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Fターム[5F110GG24]に分類される特許
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電界効果型トランジスタの製造方法、並びに、電界効果型トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びX線センサ
【課題】光照射時のTFT特性を安定化する。
【解決手段】ゲート電極14上に配置されたゲート絶縁層16上に、第一の酸化物半導体膜24を成膜する第一工程と、第一の酸化物半導体膜24とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜24より低い電気伝導度を有する第二の酸化物半導体膜26を成膜する第二工程と、酸化性雰囲気の下300℃超で熱処理する第三工程と、第一の酸化物半導体膜24とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜24より低い電気伝導度を有する第三の酸化物半導体膜28を成膜する第四工程と、酸化性雰囲気の下300℃超で熱処理する第五工程と、第三の酸化物半導体膜28上に、ソース電極20及びドレイン電極22を形成する電極形成工程と、を有している。
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薄膜トランジスタ及びそれを用いた電子デバイス
【課題】特定構造のπ電子共役化合物前駆体を含む薄膜中の該前駆体のπ電子共役化合物への変換が、基板の耐熱温度に制限されることなく、且つ大気下で進行する、有機膜の製造方法。
【解決手段】π電子共役化合物前駆体A−(B)mを含む薄膜中の該前駆体A−(B)mが、活性エネルギー線の照射により、π電子共役系化合物A−(C)mと脱離性化合物X−Yに変換される。A−(B)m→A−(C)m+X−Y
(Aはπ電子共役系置換基、Bは溶媒可溶性置換基、mは自然数である。)
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半導体装置
【課題】高耐圧を確保でき、かつ大電流を流すことができるMOSトランジスタを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】P型拡散層15に起因してN型拡散層13に第1空乏層23が形成される。ゲート電極19にゲート電圧が印加されていない状態では、P型ポリシリコンからなるゲート電極19及びN型拡散層13の仕事関数差に起因してN型拡散層13に第2空乏層25が形成される。空乏層23,25によってソースコンタクト用拡散層9とドレインコンタクト用拡散層11が電気的に遮断される。ゲート電極19にゲート電圧が印加された状態では、第2空乏層25が消滅又は縮小することによってソースコンタクト用拡散層9とドレインコンタクト用拡散層11がN型拡散層13を介して電気的に導通する。
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半導体装置の作製方法
【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第1の層と酸化物半導体層の積層を
用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導
体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時
に酸化物半導体層の積層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。
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半導体装置およびその作製方法
【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の酸化物半導体層上に、電子親和力が第1の酸化物半導体層の電子親和力よりも大きく、またはエネルギーギャップが第1の酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも小さい第2の酸化物半導体層を形成し、さらに第2の酸化物半導体層を包むように第2の酸化物半導体層の側面及び上面を覆う第3の酸化物半導体層を形成する。
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有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子
【課題】良好な特性を有する複数の有機トランジスタを備えた有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体素子10は、基板11と、基板11上に設けられ、各々が液晶性有機半導体材料を含む有機半導体領域4を有する複数の有機トランジスタ20と、を備えている。このうち有機半導体領域4は、少なくとも基板11を含む支持部材17によって支持されている。そして、有機半導体素子10の製造方法は、支持部材17を準備する工程と、支持部材17上に液晶性有機半導体材料を含む連続的な有機半導体層30を設ける工程と、有機半導体層30をパターニングして複数の有機半導体領域4を形成するパターニング工程と、を備えている。ここで、パターニング工程は、凹部42および凸部41を有する凹凸版40を準備する工程と、凹凸版40の凸部41を支持部材17上の有機半導体層30に当接させることにより有機半導体層30をパターニングする当接工程と、を有している。
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半導体装置およびその作製方法
【課題】微細化に伴う短チャネル効果を抑制しつつ、トランジスタの電気特性のしきい値電圧(Vth)をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフを達成した半導体装置、及びその作製方法を提供する。また、ソース領域、及びドレイン領域と、チャネル形成領域との間のコンタクト抵抗を低くして良好なオーミックコンタクトがとれる半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、少なくともチャネル形成領域となる、酸化物半導体層の一部をエッチングによって部分的に薄くし、そのエッチングによってチャネル形成領域の膜厚を調節する。また、酸化物半導体層の厚い領域に、リン(P)、またはホウ素(B)を含むドーパントを導入し、ソース領域、及びドレイン領域を酸化物半導体層中に形成することにより、ソース領域、及びドレイン領域と接続するチャネル形成領域とのコンタクト抵抗を低くする。
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半導体装置、及び半導体装置の作製方法
【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも2層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用いる。酸化物半導体積層には、酸素又は/及びドーパントを導入してもよい。
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半導体装置の作製方法
【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜上に金属元素を含む絶縁膜を形成し、注入法により該金属元素を含む絶縁膜を通過して導入されたドーパントを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。
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半導体装置、電子装置、配線基板、半導体装置の製造方法、及び配線基板の製造方法
【課題】配線基板に半導体素子を形成する場合において、配線基板の製造工程数を少なくする。
【解決手段】コア層200の一面上には、第1配線232が設けられている。第1配線232上、及びその周囲に位置するコア層200の一面上には、半導体層236が形成されている。第1配線232及び半導体層236は、半導体素子を形成している。本実施形態において半導体素子は、第1配線232をゲート電極としたトランジスタ230であり、半導体層236と第1配線232の間に、ゲート絶縁膜234を有している。
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酸化物半導体薄膜層を有する積層構造、積層構造の製造方法、薄膜トランジスタ及び表示装置
【課題】酸化物薄膜の結晶配置の方向を制御し、良質な酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのチャネル層となる酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、前記酸化物層を構成する材料は、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなり、前記酸化物層のキャリア濃度が1018/cm3以下、平均結晶粒径が1μm以上であり、前記酸化物層の結晶が、前記絶縁層の表面に柱状に配置していることを特徴とする積層構造。
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半導体装置
【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子(例えば、ダイオード)を提供
する。
【解決手段】水素濃度が5×1019/cm3以下である酸化物半導体を有する薄膜トラ
ンジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φmsと、酸化物半導体
に接するドレイン電極の仕事関数φmdと、酸化物半導体の電子親和力χが、φms≦χ
<φmdの関係になるように構成する。また、薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン
電極を電気的に接続することで、さらに整流特性の良い非線形素子を実現することができ
る。
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薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサー
【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は一つのチャネルを有し、該チャネルは前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置する。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記半導体層と絶縁状態で設置される。前記絶縁層は、弾性率が0.1MPa〜10MPaである高分子材料からなる。
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半導体装置
【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第1のソース電極又はドレイン電極と、前記第1のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に
第2のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第2のソース電極又はドレイン電極は
前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第1のソース電極又はドレ
イン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。
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半導体装置の作製方法
【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信
頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導
体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1
の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の導電
膜を形成し、第1の導電膜及び第2の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレ
イン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜
と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
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半導体装置、表示装置
【課題】グローバルシャッタ方式で電荷の蓄積を行うイメージセンサにおいて、蓄積期間
終了時から最後の行を読み出すまでの期間、蓄積電荷保持部からの電荷の流出を極力抑制
することのできる半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】画素がマトリクス状に複数配置されたCMOSセンサ型のイメージセンサに
おいて、画素部の電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタにチャネル形成領
域が酸化物半導体で形成されたトランジスタを使用し、マトリクス状に配置された全ての
画素で信号電荷蓄積部のリセット動作を行った後、全ての画素でフォトダイオードによる
電荷の蓄積動作を行い、行毎に画素から信号の読み出し動作を行うことで歪みの無い撮像
を可能とする。
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半導体装置
【課題】ブラックマトリックス層の幅を設計値以上に拡張しなくても、位置合わせずれによる光漏れが生じることを抑制する。
【解決手段】ボトムゲート電極12aと第1のブラックマトリックス層17aで第1の半導体層14を挟むシングルゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、前記第1の半導体層と前記第1のブラックマトリックス層は重畳している半導体装置である。
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記憶回路
【課題】短時間の電源停止により消費電力を抑えることができ、電源再開時において誤動作を引き起こすことなく初期化することのできる信号処理装置の記憶回路の提供を目的の一つとする。
【解決手段】記憶回路に電源が供給されない間は、揮発性記憶部に記憶していたデータ信号を、不揮発性記憶部に保持する。不揮発性記憶部では、オフ電流が極めて小さいトランジスタを用いることによって、容量素子に保持されたデータ信号は長期間にわたり保持する。こうして、不揮発性記憶部は電源の供給が停止した間も論理状態を保持する。また電源停止時に容量素子で保持されたデータ信号は、電源再開時にはリセット回路を導通状態とすることで、誤動作を引き起こすことのない電位にする。
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光電変換素子
【課題】開放端電圧が高い光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有し、該活性層に式(1)で表される構成単位を含む有機化合物を含有する光電変換素子。
(1)
(式中、R1は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、複素環基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表す。D環及びE環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環を表す。)
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半導体基板の製造方法および半導体基板
【課題】高性能なIII−V族MISFETの実現を可能にする、より効果的なIII−V族化合物半導体表面のパッシベーション技術を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長により化合物半導体層をベース基板上に形成するステップと、前記化合物半導体層の表面をセレン化合物を含む洗浄液で洗浄するステップと、前記化合物半導体層の上に絶縁層を形成するステップと、を有する半導体基板の製造方法を提供する。前記セレン化合物として、セレン酸化物が挙げられる。前記セレン酸化物として、H2SeO3が挙げられる。前記洗浄液が、水、アンモニアおよびエタノールからなる群から選択された1以上の物質をさらに含んでもよい。前記化合物半導体層の表面がInxGa1−xAs(0≦x≦1)からなる場合、前記絶縁層がAl2O3からなるものであることが好ましく、Al2O3は、ALD法により形成されることが好ましい。
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