【課題】 ウェハ端面での反射防止膜のリンス処理により形成されたハンプ、又は該ハンプに起因するエッチング段差や膜残渣を除去し、ウェハ端面からの微小異物の飛散を防止する。
【解決手段】 半導体ウェハ１１１の端面において、半導体ウェハ１１１上に成膜された反射防止膜１２１、１４１の外周部をリンス処理により除去した後、反射防止膜１２１、１４１上に設けられたレジストパターン１２３、１４３を用いて、反射防止膜１２１、１４１及びその下地構造をエッチングする。リンス処理は、反射防止膜１２１、１４１の最外周部にハンプ１２２、１４２を生じさせ得る。上記エッチングの前又は後に、ウェハ端面において、ウェハ端面以外の領域にマスクを設けることなく、ハンプ１２２、１４２が形成された位置をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：酸化ランタンまたは酸化ランタニド（例えば、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｐｒ₂Ｏ₃、Ｃｅ₂Ｏ₃）を含む層を準備する工程と；炭酸水である水溶液を供給することにより、酸化ランタンまたは酸化ランタニドを含む層を特定の領域で除去して、酸化ランタンまたは酸化ランタニドを含む層が上に蒸着された表面を露出させる工程とを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：ハフニウムおよび／またはジルコニウムを含む第１の酸化物材料を含む高誘電体層と；前記高誘電体層の上部に蒸着され、ランタン、ランタニド、および／または、アルミニウムを含む第２の酸化物材料を含むキャップ層と、を備えたスタックを準備する工程と；酸化剤を含む水溶液である液体Ａを前記半導体ウエハの表面に供給する工程ＳＡと；工程ＳＡの後に、６未満のｐＨ値の液体である液体Ｂを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＢと；工程ＳＢの後に、少なくとも１０ｐｐｍのフッ素濃度の酸性水溶液である液体Ｃを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＣとを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】 研磨工程由来の有機残渣除去性能と銅の腐食抑制効果に優れ、かつ腐食防止剤が残留しない銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 鎖状アミン(Ａ)、水酸基を２〜５個含むポリフェノール系還元剤（Ｂ）、アスコルビン酸および水を必須成分とすることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のリンス処理時に、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜の膜減りを抑制する。
【解決手段】半導体基板(Ｗ)上には、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜が形成されている。半導体基板（Ｗ）に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 （もっと読む）

【課題】第１に、基板材に対し強いインパクトで、均一なスプレーが実施され、第２に、もって微細化，高密度化された回路の電子回路基板でも、精度高く安定的に製造可能な、基板材の表面処理装置を提案する。
【解決手段】この表面処理装置６は、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材Ａに対し、スプレーノズル７から処理液Ｂを噴射して表面処理する。スプレーノズル７は、２流体ノズルよりなり、処理液ＢとエアーＤを混合して噴射すると共に、基板材Ａとスプレーノズル７間が、５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔Ｅとなっており、エアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、微小粒子となって基板材Ａにスプレーされる。そして基板材Ａに対し、強いインパクトでスプレーされると共に、左右方向Ｆへの水平往復移動により、広く均一にスプレーされる。エアーＤは、圧送源１４のブロワから温度上昇して圧送供給される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造におけるドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣を確実に除去できると共に、Ｌｏｗ−ｋ膜変質層等を有する半導体基板に対する腐食を抑制することができる半導体基板洗浄液、及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】珪弗化水素酸、飽和溶解度以下で珪弗化水素酸に対して０．１０モル倍以上の量の硼酸、及び水を含有する半導体基板洗浄液、及び、該半導体基板洗浄液を用いて洗浄する半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

（Ａ）それぞれの試験液（ＡＢ）の全質量に対する百分率で表して、０．０６〜４質量％の、溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂ）の存在下に、遠ＵＶ吸収発色団を含む、厚さが３０ｎｍのポリマー性バリア反射防止層について、５０℃で一定の除去速度を示す溶媒から成る群から選ばれる、少なくとも１種の極性有機溶媒、
（Ｂ）少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウム、及び
（Ｃ）少なくとも１個の第１級アミノ基を含む、少なくとも１種の芳香族アミン、
を含む液体組成物、その製造方法、及びこの液体組成物をレジストストリッピング組成物として使用した、電気装置の製造方法、及びシリコンビアを通してパターン化、及び／又はメッキ及びバンピングすることによって３Ｄ Ｓｔａｃｋｅｄ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ及び３Ｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋｉｎｇｓを製造する中で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、上記液体組成物を使用する方法。 （もっと読む）

本発明は、シリコンキャリア基板（２）とシリコン表面層の間に埋め込まれたシリコン酸化物ＳｉＯ₂の層（３）を備える初期シリコンオンインシュレータＳＯＩ基板を薄化する方法に関する。この方法は、前記初期基板の熱酸化処理を行うことにより、前記シリコン表面層の一部を酸化するステップと、エッチングの後に洗浄が行われる第１のサイクル、次いで第２のサイクルを実行するステップであって、前記第１のサイクルのエッチングが実行されることによって、形成された熱酸化物が完全に除去され、前記初期基板の縁部の不安定な部分が全て取り除かれ、前記第２のサイクルのエッチングが実行されることによって、前記薄化された基板の表面から、その上に堆積することによって形成された汚染パーティクル（５）が除去され、薄化された表面層（４）によって活性層が形成される、最終的なシリコンオンインシュレータ基板ＳＯＩ（１’）が得られるステップとを実行することからなる連続するステップを含むという点において注目すべきものである。
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【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１２内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート３の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極４ａ、４ｂ間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間３ｂに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 （もっと読む）

【課題】 研磨工程由来の有機残渣除去性能及び金属残渣除去性能が高く、かつ銅配線の腐食抑制性能に優れた銅配線半導体用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 特定の環状アミン（Ａ）、水酸基を２〜５個含むポリフェノール系還元剤（Ｂ）、４級アンモニウム化合物（Ｃ）、アスコルビン酸および水を必須成分とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不揮発性記憶装置の表面に形成された壁体間に残留する液体の表面張力の影響を抑制することができるとともに、ガルバニック腐食を抑制することができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記憶層を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、壁体が形成された基体の表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記基体の洗浄を行う工程を有すること、を特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ表面の酸化銅の除去および層間絶縁膜に付着したＣｕ含有物残渣の除去を効率良く確実に行うことができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上のＣｕ配線構造におけるＣｕ表面の酸化銅膜および層間絶縁膜に付着したＣｕ含有物残渣を有機酸含有ガスを用いて除去するにあたり、基板温度が相対的に低温の第１の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給してＣｕ含有物残渣のエッチング除去を行う第１工程と、基板温度が前記第１の温度よりも高温の第２の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給して前記Ｃｕ表面の酸化銅膜を還元を主体とする反応により除去する第２工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理での腐食を抑えた高性能で高品質の半導体装置を提供する。
【解決手段】例えば、ＬＣＯＳデバイスにおける画素電極９０を形成する際、画素電極９０の材料となる層に、間口の開口幅Ａ１に対して底部の開口幅Ａ２が狭い溝９１を形成して、個々の画素電極９０を形成した後、洗浄処理を行う。溝９１の間口を広くすることで、洗浄処理時の液の滞留が抑えられ、画素電極９０の腐食が抑えられるようになる。 （もっと読む）

基材，例えば電子デバイス基材，例えば超小型電子ウェハまたはフラットパネルディスプレイからの有機物質の除去のために有用な組成物および方法を提供する。最小体積の組成物をコーティングとして無機基材に適用することによって、十分な熱を加え、そして直ちに水でリンスして完全な除去を実現する方法を提供する。これらの組成物および方法は、ポジ型およびネガ型の種類のフォトレジスト、更に電子デバイスからの熱硬化性ポリマーを除去および完全に溶解させるのに特に好適である。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】微細パターンが形成されている基板を、その微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄する基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】代表長が０．１μｍ以下の溝又は穴を有する微細パターンが形成されたウエハＷを、水分を含んだ空間において、所定位置に配置された対向電極４６を挟んで、鋭角状の先端部を有する冷却自在の放電電極４５の先端部に対して一定間隔で対面するように、ウエハＷを配置する配置ステップと、放電電極４５を冷却して放電電極４５に結露を生じさせると共に、放電電極４５と対向電極４６との間に一定電圧を印加する洗浄ステップと、により洗浄する。この洗浄ステップでは、放電電極４５の先端部で直径が１０ｎｍ以下の水微粒子を含有するエアロゾルを発生させ、エアロゾルをウエハＷに噴霧することによりウエハＷを洗浄する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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【課題】基板の表面周縁部に形成された上層のみを選択的にエッチング除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬに薬液を供給して難溶性層ＵＬをエッチング除去している間、難溶性層ＵＬの基板端面側にリンス液を供給してカバーリンス部ＣＬを形成し、難溶性層ＵＬのエッチング除去により露出してしまった下地層ＤＬをリンス液で覆っている。このため、下地層ＤＬに流れてくる薬液を薄めるとともに洗い流して露出した下地層ＤＬが薬液によりエッチングされるのを抑制することができる。このように難溶性層ＵＬの基板端面側にカバーリンス部ＣＬを設けて露出した下地層ＤＬを保護した状態でエッチング処理を行っているため、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬのみを選択的にエッチング除去することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板へのパーティクルの付着や被処理基板へのダメージを防止することができる被処理基板の除電方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置する載置台１２とを備え、該載置台１２は、載置されたウエハＷの裏面に接触して当該ウエハＷを静電吸着する静電チャック２１と、該静電チャック２１からウエハＷの裏面に向けて伝熱ガスを噴出する外周部伝熱ガス供給系２５を有し、裏面に負の電荷が蓄積され且つ表面に正の電荷が蓄積されているウエハＷを除電する際、まず、プラズマＰ中の電子によってウエハＷの表面の正の電荷を中和し、その後、外周部伝熱ガス供給系２５からウエハＷに向けてイオン化ガスを供給し、イオン化ガス中の陽イオンによってウエハＷの裏面の負の電荷を中和する。 （もっと読む）