、該半導体前駆体に変換処理を施して半導体を形成する半導体薄膜の形成方法において、島状のパターンを有する変換処理後の半導体薄膜が、
半導体薄膜の膜厚をチャネル方向に非接触３次元表面形状測定装置にて測定した膜厚プロファイルにおいて、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから端部までの平均膜厚と、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから中央までの平均膜厚とが、異なっていることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に設けられる金属半導体化合物電極の界面抵抗を低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成され、Ｓを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する界面層と、界面層上に形成され、略全域にＳを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する金属半導体化合物層と、金属半導体化合物層上の金属電極を有することを特徴とする半導体装置。半導体基板上に金属膜を堆積し、第１の熱処理により、金属膜を半導体基板と反応させて、金属半導体化合物層を形成し、金属半導体化合物層に、飛程が金属半導体化合物層の膜厚未満となる条件でＳをイオン注入し、第２の熱処理により、Ｓを再配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】
洗練されたトランジスタ要素を形成するための製造プロセスの間、それぞれの金属シリサイド領域を形成するのに先立つ共通のエッチングシーケンスにおいて、ゲート高さが減少させられてよく、そして凹型のドレイン及びソース構造もまた得られてよい。対応する側壁スペーサ構造はエッチングシーケンスの間に維持され得るので、ゲート電極におけるシリサイド化プロセスの可制御性及び均一性を高めることができ、それにより、低減された程度のスレッショルドばらつきを得ることができる。更に、凹型のドレイン及びソース構造が、全体的な直列抵抗の低減及び応力転移効率の増大をもたらすことができる。 （もっと読む）

【課題】導電性有機ポリマーを含む薄膜電界効果トランジスタ電極および高抵抗緩衝層の導電率の制御方法の提供。
【解決手段】ＰＡｎｉ／ＰＡＡＭＰＳＡまたはＰＥＤＴ／ＰＳＳと複数のナノ粒子とからなる水性分散液を含む組成物に対して、カーボンナノチューブまたは無機ナノ粒子を添加し、組成物を基材上にキャストすることによって得られる層の導電率を増大または減少させる。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低下させて、均一かつ確実に動作させる透明薄膜トランジスタ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】実質的に透明な基板と、基板上に実質的に透明な導電材料の第１の薄膜と金属材料の第２の薄膜とを２層以上積層して形成されたゲート配線と、ゲート配線上に形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体活性層と、実質的に透明な半導体活性層を挟んで離間して形成された実質的に透明な導電材料の第５の薄膜と金属材料の第６の薄膜とを２層以上積層して形成されたソース配線と、実質的に透明な半導体活性層を挟み、ソース配線に離間して実質的に透明な導電材料の第７の薄膜で形成されたドレイン電極と、を備えることを特徴とする透明薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上に、ドレイン電極層またはソース電極層を形成した後、低抵抗な酸化物半導体層をソース領域またはドレイン領域として形成し、その上に半導体層として酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。好ましくは、半導体層として酸素過剰酸化物半導体層を用い、ソース領域及びドレイン領域として酸素欠乏酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】オン電流が高く、かつオフ電流が低い、つまり高いオンオフ比を持つ薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に少なくともソース、ドレイン、ゲートの各電極と酸化物を含む半導体層とゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタであって、該半導体層が第一の領域と、該第一の領域よりも該ゲート絶縁層に近い第二の領域を含み、且つ該第一の領域の導電率が、該第二の領域の導電率よりも低いことを特徴とする薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】トップコンタクト型と同様のコンタクト抵抗を実現し、かつボトムコンタクト型なみの微細構造の作製を可能とする。
【解決手段】ゲート電極１１と、前記ゲート電極１１上に形成されたゲート絶縁膜１２と、前記ゲート絶縁膜１２上に離間して形成されたソース・ドレイン電極１３、１４と、前記ソース・ドレイン電極１３、１４間の前記ゲート絶縁膜１２に形成されていて且つ前記各ソース・ドレイン電極１３、１４の下面側に入り込んで形成された凹部１５と、前記凹部１５に形成された半導体層１６を有し、前記各ソース・ドレイン電極１３、１４の下面の一部と前記半導体層１６の両端側上面が接続されている。 （もっと読む）

【課題】
良好な特性を有するスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴ構造と、ディスプレイの大型化に有利な低抵抗配線構造を両立でき、低コストで高画質の表示装置を提供する。
【解決手段】
マトリックス状に配置された複数の画素を駆動するＴＦＴをスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴで構成し、該ＴＦＴのチャネルを形成する多結晶Ｓｉ層４より下層に位置する電極配線２を、希土類元素を添加元素として含むＡｌ合金からなる第一の合金層２ａと、希土類元素と高融点金属とＡｌとの合金からなり、前記第一の層の上層に位置する第二の合金層２ｂとの積層構造とすることで、多結晶Ｓｉ形成時の高温に耐え得る低抵抗配線構成とした。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、水分などの不純物を混入させずに良好な界面特性を提供することを課題の一つとする。電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層表面に酸素ラジカル処理を行うことを要旨とする。よってゲート絶縁層と半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と半導体層との界面に近づくにつれて増加する。 （もっと読む）

【課題】金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つである。
【解決手段】酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極の間に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下のサイズの結晶粒を有し、チャネル形成領域となる酸化物半導体膜よりキャリア濃度が高い酸素欠乏酸化物半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、当該ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、当該ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質なカラー画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素の開口領域を区画する非開口領域に、互いに交差するように配置されたデータ線（６ａ）及び走査線（３ａ）と、データ線より上層側に形成されており、平坦化処理が施された平坦部（２４０）及び平坦部より下層側に掘り下げられた凹部（２５０）を有する層間絶縁膜（４３）と、平坦部上に形成されたシールド層（２１０）と、層間絶縁膜より上層側に、少なくとも凹部を埋めるように形成されたカラーフィルタ（２２０）と、カラーフィルタより上層側に、データ線及び走査線の交差に対応するように形成された画素電極（９ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】オン電流が大きな薄膜トランジスタを安価な印刷プロセスにより提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、絶縁基板２、ゲート電極３、ゲート絶縁膜４、下層の半導体層５、ソース電極６、ドレイン電極７、上層の半導体層８からなっている。特に特徴的な構造として、半導体層が２層構成であり、下層の半導体層５とソース電極６及びドレイン電極７と上層の半導体層８が順次積層された構造をしている。 （もっと読む）