【課題】輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】水分による電気特性劣化が抑制された半導体装置および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】トランジスタを覆う層間絶縁層に接して金属酸化物層が位置する構造とし、金属酸化物層を、アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層と、多結晶構造を有する第２の金属酸化物層を含む積層構造とする。アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層は結晶粒界が存在せず、また、結晶状態の金属酸化物層と比較して格子間隔が広いため格子間に水分をトラップしやすい。多結晶構造を有する第２の金属酸化物層は、結晶粒界部分を除く結晶部分については緻密な構造を有しており、水分の透過性が非常に低い。このため、第１の金属酸化物層および第２の金属酸化物層を含む金属酸化物層が層間絶縁層に接する構造とすることにより、トランジスタ中への水分の侵入を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】高開口率を有し、容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電膜によるゲート電極と、第１導電膜上の第１絶縁層によるゲート絶縁膜と、第１絶縁層上にゲート電極と重なる第１半導体層と、第１半導体層上かつゲート電極に重なる第２絶縁層によるチャネル保護膜と、第１半導体層と重なりソース領域及びドレイン領域に分離された導電性の第２半導体層と、第２半導体層上の第２導電膜によるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、第２導電膜上に形成された第３絶縁層と、第３絶縁層上の第３導電膜により形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方と接続する画素電極と、第１絶縁層上の容量配線と、容量配線上の第３絶縁層を挟んで、画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホール１４２と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホール１４２に含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホールの底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、第１の導電層及び第２の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第１の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第２の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層へ酸素を効率よく供給し、トランジスタ特性を向上することが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の薄膜トランジスタは、基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する酸化物半導体層と、チャネル領域を覆うチャネル保護膜と、チャネル保護膜の両側の酸化物半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくともソース電極およびドレイン電極上に設けられた保護膜と、酸化物半導体層に設けられ、保護膜と同一の構成材料が充填された１または２以上の凹部とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁基板と、第１の絶縁基板上に実質的に第１の方向に互いに平行するように配値されたゲート配線およびストレージ配線と、ゲートおよびストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第２の方向に配値されたデータ配線と、データ配線上に形成された保護膜と、保護膜上に形成された第１の画素電極と第２の画素電極と、第１の画素電極に隣接する第２の画素電極を含み、ストレージ配線は、実質的に第１の方向に配値された水平部および水平部から実質的に第２の方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部を含み、垂直部は、第１の画素電極および第２の画素電極とオーバーラップし、第１の画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は第２の画素電極および垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】ノイズによる影響を抑制する。
【解決手段】光検出回路と、差分データ生成回路と、データ入力選択回路と、を具備する。光検出回路は、光データ信号を生成する機能を有する。また、差分データ生成回路は、第１のデータ信号及び第２のデータ信号が入力され、第１のデータ信号のデータと第２の信号のデータとの差分データを生成する機能を有する。また、データ入力選択回路は、光データ信号のデータを、第１のデータ信号のデータみなすか第２のデータ信号のデータとみなすかを決定する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】２層構造の走査線を、絶縁膜を介して映像信号線が乗り越える際の、映像信号線の断線を防止する。
【解決手段】映像信号線が絶縁膜を介して走査線を乗り越える構成となっている。走査線１０はＡｌＣｕ合金を下層１１とし、ＭｏＣｒ合金を上層１２とする２層構造である。上層/下層の膜厚比を、０．４以上、１．０以下とすることによって、走査線１０の断面において、電池作用によって上層１２のエッチング速度が遅くなって、上層１２の庇部が形成されることを防止する。これによって、走査線１０に生じた庇部に起因して、映像信号線が走査線１０との交差部において断線することを防止する。 （もっと読む）

【課題】移動度が高く、Ｓ値の低い電界効果型トランジスタの提供を目的とする。また、低温又は短時間の熱履歴でも高い特性の得られる電界効果型トランジスタの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】Ｉｎ元素及びＺｎ元素と、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド類からなる群より選択される１以上の元素Ｘを、下記（１）〜（３）の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２〜０．８ （１）
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）＝０．２９〜０．９９ （２）
Ｚｎ／（Ｘ＋Ｚｎ）＝０．２９〜０．９９ （３） （もっと読む）

【課題】閾値電圧ばらつきを改善した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板を用いた半導体装置の製造方法において、活性層基板を酸化して埋め込み酸化膜４ｂを生成する工程と、支持基板３表面に、ＭＯＳトランジスタ１の閾値電圧を決定するためのチャネルドープ１０を行う工程と、支持基板３と活性層基板５とを前記埋め込み酸化膜を介して貼り合せる工程と、活性層基板を部分的に除去し埋め込み酸化膜４ａを露出させる工程と、埋め込み酸化膜４ａ上にゲート電極６ａを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ（半導体装置）において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの端部と、ゲート電極層４０１の端部とを重畳させ、更に酸化物半導体層４０３のチャネル形成領域となる領域に対して、ゲート電極層４０１を確実に重畳させることで、トランジスタのオン特性を向上させる。また、絶縁層４９１中に埋め込み導電層を形成し、埋め込み導電層４８１ａ，４８１ｂと、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂとの接触面積を大きくとることで、トランジスタのコンタクト抵抗を低減する。ゲート絶縁層４０２のカバレッジ不良を抑制することで、酸化物半導体層４０３を薄膜化し、トランジスタの微細化を実現する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を備えた、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、ソース電極およびドレイン電極は、その側面が酸化された酸化領域を有する半導体装置である。なお、ソース電極およびドレイン電極の酸化領域は、３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の高周波電力、および、酸素とアルゴンの混合ガスを用いたプラズマ処理により形成されたものであることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板に含まれている不純物が半導体層に作用するのを防止して、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】
提供される半導体装置は、絶縁性基板１上に下地絶縁層２を介して半導体層３を形成する半導体装置に係り、下地絶縁層２に不純物として含まれるボロン又はアルミニウムの濃度が、絶縁性基板表面で１×１０^２２原子／ｃｍ^３以下で、かつ、絶縁性基板表面から１００ｎｍ以上離れた領域で１×１０^１９原子／ｃｍ^３以下の条件を満たして、絶縁性基板表面から半導体層３に向かって漸次減少する態様で分布する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤの影響を効果的に抑制する保護回路を提供すること。またＥＳＤの影響が効果的に抑制された半導体装置を提供すること。
【解決手段】保護回路は、少なくとも２つの保護ダイオードを有し、当該保護ダイオードを、チャネルを形成する半導体層を挟んで対向する２つのゲートを有するトランジスタで構成する。さらに当該トランジスタのゲートの一方に、固定電位が入力される構成とすればよい。 （もっと読む）

【課題】動作不良を抑制する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、スイッチと、容量素子と、を設ける。電界効果トランジスタは、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第１のゲート及び第２のゲートを有し、第２のゲートの電位に応じて閾値電圧の値が変化する。スイッチは、電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方と、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと、を導通状態にするか否かを制御する機能を有する。容量素子は、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと電界効果トランジスタにおけるソース及びドレインの他方との間の電圧を保持する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を極力抑えるための構造を提供すると共に、各画素に必要とされ
る容量素子（コンデンサ）を十分に確保するための構造を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に、第１パッシベーション膜、第２の金属層、平坦化膜、バ
リア膜及び第３の金属層の順に積層され、平坦化膜に設けられた第１開口部の側面がバリ
ア膜に覆われ、第１開口部の内側に第２開口部を有し、かつ、第３の金属層は前記第１開
口部及び第２開口部を介して前記半導体に接続され、トランジスタの半導体、ゲート絶縁
膜、ゲート電極、第１パッシベーション膜及び前記第２の金属層で積層形成された容量素
子を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）