【課題】冷却効率の低下が抑制された電子部品冷却装置を提供すること。
【解決手段】発熱する電子部品に熱的に接続される受熱ブロックと、受熱部と、前記受熱部の一部から延伸する放熱部とを有し、前記受熱部が前記受熱ブロックの表面に沿って延伸し、前記放熱部が前記受熱ブロックの表面に対して立設するように前記受熱ブロックに取り付けられた複数のヒートパイプと、前記複数のヒートパイプの前記放熱部に設けられた複数のフィンと、を備え、前記複数のヒートパイプは、第１のヒートパイプと、前記第１のヒートパイプよりも前記受熱部の長さが長い第２のヒートパイプとを含む。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と第一の金属板及び第二の金属板との接合信頼性が高く、かつ、セラミックス割れの発生を抑制できるヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板と、該第二の金属板の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクとを備え、前記第一の金属板及び前記第二の金属板のうち前記セラミックス基板との界面近傍にはＣｕが固溶されており、前記第二の金属板及び前記ヒートシンクの接合界面近傍にはＡｇが固溶されている。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを含む半導体装置であって、放熱性向上が図られた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、支持部材上方に、複数の半導体チップを並べて配置する工程と、支持部材上に配置された複数の半導体チップの少なくとも側面を覆って、第１熱伝導層を形成する工程と、複数の半導体チップの上方に、第１絶縁層を形成する工程とを有し、第１熱伝導層は、第１絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】熱交換性能が低下することを抑制しつつ、簡便に製造できる電子機器を提供することにある。
【解決手段】パワーモジュール１１であって、セラミックスからなる熱交換部材１２と、表面にカルボキシル基を修飾した金属ナノフィラー、及びエポキシ樹脂を含む接着シート１５によって熱交換部材１２に接着された配線層１４と、配線層１４にはんだ付けされたパワー素子１６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、両金属層に同じ材質のものを使用しても、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で冷却フィン先端とハウジングとの隙間への冷媒の流れ込みを抑制することができる熱交換器を提供すること。
【解決手段】
ハウジング２０内に冷却フィン３２を備える熱交換器１０において、ハウジング２０の底面と冷却フィン３２との隙間Ｓに冷媒の流れ方向と交差するように配置され、冷媒の流れを阻害する棒状の冷媒流れ阻害部材４０を有し、冷媒流れ阻害部材４０は、冷却フィン３２の先端に形成した切り欠き３３（２３）に圧入されて固定されている。 （もっと読む）

【課題】ボルト締結に耐えうる強度を確保できる液冷ジャケットを提供する。
【解決手段】熱輸送流体が流れる凹部１１を有するジャケット本体１０に、凹部１１の開口部を封止する封止体３０をボルト締結して構成される液冷ジャケット１において、ジャケット本体１０および封止体３０は、ボルト締結用の貫通孔１７，３７が形成された周縁部１６，３３を備え、ジャケット本体１０および封止体３０の少なくとも一方は、被冷却体との接触面３２を有する放熱部３１を備えており、周縁部３３の材質強度が、放熱部３１の材質強度よりも高くなるように構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子群からの受熱による基板の損傷の抑止と基板の製造に用いる材料の節約とを図る。
【解決手段】冷却器８０側から順に第１層５２，６２，７２，第２層５４，６４，７４，第３層５６，６６，７６の三層からなる基板５０，６０，７０の第１層５２，６２，７２の厚みを、対応する半導体素子群４１ａ，４２ａ，４６ａで想定される最大発熱量が小さいほど薄くなるよう形成する。これにより、半導体素子群４１ａ，４２ａ，４６ａからの受熱による基板５０，６０，７０の損傷の抑止と基板５０，６０，７０の製造に用いる材料の節約とを図ることができる。 （もっと読む）

【課題】放熱効率を向上させることのできる金属複合材料の製造方法、金属複合材料、放熱部品の製造方法及び放熱部品を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属粉末とに対して、炭素材料が粉砕され得る強度の機械的衝撃力を加えることにより、金属粉末に炭素材料を凝着させる凝着工程（ステップＳ１）と、炭素材料が凝着された金属複合材料の表面の金属の一部を昇華させることにより、凝着された炭素材料を金属複合材料の表面の一部に露出させる昇華工程（ステップＳ２）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 冷却風を直線的に流通させて流通抵抗を小さくすることができ、しかも、各放熱フィン間の溝部を狭くしても、溝部内の空気を停滞させることなく排出することができる発熱体冷却装置を提供する。
【解決手段】 発熱体冷却装置１は、金属板の一方面に板状の放熱フィン２ａが所定の間隔で多数条形成され、放熱フィン２ａの隣接間に溝部２ｃを形成した放熱板２と、放熱フィン２ａを被冠する皿状のカバー３とを備えている。放熱フィン２ａの先端とカバー３の底面とを離間させることにより冷却風ＣＷを流通させる流通路８が形成される。カバー３の流通路８の前方端８ａと後方端８ｂに位置には、冷却風ＣＷを直線的に流通させる開口３ａが形成され、放熱フィン２ａの端面の基端側に対応させた側壁にはスリット３ｂが形成される。放熱フィン２ａは、板面が開口３ａと平行に配列されるとともに、流通路８の前方端８ａに対向する放熱フィン２ａの少なくとも先端側が前方端側８ａの開口３ａに向けた斜面または円弧面２ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイス等の冷却に用いるヒートシンクは、従来アルミダイキャスト製やアルミ押出し型材製が多用されている。これらのヒートシンクは、その製造プロセスからヒートスプレッダー部に対してフィンはほぼ垂直に立っている。この製法とこの構造に立脚する限り、性能向上のために、フィンピッチを狭めたり、フィン高さを増やしたりするのが困難である。
【解決手段】１個のヒートスプレッダーと複数のフィンとを水平に配置し、それらの中間にスペーサーを設けて結合した積層構造のヒートシンクとした。こうすることで、容易にフィンピッチを狭めたり、フィン面積を拡大することができ、高性能なヒートシンクが簡単に得られる。また、拡散接合やビス留めといった従来用いられていない製造プロセスを適用できる。あるいは、部分的に熱伝導率や熱膨張率の異なる材料を用いることもできる。 （もっと読む）

【課題】適正な絶縁距離を確保しつつ、小型化を図り、かつ冷却フィンの着脱が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース板１と、前記ベース板の一方の主面上に設けられ、絶縁基板３、半導体素子５及び外部端子７を含む回路基板２と、前記回路基板を取り囲むように配置された筐体９と、を備えた半導体装置であって、前記ベース板はその他方の面が前記半導体装置の冷却面に露出し、前記筐体には、その前記冷却面側に開口部を有し、側壁を有する取付け孔９ａが設けられ、前記側壁面に開口部を有する溝９ｂが形成され、前記溝には弾性部材１０が収納されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が高く、簡単に製造できるとともに、冷却性能を向上させることができるヒートシンク、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及び作業性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク５は、金属部材５０にプレス加工により複数の凹部５３が形成されるとともに、その凹部５３の周縁部に、凹部５３を囲む隆起部５４が形成され、凹部５３に一部嵌合したフィン材５５がろう付けされてなり、金属部材５０とフィン材５５との間のフィレット部５７が、隆起部５４を含んで形成される。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた、抗高圧特性をもち、実装工程を減少し、コストを低減した、発光装置およびその形成方法を提供する。
【解決手段】第一表面２００ａを含むベース２００と、前記第一表面上に形成される導電性線路層３００と、基板４１０及び前記基板上に設置される少なくとも一の発光ダイオード４５０を含む発光ダイオードモジュール４００と、を備え、前記発光ダイオードモジュールの基板が表面実装法で前記導電性線路層に表面実装法で設置され、前記ベースは、表面酸化処理をしたアルミニウム、表面に酸化層を有するアルミニウム、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムからなる群から選ばれる一の材質から構成される。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時の接合強度を向上することのできる両面基板、半導体装置、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ヒートシンク２０の上面には、第１のアルミニウム層３２、第２のアルミニウム層３３、セラミック基板３１からなる両面基板３０が接合されている。第１のアルミニウム層３２は、ヒートシンク側および基板側アルミニウム層３２ａ，３２ｂを積層してなる。ヒートシンク側アルミニウム層３２ａは純度９９．９９ｗｔ％以上のアルミニウム（４Ｎ−Ａｌ）であるとともに、基板側アルミニウム層３２ｂは純度９９．５ｗｔ％以上９９．９ｗｔ％未満のアルミニウム（２Ｎ−Ａｌ）である。 （もっと読む）

【課題】筐体内部の電子部品から発生する熱を筐体外部に効率良く放熱する。
【解決手段】筐体４０の内部に配置され、筐体４０の内面に対向する第１の面を有する基板３０と、基板３０の第１の面に実装された電子部品２０と、基板３０の第1の面及び筐体４０の内面の間に狭着された放熱部材１０とを備え、放熱部材１０は、電子部品２０の実装面を除く全ての面を覆い、且つ、基板３０の第１の面及び筐体４０の内面に密着する。 （もっと読む）

【課題】金属ブロックと半導体素子とのはんだ付け性及び金属ブロックと樹脂との密着性を確保すると共に、製造コストの上昇を抑えた半導体モジュール、及びその製造方法等を提供すること。
【解決手段】本半導体モジュールは、金属ブロックと、前記金属ブロックの一方の面に設けられた半導体素子設置領域にはんだ層を介して設置された半導体素子と、前記金属ブロック及び前記半導体素子に樹脂をモールドして形成されるモールド部と、を有し、前記金属ブロックの一方の面は、めっき領域と、粗化領域と、を含み、前記半導体素子設置領域は、前記めっき領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 樹脂封止型の半導体装置であって、従前の構造に比して、冷却性能の向上が可能な新規な構造を提案すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置10は、半導体素子12とそれが接合された電極板14とが電気絶縁性樹脂から成るモールドＭ内に包含され封止され、モールドの外面に於いて、放熱用のコルゲート・フィン22が、モールドの外面の樹脂がコルゲート・フィンの一方の面の溝内に充填された状態にて接着され、且つ、コルゲート・フィンの一方の面の樹脂が充填された溝の幅ｗ１がコルゲート・フィンの他方の面の樹脂が充填されていない溝の幅ｗ２よりも広いことを特徴とする。これにより、電極板とコルゲート・フィンとの間の電気絶縁性を担保しながら、それらの間の距離ｈが短縮可能となり、冷却性能が向上される。 （もっと読む）

【課題】金属板と一体化した絶縁層を有するタイプの半導体モジュールを備え、従来よりも製品の高信頼化を実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１０１において露出する金属板５と冷却装置１０２とが接合材７にて接合され、金属板５は、接合される接合領域５２と、接合しない非接合領域５３とを有する。このような半導体装置１１０において、非接合領域、接合材の周囲領域５４、及び冷却装置において接合された部分の周囲の接合周囲領域６３に対してさらに樹脂剤９を備えた。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールとヒートシンクをはんだ付けする場合、はんだの溶融時にはんだが外部に流出する恐れがあり、はんだが流出すると本来あるべきはんだ量が足りなくなるため、濡れ面積不足により放熱性能低下が問題となる。
【解決手段】電力用半導体素子１をモールド樹脂２で封入したパワーモジュール１０と、パワーモジュールにはんだにより接合されたヒートシンク１１とを有する電力用半導体装置において、ヒートシンクのパワーモジュール搭載面には、位置決め部１２とはんだ流出止め部１３とからなる突起部１４を設け、突起部とパワーモジュールとヒートシンクで囲まれた空間であってはんだの周囲には、はんだの溶融時に膨張する体積分以上の容積で、その表面がはんだに濡れない材質で構成された溶融はんだの体積膨張吸収部１５を形成した。 （もっと読む）