【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の適切な終点を検知することが可能な、プラズマ処理を行う方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０８では、エッチング残さを除去するためのプラズマアッシングを開始する。プラズマアッシングの開始によりチャンバ内の圧力が上昇して、チャンバ内の圧力を調整するためにＣＶバルブの開度が調整される。工程Ｓ１０９では、エッチング装置では、ＣＶバルブの開度を示す信号の変化を検知するために、この信号の微分演算又は差分演算を行う。微分演算を行う場合には、工程Ｓ１１０では、エッチング装置では、プラズマ処理の終点を検知するために、この微分値の判定を行う。プラズマ処理の終点では、反応物の生成が減少するので、ＣＶバルブの開度を示す信号に変化が生じてアッシングが終点に近づくとチャンバ内の圧力が減少し、微分値は大きく変化する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの洗浄処理に用いる液体の不必要な使用を抑える。
【解決手段】洗浄装置１は、貯留槽１０に貯留されている薬液を処理槽２０に送液してウェハＷの洗浄処理を行い、使用した薬液を回収ライン９０で貯留槽１０に回収し、その回収で不足する分を供給ライン３０から補充する。この供給ライン３０から補充される薬液流量を検出部４１で検出し、演算部４２によって単位時間当たりの積算流量を求め、それを判定部４３によって閾値と比較して、供給ライン３０からの薬液補充量を監視する。これにより、貯留槽１０への薬液の回収不足、薬液から析出した結晶物による回収溝２４ａの閉塞を早期に発見し、不必要な薬液補充を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜や下地膜に与えるダメージを低減可能なプラズマ処理方法の提供。
【解決手段】処理室１の中心部側と側壁の近傍側にそれぞれ独立して処理ガスを供給するガス供給手段４１、４２と、被処理体Ｗを載置する試料載置電極１３と、プラズマ生成用高周波電源２１と、アンテナ１１と、処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段１７を有するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、プラズマを用いて被処理体Ｗの絶縁膜エッチング処理を行ない、その後被処理体Ｗを試料載置電極１３に載置したまま処理室中央部から大流量の不活性ガスを処理室１の側壁近傍にのみ堆積物除去ガスを供給し、さらにプラズマ密度分布を制御することにより処理室中心部側のプラズマ密度と処理室側壁近傍のプラズマ密度を異ならせて処理室側壁の堆積膜を除去する堆積膜除去処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング後の所定の膜の表面に残存するエッチング残渣またはアッシング残渣をその膜にダメージを与えずに確実に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板にドライエッチングを施した後に所定の膜の表面に残存するエッチング残渣、またはエッチング残渣をアッシングした後にその膜の表面に残存するアッシング残渣を除去する基板処理方法は、基板表面に液体状の有機酸を形成し、液体状の有機酸によりＣＦポリマーを分解するとともに液体状の有機酸にその分解物を溶解させる第１工程と、その後、基板をアニールして、有機酸および有機酸に溶解したＣＦポリマーの溶解物を気化させて基板から除去する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】第１および第２ガードの昇降状況に応じて、処理液のミストを基板の周辺から効率よく排除することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの周縁部に対向して第１回収口９２が形成される。この状態で、ウエハＷから飛散する処理液は、上位置にある中ガード３４の内壁によって受け止められる。中ガード３４が上位置にあるので、中排気口２８が開状態にあり、かつ上排気口２９が閉状態にある。排気桶３０内に、第１回収口９２から、中ガード３４と内ガード３３との間、中ガード３４とカップ３１との間および中排気口２８を通って排気室２５内に至る第２排気経路Ｐ２が形成される。一方、上排気口２９が閉状態にあるので、中ガード３４と外ガード３５との間および上排気口２９を通って排気室２５内に至る経路Ｔ３は実質上閉じている。 （もっと読む）

【課題】 オゾンガスと紫外線とを併用する酸化による表面処理方法において、酸化効率を向上させることのできる手段を提供する。
【解決手段】 キセノンガス等の希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させ、その混合ガスに紫外光を照射作用させる。混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜上に仕事関数制御金属導体を堆積した構造の半導体において、素子を劣化させることなく微細加工を施す。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成されたＨｆあるいはＺｒを含む絶縁膜１０２、該絶縁膜上に形成されたＴｉあるいはＴａあるいはＲｕを含む導体膜１０３を有し、該導電膜上に形成したレジスト１０７を用いて、プラズマ雰囲気中で前記導電膜を加工する半導体加工方法において、前記レジスト１０７を、水素を含み酸素を含まないガスのプラズマ雰囲気中で除去する。 （もっと読む）

【課題】処理液のミストを基板の周辺から効率よく排除させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】有底円筒状の排気桶３０内には、排気桶３０内に固定的に収容された第１カップ３１および第２カップ３２と、互いに独立して昇降可能な第１ガード３３、第２ガード３４、第３ガード３５および第４ガード３６とが収容されている。ウエハＷの周縁部に対向して第２回収口９３が形成された状態では、排気桶３０内には、第２回収口９３から上端部６３ｂと上端部３５ｂとの間、第３ガード３５の下端部３５ａと外側回収溝６８との間および排気桶３０内を通って排気口３７に至る第３排気経路Ｐ３が形成される。 （もっと読む）

【課題】高濃度オゾン水中のオゾン濃度の減衰を抑制して、オゾン濃度の高い加熱オゾン水を効率的に製造することができる加熱オゾン水の製造方法を提供する。
【解決手段】純水又は炭酸ガス含有純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を加熱する加熱オゾン水の製造方法において、オゾン水を、液体を加熱媒体とする熱交換手段２により昇温速度６．０〜１０．０℃／秒で６０〜９０℃に加熱する加熱オゾン水の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜のシリコン残渣が除去できて、製造工程の簡素化、製造コストが低減される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】最上層配線はAl膜厚が厚いため、レジストの膜厚も下層に比べて厚く、エッチング時間も長いためAl側壁へのポリマ堆積が他製品に比べても非常に多い。Alエッチ後のポリマ剥離液として使用している標準的なフッ化アンモニウム系のポリマ剥離液の処理時間を単に延長するだけでは、強固なポリマ膜等に対しては完全に除去することができていないことが明らかとなった。
【解決手段】本願発明はフッ化アンモニウム系のポリマ剥離液（弗化物塩添加有機溶剤水溶液）が一定の水希釈領域（高Ａｌエッチ・レート領域）において、アルミニウム系の金属又は合金に対して、著しく大きなエッチング速度を呈する性質を利用してアルミニウム系の配線をドライ・エッチングする際に形成される側壁ポリマをリフトオフさせるために、ウエハのデバイス面へのポリマ剥離液および純水等の洗浄液の供給を交互に繰り返すものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、簡便な手法で半導体基板の端面と裏面側の周縁部とをクリーニングすること。
【解決手段】シリコン基板５０の縁部を保持する工程と、シリコン基板５０の裏面Aの周縁部Rにブラシ１２を摺接させることにより、シリコン基板５０の裏面Aに付着している堆積物を除去する工程とを有し、上記の堆積物を除去する工程において、ブラシ１２の一部をシリコン基板５０の裏面Aからはみ出させる半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】フッ素化合物を用いて高度な洗浄効果が得られるようにした洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともフッ素化合物を含有する洗浄液（フッ素系溶剤）３に、被洗浄物１を浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、浸漬工程における、洗浄液３の温度ｔが、洗浄液３に含まれるフッ素化合物の１気圧における標準沸点または１００℃のいずれか低い方の温度以上であり、かつ雰囲気圧力が温度ｔにおいてフッ素化合物が液体状態となる圧力であることを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、良好に除去できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、含フッ素化合物を含有する洗浄液に浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、前記含フッ素化合物が、炭素数５以上の直鎖または分岐構造のパーフルオロアルキル基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定したエッチングレートを得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。ターゲット材の表面のアッシング工程は、プラズマチャンバ内で生成され、かつターゲット材の表面に付着した各種反応生成物の除去を目的とする。本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】良品率を向上し、かつ半導体製造装置への処理液・洗浄液による汚染を防ぐこと。
【解決手段】リブウェハ１００を、おもて面を下にしてウェハ保持機構２０に保持させ、リブウェハ１００の中央部３の中心付近を回転の中心Ｏとして回転させる。そして、この状態で、リブウェハ１００の裏面側のリブ部４の表面の内周端部にエッチング液５０を滴下する位置に設置されたノズル１０から、エッチング液５０を滴下する。このようにして、リブウェハ１００におけるリブ部４の表面の内周端部を選択的にエッチングして、リブ部４の内周側の側壁に傾斜面または曲面を形成する。そして、リブウェハ１００に洗浄液を滴下した後に、バッチ式乾燥装置または枚葉式乾燥装置によって、リブウェハ１００を回転させて、乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】撥水性を有する基板を搬送しながら良好に洗浄、乾燥処理を施す。
【解決手段】基板処理装置は、洗浄室１Ｃ及び乾燥室１Ｄを有し、撥水性を有する基板Ｓをその表面が傾斜した姿勢で搬送しながらその表面に洗浄、乾燥処理を施す。洗浄室１Ｃには、搬送方向に沿って連続する状態で、基板Ｓの上位側端部に対して洗浄水を供給する第１供給手段２０と、その下流側端部に近接され、かつ基板Ｓをその上位側から下位側に亘って横断する方向に沿って設けられ、同方向に沿って連続する状態で洗浄水を基板Ｓに供給する第２供給手段２４とが設けられる。乾燥室１Ｄには、第２供給手段２４に近接し、かつ搬送基板Ｓをその上位側から下位側に亘って横断する方向に設けられ、同方向に沿って連続する状態で搬送基板Ｓに対してエアを吹き付けるエアナイフ３０が設けられる。 （もっと読む）

【課題】機能性溶液として硫酸電解液を効率よく生成し、かつ電解によって生成された過硫酸を自己分解を抑制して効率よく使用側に供給する。
【解決手段】硫酸溶液を電解することにより機能性溶液を製造して使用側に供給する機能性溶液供給システムにおいて、該システムが硫酸溶液を貯留する貯留槽２と、硫酸溶液を電解する電解装置（電解セル３）と、硫酸溶液を加温する加温手段（加熱器５）と、硫酸溶液を冷却する冷却手段（冷却器４）と、貯留槽２から排出された硫酸溶液を、加温手段を介することなく電解装置を介して前記貯留槽２に戻す第１の循環ライン１１と、使用側（洗浄機１）から導入された硫酸溶液を、加温手段を介することなく冷却手段及び前記貯留槽２をこの順に介して使用側に戻す第２の循環ライン１２と、前記使用側から導入された硫酸溶液を、冷却手段及び前記貯留槽２を介することなく加温手段（加熱器５）を介して前記使用側に戻す第３の循環ライン１３を備える。 （もっと読む）