【課題】 絶縁ゲート電界効果トランジスタ（１００Ｗ）は、半導体ボディのボディ物質（１８０）のチャンネルゾーン（２４４）によって横方向に分離されているソース（９８０）及びドレイン（２４２）を有している。
【解決手段】 ゲート電極（２６２）が該チャンネルゾーンの上方でゲート誘電体層（２６０）の上側に位置している。該ボディ物質の一層高度にドープしたポケット部分（２５０）が、通常、該ソースのみにほぼ沿って延在しており、従って該ＩＧＦＥＴは非対称的装置である。該ソースを画定する半導体ドーパントはソース延長部を画定する場合に複数の局所的濃度最大に到達する。２つのこの様な局所的濃度最大に到達する半導体ドーパントで該ソース延長部を画定する場合に関与する手順は、３個の絶縁ゲート電界効果トランジスタ用の相互に異なる特性のソース／ドレイン延長部を２つのソース／ドレイン延長部ドーピング操作のみで画定することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体ボディの上部表面に沿って設けられている非対称的絶縁ゲート電界効果トランジスタ（１００Ｕ又は１０２Ｕ）は、該トランジスタボディ物質のチャンネルゾーン（２４４又は２８４）によって横方向に分離された第１及び第２ソース／ドレインゾーン（２４０及び２４２又は２８０及び２８２）を包含している。
【解決手段】 ゲート電極（２６２又は３０２）がチャンネルゾーン上方でゲート誘電体層（２６０又は３００）の上側に位置している。該ボディ物質の横方向に隣接した物質よりも一層高度にドープした該ボディ物質のポケット部分（２５０又は２９０）が該Ｓ／Ｄゾーンの内のほぼ第１のもののみに沿って該チャンネルゾーン内に延在している。該ポケット部分の垂直ドーパント分布は、互いに離隔されている夫々の位置（ＰＨ−１乃至ＰＨ−３）において複数個の局所的最大（３１６−１乃至３１６−３）に到達すべく調節されている。該調節は、典型的に、該ポケット部分の垂直方向ドーパント分布が上部半導体表面近くで比較的平坦であるように実施される。その結果、該トランジスタのリーク電流は減少されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体基板１に形成したｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのソース・ドレイン用のｎ^＋型半導体領域７ｂおよびゲート電極ＧＥ１上と、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐのソース・ドレイン用のｐ^＋型半導体領域８ｂおよびゲート電極ＧＥ２上とに、ニッケル白金シリサイドからなる金属シリサイド層１３ｂをサリサイドプロセスで形成する。その後、半導体基板１全面上に引張応力膜ＴＳＬ１を形成してから、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ上の引張応力膜ＴＳＬ１をドライエッチングで除去し、半導体基板１全面上に圧縮応力膜ＣＳＬ１を形成してからｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ上の圧縮応力膜ＣＳＬ１をドライエッチングで除去する。金属シリサイド層１３ｂにおけるＰｔ濃度は、表面が最も高く、表面から深い位置になるほど低くなっている。 （もっと読む）

【課題】膜組成の制御が容易、かつ、薄膜化が可能なゲート絶縁膜を有した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、トランジスタが形成される半導体基体１上に、ゲート絶縁膜となる酸化マンガン膜１２を形成する工程と、前記酸化マンガン膜１２上に、ゲート電極となる導電体膜１３を形成する工程と、前記導電体膜１３及び前記酸化マンガン膜１２を加工し、ゲート電極１３及びゲート絶縁膜１２を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】高速アニール処理や頻繁なクリーニング処理を必要とすることなく、不純物含有量の少ないアモルファス薄膜を基板上に効率良く形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｈｆを含む原料を気化した原料ガスを用いて、ＣＶＤ法により、基板上にアモルファス状態のＨｆを含む膜を形成する成膜工程（ΔＭｔ）と、原料ガスとは異なる反応物を用いて、成膜工程において形成したアモルファス状態のＨｆを含む膜の改質を行う改質工程（ΔＲｔ）と、を連続して複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】キャップ膜としてのランタン酸化膜の膜厚の増加を抑えつつ、閾値電圧の低減化を図れる、窒化チタン膜を含むメタルゲート電極／Ｈｆを含有するゲート絶縁膜のゲートスタック構造を有するＭＯＳＦＥＴを備えた半導体装置を適用すること。
【解決手段】Ｐ型半導体領域１０５を含む半導体基板１０１と、Ｐ型半導体領域１０１に形成されたＮチャネルＭＯＳＦＥＴとを具備してなり、前記ＮチャネルＭＯＳトランジスタは、半導体基板１０１上に形成され、ハフニウムを含有するゲート絶縁膜１０８と、ゲート絶縁膜１０９上に形成され、膜厚が所定値以下のランタン酸化膜１０９と、ランタン酸化膜１０９上に形成され、Ｎ／Ｔｉ原子数比が１未満の窒化チタン膜１１０を含むゲート電極とを具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】石英炉のパーツ交換の頻度を低減する方法を提供する。
【解決手段】基板を石英炉内に投入するＳ２０。基板が投入された石英炉の炉内温度を、水素を含む雰囲気下で上昇させるＳ４０。炉内温度の上昇速度は、毎分１０℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】従来の同一サイズの半導体装置と比較してゲート耐圧を向上させるとともに、素子分離層をバーズビークを含まない構造とすることにより素子分割領域の面積を縮小し、素子の微細化を図ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板表面に素子形成領域から素子分割領域に亘って延在するＬＯＣＯＳ膜を形成する。素子形成領域内の半導体基板上にＬＯＣＯＳ膜に接続されたゲート酸化膜を形成する。ＬＯＣＯＳ膜およびゲート酸化膜を覆うように導電膜を形成する。導電膜を部分的にエッチングしてゲート酸化膜およびＬＯＣＯＳ膜の一部を覆うゲート電極を形成する。導電膜のエッチングによって露出したＬＯＣＯＳ膜を部分的にエッチングしてＬＯＣＯＳ膜を素子分離層とゲート酸化膜の端部を構成する高膜厚部とに分割する。ＬＯＣＯＳ膜のエッチングによって露出した半導体基板の表面にイオン注入を行ってゲート電極を挟む位置にドレイン領域およびソース領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリサイド層が第１不純物拡散層まで拡がるのを抑制し、複数種類のトランジスタを自由に設計することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、基台部１Ｂの上に複数立設された柱状のピラー部１Ｃを含むシリコン基板１と、基台部１Ｂの側面１ｂを覆うように設けられるビット線６と、ピラー部１Ｃの側面を覆うゲート絶縁膜４と基台部１Ｂの上面１ａにおいて、ピラー部１Ｃが設けられる位置以外の領域に設けられる第1不純物拡散層８と、ピラー部１Ｃの上面１ｄに形成される第２不純物拡散層１４と、ビット線６とシリコン基板１との間に形成され、第１不純物拡散層８との間で高低差を有し、且つ、上端５ａが、第１不純物拡散層８の上端８ａよりも低い位置に配されてなる第３不純物拡散層５と、ピラー部１Ｃの側面１ｃ側に設けられるワード線１０の一部をなすゲート電極１０Ａと、が備えられる。 （もっと読む）

【課題】ｈｐ４５ｎｍ以降のＣＭＯＳ半導体装置のような微細構造において、ＬａＯ膜を高精度でエッチングして所定の領域にＬａＯ膜を残すことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜／金属ゲート構造を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板の上にｈｉｇｈ−ｋ材料膜とＬａＯ膜を順次形成する工程と、ＬａＯ膜の上に、所定の領域を覆うようにマスク層を形成する工程と、マスク層を用いて、ＬａＯ膜を選択的に除去するエッチング工程と、マスク層を除去した後に、ＬａＯ膜をｈｉｇｈ−ｋ材料膜中に熱拡散させる工程とを含み、エッチング工程が、ｐＨ４〜６．８の酸性水溶液を用いてＬａＯ膜を選択的にウエットエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ｎＭＯＳ及びｐＭＯＳの双方において低い閾値電圧を実現することができ、製造コストが低い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の全面にシリコン酸窒化膜５を形成し、シリコン酸窒化膜５上にランタン酸化膜６を形成し、ｐＭＯＳ領域Ｒ_ｐＭＯＳからランタン酸化膜６を除去する。次に、全面に高誘電率膜である窒化ハフニウムシリケイト膜７を形成し、アルミニウム含有窒化チタン膜８を形成し、ポリシリコン膜９を形成し、これらの積層膜をゲート電極形状に加工する。次に、ソース・ドレイン領域１２及び１３に不純物を導入し、これらの不純物を活性化させるアニール処理を利用して、アルミニウム含有窒化チタン膜８中に含まれるアルミニウムを、ｐＭＯＳ領域Ｒ_ｐＭＯＳにおけるシリコン酸窒化膜５と窒化ハフニウムシリケイト膜７との界面まで拡散させる。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド層と窒化シリコン膜の界面に自然酸化膜が残存していると、窒化シリコン膜の成膜後の種々の加熱工程（例えば種々の絶縁膜や導体膜の成膜工程のように半導体基板の加熱を伴う工程）において、金属シリサイド層表面にある自然酸化膜の酸素に起因して、金属シリサイド層が部分的に異常成長してしまう。
【解決手段】本願発明においては、集積回路を構成する電界効果トランジスタのソース・ドレイン上のニッケル・シリサイド等の金属シリサイド膜の上面に対して、不活性ガスを主要な成分とするガス雰囲気中において、実質的にノン・バイアス（低バイアスを含む）のプラズマ処理を施した後、コンタクト・プロセスのエッチング・ストップ膜となる窒化シリコン膜を成膜することにより、金属シリサイド膜の不所望な削れを生じることなく、金属シリサイド膜の上面の自然酸化膜を除去することができる。
を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】低い閾値電圧を有するＦＥＴおよび高い閾値電圧を有するＦＥＴのいずれも高性能な特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、ＦＥＴ１０２と、ＦＥＴ１０２よりも高い閾値電圧を持つＦＥＴ１０４を同一半導体基板上に備える。ＦＥＴ１０２は、ゲート絶縁膜１１４とゲート電極１２６を備える。ＦＥＴ１０４は、ゲート絶縁膜１１４とゲート電極１２１を備える。ＦＥＴ１０２のゲート電極１２６、ＦＥＴ１０４のゲート絶縁膜１１４、ゲート電極１２１はＨｆ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｙ、Ｔａ、Ｗからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む。ＦＥＴ１０４のゲート絶縁膜１１４とゲート電極１２１との界面における前記金属の濃度は、ＦＥＴ１０２のゲート絶縁膜１１４とゲート電極１２６との界面における前記金属の濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】バルク基板を用いてもショートチャネル効果の抑制を効果的に発揮することができるＦｉｎＦＥＴ構造を有する半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＣエピタキシャル層２が形成され、ＳｉＣエピタキシャル層２の突出部２ｔ上にＳｉエピタキシャル層３が形成される。突出部２ｔ及びＳｉエピタキシャル層３は共に第１の方向に延びて、一方向延在形状を呈している。Ｓｉエピタキシャル層３の上面上及び両側面上には酸化膜８，窒化膜９及びゲート酸化膜２０が形成される。酸化膜８，窒化膜９及びゲート酸化膜２０を介して、Ｓｉエピタキシャル層３の上面上及び側面上にゲート電極Ｇ２が形成される。 （もっと読む）

【課題】 ＣＺ基板を用いた絶縁ゲート型の半導体装置の製造方法において、ゲート酸化膜の絶縁耐圧を十分に確保することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法によって、ＣＺ基板６の表面に水素が含有されたゲート酸化膜１０を形成する工程と、ゲート酸化膜１０を熱処理する工程を備えている。ゲート酸化膜１０を熱処理することによって、ゲート酸化膜１０内の水素と、ゲート酸化膜１０とＣＺ基板６の界面近傍のＣＺ基板６内に存在する酸素析出欠陥との間で還元反応が生じる。これによって、ＣＺ基板６内の酸素が除去され、ゲート酸化膜１０の絶縁耐圧を十分に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】ＮＭＯＳＦＥＴ及びＰＭＯＳＦＥＴ等のＮＭＯS及びＰＭＯSを有する半導体装置において、ゲート電極の実効仕事関数を、Ｓｉバンドギャップのmid-gap付近の値に安定的に設定することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】素子分離膜によって分離されてなる、ｐ型拡散層及びｎ型拡散層を有する半導体基板と、前記半導体基板の、前記ｐ型拡散層及びｎ型拡散層それぞれの上に形成されてなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜を含むゲート電極と、前記ゲート絶縁膜と前記金属膜との界面に形成されたＧｅ介在物と、前記金属膜上に形成されたシリコン含有層と、を具えるようにして半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２／ＳｉＣ構造を備える、たとえばＭＯＳＦＥＴなどの半導体装置は、界面準位密度の低減が不十分である。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の一方の主表面上に形成させたＳｉＣエピタキシャル層２の一方の主表面上に、あらかじめＳｉ薄膜３を形成させて、このＳｉ薄膜３の内部に窒素原子を注入させる。この状態で、ＳｉＣエピタキシャル層２の一方の主表面上を酸窒化させる。 （もっと読む）

【課題】 ＬＣＤドライバＩＣには通常の低耐圧ＭＩＳＦＥＴとともに、高耐圧ＭＩＳＦＥＴが搭載される。通常のＭＩＳＦＥＴよりゲート酸化膜が厚いため、必然的に電極高さが高くなる。そのためゲート・コンタクトの深さが浅く、通常部とのプロセス上の両立が必要となる。
【解決手段】本願発明は高耐圧ＭＩＳＦＥＴのたとえばチャネル幅方向において、厚膜ゲート酸化領域の境界をゲート電極端より内側に納めたものである。これにより低くなったゲート電極部にゲート・コンタクトを配置し、厚膜境界がゲート電極端より内側でかつ、ゲート・コンタクトとチャネル端との間にくることとなる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】
半導体基板１の主面にゲート絶縁膜用の絶縁膜を形成する。それから、プラズマ処理装置５１の処理室５１ａ内で、半導体基板１の主面のゲート絶縁膜用の絶縁膜をプラズマ窒化する。その後、プラズマ処理装置５１から半導体基板１をフープ３１内に移送し、フープ３１をベイステーションＢＳに移動させてそこで待機させて半導体基板１を保管する。ベイステーションＢＳに待機している間、半導体基板１を保管しているフープ３１内に、フープ３１に設けられた第１の呼吸口から窒素ガスを供給し、フープ３１に設けられた第２の呼吸口からフープ３１内の窒素ガスを排出する。その後、フープ３１を熱処理装置５２に移動させて、半導体基板１を熱処理装置５２の処理室内に搬入して熱処理する。 （もっと読む）

【課題】活性領域表面に凹凸を生じることなく活性領域上端の角部を丸めることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】活性領域を画定する素子分離絶縁膜を形成する工程と、活性領域上に、０．１ｎｍ以上、０．７ｎｍ未満の膜厚の自然酸化膜を形成する工程と、水素を含む雰囲気中で、８５０℃よりも高く９５０℃未満の温度で熱処理を行い、活性領域の角部を丸めるとともに、自然酸化膜を還元除去する工程と、自然酸化膜を除去した活性領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）