【課題】低コストに製造することができ、ＴＦＴのオフリーク電流を低減することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板２０１は、基板１上に形成されたゲート電極２及びゲート絶縁膜３と、結晶性半導体膜４１及び／又は非晶質半導体膜４２からなるチャネル層と、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄとを備えたＴＦＴ１０４と、画素電極９とが複数対アレイ状に配置されたものである。チャネル層はゲート電極２の形成領域内に形成され、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄはチャネル層の形成領域内に形成されており、ゲート絶縁膜３上のゲート電極２より離間した位置にソース配線５ａが形成され、ソース配線５ａが、ソース電極５ｓの直上に形成され、さらにソース電極５ｓ上から延設された酸化物導電膜からなる接続配線６ａを介してソース電極５ｓに接続されている。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に、１つの繰り返し単位中に、式（１）で表される構造単位を少なくとも２つ含有し、


（式中、Ｘ_１およびＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、２つ以上の該構造単位は、同一の基であっても、異なる基であってもよい）
且つ、式（２）で表される構造単位を少なくとも１つ含有し、
−Ａｒ− （２）
（式中、Ａｒは、置換または未置換のアリーレン基を表し、該構造単位が２つ以上の場合は、同一の基であっても、異なる基であってもよい）
式（１）および式（２）で表される構造単位から成る繰り返し単位の繰り返し数が１〜１００００であるオリゴマーまたはポリマーを少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】新規なチオフェン化合物、および該化合物を含有してなる高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有する優れた有機トランジスタの提供。
【解決手段】下記一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物。さらには、有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


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【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、さらに閾値電圧が改良された保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式等で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


〔式中、Ｘ_１およびＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す（但し、Ｘ_１およびＸ_２が同時に水素原子、あるいは置換または未置換のアリール基を表すことはない）〕 （もっと読む）

【課題】大画面化しても低消費電力、歩留まり及び信頼性の向上を実現するための半導体
装置の構造及びその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素薄膜トランジスタを逆スタガ型薄膜トランジスタで作製
する。その逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上
に作製する。また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄
膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する第１の微結晶半導体膜を酸化絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を結晶成長させて混相粒の隙間を埋めるように、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】オフセット構造の薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、それぞれゲート電極と一部重畳する第１活性領域及び第２活性領域を備える活性層と、ゲート電極と活性層との間のゲート絶縁膜と、第１活性領域とそれぞれ電気的に連結された第１ソース/ドレイン電極及び第２ソース/ドレイン電極、第２活性領域とそれぞれ電気的に連結された第３ソース/ドレイン電極及び第４ソース/ドレイン電極を備えるソース/ドレイン電極層と、を備えるが、第１ソース/ドレイン電極ないし第４ソース/ドレイン電極のいずれか二つは、ゲート電極と一部重畳し、他の二つは、ゲート電極とオフセットされており、ソース/ドレイン電極の配置は、ソース/ドレイン電極層の中心に対称である薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】自己整列可能であり且つコストを節減できる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタ基板は、多段差構造を有するように深さの異なる多数個の溝を有する基板と、前記基板の溝内に互いに交差するように形成されて多数個の画素領域を形成させるゲートライン及びデータラインと、前記基板の溝内に形成され、ゲートライン及びデータラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと、を含み、前記薄膜トランジスタの活性層は、前記ゲートライン及びゲート電極に沿って形成され、前記データラインを間に挟んで、隣接する画素領域の活性層と分離されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低コストで、優れた性能をもつシリコン系薄膜を提供するために、タクトタイムが短くて、高速の成膜速度で特性のすぐれたシリコン系薄膜と、それを含む半導体素子。さらにこのシリコン系薄膜を用いた密着性、耐環境性などに優れた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｉ型半導体層と前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面領域であって前記ｉ型半導体層と前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面から１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の界面領域の微結晶が（１００）面に優先配向しており、前記ｉ型半導体層の層厚方向における前記微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合である（２２０）面の配向性が前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層又は前記ｎ型半導体層側では小さく、前記下地層から離れるに伴って大きくなるように変化する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶シリコン膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、第１の微結晶シリコン膜上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９を形成し、第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体膜を備え、光リーク電流の発生が抑制され、トランジスタ特性が良好なＴＦＴを提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板１００において、結晶性半導体膜５はソース電極１２側及び／又はドレイン電極１３側がＴＦＴ１０８の外側でかつゲート電極２の外側の領域に引き出されており、ソース電極１２又はソース配線１１０と結晶性半導体膜５との接触部ＳＣとゲート電極２との間、及び／又は、ドレイン電極１３と結晶性半導体膜５との接触部ＤＣとゲート電極２との間に、ゲート電極２と同層の金属遮光膜３を備えている。結晶性半導体膜５のソース電極１２又はソース配線１１０と結晶性半導体膜５との接触部ＳＣとゲート電極２との間、及び／又は、ドレイン電極１３と結晶性半導体膜５との接触部ＤＣとゲート電極２との間に、ｎ型不純物が導入された不純物導入領域を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】性能向上を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機ＴＦＴは、ゲート電極２および有機半導体層６と、それらの間に位置すると共に有機半導体層６に隣接するゲート絶縁層３とを備えている。このゲート絶縁層３は、スチレンおよびその誘導体のうちの少なくとも一方である第１単量体（α−メチルスチレンなど）と、炭素間二重結合および架橋性反応基を有する第２単量体（メタクリル酸グリシジルなど）とが共重合および架橋された材料を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】移動度、電流オン／オフ比、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下式で表される有機半導体を含有してなる有機トランジスタ。


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【課題】プラスチック基板に転写方式で薄膜トランジスタを備える画像表示装置を製造することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
支持基板の主面側に有機材料からなる樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の上層に半導体回路または表示回路を形成する工程と、前記樹脂膜に吸収される波長の光を前記支持基板側から照射して、前記支持基板から前記樹脂層を剥離する工程と、前記樹脂層を薄膜化又は除去する工程と、前記樹脂層の側から第１基板を貼る工程とを有する画像表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】良質な微結晶半導体膜を形成することが可能な複数の結晶核を生成し、該複数の結晶核を成長させる微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜の作製に際して、連続放電によりプラズマを発生させて複数の結晶核を生成させる第１の工程と、パルス放電によりプラズマを発生させて前記複数の結晶核の間隙を埋める第２の工程と、を行い、前記第２の工程は前記第１の工程の後に行う。前記第１の工程と前記第２の工程は更に複数回繰り返してもよい。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクト層の膜厚やドライエッチング時のエッチングレートに依存せず所望のエッチングが可能となる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、半導体層と、オーミックコンタクト層と、ソース・ドレイン電極と、を備える薄膜トランジスタの製造方法であって、絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、オーミックコンタクト層と、ソース・ドレイン電極と、がこの順に積層される積層ステップと、積層ステップによって積層されたソース・ドレイン電極とオーミックコンタクト層とがエッチングガスでエッチングされるエッチングステップと、オーミックコンタクト層がエッチングされてゲート絶縁膜が露出し始める点をエッチング終了ポイントとして検知するエッチング終了検知ステップと、を備える薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】電極／配線の材料としてＡｌ及び／又はその合金が用いられており、オフリーク電流が小さく良好な素子特性を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、基板１上にゲート電極２とゲート絶縁膜３とチャネル層として機能する半導体膜４とを備え、半導体膜４上にソース電極６とドレイン電極７とが互いに離間して設けられたものであり、ソース電極６及びドレイン電極７は、アルミニウム及び／又はその合金を主成分とする少なくとも１層のアルミニウム（合金）膜を含む単層膜又は積層膜からなり、半導体膜４の表面のソース電極６及びドレイン電極７の間の領域８に、電気的に不活性な少なくとも１種のアルミニウム化合物９が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】配線破断を軽減する構造を有する液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート配線及び信号配線、ゲート絶縁膜、半導体パターン、データ配線、保護膜、ドレーン電極を露出させる第１接触孔及び信号配線を露出させ、側辺の長さが幅より大きく形成される複数の第２接触孔、第１及び第２接触孔を通じてドレーン電極に連結される画素電極及び信号配線に連結される信号配線補助パッドを形成する液晶表示装置の製造方法であって、信号配線を形成する段階では、信号配線に一対一に対応する複数の信号リードを有する信号伝送用フィルムを含み、信号伝送用フィルムには複数の信号リードのうちの高電圧信号を伝送する第１信号リードと低電圧信号を伝送する第２信号リードとの間にダミーリードが形成され、ダミーリードに対応するダミー配線が基板に形成され、ダミー配線は信号配線より酸化傾向が小さい特性を有する導電物質で形成される。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く、かつ、光リーク電流の発生が抑制されたＴＦＴを提供する。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、ゲート電極２が、基板１側から見て、第１の金属遮光膜Ａと絶縁膜Ｂと第１の金属遮光膜Ａよりも形成面積の小さい第２の金属遮光膜Ｃとの積層構造を有し、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうち一方がゲート回路に電気的に接続され、他方がゲート回路から絶縁された構造を有するものであり、第１の金属遮光膜Ａは、半導体積層膜１０の形成領域を含む領域に形成されており、チャネル層８において、少なくともソース電極１１とドレイン電極１２との間の領域１３は、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうちゲート回路に電気的に接続された金属遮光膜と近接し、チャネル層８の両端部は、ゲート回路から絶縁された金属遮光膜と近接するよう、第１の金属遮光膜Ａ及び第２の金属遮光膜Ｃが形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、製造工程中に残留する導電膜によって画素電極及びデータ配線が互いに短絡されることを防止して画素欠陥を減少させる。
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁基板と、絶縁基板の上に位置するゲート線と、ゲート線を覆っているゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜上に位置し、ドレーン電極とデータ線とを含むデータ配線と、データ配線を覆っている保護膜７０と、保護膜の上に位置してデータ配線と電気的に連結されている画素電極８０とを含み、ゲート絶縁膜は第１開口部を有し、保護膜は第２開口部と接触口７２とを含み、第２開口部は前記第１開口部を露出させ、第１開口部と前記第２開口部は画素の縁領域に位置し、接触口７２は前記ドレーン電極の一部分を露出させる。 （もっと読む）