【課題】特殊な酸化剤を用いることなく微細突起の発生を抑制できる異方性ウェットエッチング方法およびＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを構成する赤外線センサＡは、シリコン基板１ａを用いて形成されており、シリコン基板１ａの一表面側において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成されている。ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 （もっと読む）

【課題】微細配線を有する半導体装置を高信頼性及び高歩留まりで得る。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、下層配線を形成する工程（ステップＳ１０１）と、下層配線上に絶縁膜を形成する工程（ステップＳ１０２）と、絶縁膜上にレジストを形成する工程（ステップＳ１０３）と、レジストをマスクとしてドライエッチングにより下層配線を露出する開口部を形成する工程（ステップＳ１０４）と、開口部を洗浄液を用いて洗浄する工程（ステップＳ１０５）と、洗浄した開口部をリンスする工程（ステップＳ１０６）と、含む。ステップＳ１０６では、リンス液と還元性ガスとを二流体ノズルから吐出して、開口部の底部をリンスする。 （もっと読む）

【課題】シリコン層の露出部を含むパターンをプラズマエッチングによって形成する際に、副生成物の除去と残留フッ素の除去とをパターンに損傷を与えることなく行うことのできる基板のクリーニング方法及び基板のクリーニング装置を提供する。
【解決手段】基板上のパターンをプラズマエッチングにより形成した後に、基板の表面をクリーニングする基板のクリーニング方法であって、基板をＨＦガス雰囲気に晒して副生成物を除去する副生成物除去工程と、水素ガスと、炭素と水素を構成元素として含む化合物のガスとを含むクリーニングガスをプラズマ化して基板に作用させ、当該基板に残留したフッ素を除去する残留フッ素除去工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】基板に対して最終薬液処理の後に洗浄処理を行う場合に、薬液処理室の寸法上の設計の共通化を達成しつつ薬液除去効果を高めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送される基板Ｗに対して最終薬液処理を行う薬液処理室３６と、薬液処理室３６の基板搬送方向下流側に設置され基板Ｗに対して置換水洗処理を行う置換水洗室４０とを備えた基板処理装置３００において、薬液処理室３６内に設けられ薬液処理を終えた基板Ｗに対して高圧の気体を噴出することにより基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ３７、３７と、基板搬送方向下流側において薬液処理室３６と隣接する薬液除去領域７３内に設けられさらに基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ７１、７１とを備え、薬液処理室３６において薬液処理が行われた後、二対の上下エアーナイフ３７、３７、７１、７１により薬液除去が行われた基板に対して置換水洗処理を行う。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤１０６を供給する。撥水化剤を供給する前に、酸化力の強い薬液１０３を供給するか、又はＵＶ光を照射して、凸形状パターン表面を強制的に酸化させる。これにより、凸形状パターン表面に撥水性保護膜が形成され易くなり、乾燥処理時の凸形状パターンの倒壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止つつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に希釈した撥水化剤を供給する。撥水剤と希釈剤との混合から基板表面に供給される迄の時間が長くなるほど撥水能力は低下するので、撥水化剤と希釈剤を混合する混合バルブ６１は、希釈撥水化剤を吐出するノズル６４の直前に設けられ、撥水化剤の撥水化能力の低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊及びウォーターマークの発生を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板保持回転部１００に複数の凸形状パターンを形成した半導体基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させ、薬液を用いて前記半導体基板Ｗ表面を洗浄し、洗浄した前記凸形状パターン表面に撥水化剤を用いて撥水性保護膜を形成し、前記撥水性保護膜形成後に、酸性水又は希釈したアルコールを用いて、前記半導体基板Ｗをリンスし、リンスした前記半導体基板Ｗを乾燥させた後に、前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】タングステンに対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜等の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基と、下記一般式（１）で表される防食剤とを含有する。


（式中、Ｒ_１は炭素数１〜１７のアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ_２は炭素数１〜１３のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】 アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料にダメージを与えることなく、エッチング残渣やレジスト残渣等の洗浄性能に優れた電子デバイスの洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２は各々独立して水素原子、メチル基又はエチル基を示し、Ｒ_１及びＲ_２が共に水素原子になることはない。）
で表されるアミン類、フッ化物、及び水を含む洗浄用組成物を用い、アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料を含有する電子デバイスの製造プロセスにおいて発生する有機物及び／又は無機物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】下部電極のセルフバイアス電圧を上げることなく，基板載置台の付着物の除去レートを上げる。
【解決手段】処理室１０２内を所定の処理条件に基づいてクリーニングする際に，Ｏ_２ガスと不活性ガスからなる処理ガスを下部電極１１１のセルフバイアス電圧に応じてその絶対値が小さいほど，Ｏ_２ガスの流量比が減少しＡｒガスの流量比が増大するように設定した流量比で処理室内に供給し，下部電極１１１と上部電極１２０の電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｃ）塩基性有機化合物、並びに、（成分ｄ）有機酸、を含み、ｐＨが７〜９であることを特徴とする、半導体用基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板厚が異なる基板に対しても同一条件でのエッチングを行い、均一に基板の表面処理を行うことができる基板表面処理装置、太陽電池セルの製造装置を得ること。
【解決手段】基板１１ａを保持する基板保持手段３５と、基板１１ａの基板厚に応じて基板保持手段３５の高さを調整する高さ調整手段３７と、基板１１ａを搬送する搬送手段と、上方に突出した壁部３１ｄに囲われた複数の突出口を基板１１ａの搬送方向において離間して有する液溜まり部が上面に設けられ、基板１１ａの表面処理に用いる処理液４０を突出口の内壁面での表面張力により突出口から突出した状態で保持する処理槽３１と、を備え、突出口から突出した処理液４０と処理面とが接触するとともに、液溜まり部の壁部３１ｄの最上部と処理面との距離が規定の距離となる高さ位置で基板１１ａを処理槽３１上において水平方向に搬送することにより処理面の表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、研磨工程由来の有機残渣除去性能、銅配線の腐食抑制効果（銅腐食抑制効果）に優れ、かつ腐食防止剤が残留しない銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 有機アミン、４級アンモニウム化合物、ウレア基またはチオウレア基を含有する化合物、および水を必須成分とし、ｐＨが７〜１２であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法により絶縁膜に埋め込まれた配線を形成する半導体装置の製造方法に関し、絶縁膜にビアホールや配線トレンチ等の開口部を形成する際のエッチング処理を安定化しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と、有機膜と、第１の開口部を有するレジスト膜とを有する複数の半導体基板について、レジスト膜をマスクとして、第１の開口部内の有機膜をエッチングする工程と、第１の開口部内の絶縁膜をエッチングし、絶縁膜に、配線層を露出する第２の開口部を形成する工程と、第２の開口部内に露出した配線層の表面を水素プラズマ処理する工程とを、同じエッチング装置の処理室で連続して処理する際に、一の半導体基板について水素プラズマ処理を行う工程を行った後、一の半導体基板の次に処理する他の半導体基板について有機膜をエッチングする工程を行う前に、処理室内に付着したＣｕ堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、洗浄特性に優れた洗浄液、洗浄方法、洗浄システム及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化性物質と、フッ酸と、を含み、酸性を呈すること、を特徴とする洗浄液が提供される。また、硫酸溶液を電気分解する方法、フッ酸が添加された硫酸溶液を電気分解する方法、若しくは、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合する方法のいずれかの方法により、酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、前記酸化性溶液と、フッ酸と、を洗浄対象物の表面に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊をより確実に防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリアから搬出された基板には、処理ユニットまでの搬送系路途中にてオゾンガスが吹き付けられて有機物汚染の除去処理が行われる。表面から有機物汚染が除去された基板が処理ユニットに搬入されて薬液表面処理が行われるため、基板の全面に対して均一な表面処理を行うことができる。薬液処理が終了した基板には純水リンス処理が行われ、その後基板の表面に疎水化剤としてのＨＭＤＳが供給されて疎水化処理が行われる。これにより、基板表面のパターン内に残留している液滴の毛管力はゼロに近くなり、乾燥処理時のパターン倒壊を防止することができる。疎水化された基板はキャリアに戻る搬送系路途中にて再度オゾンガスが吹き付けられて疎水化状態が解除される。 （もっと読む）

【課題】再生済の剥離液が所望の剥離性能を有し、かつ再生済の剥離液で基板表面から有機樹脂成分を剥離する際に、基板及び基板上の膜に対しダメージが与えられたり残渣が残ることを抑制可能な剥離液の再生方法を提供する。
【解決手段】
水溶性カルボニル化合物を含む剥離液を用いて基板表面の有機樹脂成分を溶解剥離した後、該剥離液に溶解している有機樹脂成分をオゾンガスにより分解し、さらにイオン交換樹脂で処理する剥離液の再生方法であって、
前記剥離液が水を含み、
前記イオン交換樹脂による処理が、イオン交換樹脂を使用して前記有機樹脂成分を分解することによって生じた生成物を除去する処理であることを特徴とする剥離液の再生方法。 （もっと読む）

【課題】スループットが高く、かつ被処理基板の回転にともなうパーティクルの発生および熱ストレスによるポリマーの剥がれの発生を抑制しつつ被処理基板の周縁部に環状に付着したポリマーを除去すること。
【解決手段】被処理基板Ｗの周縁部に環状に付着したポリマー２を除去するポリマー除去装置であって、周縁部に環状にポリマーが付着した被処理基板Ｗを収容する処理容器１１と、被処理基板Ｗを載置する載置台１２と、被処理基板Ｗに環状に付着したポリマー２にリング状レーザー光を一括照射するレーザー照射部２０と、被処理基板Ｗに環状に付着した前記ポリマーにオゾンガスを供給するオゾンガス供給機構１５，１９と、オゾンガスを排気する排気機構２３，２４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 基板を回転させながら所定の処理を施す基板処理装置において、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンベース３０の周縁部には、立設された支持ピン３１０が複数個設けられている。そして、支持ピン３１０に基板Ｗが略水平状態で支持されている。基板Ｗの表面Ｗｆに遮断部材５０を近接して対向配置された状態で、ガス吐出口５０２から所定の角度で基板Ｗにガスを吐出する。これにより、基板Ｗはその上面側に所定の角度で供給されるガスによって、支持ピン３１０に押圧されて確実にスピンベース３０に保持される。 （もっと読む）

【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）