【課題】半導体デバイス層が形成されたシリコン基板等の半導体基板の積層体において、高い熱伝導率を有する層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び無機フィラー（Ｂ）を含有し、熱伝導率が０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の第１の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導性と低誘電率性を両立した層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び誘電率が６以下の無機フィラー（Ｂ）を含有する第１の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導性と低線膨張性を両立した層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層１１，２１，３１が形成された半導体基板１０，２０，３０を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体１を有し、半導体基板１０，２０，３０間に、樹脂（Ａ）及び無機フィラー（Ｂ）を含有し、線膨張率が５ｐｐｍ以上７０ｐｐｍ以下の第１の層間充填材層４０、５０を有する三次元集積回路積層体。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス層が形成されたシリコン基板等の半導体基板の積層体において、高い熱伝導率を有する層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び平均粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下、且つ、比表面積１ｍ²／ｇ以上６０ｍ²／ｇ以下であり、さらに熱伝導率２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の無機フィラー（Ｂ）を含有した第１の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 （もっと読む）

【課題】面方向の熱伝導性に優れるとともに、内部の空隙が低減された熱伝導性シートおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂および熱伝導性無機粒子を含有する樹脂組成物を準備し、その樹脂組成物を熱プレスし、溶融状態から半固形状態にした後、さらに、粘度を増加させることによりシート化して、厚み方向に対する直交方向の熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性シートを製造する。このような熱伝導性シートの製造方法では、厚み方向に直交する面方向の熱伝導性に優れるとともに、絶縁耐力（絶縁破壊電圧）などの各種電気特性に優れる熱伝導性シートを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】炭素元素からなる線状構造体を用いた熱伝導度及び電気伝導度が極めて高いシート状構造体及びその製造方法、並びにこのようなシート状構造体を用いた高性能の電子機器を提供する。
【解決手段】互いに第１の間隙をもって配置された複数の炭素元素からなる線状構造体を含み、互いに第１の間隙よりも大きな第２の間隙をもって配置された複数の線状構造体束１２と、第１の間隙及び第２の間隙に充填され、複数の線状構造体束１２を保持する充填層１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れるとともに、機械的強度の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 この発明の半導体装置１は、金属ベース板４，８上に樹脂絶縁層５，９および導体層６，１０が形成され導体層６，１０同士が対向して配置される一対の絶縁金属基板３，７と、両絶縁金属基板３，７の導体層６，１０に接続された半導体チップ２と、両絶縁金属基板３，７の導体層６，１０に接続されたリード１１〜１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の良好な放熱性を確保しつつ、駆動素子にパワー半導体素子の熱が伝わりにくい、信頼性の高いパワーモジュールを実現する。
【解決手段】
リードフレーム４ａ、４ｂと、リードフレーム４ａに実装されたパワー半導体素子１と、リードフレーム４ｂに実装された駆動素子２と、パワー半導体素子１で発生する熱を放散する放熱板３ａとを備えたパワーモジュールにおいて、放熱板３ａは、リードフレーム４ａの、パワー半導体素子１が実装された面の反対側に配置されている第１平坦部３ａ１と、パワー半導体素子１と駆動素子２との間に配置されている第２平坦部３ａ２と、パワー半導体素子１の上方位置に配置されている第３平坦部３ａ３とを一体的に有するパワーモジュール。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性熱伝導性組成物及び電子装置を提供する。
【解決手段】５〜８０重量部の樹脂、２０〜９５重量部の電気絶縁性熱伝導性粉末、及び０.０００１〜２重量部のグラフェンを含む電気絶縁性熱伝導性組成物。 （もっと読む）

【課題】エポキシ樹脂を封止材とした絶縁シート構造のパワーモジュールにおいて、吸湿による絶縁シートの絶縁性能低下を防止することにより、長期的信頼性を向上させる。
【解決手段】金属基板１１と、絶縁シート２と、ヒートスプレッタ３と、半導体素子４と、リードフレーム５と、配線６と、封止樹脂７とを備え、金属基板１１は、その端部が湾曲形状を有するとともに封止樹脂７内に封止される。これにより、外部から絶縁シート２までの水分浸入経路を長くすることができ、吸湿による絶縁シート２の絶縁性低下を防止して、パワーモジュールの長期信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージの外面の切削又は研削加工によって放熱部材を露出させるものにあって、切削面における平面度の低下を抑える。
【解決手段】半導体装置２１は、パッケージ２２内に、２組の半導体チップ２３及び金属ブロック体２８を備え、下面に共通の放熱板２４、上面に放熱板２５、２６を備える。放熱板２４の露出面に、前後方向に延びる凹部２４ａを設ける。半導体装置２１の製造にあたっては、半導体チップ２３、金属ブロック体２８、放熱板２４、２５、２６等を接合し、エポキシ樹脂によりモールドしてパッケージ２２を形成する。この後、パッケージ２２の下面を、切削ラインＣまで切削して放熱板２４を露出させる。凹部２４ａによって放熱板２４が分断されるので、放熱板２４が深く切削されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】この発明は熱伝導性が安定して確保されかつボイドが抑制されて良好な電気絶縁性が確保された熱伝導性絶縁樹脂層を有する電力用半導体装置を提供するものである。
【解決手段】半導体素子と金属配線部材とがはんだ接合され、金属配線部材の少なくとも1面が表面に露出するようモールド樹脂で覆われて構成されたパワーモジュールと、金属
配線部材の露出面側のパワーモジュール面と相対して配置されたヒートシンクと、パワーモジュールとヒートシンクとの間に設けられた熱伝導性絶縁樹脂シートと、パワーモジュールおよびヒートシンクの少なくとも一方側に設けられ、熱伝導性絶縁樹脂シートの厚みを規定するシート厚み規定部材と、熱伝導性絶縁樹脂シートの周縁部近傍に設けられた絶縁性を有するシート体積増減吸収部とを設けたものである。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性及び成形性に優れる熱伝導性組成物を提供すること。
【解決手段】マトリクス成分、ピッチ系黒鉛化短繊維、黒鉛粒子を含む熱伝導性組成物であって、ピッチ系黒鉛化短繊維は、熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、アスペクト比が６〜２５であり、黒鉛粒子は、熱伝導率が少なくとも１方向に１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、厚みと長軸方向に発生するアスペクト比が１０〜５０であり、平均粒子径が１〜２０μｍであり、ピッチ系黒鉛化短繊維１００重量部に対し黒鉛粒子を２５０超〜６００重量部含み、マトリクス成分１００重量部に対し、ピッチ系黒鉛化短繊維及び黒鉛粒子の合計が５０〜１５０重量部含まれていることを特徴とする熱伝導性組成物。 （もっと読む）

【課題】放熱特性に優れた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１は、ベース１０２上に配置され、第一の電極１１２を有する第一の半導体チップ１０１と、第一の電極の上部を含む第一の半導体チップ１０１の上部で、第一の半導体チップ１０１の上面から第一の半導体チップ１０１の厚さより短い距離に配置され、第一の半導体チップ１０１の上面全体に亘る大きさを有する第一の放熱ブロック１０８と、第一の放熱ブロック１０８を避けて第一の電極から第一の半導体チップ１０１の上部に向かって湾曲し、第一の電極に接続される第一の端部と、供給電源と接続される第二の端部とを有する端子リード１０５と、第一の半導体チップ１０１を覆い、第一の放熱ブロック１０８の上面及び端子リード１０５における供給電源と接続される端部が、半導体チップ１０１の上部方向に露出するように形成される樹脂部１１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】放熱性が向上された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明の混成集積回路装置１０Ａは、回路基板１２と、回路基板１２の上面に配置された制御素子２３およびチップ素子２４と、回路基板１２を部分的に開口させた開口部１８と、開口部１８を下面から塞ぐ実装基板２８と、実装基板２８の上面に実装されたパワー素子２２とを備えている。回路基板１２よりも熱伝導性に優れる材料からなる実装基板２８にパワー素子２２を実装することにより、パワー素子２２から発生した熱を実装基板２８を経由して良好に外部に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体モジュールを樹脂封止する過程、ヒートシンクにハンダ接合する過程などで電力用半導体素子に大きな熱応力が生じると電力用半導体素子が割れてしまい、電気特性が異常となり、出荷不適合となるという問題があることから、電力用半導体素子の熱応力の低減が必要である。
【解決手段】導電性と放熱性を有するヒートスプレッダ、このヒートスプレッダに固着された電力用半導体素子、及びこの電力用半導体素子にヒートスプレッダを介し接続された電極端子を有する電力用パワーモジュールであって、電力用半導体素子の側面領域を、保護樹脂で覆い、電力用パワーモジュールを冷却するヒートシンクを、固着層で一体化したものである。 （もっと読む）

【課題】十分な放熱性を維持するとともに、耐電圧性を向上させることのできるパワー半導体装置を得ることを目的としている。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１が実装されたヒートスプレッダ２と、ヒートスプレッダ２に半導電層８及び絶縁シート３を介して配置された金属箔４とが、封止樹脂５で封止され、金属箔４は露出しており、半導電層８は、ヒートスプレッダ２における半導体素子１が実装された実装面の反対側と、絶縁シート３との間に配置された。 （もっと読む）

【課題】熱交換性能が低下することを抑制しつつ、簡便に製造できる電子機器を提供することにある。
【解決手段】パワーモジュール１１であって、セラミックスからなる熱交換部材１２と、表面にカルボキシル基を修飾した金属ナノフィラー、及びエポキシ樹脂を含む接着シート１５によって熱交換部材１２に接着された配線層１４と、配線層１４にはんだ付けされたパワー素子１６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ミリ波およびＴＨｚ周波数で動作する積分電子装置の分野に関する。モノリシックなマルチチップパッケージ、このパッケージとこのパッケージを製造するため製造方法のためのキャリア構造、及びこのキャリア構造は、ミリ波／ＴＨｚ装置の異なる機能を十分に保護するパッケージを提供する。
【解決手段】パッケージ７０は、感光性モノマーを重合させることにより、場所に注がれる。それは、ＭＭＩＣｓ（モノリシックなマイクロ波集積回路：ＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃａｌｌｙＭｉｃｒｏｗａｖｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）の周囲及び上方で徐々に成長することで、ＭＭＩＣｓに接続するが、チップの高周波領域を表面化させない。これにより、電磁的に完全に保護された機能的なブロックが提供される。これらのユニットは、装置の必要性に応じて、組み合わせることや、カスケード接続することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性に優れ、冷熱サイクル下等で生じる応力を緩和することができ、半導体装置の信頼性を高めることのできる熱伝導性接着剤を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造を有するエポキシ化合物と、エポキシ基含有アクリルポリマーと、エピスルフィド化合物と、硬化剤と、熱伝導性フィラーとを含有し、前記一般式（１）で表されるエポキシ化合物１００重量部に対する前記エピスルフィド化合物の含有量が１重量部以上、３０重量部未満であり、熱伝導性接着剤１００重量部中、前記熱伝導性フィラーの含有量が４０〜８５重量部である熱伝導性接着剤。
［化１］


一般式（１）中、ｍは２〜４の整数を表し、ｎは９〜１１の整数を表す。 （もっと読む）