【課題】ゲート電極の電界集中を緩和して耐圧の更なる向上を実現することに加え、デバイス動作速度を向上させ、アバランシェ耐量が大きく、サージに対して強く、例えばインバータ回路等に適用する場合に外部のダイオードを接続することを要せず、ホールが発生しても安定動作を得ることができる信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｃを、ゲート絶縁膜６を介して電極材料で埋め込むようにゲート電極７を形成すると共に、化合物半導体積層構造２に形成されたフィールドプレート用リセス２Ｄをｐ型半導体で埋め込み、化合物半導体積層構造２とｐ型半導体層８ａで接触するフィールドプレート８を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好なノーマリ・オフ動作を可能とすることに加え、アバランシェ耐量が大きく、外部のダイオードを接続することを要せず、確実に安定動作を得ることができる信頼性の高い高耐圧のＨＥＭＴを得る。
【解決手段】化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｃを、ゲート絶縁膜６を介して電極材料で埋め込むようにゲート電極７を形成すると共に、化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｄを、少なくとも電極用リセス２Ｄの底面で化合物半導体積層構造２と直接的に接するように電極材料で埋め込み、化合物半導体積層構造２とショットキー接触するフィールドプレート電極８を形成する。 （もっと読む）

【課題】バッファ層の結晶成長時に高抵抗化の不純物をドーピングすることなく上層の化合物半導体の結晶品質を保持するも、バッファ層を高抵抗化してオフリーク電流を確実に抑制し、信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２の裏面から、化合物半導体積層構造２の少なくともバッファ層２ａに不純物、例えばＦｅ，Ｃ，Ｂ，Ｔｉ，Ｃｒのうちから選ばれた少なくとも１種類を導入し、バッファ層２ａの抵抗値を高くする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の洗浄をより効率的に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体基板の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】半導体基板２０をその主面を鉛直方向及び水平方向から傾斜させて保持し、酸を含む洗浄液２６に半導体基板２０を浸漬する。 （もっと読む）

【課題】低コストでしきい値電圧のバラツキの少ないノーマリーオフ化されたＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】基板１０の上方に半導体層２１〜２４を形成する工程と、半導体層２３〜２４にフッ素成分を含むガスを用いたドライエッチングによりリセス５１となる開口部を形成する工程と、半導体層を加熱することによりリセス５１の側面及び底面に付着しているフッ素を半導体層２２〜２４に拡散させフッ素を含む領域を形成する工程と、リセス５１の内面及び半導体層２２〜２４上に絶縁膜３０を形成する工程と、リセス５１が形成されている領域に絶縁膜３０を介し電極４１を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を有する窒化物半導体を低コストで製造する。
【解決手段】基板１０の上方に形成された半導体層２２，２３，２４と、前記半導体層の一部を酸化することにより形成された絶縁膜３０と、前記絶縁膜上に形成された電極４１と、を有し、前記絶縁膜は、酸化ガリウムを含むもの、または、酸化ガリウム及び酸化インジウムを含むものにより形成されているものであることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】リセス等の形成に伴う処理で生じる残渣を適切に除去することができる化合物半導体装置の製造方法及び洗浄剤を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造１を形成し、化合物半導体積層構造１の一部を除去して凹部４を形成し、洗浄剤を用いて凹部４内の洗浄を行う。洗浄剤は、凹部４内に存在する残渣と相溶する基材樹脂と溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系の材料により形成されるＨＥＭＴの信頼性を高める。
【解決手段】基板１０の上方に形成された窒化物半導体からなる半導体層２１〜２４と、半導体層２１〜２４の上方に、金を含む材料により形成された電極４１と、電極４１の上方に形成されたバリア膜６１と、半導体層２１〜２４の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧特性と低オン抵抗特性とを両立した化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体装置を、キャリア走行層２及びキャリア供給層３を含む窒化物半導体積層構造４と、窒化物半導体積層構造の上方に設けられたソース電極５及びドレイン電極６と、窒化物半導体積層構造の上方のソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲート電極７と、ゲート電極とドレイン電極との間に少なくとも一部が設けられたフィールドプレート８と、窒化物半導体積層構造の上方に形成された複数の絶縁膜９、１０とを備えるものとし、フィールドプレートとドレイン電極との間でゲート電極の近傍よりも複数の絶縁膜の界面の数を少なくする。 （もっと読む）

【課題】閾値変動を抑えつつ、ゲートリーク電流を低減させた窒化物半導体ＨＥＭＴ。
【解決手段】窒化物系半導体で形成された半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備え、ゲート絶縁膜は、酸窒化膜で形成された第１絶縁膜と、タンタル、ハフニウム、ハフニウムアルミニウム、ランタン、およびイットリウムの少なくとも１つを含む第２絶縁膜と、を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】工程増を最小限とした簡便な手法で、素子形成領域における化合物半導体と同時に、しかもその結晶性を損なうことなく確実な素子分離を実現し、信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上の素子分離領域に初期層３を選択的に形成し、初期層３上を含むＳｉ基板１上の全面に化合物半導体の積層構造４を形成して、積層構造４は、素子分離領域では初期層３と共に素子分離構造４Ｂとなり、素子形成領域ではソース電極５、ドレイン電極６及びゲート電極７が形成される素子形成層４Ａとなる。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面の酸化物を含む不純物を、エッチングあるいは、他の層を積層する前に除去する。
【解決手段】第１の半導体層１１０の少なくとも一部に接し、第１の半導体層１１０に含まれる不純物の固溶度が、第１の半導体層１１０より高い第１の犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、第１の犠牲層および第１の半導体層をアニールするアニール工程と、第１の犠牲層をウェットプロセスで除去する除去工程と、第１の半導体層の少なくとも一部を覆う絶縁層１２０を形成する工程および第１の半導体層の一部をエッチングする工程の少なくとも一の工程と、第１の半導体層に電気的に接続された電極層１２６を形成する電極形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】工程を簡素化して歩留まりを向上すると共に、安定した形状の電極を再現性よく得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のレジスト膜１１と、第１のレジスト膜１１の開口よりも小さな開口を有する第２のレジスト膜１２とを用いて、ＳｉＯ_２絶縁膜１０を異方性ドライエッチングによってエッチングして、ＳｉＯ_２絶縁膜１０にテーパ状の開口部１０１を形成する。このため、ＧａＮ層１を斜めに設置し直してＳｉＯ_２絶縁膜１０をエッチングする必要がなく、ＧａＮ層１を水平に設置したままＳｉＯ_２絶縁膜１０をエッチングすることができ、工程を簡素化できる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜における電荷トラップを大幅に低減し、信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体層２と、化合物半導体層２上でゲート絶縁膜６を介して形成されたゲート電極７とを備えており、ゲート絶縁膜６は、Ｓｉ_xＮ_yを絶縁材料として含有しており、Ｓｉ_xＮ_yは、０．６３８≦ｘ／ｙ≦０．８６３であり、水素終端基濃度が２×１０²²／ｃｍ³以上５×１０²²／ｃｍ³以下の範囲内の値とされたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、セルフターンオンが発生しないようにし、安定した動作を実現する。
【解決手段】半導体装置を、基板１と、基板の上方に設けられ、電子走行層６及び電子供給層７を含む半導体積層構造２と、半導体積層構造の上方に設けられたゲート電極３、ソース電極４及びドレイン電極５と、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の上方に設けられ、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のそれぞれに接続されたゲートパッド１０、ソースパッド１１及びドレインパッド１２と、ゲートパッド、ソースパッド及びドレインパッドの下方に設けられた導電層１とを備えるものとし、ゲートパッドとソースパッドとの間の距離を、ゲートパッドとドレインパッドとの間の距離よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】ファインゲート構造を採用してゲート電極の微細化を図るも、ゲート電極の周辺における電界集中によるデバイス特性の変動・劣化を防止する、信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極８は、ファインゲート構造の幹状の下方部分８ａと、下方部分８ａの上端から当該上端よりも幅広に傘状（オーバーハング形状）に拡がる上方部分８ｂとが一体形成されており、下方部分８ａは、下端を含む第１の部分８ａａと、第１の部分８ａａ上の第２の部分８ａｂとを有し、保護壁７は、第１の部分８ａａの両側面のみを覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に保護膜を形成した構造において、絶縁耐圧の低下を防ぐ。
【解決手段】基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記絶縁膜を覆うように形成された保護膜と、を有し、前記保護膜は、熱ＣＶＤ、熱ＡＬＤ、真空蒸着のいずれかにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型Ｐ−ＨＥＭＴ構造において、良好なトランジスタ性能を実現する。
【解決手段】ベース基板、第１結晶層、第２結晶層および絶縁層をこの順に有し、第１結晶層と第２結晶層との間、または、ベース基板と第１結晶層との間に位置する第３結晶層をさらに有し、第２結晶層が、第１結晶層を構成する結晶に格子整合または擬格子整合し、かつ第１結晶層を構成する結晶よりも禁制帯幅が大きい結晶からなり、第３結晶層が、第１結晶層を構成する結晶に格子整合または擬格子整合し、かつ第１結晶層を構成する結晶よりも禁制帯幅が大きい結晶からなり、第３結晶層は、ドナーまたはアクセプタとなる第１原子を含み、第３結晶層がドナーとなる第１原子を含む場合、第２結晶層が、アクセプタとなる第２原子を含み、第３結晶層がアクセプタとなる第１原子を含む場合、第２結晶層が、ドナーとなる第２原子を含む半導体基板。 （もっと読む）

【課題】半導体積層体に含まれるチャネル層下の化合物半導体層を不純物ドーピングでｐ型化することなく、その半導体積層体を含むＨＦＥＴのリーク電流の低減や耐電圧の向上などを可能とする。
【解決手段】半導体積層体は、基板（１１）上において順次堆積された第１、第２および第３の化合物半導体層（１３、１４、１５）を少なくとも含み、その第１化合物半導体層（１３）の少なくとも部分的層（１６）は非晶質に改質されており、第２化合物半導体層（１４）は第１化合物半導体層（１３）に比べて小さなバンドギャップを有して光吸収層として作用し得る。 （もっと読む）