本発明は、マイクロエレクトロニクス基板を洗浄するための洗浄組成物を提供し、これは、本質的に完全にかかる基板を洗浄し、金属腐食を防止し、または本質的にそのような基板の金属元素の腐食をもたらさず、先行技術のアルカリ含有洗浄組成物で必要とされる洗浄時間と比較して、比較的短い洗浄時間および比較的低い温度でこれらを行うことができる。本発明は、マイクロエレクトロニクス基板を洗浄するための、マイクロエレクトロニクス基板の金属元素の有意な腐食をもたらさない、そのような洗浄組成物の使用方法も提供する。本発明の洗浄組成物は、（ａ）少なくとも１種の有機溶媒、（ｂ）少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸、および（ｃ）水を含む。本発明の洗浄組成物には、場合により、例えば界面活性剤、金属錯体化またはキレート化剤、腐食阻害剤などの他の成分が組成物中に存在してもよい。本発明の洗浄組成物は、無機リン含有酸成分を中和する有機アミン類、ヒドロキシルアミン類またはアンモニウム塩基などの他の強塩基が存在しないことを特徴とする。本発明の洗浄および残渣除去組成物は、アルミニウム、チタンおよびタングステンを含有するマイクロエレクトロニクスの基板の洗浄に特に適する。 （もっと読む）

本発明のフォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、電子デバイスの表面の異なるタイプの金属の重層構造に使用したときに電気化学的腐食に耐性である、非水性かつ非腐食性の洗浄組成物により提供される。そのような非水性フォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、（ａ）少なくとも１種の極性有機溶媒、（ｂ）少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級および／または第三級アミン基の両方を有し、下式［式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４およびＲ_５は、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基から独立して選択されてよく；Ｒ_６およびＲ_７は、各々独立してＨまたはアルキル基であり、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４およびＲ_５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、（ｃ）８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体、ベンゾトリアゾール、カテコール、単糖、並びに、マンニトール、ソルビトール、アラビトール、キシリトール、エリスリトール、アルカンジオールおよびシクロアルカンジオールから選択される多価アルコールから選択される少なくとも１種の腐食阻害剤を含む。
【化１】

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シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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特に、銅とlow-k誘電材料を含む基板からレジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び酸化銅の1又は2以上を除去するのに適用できる種々の組成物を開示する。基板の表面を組成物と、典型的には30秒〜30分の時間、かつ25℃〜45℃の温度で接触させることによって、レジスト、残渣、及び酸化銅を除去する。組成物は、フッ化物供給成分；少なくとも1質量%の水混和性有機溶媒；有機酸；及び少なくとも81質量%の水を含む。典型的に、組成物は約0.4%までの1又は2以上のキレーターをさらに含む。 （もっと読む）

超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。このプロセス成分はフルオロケイ酸を有する。
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洗浄後にプラズマエッチングチャンバで誘電体材料をエッチングするために使用することができる電極アセンブリの洗浄方法は、好ましくは黒色シリコン汚染をシリコン表面から除去するように、電極アセンブリのシリコン表面を研磨することを含む。 （もっと読む）

新しい又は使用済みの静電チャックを洗浄する非破壊でかつ簡素な方法は、静電チャックの表面上に付着した汚染物質を除去する湿式洗浄プロセスを含む。 （もっと読む）

フォトレジスト、ポリマー材料、又は残留物を基板から除去するために使用される組成物は、水-混和性有機溶剤、水、少なくとも１つの有機アミン、及び２又は３以上の水-混和性有機溶剤において溶解性である没食子酸の誘導体である防蝕剤を含む。組成物は、更に界面活性剤を含み得る。この組成物の使用により、レジスト再付着が低減され、腐蝕が低減され、及び剥離性が改良される。 （もっと読む）

配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

高圧処理システムにおける均質な処理環境を提供する方法及びシステム（１００）が開示される。高圧流体及び処理化学物質は、高圧処理システム（１１０）における基板に超臨界状態の流体を晒す前に、事前混合システム（１６０）において混合される。例えば、事前混合システムは、高圧流体及び処理化学物質が混合されるまで高圧処理システムをバイパスするように構成された流体循環システム（１２０）を含んでよい。或いは、事前混合システムは、混合室を含んでよく、選択的に、混合室内で高圧流体及び処理化学物質を攪拌する手段を含む。
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基板（１０５）を処理する超臨界流体を用いる処理システム（１００）は、コーティングを有する内側部材を有すると開示されている。例えば、内側部材におけるコーティングは処理中の汚染を低減することができる。更に、その処理システムを用いる方法について開示されている。

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基板処理用の高圧流体に化学物質を導入する方法及びシステム（１００）について説明する。特に、本方法は、２種類以上の流体の混合を促進するために、高圧流体の容積全体にわたって化学物質を供給する工程を有する。その一方で、高圧流体は、高圧処理システム（１１０）を循環する。
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マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための剥離および洗浄組成物であって、少なくとも１種の有機剥離溶媒、少なくとも１種の求核性アミン、剥離組成物が約９.６ないし約１０.９の水中ｐＨを有するように、求核性アミンの重量の約３％ないし約７５％を中和するのに十分な量の少なくとも１種の窒素不含弱酸であって、水性溶液中のｐＫ値２.０またはそれ以上および１４０より小さい当量を有する弱酸、ジエチレングリコールおよびジエチレングリコールアミンからなる群から選択される少なくとも１種の金属除去化合物、および水を含む組成物、並びにこれらの組成物を用いてマイクロエレクトロニクスの基板を洗浄する方法。 （もっと読む）

集積回路（「ＩＣ」）基板を洗浄するための発明の方法、システム、および組成が説明される。本発明の洗浄方法は、帯電した溶液を生成するためにＩＣ基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を帯電させる段階であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する段階と、ＩＣ基板の洗浄のために帯電した溶液を移送する段階とを含む。本発明の洗浄システムは、集積回路基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を保有するための帯電チャンバと、帯電した溶液を生成するために帯電チャンバ中の溶液を振動させることができる第１の音響エネルギー源であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する第１の音響エネルギー源を備える。
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本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

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処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上の基板を処理する方法である。この方法は、処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上に保護コーティングを形成する段階、前記コーティングされたセラミック基板ヒータ上で基板を処理する段階、を含む。前記処理する段階は、前記セラミック基板ヒータ上で処理される基板を提供する段階と、前記基板を処理ガスで露光することによって前記基板上で処理を行う段階と、前記処理された基板を前記処理チャンバから取り外す段階と、を含む。
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膜スタックを処理するためのクラスタツール、処理チャンバ及び方法の実施形態が提供される。一実施形態においては、膜スタックのシリコン層と金属層をインサイチュエッチングするための方法であって、処理チャンバ内で膜スタックの金属上層をエッチングして下にあるシリコン層の一部を露出させるステップと、処理チャンバから基板を取り出さずにシリコン層におけるトレンチをエッチングするステップと、を含む前記方法が提供される。本発明は、フラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ製造に特に有用である。 （もっと読む）

本発明は、エッチング残渣を除去するための改善された特性を有する新規溶液及び半導体製造におけるその使用に関する。本発明は、特に、半導体の製造プロセスの間にエッチング残渣及びパーティクルを除去しなければならないメタライジング部に対して及び表面に対して低いエッチング速度を有する水溶液に関する。 （もっと読む）