【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】簡便にオゾンガスの濃度を測定することができるオゾンガス濃度測定方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷのベベル部に付着したＣＦ系デポ１８を除去するベベル部洗浄装置１０において、処理ガス生成器２２は酸素ガスを含む原料ガスからオゾンガスを含む処理ガスを生成し、処理ガス用マスフローコントローラ２３は処理ガスの流量を測定し、コントローラ３３は原料ガスから処理ガスへの流量減少率を算出し、該流量減少率に基づいて処理ガスに含まれるオゾンガスの濃度を算出する。 （もっと読む）

【課題】熱酸化シリコン膜、非ドープＣＶＤ酸化シリコン膜、多結晶シリコン膜、窒化シリコン膜を含む積層膜に対して、常温において洗浄時の各種膜に対するエッチング量差を低減し、また、各種膜に対するエッチング速度を適度に制御することを可能とする。
【解決手段】半導体基板の主面上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に導電層を堆積する工程と、前記導電層の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記絶縁層および前記導電層をエッチングすることによってゲート素子を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を除去した前記半導体基板の主面を半導体洗浄用組成物によって洗浄する工程と、前記半導体洗浄用組成物のリンス処理および乾燥処理を行う工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体洗浄用組成物は、フッ化アンモニウムと、フッ化水素酸と、過酸化水素と、脂肪族第１級アミンとを含む２０℃〜２８℃の混合水溶液からなる。 （もっと読む）

【課題】表面にパターンが形成された半導体装置用の基板におけるパターン倒れを防止しつつ、高い洗浄効果の得られる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体装置用の基板Ｗを洗浄する基板洗浄装置１において、気泡発生手段３は基板保持手段６に保持された基板Ｗに供給される洗浄液中に、正または負の一方に帯電し、且つ、気泡径が１０ｎｍ以上、１００μｍ以下の気泡を発生させ、噴射ノズル２１は、この気泡を含んだ洗浄液を噴霧用のガスと混合して微粒化し、基板Ｗに向けてミストを噴射することにより当該基板Ｗを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】撥水面を有する洗浄処理後の基板に対し気体を噴出して液切り乾燥させる場合に、基板表面にウォータマークが発生することを確実に防止できる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送方向に対して交差するように、基板Ｗの主面へその幅方向全体にわたって気体を噴出して基板上から液体を除去するエアナイフ３２を配設し、エアナイフより基板搬送方向における後方に、基板搬送方向に対して交差するように、基板の主面へその幅方向全体にわたって液体をカーテン状に吐出する液体ノズル３４、３６を配設する。液体ノズル３４のエアナイフ３２側に、下端が基板Ｗの主面と近接するように基板の幅方向全体にわたって板状カバー３８を取着し、板状カバーにより、液体ノズルからカーテン状に吐出される液体が基板搬送方向における前方へ流動するのをせき止め、エアナイフから噴出する気体による水膜４０の乱れを抑える。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れを生じることのない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に付着したパーティクルＰを洗浄、除去する基板洗浄方法において、ウエハＷを加熱してウエハＷの表面に付着するパーティクルＰを熱応力によってウエハＷの表面から剥離させる加熱ステップと、ウエハＷ表面の近傍に生じた温度勾配によりパーティクルＰをウエハＷの表面から脱離させる脱離ステップと、ウエハＷの表面から脱離したパーティクルＰを、ウエハＷに対向配置された捕集板１３によって捕集するパーティクルＰの捕集ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＨＤＩＳ用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ源の下流側及びガス混合物を反応チャンバ内へと導くシャワーヘッドの上流側において不活性ガスがプラズマに導入される。反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。このプロセスは、高剥離レートでクラストとバルクレジスト層の両方を除去し、ワークピースの表面には実質的に残留物が残らず、また、シリコン損失も少ない。 （もっと読む）

【課題】低ｋ誘電体材料又は銅相互接続材料を損なわずに、マイクロ電子デバイスの表面からのＣＭＰ後の残渣及び汚染物質材料を効果的に洗浄を達成すること。
【解決手段】化学的機械的研磨（ＣＭＰ）後の残渣及び汚染物質を、自身上に前記残渣及び汚染物質を有するマイクロ電子デバイスから洗浄する洗浄組成物及びプロセス。洗浄組成物は新規の腐食防止剤を含む。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理液が貯えられる貯液タンク３２と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体３１に給液管路３３を通じて供給する供給ポンプ３４と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第１の加熱ヒータ３７と、上部ノズル体が基板の上面から外れた待機位置にあるときに供給ポンプによって上部ノズル体から噴射される処理液の温度を測定する温度センサ４３と、温度センサが測定した処理液の温度が所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上部ノズル体を基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる制御装置を具備する。 （もっと読む）

Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から酸化銅エッチ除去するための非常に水性の酸性洗浄組成物であって、その組成物は、Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の銅再析を防止するかもしくは実質的に除去する、組成物。上記組成物は、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するために特に有用である。本発明はまた、銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】最外周誘導壁によって容器の開口部を開閉することにより、占有面積の小型化、及び処理の短時間化を実現する。
【解決手段】回転式処理装置１に、容器１Ａ、回転保持機構７、処理液吐出アーム３０、誘導壁１６，１７、及びエアシリンダ２２，２３を設けた。回転保持機構７は、容器１Ａの開口部３７から搬入された被処理基板３を水平に保持して回転させる。誘導壁１６，１７は、回転保持機構７の外周側に同心状に配置され、処理液吐出アーム３０から吐出された処理液の廃液を分別して排液する。エアシリンダ２２，２３は、誘導壁１６，１７のそれぞれを上端部が回転保持機構に保持された被処理基板３よりも上方に位置する回収位置と下方に位置する退避位置との間で昇降させる。誘導壁１６，１７のうち最外周誘導壁１７は、回収位置で開口部３７を閉鎖し、退避位置で開口部３７を開放する。 （もっと読む）

【課題】支持部材の先端部を基板の下面に当接して基板を略水平姿勢で支持しながら支持部材に押し付けて保持した基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において基板保持力を高める。
【解決手段】基板Ｗの保持モードとして、第１保持モードと第２保持モードが設けられている。第１保持モードでは、基板裏面Ｗｂを支持ピンＰＮで支持しながら基板表面Ｗｆに窒素ガスを供給して基板Ｗを支持ピンＰＮに向けて押圧力Ｆａで押圧するのみであるが、第２保持モードでは、上記押圧力Ｆａに加え、基板裏面Ｗｂより基板Ｗに吸引力Ｆｂを与えている。このように、吸引力Ｆｂを付加した分だけ基板Ｗの保持力を高めることができ、基板Ｗを高速回転させる際にも安定して基板Ｗを保持することができ、その結果、基板処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハに含まれるデポ物を除去でき、アルミ配線等を腐食させない、デポ物の除去方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ２の上に形成されたアルミニウム膜３を、プラズマガスの下でドライエッチングする工程と、ドライエッチングする工程に基づき形成された基板１に現像液を供給する工程と、基板１を第１の時間回転した後、第１の時間以下の第２の時間静止する、第１パドル処理を複数回行う工程とを具備する。第１パドル処理は、アルミニウム膜３をドライエッチングするときに生成する反応生成物５を選択的に除去する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面上に形成された金属ゲート構造の周囲からポストエッチング洗浄工程中にポリマ残渣を除去するためのシステム及び方法は、金属ゲート構造に及び除去されるべきポリマ残渣に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。１又は複数の製造層が、金属ゲート構造を画定し、プロセスパラメータは、これらの製造層の及びポリマ残渣の特性を定める。第１及び第２の洗浄化学剤が特定され、プロセスパラメータに基づいて、第１及び第２の洗浄化学剤に関連する複数の適用パラメータが定められる。ゲート構造の構造的完全性を維持しつつポリマ残渣を実質的に除去するために、第１及び第２の適用化学剤は、適用パラメータを使用して制御方式で順次適用される。 （もっと読む）

シリコンから成る太陽電池のための基板（１３）を処理する方法において、複数回のエッチング後に、脱イオン水で該基板を洗浄する（１８）。その後、複数の乾燥場（２２，２５）内で該基板（１３を加熱乾燥する。その後に、酸化場（３０）内で、或る量のオゾンを有する酸化ガス（３４）により該加熱された基板（１３）を酸化する。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度を低減した処理液で基板を処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに対向する基板対向面３４を有し、基板対向面３４の周囲からスピンチャック３に向かって突出した周壁部３２が形成された遮断板６と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する第１上側処理液供給管３５とを備えている。第１上側処理液供給管３５には、第２上側処理液供給管３８を介して第１配管内調合ユニット５１から薬液が供給される。この薬液は、薬液原液と、不活性ガス溶存水生成ユニット５０によって純水中の酸素が脱気され、当該純水中に不活性ガスが添加されて生成された不活性ガス溶存水とが第１混合部５９内で混合されることにより調合されたものである。 （もっと読む）

【課題】洗浄液により表面にパターンが形成された基板を洗浄するにあたって、洗浄液を除去あるいは乾燥させるときに、洗浄液の表面張力によりパターンの凸部の倒れを抑えながら当該基板を洗浄すること。
【解決手段】洗浄を行う基板と、洗浄液の液滴と、の間において当該液滴の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように基板を加熱して、この基板に洗浄液を供給して洗浄する。基板上に供給された洗浄液の液滴の下面から蒸気が下方に向かって噴き出すことにより、基板と液滴との間の表面張力がなくなるかあるいは極めて小さくなり、またこの蒸気により基板上の残渣などが上方に巻き上げられて液滴に取り込まれる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程において、高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより、レジスト膜に形成された硬いカーボン層を、容易に剥離することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板への高濃度かつ高エネルギーのイオン注入によりレジスト膜から水素が抜けて硬化したカーボン層に対し水蒸気雰囲気下の真空チャンバー内で発生させたプラズマを短時間照射するプラズマ処理工程と、前記カーボン層に水素が戻ったレジスト膜を常圧下において薬液で洗浄及び乾燥する薬液処理工程とからなることを特徴とするイオン注入によりカーボン層が形成されたレジストの除去方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）