【課題】熱伝導特性に優れた材料が微粒子の状態で、樹脂成分からなるマトリックス中に、均一に分散した硬化性でグリース状の熱伝導性シリコーン組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）ケイ素に結合したアルケニル基を1分子中に2個以上有するオルガノポリシロキサン：100質量部、（Ｂ）ケイ素に結合した水素原子を、１分子中に２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、（Ｃ）融点が０〜７０℃のガリウムおよび／またはガリウム合金、（Ｄ）平均粒径が０．１〜１００μｍの銀粉末、（C）成分と（D）成分の合計が３００〜５０００質量部であり、これらは質量比において（C）成分／｛（C）成分＋（D成分）｝＝０．１〜０．９である。（Ｆ）白金系触媒、並びに（Ｇ）付加反応制御剤を含有する硬化性でグリース状の熱伝導性シリコーン組成物。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールの冷却性能の向上を図る。
【解決手段】電力変換装置は、冷却流路１０を形成する筐体１と、冷却流路１０内に配置されて冷媒との間で熱交換を行う放熱フィン群３３を有しているパワーモジュール３を備え、パワーモジュール３は、半導体素子を収容する筒部３１と、筒部３１の開口に形成されるフランジ部３２とを有し、筒部３１は対向配置される１対の側板３１ａを有し、１対の側板３１ａのそれぞれには、フランジ部３２に対して所定長さの隙間１６を介して放熱フィン群３３が冷却流路１０に突出するように立設されており、筒部３１の１対の側板３１ａのそれぞれに立設される放熱フィン群３３とフランジ部３２との間の隙間１６に配置されて、冷媒を放熱フィン群３３へと導く少なくとも１対の邪魔板１３が、筐体１からパワーモジュール３の筒部３１の側板３１ａ側に向かって突出するように設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却性能を維持する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１と、半導体モジュール１の表面に設けられ、半導体モジュール１を冷却する冷却器２と、半導体モジュール１と前記冷却器２との間に設けられ、熱伝導性を有する伝熱部材とを備え、伝熱部材が設けられた領域の外側で、冷却器２と対向する半導体モジュール１の表面、又は、半導体モジュール１と対向する冷却器２の表面の少なくとも一方の表面に、凹部１６１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールにおける半導体素子の配置の自由度を向上すると共に、放熱性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体モジュール２と、冷却部３と、ボルト４とを有している。半導体モジュール２は、半導体素子２１を樹脂部２２内に封止すると共に放熱面２３２を露出させた状態で放熱板２３を上記樹脂部２２に保持してなる。放熱板２３は、ボルト４を螺合するボルト穴２３５を、放熱面２３２に開口するように形成してなる。冷却部３は、放熱面２３２に熱的に接触して半導体モジュール２を冷却するよう構成されると共に、ボルト４を挿通するボルト挿通穴３５を貫通形成してなる。半導体装置１は、ボルト４を上記冷却部３のボルト挿通穴３５に挿通すると共に、放熱板２３のボルト穴２３５に螺合することにより、半導体モジュール２と冷却部３とが互いに固定されている。 （もっと読む）

【課題】冷却性能の低下を抑制する冷却装置を提供する。
【解決手段】本発明における冷却装置は、発熱体が接続される蒸発部と、放熱部が接続される凝縮部と、蒸発部で気化し凝縮部で凝縮する冷媒とを有し、凝縮部は放熱部と熱的に接続する面に凹凸構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させることが可能で、且つ、種々の形状に変形可能な実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板２は、第１金属板により形成され電子部品を一面側に搭載可能な伝熱板２１と、第２金属板により形成されてなり伝熱板２１の他面側に配置され電子部品を電気的に接続可能な配線パターン２２と、伝熱板２１と配線パターン２２との間に介在する絶縁層２３と、を備えている。そして、実装基板２は、配線パターン２２が、電子部品を電気的に接続可能な複数の単位パターン２２ｕと、単位パターン２２ｕの並設方向に直交する規定方向の一端側において単位パターン２２ｕどうしを連結し且つ電気的に接続する連結片２２ｃと、上記規定方向の他端側が開放され連結片２２ｃに至る第１スリット２２ｄと、を有し、伝熱板２１が、第１スリット２２ｄに重なる第２スリット２１ｄを有している。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率と絶縁性とを両立させつつ、劣化に強く低コストの中間体を有し、発熱体の熱を効率的に放熱できる放熱ユニットを提供する。
【解決手段】本発明の放熱ユニット１は、発熱体２から伝導される熱を放出する放熱部５と、前記発熱体２からの熱を前記放熱部５に伝導する中間体４と、を備え、前記中間体４は、無機物粒子の相と、該無機物粒子の相の周囲に配せられる無機結合相を有し、前記無機結合相は、金属アルコキシドが加水分解および脱水重合されて形成される無機材質を含み、前記金属アルコキシドをなす金属元素は、Ａｌ、Ｍｇ，Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂｅの群から選択される１以上であり、前記中間体４は、前記放熱部５の表面に接合している。 （もっと読む）

【課題】面内方向と厚さ方向の両方で高い熱伝導率をもつ放熱基板を得る。
【解決手段】第１の黒鉛層１１と第２の黒鉛層１２とが積層された構造が用いられる。第１の黒鉛層１１において六角形環が広がる方向を水平方向とし、第２の黒鉛層１２において六角形環が広がる方向を鉛直方向とする。この積層構造における第１の黒鉛層１１側から、熱伝導率の高い金属をイオン注入する。これにより、第１の黒鉛層１１は、第１の金属拡散層２１となる。積層構造の全面に、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）膜２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂モールド成形時におけるパイプの変形を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体モジュール2と、上面に半導体モジュール2が接合され側面20,22に冷媒流通用のパイプ14,15が固定された冷却器3と、半導体モジュール2と冷却器3の外周を覆う樹脂モールド層4と、を備え、冷却器3の側面20,22に、側面20,22から突出しパイプ14,15を囲む凸部25,26を設けた。 （もっと読む）

【課題】基板に対する仮止め操作において、実装された電子部品に対して安定した押圧力を作用させ、基板との間で位置ずれが起きることのないヒートシンクを提供する。
【解決手段】本発明のヒートシンクは、基板５０の発熱部からの熱を放熱する平板部２を具備しており、平板部２には、基板に対して固定される基板係止部材１０と、基板の発熱部に対して平板部を押圧させる押圧係止部材２０が設けられている。基板係止部材１０は、基板側に突出して基板と係合すると共に、基板と平板部との間隔を維持する位置決め部を有し、押圧係止部材２０は、弾性を有する板材で構成されており、平板部２に面接固定される押圧部２１と、押圧部２１から平板部２の縁部外方に突出すると共に基板側に向けて屈曲形成され、基板に形成されている貫通孔に挿通、係止される連結部２２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】発熱部材と固定金具との絶縁距離を確保できる発熱部品の固定方法及び発熱部品の固定構造を得ること。
【解決手段】発熱部品の固定方法は、基板に対して第１の方向に列を成すように取り付けられた複数の発熱部品を前記複数の発熱部品に沿って延在する放熱部材へバネ性を有する１以上の固定金具で固定する発熱部品の固定方法であって、前記固定金具が前記発熱部品を前記放熱部材に押圧して締結する際に、前記発熱部品と前記固定金具との間に板状の絶縁部材を挟んで締結する。 （もっと読む）

【課題】電子部品に対する良好な放熱特性を有し、基板に対する電子部品の接触圧を均一にでき、電子部品のメンテナンス性に優れた放熱構造を提供する。
【解決手段】放熱構造１０は、発熱部材１の放熱面１ｂに接触して配置された放熱シート１２と、この放熱シートの裏面１２ａに隙間を介して配置されたヒートシンク１４と、流動性を有する状態で放熱シートとヒートシンクの間の隙間に供給された伝熱材１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属ーセラミック基板と金属体との接合方法に関する。
【解決手段】少なくとも１つの面上にメタライゼーション１，４を有する金属−セラミック基板を、金属合金４によって金属体５に接合する方法であって、（ａ）厚みが１ｍｍ未満である金属体を使用し、（ｂ）（ｂ−１）アルミニウムを含み、（ｂ−２）液相温度が４５０℃より高い金属合金を、金属−セラミック基板と金属体との間に配置し、（ｃ）ステップ（ｂ）が提供する配置を４５０℃より高い温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】冷却システムにおいて、サーバラック等に搭載できる計算機の個数を増やすと共に、計算機を効率的に冷却すること。
【解決手段】電子機器２３が設置される機器設置エリア１２と、機器設置エリア１２内の空調を行う空調機２１と、電子機器２３内の発熱部品５７と熱的に接続した伝熱部材２５の先端部２５ｘが配置される冷却エリア１３と、機器設置エリア１２と冷却エリア１３とを分離する分離壁１１と、一端が先端部２５ｘに接続され、他端が冷却エリア１３から出た気流Aを外気Bと熱交換する熱交換器６０に接続されたドレインホース６３とを有し、先端部２５ｘに不織布６５又は多孔質材６５が配置される冷却システムによる。 （もっと読む）

【課題】冷却性に優れコンパクトな半導体装置の提供。
【解決手段】半導体チップ２の上面に形成された電極パッド３ａ、３ｂには、それぞれ金属ワイヤ４によってリード端子５ａおよび制御リード端子５ｂが接続されている。半導体チップ２の裏面電極３ｃには、はんだ６を介して導電性金属により形成されたダイパッド７が接合されている。ダイパッド７の下面には、セラミックス板により形成され、所定の強度と絶縁性を備えた絶縁板８が接合されている。この状態で合成樹脂材料が充填され、樹脂筐体９によって、半導体チップ２、電極パッド３ａ、３ｂ、裏面電極３ｃ、金属ワイヤ４、リード端子５ａ、制御リード端子５ｂ、ダイパッド７および絶縁板８が覆われる。ダイパッド７の下方に配置された絶縁板８の底面は、樹脂筐体９から露出している。 （もっと読む）

【課題】異種材料で構成された基板とヒートシンクの間の接合部の信頼性向上。
【解決手段】本発明による半導体装置１，２，３は、放熱面４０ｂを有し、放熱面とは逆側に放熱面に略平行な接合面４０ａを備え、該接合面に凹部４６を備えたヒートシンク４０，４０’と、ヒートシンクに接合され、ヒートシンクの接合側とは逆側に半導体素子１０が配置された基板２０，２０’であって、ヒートシンクよりも熱膨張係数が小さく、接合面に平行な方向でヒートシンクの凹部４６に対して離間する態様で、ヒートシンクの凹部４６内に配置される基板２０，２０’と、凹部４６内に絶縁樹脂を充填して形成され、接合面に平行な方向で基板の側面２０ａとヒートシンクの凹部４６内の側面４６ａとの間に形成される絶縁樹脂部７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】扇風モジュールのみを使い放熱させることによる、電子装置全体の放熱効果が不均一であるという問題を解決させる放熱装置と電子装置構造を提供する。
【解決手段】金属材質によって製造される放熱板を含み、放熱板が回路基板１１０の片側上を覆う時、放熱板と回路基板の片側の間には間隔３１０ができ、気流の通り道を構成させるため、回路基板の全体の放熱効果が高められる。放熱装置は電子装置の回路基板に適用され、回路基板は相対する第一面と第二面からなり、かつ回路基板は電気的に設置される複数個の電子部材１１０３を有する。放熱装置は金属材質によって製造される第一放熱板２１０をさらに含み、第一放熱板は回路基板の第一面上を覆い、かつ、第一放熱板と回路基板の第一面の間には気流の通り道として構成される間隔を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱特性を有するとともに、はんだ濡れ性を向上させることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２に金属層６および金属層７を積層するとともに、金属層６上に無電解ニッケルメッキ層６１を形成した後、その無電解ニッケルメッキ層６１を厚さが０．５μｍ以上２．０μｍ以下、算術平均粗さが０．１μｍ以上０．４μｍ以下となるように研磨してメッキ層６０を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの基板の機械的強度を低下させることなく、半導体素子を確実に冷却することができる構成を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子５が半導体パッケージ１０に搭載された半導体装置１であって、半導体パッケージ１０は、半導体素子５が実装される基板２を具備し、基板２内に、多孔質部材から構成された冷却層４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とヒートシンクとが応力緩和材を介してろう材箔によってろう付された放熱装置の製造において、接合に供されない余剰ろう材量を減らす。
【解決手段】 応力緩和材（20）は少なくとも片面に開口する応力吸収空間（21）を有し、この応力緩和材（20）の応力吸収空間（21）が開口する面に絶縁基板（11）またはヒートシンク（13）を接合するために絶縁基板（11）またはヒートシンク（13）と応力緩和材（20）との間に介在させる放熱装置用ろう材箔（30）（40）であって、前記応力緩和材（20）の応力吸収空間（21）の開口部に相対する開口部対応領域の一部もしくは全部に、ろう材箔を厚み方向に貫く貫通部（32）（42）がろう材箔を切除することなく形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）