【課題】マイクロエレクトロニクス基板洗浄のためのアンモニア不含洗浄組成物、特に高感度多孔性誘電体、低κまたは高κの誘電体並びに銅金属被覆を特徴とするマイクロエレクトロニクス基板の洗浄方法を提供すること。フォトレジストのストリッピング、プラズマ生成有機、有機金属および無機化合物由来の残渣の洗浄方法、および平坦化工程由来の残渣の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】非求核性、正荷電対イオンを含有する１種またはそれ以上の非アンモニア産生強塩基および１種またはそれ以上の腐食阻害溶媒化合物（該腐食阻害溶媒化合物は、金属と錯体形成できる少なくとも２つの部位を有する）を含有する洗浄組成物の使用により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】剥離対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、及び、合金を腐食することなく、短時間、低温度でフォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去できる剥離液とその剥離方法を提供すること。
【解決手段】第４級アンモニウム水酸化物、酸化剤、アルカノールアミン、及び、アルカリ金属水酸化物を含む水溶液からなることを特徴とする半導体デバイスの剥離液、並びに、前記剥離液を調製する剥離液調製工程、及び、前記剥離液調製工程により得られた剥離液により、フォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去する剥離工程を含むことを特徴とする剥離方法。 （もっと読む）

【課題】適用が容易で、標準のクリーニング手順との組合せが可能である、希ガスプラズマ反応を用いて水の残留物を除去する、改善した反応チャンバクリーニング処理を提供する。
【解決手段】水分子を破壊して電子励起した酸素原子を形成できる高エネルギーのＥＵＶフォトン（Ｅ＞２０ｅＶ）を放射する希ガスプラズマ（例えば、Ｈｅ）が、吸着された水を除去するために用いられる。該方法は、材料に吸収された水分子の光分解を引き起こすのに充分なエネルギーを有する、極端紫外及び／又は真空紫外のフォトンを放射して、酸素、水素及び／又は水酸基のラジカルを放出させることが可能である希ガスプラズマに対して該表面を露出することと、反応チャンバからラジカルを除去することとを含む。 （もっと読む）

【課題】 複数の処理液を用いる枚葉式のウエット処理装置において、高揮発性や反応性等の処理液について、その処理液及び処理液から発生するミストや気体の流出、及び、他の処理液の流入を防止することが可能なウエット処理装置を提案する。
【解決手段】第一のチャンバ１と、第一のチャンバ１の上方又は下方に位置する第二のチャンバ２とを備え、両チャンバ１，２には互いに対向する位置に開口部１ａ，２ａが設けられており、第一のチャンバ１と第二のチャンバ２の間にて二つの開口部１ａ，２ａを介して保持手段３を昇降させる昇降手段４と、第一のチャンバ１の開口部１ａを開閉する開閉手段１ｂと、第一のチャンバ１内に位置した保持手段３に保持される被処理物Ｗに処理液を供給する第一の供給手段６と、第二のチャンバ２内に位置した保持手段３に保持される被処理物Ｗに処理液を供給する第二の供給手段７とを備える。 （もっと読む）

残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣を除去するための洗浄組成物および方法。フッ化物種、アミン種、および有機溶媒を実質的に含有しないこの組成物は、マイクロ電子デバイスからの、エッチング後残渣、アッシング後残渣および／またはＣＭＰ後残渣などの残渣物質の非常に有効な洗浄を達成すると同時に、マイクロ電子デバイス上に同じく存在する層間誘電材料および金属配線材料に損傷を与えない。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_４等の安定なハロゲン化炭素を十分に分解し、処理効率を高め、排ガス処理の負担を軽減する。
【解決手段】一次反応部２０の前段電極２２間に１００〜３００００Ｐａ、好ましくは１０００〜３００００Ｐａの一次プラズマ空間２２ａを形成し、この一次プラズマ空間２２ａでＣＦ_４等の安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスをプラズマ化し、ＣＯＦ_２等の不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する。この一次反応ガスをより低圧の二次プラズマ空間４２ａでプラズマ化し、被処理物９０との反応性を有するフッ素ラジカル等の反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成し、この二次反応ガスを被処理物９０に接触させる。 （もっと読む）

【課題】基板に対して、高温の処理液を用いた処理を良好に施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】内側成部材２０の案内部２４の外側壁面３７におけるＳＰＭ液の着液位置には、その外側壁面３７に着液するＳＰＭ液を冷却するための第１冷却管３８が配設されている。第１冷却管３８は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。外構成部材３０の内側壁面４７におけるＳＰＭ液の着液位置には、その内側壁面４７に着液するＳＰＭ液を冷却するための第２冷却管４８が配設されている。第２冷却管４８は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。
【効果】内構成部材２０および外構成部材３０の変形をそれぞれ防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 下層の金属膜の抵抗増大、及び水の吸湿による低誘電率絶縁膜の誘電率上昇を招くことなく、銅付着物を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅を用いた電気的接続部材４が形成された第１の層間絶縁膜２上に形成され、電気的接続部材４に達する溝７を有する第２の層間絶縁膜６の表面から、有機酸ガスと酸化性ガスとを用いて銅付着物１３を除去する工程と、第２の層間絶縁膜６の溝７の底に露出した電気的接続部材４の表面を還元する工程と、還元された電気的接続部材４上、及び第２の層間絶縁膜６上に、バリアメタル層８を形成する工程と、バリアメタル層８上に、銅を用いた導電膜９を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に金電極または金配線を形成するためヨウ素系のエッチング液にてエッチングする際に、半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物をほぼ完全に除去すると共に、半導体装置に二次的な損傷を与えることのない洗浄液、該洗浄液を用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 ヨウ素系エッチング液によって形成された金電極または金配線を有する半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物を洗浄するための洗浄液であって、該洗浄液がチオ硫酸塩を含む水溶液である洗浄液、それを用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内を洗浄するための洗浄液による基板汚染を防止することができる基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２内においては、閉状態におけるシャッタ１８上部の側方（水平でかつ側壁１に沿う方向）の一方側（図で示す右側）には、洗浄液を吐出するための第１洗浄液吐出ノズル３２と、洗浄液を吐出するための第２洗浄液吐出ノズル３３と、Ｎ₂ガスを吐出するためのＮ₂ガス吐出ノズル３４とが設けられている。シャッタ１８の上部に付着したＳＰＭが、洗浄液によって洗い流される。また、洗浄に用いられた洗浄液がＮ₂ガスによって除去される。 （もっと読む）

【課題】洗浄効率が高く、被洗浄物に与えるダメージが小さい洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置１には、熱交換部材８と、熱交換部材８内に挿通された一次冷却ライン１１と、熱交換部材８内に挿通された二次冷却ライン１２と、二次冷却ライン１２から噴射された二次冷媒が接触する位置に被洗浄物である半導体基板Ｓを保持する保持部材９と、が設けられている。そして、一次冷却ライン１１に一次冷媒である液体窒素を流通させ、二次冷却ライン１２に二次冷媒であるヘリウムガスを流通させる。これにより、液体窒素により熱交換部材８を介してヘリウムガスを冷却し、十分に冷却され且つ液体飛沫を含まないヘリウムガスを真空雰囲気中で半導体基板Ｓに向けて噴射して、半導体基板Ｓを冷却する。 （もっと読む）

【課題】超小型エレクトロニクス基板の洗浄のため（特にＣＭＰ後の洗浄のため、またはバイア形成後の洗浄のため）の洗浄溶液を提供すること。
【解決手段】本発明の洗浄溶液は、第４級アンモニウムヒドロキシド、有機アミン、腐食防止剤、必要に応じて有機酸、および水を含むものを提供することにより上記課題を解決する。好ましい洗浄溶液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエタノールアミン、没食子酸、アスコルビン酸、および水を含み、この洗浄溶液のアルカリ度は、溶液１グラムあたり０．０７３ミリ当量塩基より大きい。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって水素が離脱して硬化（炭化）したレジストを除去可能とする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１からプラズマ化したガスを照射することで、ウエハＷに残存したレジストを分解・燃焼させて除去するにあたって、前記ウエハＷを搬送手段Ｃによって浸漬槽Ｔに貯留された純水８０中を通過させるようにし、前記ウエハＷが純水８０に浸漬された状態でプラズマ照射を行う。これによって、水酸基ラジカルを効率良く発生させ、前記水酸基ラジカルによって、前記硬化（炭化）したレジスト表面に水素を供給して改質した上で、その表面を含めて総てのレジストを分解・燃焼させて除去することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面上に処理流体が滞留するのを防止して表面処理の均一性を向上させることができる高圧処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸Ｊ回りに回転駆動される基板Ｗに対して噴出管５から噴出されるＳＣＣＯ2が基板Ｗの表面に平行に供給される。噴出管５は回転軸Ｊに平行な回動軸Ｋ回りに回動自在に設けられており、コントローラ４からの制御指令に基づき、サーボモータ７３が作動することで噴出管５が回動駆動される。これにより、噴出管５からのＳＣＣＯ2の噴出方向が変更可能となっている。このため、基板Ｗの表面処理のプロセス条件に応じてＳＣＣＯ2の噴出方向を自在に調整することができ、基板Ｗの表面上におけるＳＣＣＯ2の滞留を防止して表面処理の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理状況をより正確に把握できるようにする。
【解決手段】基板処理装置は、処理槽１０Ａ〜１０Ｃを有し、基板Ｓを傾斜姿勢で搬送しながら各処理槽１０Ａ〜１０Ｃ内で、それぞれシャワーノズル１４により基板Ｓの表面にリンス液を供給しながら洗浄処理を施すように構成される。各処理槽１０Ａ〜１０Ｃの内部には、基板Ｓの表面に沿って流下するリンス液を、当該リンス液が槽内の底部に達する前に受けてそのｐＨを測定するｐＨ測定装置１６が設けられており、各ｐＨ測定装置１６による測定結果に基づき、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおけるリンス液の供給量がコントローラ４０により制御される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のベベル部に付着した不要な堆積膜を、パターンが存在する被処理基板の内側部分にダメージを与えず、重金属汚染を引き起こさず、低コストで高効率に除去する。
【解決手段】被処理基板２の直径よりも小さい直径を有し、被処理基板を載置する回転ステージ１と、被処理基板２の上方に配置され、被処理基板上面に形成されたパターンを保護するためのガス流を形成するためのガス供給構造部３と、ガス供給構造部３に非反応性ガスを供給する第一のガス供給系１１と、不要な堆積物を除去するためのラジカルを被処理基板外周部に供給するノズルを備えた大気圧マイクロプラズマ源４と、大気圧マイクロプラズマ源４にガスを供給する第二のガス供給系１４と、大気圧マイクロプラズマ源４に電力を投入する高周波電源１３と、被処理基板２の外周部から反応生成物を吸引除去するための排気手段５を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に残存したレジストを基板表面全体に均一に、損傷を与えることなく、単位体積当りのオゾン水のフォトレジストへの反応効率を上げて効果的に剥離、除去する。
【解決手段】フォトレジスト除去装置１は、回転支持台３と、洗浄ノズル７と、高濃度オゾン水供給装置４とを備え、洗浄ノズル７は、高濃度オゾン水を注水する円筒管１１と、円筒管１１の下端に取り付けられた透明円盤１３とを有し、透明円盤１３は、回転支持台３に支持された基板９に対して一定の隙間１４を介して対向するように配置されており、円筒管１１から注水される高濃度オゾン水を、基板９表面において厚さの均一な薄液膜１５として放射方向に流しながらエキシマー光照射源８からのエキシマー光を透明円盤１３を透過させて基板９表面に照射することにより、基板９表面に残存しているフォトレジストを除去する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に残存付着するフェノール樹脂から成るレジストを、基板自体に損傷を与えることなく、速い剥離速度で効果的に剥離する。
【解決手段】ノボラック樹脂系フォトレジストが残存付着している基板の表面に、高濃度オゾン水を注水するとともに、紫外光（例えば、エキシマーレーザ光）を照射することによって、紫外光が、高濃度オゾン水のオゾンの一部からＯＨラジカルを生成し、この生成されたＯＨラジカルが、フォトレジストをポリフェノール化し、ポリフェノール化されたフォトレジストを高濃度オゾン水の残存オゾンが反応して断片化し、基板表面から剥離する。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体の存在下に被処理基板に対して成膜工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の加工を容易に行うことのできる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板の製造方法は、基板が設置された反応室内に超臨界流体を充填し、該超臨界流体に溶解させた原料を基板の表面近傍で反応させることで基板の表面を加工する基板の製造方法であって、基板を、反応室内の天井部１０に基板の表面を下方に向けて設置するものである。 （もっと読む）