【課題】インバータ回路を構成する直列接続された素子を備えた半導体装置において、その直列接続の高電位配線の影響による耐圧低下が生じるのを防止する半導体装置の提供。
【解決手段】第１および第２の素子は、各々、電流のスイッチングを行うトランジスタと、還流を行うダイオードとを含み、かつ、トランジスタの第１主電極とダイオードの第１主電極が電気的に接続され、トランジスタの第２主電極とダイオードの第２主電極が電気的に接続され、第１の素子および第２の素子は、第１の素子におけるトランジスタの第１主電極と、第２の素子におけるトランジスタの第２主電極が電気的に接続され、かつ、半導体基板を平面視したときに、第１の素子におけるトランジスタの第１主電極とドリフト領域の間の導電性半導体領域と、第２の素子におけるトランジスタの第２主電極とドリフト領域の間の導電性半導体領域とが対向するように、配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度良く半導体層を形成し、かつ、プロセス数を増やすことなくトランジスタの素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ５０は、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、基板１とゲート電極２とにわたって、これらの上に形成されたゲート絶縁体層４と、ゲート絶縁体層４上に形成された半導体層５と、半導体層５上に形成された保護層６と、ゲート絶縁体層４と半導体層５と保護層６とにわたって、これらの上に形成された、ソース電極７及びドレイン電極８と、を有し、半導体層５における、ソース電極７とドレイン電極８との間のチャネル部を流れる電流の方向の一端５ａは、ソース電極７の一端７ａと一致し、半導体層５における他端５ｂは、ドレイン電極８の一端８ａと一致している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】ジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料は結晶化しやすい材料とすることができ、成膜直後において、結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成することができる。従って、酸化物半導体膜の成膜後の加熱処理を省略することができるため、量産に適したプロセスである。具体的には、少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料に、４族元素の一つであるジルコニウムを含ませる。少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料にジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料膜（ＩｎＺｒＺｎＯ_Ｘ膜）を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍（及びソース電極層の端部近傍）に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上０．１μｍ以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを６０°以下、好ましくは４５°以下、さらに好ましくは３０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた半導体素子であって、Ｖｔｈの変化が抑制された、特性の安定化した半導体素子を提供する。
【解決手段】Ｉｎ（インジウム）およびＯ（酸素）を含む酸化物半導体層と、Ｓｉ（珪素）、Ｆ（フッ素）およびＮ（窒素）を含む絶縁層と、を有する半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域において、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第１の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の制御を行いながら、ゲート電極の電位は変動させず、バックゲート電極の電位のみを変動させることで、入力信号に応じた信号を出力することが可能な論理回路を有するシフトレジスタ回路を提供する。
【解決手段】同じ導電型の第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する論理回路、を含むシフトレジスタ回路において、第１のトランジスタの第１のゲート電極を、第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極に接続し、第１のトランジスタの第２のゲート電極に入力信号を供給し、第２のトランジスタのゲート電極にクロック信号を供給し、第１のゲート電極と、ゲート電極とは、同じ層とする。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を維持しつつ、微細化を達成した半導体装置を提供する。また、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極層をマスクとした不純物の導入処理によって自己整合的にチャネル形成領域と一対の低抵抗領域とが形成される酸化物半導体層を有し、ゲート電極層を挟んで設けられる一対の配線層が低抵抗領域と電気的に接続し、配線層が形成される領域の下部に低抵抗領域と接する電極層が設けられている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）

【課題】高い安定性を有し、プロセスに対する適応性が高い有機半導体材料に適する新規化合物、及び該化合物からなる半導体層を備えた電子デバイスの提供。
【解決手段】ジオキサアンタントレン系化合物であり、は、代表的なものとして、下記で示される化合物、及び
該化合物からなる半導体層を備えた電子デバイス。
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【課題】ソースおよびドレインと半導体層との間において良好なコンタクトを確保することが可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタは、有機材料よりなる半導体層上のソース電極およびドレイン電極に対向する第１および第２の領域のそれぞれに導電層を有し、この導電層が、還元反応によって導電性が変化する酸化物を含むものである。導電層が、半導体層とソース電極およびドレイン電極とのコンタクト層として機能すると共に、トップコンタクト構造では、製造プロセスにおいて半導体層上に、上記導電層を含むエッチングストッパ層を形成可能となる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域は、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が６配位した構造とし、インジウムは酸素が５配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】水分による電気特性劣化が抑制された半導体装置および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】トランジスタを覆う層間絶縁層に接して金属酸化物層が位置する構造とし、金属酸化物層を、アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層と、多結晶構造を有する第２の金属酸化物層を含む積層構造とする。アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層は結晶粒界が存在せず、また、結晶状態の金属酸化物層と比較して格子間隔が広いため格子間に水分をトラップしやすい。多結晶構造を有する第２の金属酸化物層は、結晶粒界部分を除く結晶部分については緻密な構造を有しており、水分の透過性が非常に低い。このため、第１の金属酸化物層および第２の金属酸化物層を含む金属酸化物層が層間絶縁層に接する構造とすることにより、トランジスタ中への水分の侵入を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、インジウムを含む酸化物半導体膜、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体膜上に接する絶縁層が順に積層され、酸化物半導体膜及び絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、絶縁層表面における塩素濃度を１×１０^１９／ｃｍ^３以下とし、かつインジウム濃度を２×１０^１９／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第１の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第１の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第１の基板より剥離する。 （もっと読む）

【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第２電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第１電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第２電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 （もっと読む）