【課題】本発明は、高い熱伝導率を有し、かつ絶縁性に優れる放熱用材料を安価に提供することを目的課題とする。
【解決手段】本発明は、アルミニウム基板と、その一表面に形成された絶縁層と、他の一表面に形成された熱放射層とを含み、該熱放射層がアルマイト、または基板面に略垂直に形成された柱状または突起状アルマイトの多孔質層とから成り、該絶縁層がアルマイト、または基板面に略垂直に形成された柱状または突起状アルマイトと樹脂による複合層とから成ることを特徴とする放熱用材料である。 （もっと読む）

【課題】 放熱性を確保した上で、熱変形を防止することができる放熱部品および放熱構造体を提供する。
【解決手段】 熱媒体の流路に位置し、当該熱媒体と熱交換する放熱部品であって、板状の基部１と、基部１に延在する壁状フィン３とを備え、壁状フィンの延在形が、流路方向に直交する方向（ｘ方向）に長さ成分を有し、かつその流路に沿う方向の長さ成分が基部長さの１／２未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の実装時のレイアウトに起因するコモンモード電流の増大を抑制する。
【解決手段】ヒートシンク１３にねじ止めされたＩＧＢＴ１４を、プリントパターン１２が形成されたプリント基板１１上に実装し、ＩＧＢＴ１４のゲート端子、コレクタ端子およびエミッタ端子をプリントパターン１２に接続するとともに、ヒートシンク１３は、ＩＧＢＴ１４のスイッチング動作にて電位が変動する端子に接続されたプリントパターン１２と対向しない位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】回路構成を簡素化可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】ペルチェ素子５１は、吸熱部を形成する導電板１１２Ａが絶縁層１１０に密接し、放熱部を形成する導電板１１２Ｂが絶縁層１１４に密接するように配設される。ペルチェ素子５１は、電力線ＰＬから分岐される分岐線ＢＬに一端が接続され、電極板１０８にその他端が電気的に接続される。そして、ペルチェ素子５１は、パワートランジスタＱ１に流される電力の一部を分岐線ＢＬから受けて電極板１０８へ出力する。すなわち、ペルチェ素子５１は、パワートランジスタＱ１に流される電力の一部を用いて、パワートランジスタＱ１が発生した熱を吸熱して放熱板１１６側へ放熱する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子および放熱ベースとのはんだ接合時における回路基板の反りを低減することにより、高い放熱効率および耐久性を兼ね備えたセラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】セラミックス基板の一方の面に金属回路板が形成され、他方の面に金属放熱板が形成された回路基板であって、前記金属放熱板４の厚みＴ１が前記金属回路板３の厚みＴ２よりも大きく、かつ前記金属放熱板４に少なくとも一つ以上のスリット６が厚さ方向に形成されているセラミックス回路基板。 （もっと読む）

【課題】固定部位を有さないＩＣを既存の放熱板に固定する際、確実にＩＣを位置決めすることが可能なＩＣ固定構造の提供を目的とする。
【解決手段】本ＩＣ固定構造４０は、固定用の貫通孔を備えないＩＣ２０を放熱板３０に固定するためのものである。ＩＣ固定構造４０は、ＩＣ固定部品１０と放熱板３０に施す簡単な加工により構成される。ここで、ＩＣ固定部品１０は、ねじを用いずＩＣ２０を位置決めするものである。また、放熱板３０にはＩＣ２０を位置決めしたＩＣ固定部品１０がねじ止めされる。ＩＣ固定部品１０は、ＩＣ２０を確実に位置決めして放熱板３０と面接触させるため、ＩＣ２０を基板等に固定する際作業性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く且つ実装密度が高められた回路装置を提供する。
【解決手段】本発明の回路装置１０は、第１主面および第２主面を有するセラミック基板１２と、セラミック基板１２の上面に設けられた所定の形状の導電パターン１６と、導電パターン１６に電気的に接続された半導体素子２４と、導電パターン１６および半導体素子２４が封止されるように、セラミック基板１２の上面および側面を被覆して、セラミック基板１２の下面を外部に露出させる封止樹脂１４と、導電パターン１６に電気的に接続されて封止樹脂１４から外部に導出されるリード２２と、セラミック基板１２に熱的に結合された放熱体２６と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】各部品を締結する締結手段の緩みを防止することができる半導体ブロックを提供する。
【解決手段】半導体ブロック16は、発熱する出力ダイオード25と、第１のバスバー26と、第３の放熱器27とからなる。前記第１のバスバー26は、前記出力ダイオード25と前記第３の放熱器27との間に配置され、前記出力ダイオード25と第３のバスバー26とを締結する第１の締結手段としての導電用ねじ45と、前記バスバー26と前記放熱器27とを締結する第２の締結手段としての放熱用ねじ46とを備える。 （もっと読む）

【課題】両面に導電パターンを有する絶縁基板の一方の面に半導体チップを搭載し、他方の面を放熱板に半田付けした半導体装置において、容易に低コストで良好な半田付け性が得られるとともに、密着性が強く、良好な封止性が得られ、信頼性が向上するようにする。
【解決手段】両面に導電パターンを有する絶縁性の回路基板５の一方の面に半導体チップを半田付けしてセルユニットを形成し、その半導体チップで発生した熱を放熱させる金属ベース１の上記セルユニットを半田付けしない部分にメタルマスクにより絶縁性の無機質層４を結合させて形成する。そして、上記セルユニットを金属ベース１に半田付けし、絶縁樹脂７で封入する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクとセラミック基板の間に作用する応力を弾性的に緩和する加熱硬化型の接着剤を介して、両部材同士を組み付けてなる半導体装置の製造方法において、接着剤から発生する飛散物が外部へ飛散するのを防止する。
【解決手段】接着剤７０を介してヒートシンク１０とセラミック基板２０とを組み付けるとともに、接着剤７０における両部材１０、２０との接触部以外の表層部を、飛散物が透過しない飛散物透過防止部材７１にて被覆し、しかる後、接着剤７０を硬化させて両部材１０、２０を接合する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム−セラミックス接合体においては、ろう接法を用いて放熱フィンをセラミックスに直接取り付けていたが、熱膨張係数の差により接合面での剥離が生じ接合力が弱い欠点があるため、ろう材を使用せず、セラミックスとアルミニウムを直接接合し、接合金属塑性変形を利用し、接合界面に集中する応力を小さくすること。
【解決手段】アルミニウム−セラミックス接合体においては、セラミックス基板の一方の面に電子部品搭載用導体を形成し、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金の放熱フィンや水冷ジャケットをろう材等の中間材を使用せずに溶湯接合法を用いて直接接合させるものである。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクとセラミック基板の間に作用する応力を弾性的に緩和する加熱硬化型の樹脂部材を介してこれら両部材同士を組み付けてなる半導体装置の製造方法において、ヒートシンクに対して樹脂部材からの飛散物の付着を防止する。
【解決手段】ヒートシンク１０およびセラミック基板２０のうちヒートシンク１０に樹脂部材７０を塗布した状態で、当該樹脂部材７０を加熱硬化させ、その後、セラミック基板２０を、硬化した樹脂部材７０を介してヒートシンク１０に組み付ける。それによれば、両部材１０、２０を組み付ける前に、飛散物が発生しないように予め樹脂部材７０を硬化させているため、ヒートシンク１０への飛散物の付着を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板上に実装された発熱性部品の冷却に加えてその周辺部品の冷却も効率良く行い、大形化やコストアップを抑制する。
【解決手段】基板１３の上部に配置されるヒートスプレッダ１２に、ＣＰＵ１４に熱的に接触する円柱状の接触部１７、下向きの遮蔽壁１８及び冷却用フィン１９を一体に設ける。ヒートスプレッダ１２に吸気口２２を設け、その上部にファン装置１６を設ける。冷却用フィン１９は、ヒートスプレッダ１２の下面から基板１３の上面側に向けて延び、基板１３の上面とヒートスプレッダ１２の下面との間に通風路２３を形成する。吸気口２２部分に入口側圧力室２４を設け、排気口２１側に出口側圧力室２５を設ける。接触部１７（ＣＰＵ１４）の周囲部に空間部２６を設ける。冷却用フィン１９の下端部に、基板１３上の部品１５の高さ寸法に応じて段差１９ａ，１９ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】所望の強度を備え、加工が容易で、フィン間を空気が自由に流れ熱性能が高く、低コストの積層放熱フィンを提供する。
【解決手段】一部が階段状に折り曲げられて形成された支持部、および、前記支持部の形成によって設けられた開口部をそれぞれ備えた複数枚の金属板状フィンを、前記開口部内において、階段状に折り曲げられた前記支持部の一部を重ねて積層して形成された積層放熱フィン。階段状に折り曲げられて形成された支持部が垂直部および垂直部の中間に位置して両者を連接する屈曲部からなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子側面へのろう材の濡れ上がりを防止するとともに、半導体素子を高い位置精度で基台に接合することが可能な半導体素子の接合構造、及び半導体素子の接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】先ず第１接合部Ａにより半導体素子に形成された脚状部１８と基台とを高い位置精度で接合した後に、第２接合部Ｂにより十分な強度の接合を行うため、高い位置精度で半導体素子を基台に接合することができる。また、第４電極２３のろう材層は脚状部１８の間に位置するため、脚状部１８が障壁となって溶融したろう材層が半導体素子側面への濡れ上がりを防止する。このため、ろう材の濡れ上がりによる半導体素子への悪影響も生じることはない。 （もっと読む）

【課題】熱膨張制御の為Ｍｏのように硬い金属を含むヒートシンクであっても、精度良く容易に製造することができるヒートシンクを提供すること。
【解決手段】レーザーダイオード２を載置する載置面１ａと、載置面１ａに隣接しレーザーダイオード２の発光面２ａに対して同一面上に配置される端面１ｂとを有している。ヒートシンク１の基材３の表面を基材３よりも軟らかい材質のメッキ層で厚手に被覆し、被覆された載置面１ａと端面１ｂとのコーティング層４ａ，４ｂをダイヤモンドバイトなどで切削加工した後、レーザーダイオード２の発光面２ａとヒートシンク１の端面１ｂを同一面上に配置するようにした。レーザーダイオードとヒートシンクはインジウムや金錫半田などで高い平面性を持って高精度に接合する事が出来る。 （もっと読む）

【課題】厚み寸法を抑えるとともに、冷却性能を向上した冷却装置を提供する。
【解決手段】本発明の冷却装置は、熱拡散板３６と、熱拡散板３６上に設けられるとともに、冷却対象物２６と熱的に接続される受熱部３７と、熱拡散板３６上に設けられるとともに、受熱部３７の熱を外部に放熱するヒートシンク３８と、熱拡散板３６上に設けられるとともに、受熱部３７に接続する第１の端部３９Ａと、第１の端部３９Ａとは反対側に設けられるとともにヒートシンク３８に接続する第２の端部３９Ｂと、を有するヒートパイプ３９と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に対して大きな熱応力が作用したときに、素子破壊を防止することができ、長期的信頼性を向上させる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２と、この半導体チップ２の両面から放熱するための一対のヒートシンク３、４とを備え、装置のほぼ全体を樹脂７でモールドしたものにおいて、半導体チップ２の厚さ寸法をｔ１とし、一対のヒートシンク３、４のうちの少なくとも一方のヒートシンク３の厚さ寸法をｔ２としたときに、ｔ２／ｔ１≧５が成立するように構成したものである。上記構成の半導体装置１に対して大きな熱応力が作用しても、素子破壊が発生しないことを試作と実験により確認した。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップが封入された半導体装置の放熱性の向上を図る。
【解決手段】入力側板状リード部５上に制御用パワーＭＯＳＦＥＴチップ２が配置され、このチップの裏面にはドレイン端子ＤＴ１が形成されており、一方、主面には、ソース端子ＳＴ１およびゲート端子ＧＴ１が形成され、このソース端子ＳＴ１とソース用板状リード部１２とが接続されており、また、出力側板状リード部６上に同期用パワーＭＯＳＦＥＴチップ３が配置されており、このチップの裏面にはドレイン端子ＤＴ２が形成され、このドレイン端子ＤＴ２に出力側板状リード部６が接続され、さらに、同期用パワーＭＯＳＦＥＴチップ３の主面には、ソース端子ＳＴ２およびゲート端子ＧＴ２が形成されており、このソース端子ＳＴ２とソース用板状リード部１３とが接続され、ソース用板状リード部１２，１３が露出していることにより、ＭＣＭ１の放熱性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】フィン同士を容易な手段で固定し、振動でフィン同士が接触することによる騒音の発生を抑制する冷却装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数枚の板状のフィン４１が該フィン４１の板厚方向に所定間隔を隔てて積層される冷却装置であって、フィン４１は、板厚方向に延びるようにフィン４１の端部に形成され、隣接するフィン４１と連結する連結片５０を有し、連結片５０は、内側に折り曲げることにより、その端部５６が隣接するフィン４１の第１平面４３に当接する第１突起部５１と、内側に折り曲げることにより、その折り曲がり部５７が第１平面４３の反対側の面である第２平面４４に当接する第２突起部５２とを有することを特徴とする。 （もっと読む）