説明

Fターム[5F136FA02]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 放熱部材の材料 (10,071) | 金属 (3,956) | Al、Al合金 (1,652)

Fターム[5F136FA02]に分類される特許

161 - 180 / 1,652


【課題】放熱性が高く且つ反りおよびそのばらつきが小さい金属−セラミックス接合基板、およびその金属−セラミックス接合基板を低コストで製造することができる、金属−セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板12の一方の面に金属板14が直接接合するとともに、他方の面に金属ベース板10が直接接合した金属−セラミックス接合基板において、金属ベース板10より強度が高い金属からなる強化部材16が金属ベース板10の内部を貫通して延びている。 (もっと読む)


【課題】伝熱性及び放熱性に優れた放熱部品、及びそれを有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本放熱部品は、銅を主成分とする基材と、前記基材の表面の少なくとも一部を覆う電気アルミニウムめっき層と、前記電気アルミニウムめっき層の表面の一部が陽極酸化されたアルマイト層と、を有する。 (もっと読む)


【課題】カーボン材を使用した放熱板の機械的強度の向上と製造コストの低減を両立させる。
【解決手段】この発明の放熱板11は、板状のカーボンベース体1、およびカーボンベース体1の周囲を覆った状態で密閉される高熱伝導性シール材2,3を有する。カーボンベース体1は、例えば、カーボン粒子を板状に圧縮固形化したものを好適に使用できる。高熱伝導性シール材2,3は、熱伝導率が高く、展性に優れた金属製の板金を好適に使用できる。このような金属としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銅または銅合金などが挙げられる。 (もっと読む)


【課題】歪み、反りを抑制可能な金属ベース回路基板を提供する。
【解決手段】熱膨張係数の大きな絶縁層Aを熱膨張係数の小さな絶縁層Bで挟み込む構造としたため、絶縁層Aの収縮/膨張を絶縁層Bが打ち消すように収縮/膨張し、応力を打ち消す方向で緩和させることにより、熱膨張の影響を軽減できる。このため、反りや歪みを極力抑制する一方で、上下層の接合強度が保たれ、設計の自由度を損なわない、信頼性のある回路構成とすることができる。 (もっと読む)


【課題】窒化アルミニウムを所望のサイズや密度で形成する。
【解決手段】マグネシウム16を第1の炉2に配置し、アルミニウム18を第2の炉3に配置し、第1の炉2内にてマグネシウム16を気化させてマグネシウム蒸気22を生成し、その生成したマグネシウム蒸気22をアルゴンガスの流れにより第1の炉2内から第2の炉3内へと供給し、第2の炉3内にてマグネシウム蒸気22と窒素ガスとを反応させて窒化マグネシウム24を生成し、アルミニウム18を窒化マグネシウム24により窒化させて窒化アルミニウム25を形成する。 (もっと読む)


【課題】小電流用配線が自身よりも大電流が流れる部位と導通することを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】大電流が流れるエミッタ用パッド12a及びコレクタ用パッド12bと、小電流が流れる小電流用配線(131,133,134)とを含む半導体チップ10と、コレクタ用パッド12bに電気的に接続された金属からなるコレクタ用端子30と、エミッタ用パッド12aに電気的に接続された金属からなる第2部材(ブロック体50及びエミッタ用端子20)とを備え、半導体チップ10、ブロック体50、エミッタ用端子20、コレクタ用端子30が一体的にモールド樹脂60にてモールドされた半導体装置100である。この第2部材(ブロック体50及びエミッタ用端子20)は、一部がモールド樹脂60の外部に露出し、小電流用配線(131,133,134)を覆っている絶縁性保護膜80に対向する位置にスリット部51が設けられている。 (もっと読む)


【課題】放熱性、絶縁耐圧、光反射性に優れた実装基板及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】実装基板10a−1は、陽極酸化処理によってアルミニウム基材20の第1の面に形成された層であり、多孔質層40とこの多孔質層の下に存在するバリア層30とからなる陽極酸化層35と、多孔質層上に、シード層50、第1の導電層60、第2の導電層70がこの順に形成され、所定の形状を有する配線領域と、この配線領域を除いた領域における多孔質層の少なくとも表面側の一部分が除去された領域とを有する。また、配線領域を除いた領域におけるバリア層が除去され、アルミニウム基材が露出した状態とされていてもよい。 (もっと読む)


【課題】セラミックス基板と導体パターン層との強固な接合性を得ることができ、組立作業性を向上させることができるパワーモジュール用基板用の導体パターン部材を提供する。
【解決手段】導体パターン部材10は、導体パターン層6とろう材箔9とを積層状態に仮固定してなり、導体パターン層6の表面にろう材箔9を溶接することにより形成された溶接部12が、導体パターン層6の外縁の少なくとも対向する二辺に沿って又は前記二辺の端部に位置するように複数設けられている。 (もっと読む)


【課題】外観上で製品寿命を予測することにより、製品寿命による交換を適正に実施することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、半導体チップ1と、半導体チップ1が取り付けられた回路基板2と、回路基板2の半導体チップ1が取り付けられた面と対向する面に取り付けられたベース板3とを備えている。ベース板3は、回路基板2が取り付けられる側の一方面3aおよび一方面3aに対向する他方面3bを有する第1の部材31と、第1の部材31と異なる熱膨張係数を有する第2の部材32とを含んでいる。第2の部材32は、第1の部材31の表面に表れないように第1の部材31に周囲を覆われている。 (もっと読む)


【課題】高い熱伝導率と高い赤外線吸収率を有し、高温での高い耐久性と高い耐油性をも兼ね備えた、新規な赤外吸収熱伝導部材を提供する。
【解決手段】本発明の赤外吸収熱伝導部材は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配向したカーボンナノチューブ集合体を含み、赤外線吸収率が0.8以上であり、厚さ方向の熱伝導率が1W/mK以上である。 (もっと読む)


【課題】熱サイクル負荷を受けた際にも、回路層の表面にうねりやシワ等の塑性変形が発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、その接合信頼性を向上させる。
【解決手段】回路層7として、電子部品搭載面7aを構成するアルミニウム純度が質量%で99.0%以上99.95%以下の第1層11と、アルミニウム純度99.99%以上の第2層12とを含む2以上の層を積層してなるクラッド材を用い、その第2層12をセラミックス基板3にろう付けにより接合する。 (もっと読む)


【課題】 発熱量の大きな電子部品であっても、射出成型基板で一体化し、効率良く冷却をおこなうことが可能な基板アッセンブリ等を提供する。
【解決手段】 射出成型基板1は、電子部品搭載部9、発熱素子搭載部11が形成される。電子部品搭載部9は、電子部品等を搭載する部位であり、内部の回路導体15が露出する。第1の電子部品である電子部品13aは、電子部品搭載部9において、回路導体15と半田等によって電気的に接続される。発熱素子搭載部11は、発熱量の大きな電子部品を搭載する部位であり、内部の放熱板17が露出する。第2の電子部品である発熱素子13bは、発熱素子搭載部11において、放熱板17上に半田やボルト等によって設置される。発熱素子13bは、例えばスイッチング素子などである。 (もっと読む)


【課題】放熱性に優れるとともに、機械的強度の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 この発明の半導体装置1は、金属ベース板4,8上に樹脂絶縁層5,9および導体層6,10が形成され導体層6,10同士が対向して配置される一対の絶縁金属基板3,7と、両絶縁金属基板3,7の導体層6,10に接続された半導体チップ2と、両絶縁金属基板3,7の導体層6,10に接続されたリード11〜13と、を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の作動の信頼性を向上させる半導体素子の冷却構造、を提供する。
【解決手段】半導体素子の冷却構造は、絶縁基板60と、互いに間隔を隔てて配置される複数の半導体素子56p,56qと、伝熱板70と、ヒートシンク80とを備える。絶縁基板60は、表面60aと、表面60aの裏側に配置される裏面60bとを有する。複数の半導体素子56p,56qは、表面60a上に搭載される。伝熱板70は、裏面60b上に設けられる。ヒートシンク80は、伝熱板70に対して絶縁基板60の反対側に設けられ、伝熱板70を介して伝えられた半導体素子56p,56qの熱を放熱する。絶縁基板60には、互いに隣り合って配置された半導体素子56p,56q間で延びる溝63が形成される。伝熱板70は、裏面60bと対向しながら複数の半導体素子56間で連続するように設けられる。 (もっと読む)


【課題】
電子機器内で発生する単数または複数の局所的な高温部を冷却することができ、冷却対象となる部品の大きさや形状、そして周囲の構造物による搭載制限の影響を受けることなく使用できる、変形が可能な帯状の放熱板を提供する。
【解決手段】
基板上に搭載される1又は2以上の発熱部品を1つの放熱板により冷却する冷却構造であって、前記放熱板を、所定の曲げ形状を連続して繰り返して薄い帯状に形成し、前記放熱板の曲げ形状の一部を前記発熱部品に密接する。 (もっと読む)


【目的】半導体パワーモジュールをヒートシンク上に設置し、半導体パワーモジュールとヒートシンクとが接する側のヒートシンク面内に溝を設け、この溝に伝熱管を埋設して、半導体パワーモジュールが発する熱をヒートシンクが吸収して外部に放熱する半導体パワーモジュールの冷却装置において、放熱効率の向上を図る。
【解決手段】伝熱管にヒートパイプを使用し、溝の断面形状に合わせて断面形状を変形させたヒートパイプを溝に埋設させることを特徴とした半導体パワーモジュールの冷却装置。 (もっと読む)


【課題】 冷却流体を直線的に流通させて流通抵抗を小さくすることができ、しかも、溝部内の熱を停滞させることなく排出することができる発熱体冷却装置および発熱体冷却方法を提供する。
【解決手段】 発熱体冷却装置1は、金属板の一方面に板状の放熱フィン2aが所定の間隔で多数条形成され、放熱フィン2aの隣接間に溝部2bを形成した放熱板2と、放熱フィン2aを被冠する皿状のカバー3とを備え、放熱フィン2aを冷却流体によって冷却するように構成している。放熱フィン2aの先端とカバー3の底面との間を離間させて冷却流体を流通させる流通路8が形成され、カバー3の流通路8の前方端8aと後方端8bの位置には、冷却流体を直線的に流通させる開口3aが形成され、放熱フィン2aは、板面が開口3と平行に配列させるとともに、板面に対して冷却流体を板面とほぼ直角に流通させるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】エポキシ樹脂を封止材とした絶縁シート構造のパワーモジュールにおいて、吸湿による絶縁シートの絶縁性能低下を防止することにより、長期的信頼性を向上させる。
【解決手段】金属基板11と、絶縁シート2と、ヒートスプレッタ3と、半導体素子4と、リードフレーム5と、配線6と、封止樹脂7とを備え、金属基板11は、その端部が湾曲形状を有するとともに封止樹脂7内に封止される。これにより、外部から絶縁シート2までの水分浸入経路を長くすることができ、吸湿による絶縁シート2の絶縁性低下を防止して、パワーモジュールの長期信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品6に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品6が配設される基板5上に接着剤4を介して接合される接合面3を備えた放熱装置1において、接合面3は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が0.5〜1.0μmのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】パッケージの外面の切削又は研削加工によって放熱部材を露出させるものにあって、切削面における平面度の低下を抑える。
【解決手段】半導体装置21は、パッケージ22内に、2組の半導体チップ23及び金属ブロック体28を備え、下面に共通の放熱板24、上面に放熱板25、26を備える。放熱板24の露出面に、前後方向に延びる凹部24aを設ける。半導体装置21の製造にあたっては、半導体チップ23、金属ブロック体28、放熱板24、25、26等を接合し、エポキシ樹脂によりモールドしてパッケージ22を形成する。この後、パッケージ22の下面を、切削ラインCまで切削して放熱板24を露出させる。凹部24aによって放熱板24が分断されるので、放熱板24が深く切削されることを防止できる。 (もっと読む)


161 - 180 / 1,652