【課題】被処理基板へのパーティクルの付着や被処理基板へのダメージを防止することができる被処理基板の除電方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置する載置台１２とを備え、該載置台１２は、載置されたウエハＷの裏面に接触して当該ウエハＷを静電吸着する静電チャック２１と、該静電チャック２１からウエハＷの裏面に向けて伝熱ガスを噴出する外周部伝熱ガス供給系２５を有し、裏面に負の電荷が蓄積され且つ表面に正の電荷が蓄積されているウエハＷを除電する際、まず、プラズマＰ中の電子によってウエハＷの表面の正の電荷を中和し、その後、外周部伝熱ガス供給系２５からウエハＷに向けてイオン化ガスを供給し、イオン化ガス中の陽イオンによってウエハＷの裏面の負の電荷を中和する。 （もっと読む）

【課題】形成されたパターンに与えるダメージが少ない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にドライエア又は不活性ガスの気流にのせた洗浄用の微粒子を基板に衝突させて、前記基板の洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄用の微粒子を除去する除去工程と、を有することを特徴とする基板洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高くかつ高品質な半導体基板を得ることが可能な紫外線照射装置および紫外線照射方法を提供すること。
【解決手段】紫外線ランプユニット８から照射される赤外線によるウェハ６の温度上昇を考慮し、紫外線ランプユニット６と重合する位置に配備されたヒータユニット７ｂから放射される輻射熱と紫外線ランプユニット８から放出される輻射熱の単位面積あたりの総和が他のヒータユニット７ａの単位面積あたりの輻射熱と同等になるようにヒータユニット７ｂを加熱制御する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄方法は、遮断板（３０）を回転させながら、遮断板の上方に設けられた洗浄液供給手段（７０）から洗浄液を遮断板に対して吐出させることにより、遮断板から飛散される洗浄液によってチャンバ（５００）内を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング加工を行ったウェハにおけるデガスの影響による異物の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、各ウェハ１５０を略水平にして複数のウェハ１５０を上下に並べて収容するとともに、側方に設けられたドア１０４を含む収納容器１００に、ドライエッチング加工が行われた複数のウェハを順次収容する工程と、ドア１０４が開いた状態で、収納容器１００に収容すべきすべてのウェハ１５０が当該収容容器に収容されてから３０秒以上、収納容器１００内のウェハ１５０に対して水平方向からパージガスを吹き付ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性に優れており、薬液処理に対するマスキング効果を発揮することができ、しかも剥離後の被着体への粘着剤の残渣のないマスキング用剥離性粘着テープを提供すること。
【解決手段】本発明の薬液処理方法は、送り出しロール及び巻き取りロールを用いたロール・ツー・ロール方式でフィルム型積層体に薬液処理を行う薬液処理方法であって、薬液処理面を有するフィルム型積層体の前記薬液処理面と反対側の面にサポート用テープを貼着した状態で前記薬液処理面に薬液処理を行う工程と、前記薬液処理後に前記サポート用テープを剥離する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工形状を安定して保持できるエッチングの量産処理方法を提供する。
【解決手段】真空処理室と、ガス供給装置と、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、プラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する装置を備え、前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施し、ウエハの量産処理を一時中断する装置未稼働時間（アイドリングＳＳ）が発生するエッチングの量産処理方法において、アイドリングＳＳ前後のクリーニングＳ２、Ｓ２’において、リアクタ最表面の反応生成堆積状態と温度の情報を含む前記プラズマ中の発光強度ＳｉＦ（１）、ＳｉＦ（２）をモニタし、これらの発光スペクトルを基にデーターベースＳ４を参照して、アイドリングＳＳ後のプラズマヒーティング工程Ｓ３の時間を調整してリアクタを加熱し、プラズマ加熱Ｓ３後に次の試料をエッチングＳ２する。 （もっと読む）

【課題】ＣｏＷＰが露出したパターン化ウェハを、ＣｏＷＰの完全性を維持したままで洗浄することのできる優れた湿式洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＣｏＷＰフィーチャーを有する半導体基板から発生するエッチング後残渣および灰化後残渣を除去するための湿式洗浄処方物であって、脱イオン水；有機酸；アミンおよび／または水酸化４級アンモニウム；からなり、前記処方物はＣｏＷＰフィーチャーと適合性があり、かつ、（ａ）アミンおよび／または水酸化４級アンモニウムの有機酸に対するモル比によってｐＨが７〜１４の値をとる；あるいは、（ｂ）前記処方物は腐食防止剤を含む、のいずれかであることを特徴とする。前記処方物を使用した方法についても記載する。 （もっと読む）

【課題】異物の他の構成部品への付着を防止しつつ容易に構成部品を洗浄することができる構成部品の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハドライクリーニング装置１０は、処理室１１と、該処理室１１内の下方に配置されてウエハＷを載置する載置台１２と、処理室１１内において載置台１２に対向配置された、パーティクルが付着した捕集板１３と、誘導結合プラズマ生成装置であるプラズマ生成装置１４とを備え、まず、処理室１１内へダミーウエハ２０を搬入し、該ダミーウエハ２０の表面に正電位を発生させ、ダミーウエハ２０よりも捕集板１３の近傍での表面波プラズマの生成、及び表面波プラズマの生成の中止を交互に繰り返し、その後、処理室１１内からダミーウエハ２０を搬出する。 （もっと読む）

【課題】基板のフォトリソグラフィー処理前に、基板の周縁部に付着した付着物を適切に除去する。
【解決手段】洗浄装置１は、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２０を有している。洗浄装置１には、内部に常温より高い温度の純水を貯留する浸漬容器３０が設けられている。浸漬容器３０のウェハＷ側の側面には、ウェハＷの周縁部Ｂを挿入するための側面開口部３３が形成されている。浸漬容器３０は、高温の純水でウェハＷの周縁部Ｂを浸すことができる。洗浄装置１には、ウェハＷの周縁部Ｂに常温より高い温度の洗浄液を所定の圧力で吹き付ける第１の洗浄液ノズル５０と第２の洗浄液ノズル５１が設けられている。これらノズル５０、５１から供給される洗浄液は、洗浄液供給部７０で純水と不活性ガスが混合された洗浄液である。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に付着残留するレジストを確実に除去することができるようにしたレジスト剥離装置を提供することにある。
【解決手段】基板の表面に付着残留するレジストを除去するレジスト剥離装置であって、
硫酸を供給する第１の供給管３２と、オゾンガスを供給する第２の供給管３３と、第１の供給管から供給される硫酸を第２の供給管から供給されるオゾンガスによって霧化させて基板に向けて噴射する上部ノズル体３１と、硫酸とオゾンガスの供給量をそれぞれ制御する第１、第２の開閉弁３８，３９及び制御装置１４を具備する。 （もっと読む）

【課題】異物を除去するためのレーザ光照射装置及び受光装置を利用して基板の位置合わせを行い、基板に対して適正な後処理を施すことができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】異物除去装置に設けられた異物を除去するためのレーザ光照射部３４からステージ３３に載置されて回転するウエハＷの端部にずれ測定用のレーザ光を照射し、照射したレーザ光のうちウエハＷの端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光をパワーメータ３５で受光してレーザ光の出力を検出し、回転するウエハＷの回転角を検出し、検出したレーザ光の出力データと回転角データとに基づいてウエハＷのずれ量を算出し、算出したずれ量に基づいてウエハＷのずれを補正し、その後、ウエハＷの端部にレーザ光照射部３４から洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射してウエハＷに付着した異物を分解、除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への入熱量を適正化して無駄な加熱をなくすると共に、無駄な処理をなくして処理時間を短縮することができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】被処理基板に外径寸法測定用のレーザ光を照射する測定用レーザ光照射ステップと、測定用のレーザ光のうち、基板の端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光を受光してレーザ光の出力を検出する出力検出ステップと、回転する基板の回転角を検出する回転角検出ステップと、出力検出ステップで検出したデータと回転角検出ステップで検出したデータとに基づいて基板の外径寸法を算出する算出ステップと、算出した外径寸法に基づいて、基板の外周端から所定範囲の基板表面に対し、照射断面が矩形の異物洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射して所定範囲の基板表面に付着した異物を分解、除去する分解ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】樹脂パターンや被エッチングパターンのパターン倒れを効果的に防止することが可能な表面処理方法、及びその表面処理方法で用いられる表面処理液を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面処理方法は、基板上に設けられた樹脂パターン、又はエッチングにより基板に形成された被エッチングパターンの表面を、シリル化剤及び溶剤を含有する表面処理液で処理する工程と、表面処理液による処理後の樹脂パターン又は被エッチングパターンを洗浄する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】カソード電極３の上面部及び側面部にはガス噴出穴１３が複数開口されており、カソード電極３の下面部にはガス噴出穴１３と連通するガス供給口１４が形成されている。ガス供給口１４にはＨｅ又はＯ_２などのエッチング抑制ガス１５が供給されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラズマ処理装置のクリーニング方法であり、プラズマ処理室表面を効率良く清浄化し、スループットを向上できるプラズマ処理装置のクリーニングの方法を提供する。また、クリーニング中にウエハを設置する電極表面がプラズマに曝されないので電極の劣化を防止することができる。更に、クリーニングと同時に被処理体である低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）上に形成されたレジストマスクを除去する方法を提供する。
【解決手段】
スループットを向上させる手法として、ＣｘＦｘ系ガスを用いてエッチングされた低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を、そのまま下部電極に載置した状態でＣＯ₂ガスによりプラズマクリーニングを行い、プラズマ処理室表面に付着したデポ物を除去する。この時、同時にＬｏｗ−ｋ膜上にパターニングされたレジストマスクを除去できるため、処理時間の大幅な短縮化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】薬液を用いてハードマスクを除去する際に、薬液を回収して再利用することができる液処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハに形成された被エッチング膜を、所定パターンに形成されたハードマスク層をエッチングマスクとして用いてエッチングした後、ハードマスク層およびエッチングの際に付着したポリマーを薬液で除去する液処理方法は、ウエハを回転させながらウエハに薬液を供給してハードマスク層を除去し、処理後の薬液を廃棄する第１工程と、第１工程によりハードマスク層の残存量が、処理後の薬液を回収して再利用することが可能となる量となった際に、廃棄していた処理後の薬液を回収して当該液処理に供するように切り替える第２工程と、第２工程の後、ウエハを回転させながら、薬液を回収して再利用しつつ、薬液によりハードマスク層の残部およびポリマー、またはポリマーを除去する第３工程とを含む。 （もっと読む）