【課題】スイッチング素子のスイッチングによりコモンモードノイズが発生するのをより適正に抑制する。
【解決手段】スイッチング素子を含むカード状の素子部２２と、素子部２２から互いに対面した状態で延出するＰバスバ２６ｐおよびＮバスバ２６ｎと、を間に挟んで両側に配置され導体により形成された２つの冷却器３１，３２は、両バスバ２６ｐ，２６ｎの間に配置され導体により形成された板状の接続部３６によって接続されており、２つの冷却器３１，３２を接地し、両バスバ２６ｐ，２６ｎにおける素子部２２から接続部３６に対面する所定位置までのインダクタンスをそれぞれＬｐ，Ｌｎとし、両バスバ２６ｐ，２６ｎと接続部３６との間のキャパシタンスをそれぞれＣｐ，Ｃｎとしたときに、Ｌｎ・Ｃｎ−Ｌｐ・Ｃｐ＝０の関係式が成立するように両バスバ２６ｐ，２６ｎと接続部３６とを形成かつ配置する。 （もっと読む）

【課題】回路層を、変形抵抗が大きな銅または銅合金で構成しても、セラミックス基板の一方側と他方側とで絶縁性を確保することができるパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を用いたヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面側に回路層１２が形成され、この回路層１２の一方の面に電子部品３が搭載されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、銅または銅合金で構成されており、セラミックス基板１１と回路層１２との間には、セラミックス基板１１の一方の面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる緩衝アルミ層１６と、回路層１２の他方の面に接合された補助セラミックス板１７と、が介装されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた熱伝導性及び絶縁性が安定して得られ、且つ生産性にも優れる樹脂封止型半導体装置用基板、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属ベース材２上に、少なくとも、エポキシ樹脂と、紫外線硬化型硬化剤及び熱硬化型硬化剤、又は熱紫外線硬化型硬化剤と、無機フィラーとを含有し、前記無機フィラーの含有量が５０〜８０体積％であるエポキシ樹脂組成物で、Ｂステージ状態の絶縁層２ｂを形成して、金属ベース基板１とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の熱伝導性及び接着性が高いパワー半導体モジュール用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパワー半導体モジュール用部品１１の製造方法では、熱伝導体２と無機フィラーを含む第１，第２の絶縁層３，４とを備える積層体１であって、第１，第２の絶縁層３，４が、同一の硬化性組成物を用いて形成されており、第１，第２の絶縁層３，４がそれぞれ、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを含み、第１の絶縁層３の硬化率が５０％以上であり、第２の絶縁層４の硬化率が８０％未満であり、上記硬化性組成物が、２５℃での粘度が１５０００ｍＰａ・ｓ以下である液状エポキシ化合物又は融点が１４０℃未満である結晶性エポキシ化合物を含む積層体１を用いる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高い積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層体１は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２と第１の絶縁層３と第２の絶縁層４とを備える。第１，第２の絶縁層３，４は、同一の硬化性組成物を用いて形成されている。第１，第２の絶縁層３，４はそれぞれ、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを含む。第１の絶縁層３の硬化率が５０％以上であり、第２の絶縁層４の硬化率が８０％未満である。上記硬化性組成物は、２５℃での粘度が１５０００ｍＰａ・ｓ以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が１４０℃未満である結晶性エポキシ化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】冷却水の流れ圧力損失を最小化するとともに、放熱効果を増大できるだけでなく、発熱部の全体面積の温度偏差を最小化することができるヒートシンクを提供する。
【解決手段】本発明のヒートシンク１００は、冷却水の流入部分に連結され、第１フィン１０１が多数個配列された第１領域と、冷却水の排出部分に連結され、第１フィン１０１より表面積が大きい第２フィン１０３が多数個配列された第２領域とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板に大きな反りが生じることがなく、かつ、金属層においてブローホール等の欠陥が発生することなく、回路層が銅板で構成されるとともに金属層がアルミニウム板で構成されたパワーモジュール用基板を安定して製造することができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面に、銅又は銅合金からなる銅板２２を接合して回路層１２を形成する銅板接合工程と、セラミックス基板１１の他方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板２３を接合して金属層１３を形成するアルミニウム板接合工程と、を有し、前記銅板接合工程では、銅板２２とセラミックス基板１１とを、液相温度が前記アルミニウム板の融点未満とされた接合材２４を用いて接合する構成とされており、銅板接合工程とアルミニウム板接合工程とを同時に行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ照明が、普及しつつあるが、発熱量が大きいため素子の耐久性が短く、その普及を妨げている。効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を提供することにより、ＬＥＤチップの輝度低下、寿命低下の改善によって、マーケットの拡大を実現する。
【解決手段】熱伝導性の悪い絶縁シート層を使用しない構造の基板とする改良と熱伝導性の良好な銅板による放熱を実現するために、ガラエポ基板８上の銅箔３と、ＬＥＤチップの電極６とをハンダでつなぎ、電極の端を熱伝導性ゲル１２で銅板１０と結合させて、放熱し易い構造を実現した。樹脂層の使用をできるだけ避けることにより冷却器に熱を伝えて、効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を確立した。高い放熱性を有する新規なガラエポ基板８を有するＬＥＤ照明器の製造法である。 （もっと読む）

【課題】放熱性能を高めることができるヒートシンクを提供することに。
【解決手段】背面に複数の放熱フィン１２を平行に立設して成るベースプレート１１の表面上のＬＥＤ（熱源）２からの熱を放熱するためのヒートシンク１０において、前記放熱フィン１２にスリット１２ａ（又は孔）を形成する。又、前記スリット１２ａ（又は孔）の面積の総和を各放熱フィン１２の表面積の総和に対して（１／５〜４／５）に設定する。更に、前記ＬＥＤ２の背面に位置する前記放熱フィン１２については、前記ＬＥＤ２を取り付ける位置の背面には前記スリット１２ａ（又は孔）を形成しない。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウムからなる回路層および緩衝層との接合界面に余剰ろう材が残存しない電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付され、他方の面にアルミニウム層（13）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）およびアルミニウム層（13）の少なくとも一方は、母材（20）（22）の絶縁基板側にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる微細結晶層（21）（23）がクラッドされたクラッド材で構成され、ろう付後の前記微細結晶層（21）（23）の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な熱伝導性や難燃性を実現するために無機フィラーを多く添加しても、部品固定に際して部品の脱落が生じにくい優れた接着性を有する粘着剤組成物を提供する。
【解決手段】 （メタ）アクリレートを主たるモノマー成分とするアクリル系共重合体と、無機フィラーとを含有する粘着剤組成物であって、前記アクリル系共重合体がモノマー成分として炭素数が２以上の飽和炭化水素基を介してカルボキシ基を分子鎖末端に有する（メタ）アクリレートモノマーを含有し、前記無機フィラーの含有量が、アクリル共重合体１００質量部に対して２００質量部以上である粘着剤組成物により、多量の無機フィラーを添加した場合にも優れた接着性を実現でき、良好な難燃性や熱伝導性と、好適な接着性とを両立できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウム層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ非対称形状に起因する熱ひずみを低減しうる電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付され、他方の面にアルミニウム層（13）がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム層（13）の少なくとも絶縁基板（11）側の層が、ろう付後の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされ、かつ引張強さが１３０Ｎ／ｍｍ^２以下となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成されている。 （もっと読む）

【課題】一方の面に回路用の金属層が形成され、他方の面に放熱用フィンが形成されてなる放熱用フィン付き回路基板の製造で、製造効率を低下させることなく、薄く、高く、微小ピッチで放熱性に優れたフィンを有する、同回路基板を製造できるようにする。
【解決手段】セラミック基板１０の表裏両面に、アルミニウム板２１を接合して金属層を形成する。その後、回路用の金属層ではない方の金属層であるアルミニウム板２１の表面に、放熱用フィン形成用の金属部位４０を、コールドスプレーによって追加的に肉盛加工する。その後、この金属部位４０に、切り起こし法によってフィン４１を形成する。従来のように、フィンが別途製造された部品を、後でロウ付けするのでなく、一体形成された金属部位４０を切起こしてフィンを形成するものであるから、フィンに座屈等の変形を生じさせることなく、薄く、微小ピッチのフィン付きの回路基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】硬化反応速度が比較的速く、接着能力の長期持続性に優れた熱硬化性接着剤で絶縁樹脂層が形成された放熱用部材を提供し、放熱性に優れた半導体モジュールを容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】窒化ホウ素粒子（Ａ）とエポキシ樹脂（Ｂ）とフェノール樹脂（Ｃ）とを含有する熱硬化性接着剤からなる絶縁樹脂層１０を有し、絶縁樹脂層１０の一面側を被着体に接着硬化させて被着体の熱を絶縁樹脂層１０を通じて放熱する放熱用部材１で、窒化ホウ素粒子が４０体積％以上６５体積％以下の割合で含有し、エポキシ樹脂としては、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂が含有され、フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂の内の少なくとも１種が含有され、さらにテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートが含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】体格の増大を抑制しつつ、チューブの両面において、冷却能力を等しくすることのできる冷却器を提供する。
【解決手段】冷却器は、冷媒が流れる冷媒通路を内部に有し、一面と該一面と反対の裏面との両面が、電子部品を冷却するための冷却面とされ、一面側に冷媒通路への冷媒導入口が設けられたチューブを、少なくとも１つ備える。冷媒導入口は、冷媒通路を流れる冷媒の流れ方向（Ｘ方向）に垂直な幅方向（Ｙ方向）において一面の中央に設けられ、Ｘ方向において、チューブにおける電子部品と対向する位置よりも上流側に、冷媒通路を等しく２分割する上流側仕切り板が配置される。この上流側仕切り板は、９０°×ｎ（ｎ：奇数）ねじられており、上流側端部が冷媒通路をＹ方向において２分割するように設けられ、下流側端部が、直交方向（Ｚ方向）において２分割するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウム回路層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面のしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされ、かつ引張強さが４５Ｎ／ｍｍ^２以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属ヒートシンクの代替として用いる加工性、生産性、軽量性に優れた樹脂ヒートシンクを提供する。
【解決手段】合成樹脂と熱伝導性充填材とを含有してなり、熱伝導率が０．５［Ｗ／ｍＫ］以上である高熱伝導性樹脂組成物と、金属又はセラミックスの成形体である基材３とを一体化して成形した、高熱伝導性樹脂２を用いたヒートシンク１であって、ヒートシンク１は、熱源に対向する熱源対向面６を有し、熱源対向面６の少なくとも一部は、基材３によって直接形成されるか、あるいは、基材３との間に高熱伝導性樹脂が３ｍｍ以下の厚さで介在されている。 （もっと読む）

【課題】従来の回路装置の製造工程において配線基板と一体化したケースに蓄熱材を流し込むには、配線基板およびケースを冶具で適切に支持した上で蓄熱材を流入しなければならず、製造工程が複雑であった。
【解決手段】蓄熱体は、電子回路の発熱により相変化し得る蓄熱材と、蓄熱材を内包する内包フィルムとを備える。電子機器は、電子回路と、電子回路の発熱により相変化し得る蓄熱材および蓄熱材を内包する内包フィルムを備える蓄熱体とを備え、蓄熱体は電子回路に貼り付けられている。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス回路基板の回路パターン周縁部に発生する凹凸を生じにくいセラミックス回路基板用素材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、セラミックス基板上に形成された導電部を含んだ回路基板を形成するためのセラミックス回路基板用素材であって、前記導電部の所望の回路パターンを形成する際に、印刷マスクを用いて塗布されたエッチングレジスト膜の硬化後の回路パターン中央部の平均厚さを３０μｍ〜６０μｍとするとともに回路パターン周縁部の最大厚さを回路パターン中央部の平均厚さよりも５μｍ以上厚く形成したセラミックス回路基板用素材である。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に内蔵される電子部品のレイアウトの自由度を高めつつ、内蔵された電子部品の放熱特性の向上を図る。
【解決手段】部品内蔵基板実装体１００は、部品内蔵基板１と、これが実装された実装基板２とからなる。部品内蔵基板１は、第１〜第４プリント配線基材１０〜４０を熱圧着により一括積層した構造を備える。第２プリント配線基材２０の第２樹脂基材２１に形成された開口部２９内には電子部品９０が内蔵されている。第４プリント配線基材４０の実装面２ａ側にはバンプ４９が形成されている。電子部品９０の裏面９１ａに接続されたサーマルビア１４及びサーマル配線１３を介して、各層のサーマルビア及びサーマル配線を通り、バンプ４９から実装基板２に電子部品９０の熱が伝わって、実装基板２にて放熱される。 （もっと読む）