基板処理装置
【課題】基板の処理状況をより正確に把握できるようにする。
【解決手段】基板処理装置は、処理槽１０Ａ〜１０Ｃを有し、基板Ｓを傾斜姿勢で搬送しながら各処理槽１０Ａ〜１０Ｃ内で、それぞれシャワーノズル１４により基板Ｓの表面にリンス液を供給しながら洗浄処理を施すように構成される。各処理槽１０Ａ〜１０Ｃの内部には、基板Ｓの表面に沿って流下するリンス液を、当該リンス液が槽内の底部に達する前に受けてそのｐＨを測定するｐＨ測定装置１６が設けられており、各ｐＨ測定装置１６による測定結果に基づき、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおけるリンス液の供給量がコントローラ４０により制御される。
【解決手段】基板処理装置は、処理槽１０Ａ〜１０Ｃを有し、基板Ｓを傾斜姿勢で搬送しながら各処理槽１０Ａ〜１０Ｃ内で、それぞれシャワーノズル１４により基板Ｓの表面にリンス液を供給しながら洗浄処理を施すように構成される。各処理槽１０Ａ〜１０Ｃの内部には、基板Ｓの表面に沿って流下するリンス液を、当該リンス液が槽内の底部に達する前に受けてそのｐＨを測定するｐＨ測定装置１６が設けられており、各ｐＨ測定装置１６による測定結果に基づき、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおけるリンス液の供給量がコントローラ４０により制御される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣＤ、ＰＤＰ用ガラス基板および半導体基板等の基板に処理液を供給して各種処理を施す基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、上記のような基板処理装置として、タンクに貯溜された処理液を処理槽に送液してその内部に配置されたノズル部材から基板上に供給する一方で、使用後の処理液を処理槽から前記タンクに回収し、これによって処理液を循環させながら使用するものが知られている。この種の装置として、例えば特許文献１には、処理槽から導出される処理液の汚染（劣化）の状態を測定し、具体的には処理液のｐＨ値を測定し、処理液の汚染度が高い処理開始直後は、導出される処理液を全て廃棄し、汚染度が一定レベル以下まで低下すると処理液を上記タンクに回収するようにしたものが記載されている。
【特許文献１】特開平１１−２３８７１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来のこの種の基板処理装置では、基板に対して処理液が定量的に供給されているのが一般的である。例えば、基板を搬送しながら処理を行うものでは、処理液の供給開始および停止は、専ら搬送路等に設けられたセンサによる基板の検知に基づいて行われており、処理中は、一定流量で処理液が基板に供給されている。従って、小サイズの基板等では、必要以上に処理液が供給され、処理液が無駄に消費されているケースもある。
【０００４】
近年、より経済的に基板の処理を進めるべく、処理液の無駄な消費（供給）を抑えることが求められており、特許文献１のように処理槽から導出される処理液の汚染（劣化）状態を監視して、処理液の供給量を適正化することが考えられる。つまり、処理液の劣化状態と基板の処理状況との間には在る程度相関があるため、処理液の汚染状態から基板の処理状況を推測し、これに基づき処理液の供給量を制御することが考えられる。しかし、上記文献１のように、処理槽から導出される処理液の汚染状態を監視する場合には、基板を経由しない処理液、つまり処理槽の壁面に吹き付けられて当該壁面に付着した余分な汚染成分を含む処理液も監視対象となるため、基板の処理状況を正確に把握する上で充分でない。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、第１の目的は、基板の処理状況をより正確に把握できるようにすること、第２の目的は、処理液の無駄な消費（供給）を抑えて合理的に基板の処理を行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、ノズル部材により基板の表面に処理液を供給し、所定の処理を基板に施す処理槽を有する基板処理装置において、前記基板の表面から流下する処理液を、当該処理液が前記処理槽の底部に到達する前に受けて、その劣化状態に関連づけられた所定の物理量を測定する測定手段を備えているものである（請求項１）。
【０００７】
このように、基板の表面から流下する処理液を、当該処理液が処理槽の底部に到達する前に直接受けて上記物理量を測定する構成によれば、基板に注がれた処理液だけが測定対象となるため、余分な汚染成分を測定対象から排除することができる。そのため、上記物理量の測定結果に基づき基板の処理状況をより正確に把握することが可能となる。
【０００８】
より具体的に、処理中に前記基板を傾斜姿勢で支持する支持手段を有するものでは、前記測定手段は、前記支持手段に支持された基板の低位側の端縁の下方に配置されている（請求項２）。
【０００９】
例えば、基板を傾斜姿勢で搬送しながらその表面に処理液を供給して処理を行う装置では、上記の構成に従うことで、基板の傾斜に沿って流下する処理液を良好に受けることができ、上記物理量の測定を適切に行うことが可能となる。
【００１０】
また、前記測定手段は、処理液に接触して前記物理量を測定する測定部と、基板から流下する処理液を受けて前記測定部に案内する案内部とを有するものでもよい（請求項３）。
【００１１】
このように、基板から流下する処理液を受けて測定部に案内する構成によれば、より確実に処理液を上記測定部に接触させて上記物理量を測定することが可能となる。
【００１２】
なお、上記の基板処理装置は、前記物理量の測定結果に基づいて基板に供給する処理液の供給量を制御する供給量制御手段を有するのが好適である（請求項４）。例えば前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて処理液の単位時間当たりの供給量を制御するものであるのが好適である（請求項５）。また、供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて基板に対する処理液の供給時間を制御するもの（請求項６）、例えば基板を搬送しながら当該基板に対して処理液を供給する場合には、前記測定結果に基づいて基板の搬送速度を制御するものであるのが好適である（請求項７）。
【００１３】
すなわち、処理液の劣化状態と基板の処理状況との間には相関があるため、上記のように、測定手段により上記物理量を測定し、その測定結果に基づいて基板に対する処理液の供給量を制御することで基板の処理状況に見合った適量の処理液を供給することが可能となり、これによって処理液の無駄な消費を抑えることができるようになる。
【００１４】
なお、基板の処理状況は、使用前後の処理液の劣化状態を比較することでより正確に把握することが可能となる。そのため、上記の装置は、前記測定手段を第１測定手段としたときに、これとは別に、基板に供給される前の処理液に関する前記物理量を測定する第２測定手段をさらに備え、前記供給量制御手段は、これら第１，第２測定手段による測定結果の差に基づき前記供給量を制御するものであるのが好適である（請求項８）。
【００１５】
また、上記基板処理装置においては、前記処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収された処理液を再度前記処理槽での処理に用いる処理液の循環系統と、当該循環系統内を循環する処理液のうち使用後に回収される処理液を当該循環系統から排液する排液手段と、当該循環系統内に新たな処理液を導入する新液導入手段と、前記測定手段による測定結果に基づいて前記排液手段および新液導入手段を制御することにより前記循環系統内の処理液の入替えを行う入替制御手段と、を有するものであってもよい（請求項９）。
【００１６】
このような構成によれば、処理槽に対して処理液を循環させる基板処理装置において、前記物理量の測定に基づき処理液の浪費を有効に抑えることができるとともに、処理液の液質を良好に保って基板の処理の促進を図ることができる。
【００１７】
また、前記処理槽として、第１処理槽とこの第１処理槽で処理を終えた基板に前記第１処理槽と同一種類の処理液を用いて基板を処理する第２処理槽とを備えるとともに、前記第２処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収される処理液を前記第１処理槽での処理に用いる処理液の供給系統を有するものでは、前記第１処理槽に前記測定手段が配備され、前記制御手段は、前記測定結果に基づいて第１処理槽での基板に対する処理液の供給量および第２処理槽での基板に対する処理液の供給量の少なくとも一方を制御するように構成されるものであってもよい（請求項１０）。
【００１８】
このような構成によれば、処理槽同士がいわゆるカスケード接続された装置において、処理液の浪費をトータル的に抑えることが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１〜３に係る発明によると、余分な汚染成分が測定対象から排除されるので、これによって基板の処理状況を正確に把握することが可能となる。請求項４〜９に係る発明によると、基板の処理状況に応じて基板に対する処理液の供給量が制御されるので、無駄な処理液の消費を抑えて、経済的に基板を処理できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２１】
図１は本発明に係る基板処理装置を模式図で概略的に示している。同図に示す基板処理装置は、例えばエッチング処理（薬液処理）後の基板に対して洗浄処理を施すものである。
【００２２】
同図に示すように、この基板処理装置は、第１〜第３の連続する三つの処理槽１０（第１処理槽１０Ａ，第２処理槽１０Ｂ，第３処理槽１０Ｃ）を有している。各処理槽１０Ａ〜１０Ｃには、それぞれ複数の搬送ローラ１２が所定間隔で配備されており、基板Ｓがこれら搬送ローラ１２により支持された状態で、図中左側から右側に向かって搬送される構成となっている。なお、各搬送ローラ１２は、図２に示すように、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に傾斜して設けられており、これにより基板Ｓを水平面に対して所定角度θだけ傾斜させた状態で搬送するようになっている。
【００２３】
各処理槽１０Ａ〜１０Ｃには、基板Ｓに対してその上方からリンス液（当実施形態では純水）を供給するためのシャワーノズル１４（本発明に係るノズル部材に相当する）がそれぞれ配備されており、第３処理槽１０Ｃについては、基板Ｓの上下両側からリンス液を供給するようにシャワーノズル１４が配備されている。シャワーノズル１４は、点在する複数のノズル口を有しており、各ノズル口からそれぞれ液滴状のリンス液を吐出して基板Ｓに吹き付ける構成となっている。
【００２４】
各処理槽１０Ａ〜１０Ｃに対するリンス液の供給系統等は次のように構成されている。
【００２５】
各処理槽１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃにはそれぞれ、リンス液を貯溜するためのタンク２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ（第１タンク２０Ａ，第２タンク２０Ｂ，第３タンク２０Ｃ）が設けられている。各タンク２０Ａ〜２０Ｃには、それぞれポンプ２３およびバルブ２２ａを備えた供給用配管２２が設け設けられており、ポンプ２３の作動により、各タンク２０Ａ〜２０Ｃから、それぞれ対応する処理槽１０Ａ〜１０Ｃに対してリンス液を送液し、使用後のリンス液を、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにそれぞれ接続された導出管２４Ａ〜２４Ｃを通じて導出するようになっている。また、各タンク２０Ａ〜２０Ｃには、それぞれバルブ２６ａを備えたリンス液の廃液管２６が設けられており、メンテナンスの際には、バルブ２６ａの操作により、各タンク２０Ａ〜２０Ｃ内のリンス液を図外の廃液タンクに導出し得るようになっている。
【００２６】
各処理槽１０Ａ〜１０Ｃに設けられる上記導出管２４Ａ〜２４Ｃのうち、第３処理槽１０Ｃの導出管２４Ｃは、第２処理槽１０Ｂの第２タンク２０Ｂに接続されており、第２処理槽１０Ｂの導出管２４Ｂは、第１処理槽１０Ａの第１タンク２０Ａに接続されている。また、第１処理槽１０Ａの導出管２４Ａは、図外の廃液タンクに接続されている。第３タンク２０Ｃには、さらに新液供給管２８が接続されており、当該新液供給管２８に介設されるバルブ２８ａの操作に応じてリンス液供給源３０から第３タンク２０Ｃに新規リンス液が導入される構成となっている。つまり、この基板処理装置では、リンス液供給源３０から第３タンク２０Ｃに新規リンス液を導入しつつこのリンス液を第３処理槽１０Ｃに送液し、第３処理槽１０Ｃから導出される使用後のリンス液を上流側の第２タンク２０Ｂに導入する。そして、この第２タンク２０Ｂのリンス液を第２処理槽１０Ｂに送液し、この第２処理槽１０Ｂで使用されたリンス液をさらに上流側の第１タンク２０Ａに導入し、第１タンク２０Ａのリンス液を第１処理槽１０Ａに送液した後、第１処理槽１０Ａから導出されるリンス液を図外の廃液タンクに導入するようになっている。要するに、下流側の処理槽で使用されたリンス液を順次上流側に繰り上げながら上流側の処理槽で使用するようにリンス液の供給系統が構成されている、換言すれば処理槽１０Ａ〜１０Ｃが当該供給系統を介してカスケード接続されている。
【００２７】
なお、以下の説明においてタンク２０Ａ〜２０Ｃについて「上流側」「下流側」というときには基板Ｓの搬送方向に対応するものとする。
【００２８】
上記処理槽１０Ａ〜１０Ｃおよびタンク２０Ａ〜２０Ｃには、それぞれリンス液の劣化状態に関連づけられた所定の物理量を測定するための測定手段が設けられている。
【００２９】
具体的には、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃには、基板Ｓの処理中、当該基板Ｓに沿って流下するリンス液を直接受けて、すなわち、基板Ｓから流下するリンス液が槽内の底部に達する前に受けてそのｐＨ値を測定するｐＨ測定装置１６（第１ｐＨ測定装置１６という）が設けられる一方、各タンク２０Ａ〜２０Ｃに、それぞれ当該タンク２０Ａ〜２０Ｃ内のリンス液のｐＨ値を測定する第２ｐＨ測定装置３６が設けられている。
【００３０】
第１ｐＨ測定装置１６は、図１に示すように、処理槽１０Ａ〜１０Ｃ内の略中央（基板搬送方向における略中央）であって、図２に示すように、搬送ローラ１２によって傾斜姿勢で支持された基板Ｓの低位側の端部下方に配置されている。この第１ｐＨ測定装置１６は、同図に示すように、漏斗状の液受け部１７（本発明に係る案内部に相当する）と、この液受け部１７の下方に設けられる、計測ヘッドを備えたｐＨ計本体１８（本発明に係る測定部に相当する）とを具備しており、基板Ｓに沿って流下するリンス液を液受け部１７で受けてｐＨ計本体１８に案内することによりリンス液のｐＨ値を測定し、その測定結果に対応した信号を後記コントローラ４０に出力するように構成されている。
【００３１】
一方、第２ｐＨ測定装置３６は、詳しく図示していないが、各タンク２０Ａ〜２０Ｃの内部の所定位置に計測ヘッドを有し、この計測ヘッドにより、各タンク２０Ａ〜２０Ｃ内に貯溜されるリンス液のｐＨ値を測定して、その測定結果に対応した信号を後記コントローラ４０に出力するように構成されている。
【００３２】
なお、この基板処理装置は、基板Ｓの一連の洗浄動作を制御するコントローラ４０（本発明に係る供給量制御手段に相当する）を有している。このコントローラ４０は、論理演算を実行するＣＰＵ等を主な要素として構成されており、搬送ローラ１２を駆動するモータ、前記ポンプ２３、バルブ２２ａ，２６ａ，２８ａ、およびｐＨ測定装置１６，３６等は全てこのコントローラ４０に電気的に接続されている。そして、前記ｐＨ測定装置１６，３６による測定結果に基づき前記バルブ２２ａ等がこのコントローラ４０により開閉制御される構成となっている。以下、このコントローラ４０の制御に基づく基板Ｓの洗浄動作の一例について説明する。
【００３３】
基板Ｓの処理を開始する準備段階として、各タンク２０Ａ〜２０Ｃに一定量の新液（新規リンス液）が貯溜される。新液の貯溜は、新液供給管２８を通じてリンス液供給源３０から第３タンク２０Ｃに新液が導入され、この新液が図外の送液管を通じて上流側のタンク２０Ａ，２０Ｂに送液されることにより行われる。
【００３４】
各タンク２０Ａ〜２０Ｃの準備が完了すると搬送ローラ１２が駆動されて基板Ｓの搬送が開始され、上流側から薬液処理終了後の基板Ｓが傾斜姿勢で搬送されてくる。そして、第１処理槽１０Ａの直ぐ上流側に配置される図外の基板（先端）センサにより基板Ｓの先端が検出されると、第１処理槽１０Ａ内のシャワーノズル１４からリンス液が吐出され、基板Ｓに対するリンス液の供給が開始される。これにより基板Ｓが第１処理槽１０Ａ内に搬入されると、シャワーノズル１４から基板Ｓの上面にリンス液が供給されて所定の洗浄処理が基板Ｓに施されることとなる。なお、洗浄処理中、基板Ｓの上面から流下するリンス液の一部は、ｐＨ測定装置１６の液受け部１７に流れ込むこととなり（図２参照）、これにより基板Ｓの処理に供された使用後のリンス液のｐＨ値が測定される。
【００３５】
そして、基板Ｓがさらに搬送され、第１処理槽１０Ａ内の下流端近傍に配置される図外の基板（後端）センサにより基板Ｓの後端が検知されると、シャワーノズル１４からのリンス液の供給が停止される。
【００３６】
第１処理槽１０Ａを通過した基板Ｓは、さらに搬送ローラ１２の駆動により第２処理槽１０Ｂ、第３処理槽１０Ｃへと順次搬送され、これら各処理槽１０Ｂ，１０Ｃにおいてその上面にリンス液が供給されることにより同様に洗浄処理が施される。その際、各処理槽１０Ｂ，１０Ｃにおいても、１処理槽１０Ａと同様に、処理中は、基板Ｓから流下するリンス液のｐＨ値がｐＨ測定装置１６によって測定されることとなる。
【００３７】
こうして基板Ｓが各処理槽１０Ａ〜１０Ｃを通過すると、当該基板Ｓに対する一連の洗浄処理が終了する。説明を省略しているが、第２、第３の各処理槽１０Ｂ，１０Ｃについても、処理槽１０Ｂ，１０Ｃの直ぐ上流側に配置される基板（先端）センサ、および各処理槽１０Ｂ，１０Ｃ内の下流端近傍に配置される基板（後端）センサによる基板Ｓの検知に基づき、リンス液の供給開始および停止が制御されるようになっている。
【００３８】
なお、このような基板Ｓの洗浄処理においては、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおける基板Ｓに対するリンス液の供給量が上記ｐＨ測定装置１６の測定結果に基づき次のように制御される。すなわち、エッチング処理（薬液処理）後の基板Ｓに対して洗浄処理（リンス液として純水を用いる洗浄処理）を施す上記装置では、洗浄処理中、基板Ｓの洗浄に供された使用後のリンス液のｐＨ値が処理の進行に伴い変化する。具体的には、処理開始直後はリンス液のｐＨ値が高く、処理の進行に伴いｐＨ値が低下する。そのため、上記コントローラ４０には、基準洗浄レベルに対応したｐＨ値（基準値という）が、処理槽１０Ａ〜１０Ｃ毎に予め記憶されており、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおける測定ｐＨ値（例えば所定時間の平均値）と上記基準値との差が演算され、その結果に基づき各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおける基板Ｓに対するリンス液の供給量が制御されるようになっている。具体的には、測定ｐＨ値が基準値に対して一定レベル以上高い場合、つまり基板Ｓの洗浄が充分に進行していない場合には、単位時間当たりのリンス液の供給量が所定流量だけ増加するようにバルブ２２ａの開度等が制御される。逆に、ｐＨの測定値が基準値に対して一定レベル以上低い場合、つまり基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいる場合には、リンス液の単位時間当たりの供給量が所定流量だけ減少するようにバルブ２２ａの開度等が制御されるようになっている。このような基板Ｓに対するリンス液の供給量の制御は、一定のサイクルで、あるいはオペレータによる入力操作に従って実行される。なお、前記ポンプ２３が、例えばインバータモータにより駆動するポンプである場合には、上記バルブ２２ａの開度を制御する代わりに、又は当該開度の制御と併せて、前記モータの回転数を変化させることによってシャワーノズル１４へ供給されるリンス液の流量が制御される。
【００３９】
他方、基板Ｓの洗浄処理中、各タンク２０Ａ〜２０Ｃ内のリンス液のｐＨ値は、第２ｐＨ測定装置３６により測定されている。コントローラ４０には、上記流量制御用の基準値とは別に、タンク２０Ａ〜２０Ｃ毎に、液管理用のｐＨ値の基準値が予め記憶されており、何れかのタンク２０Ａ〜２０Ｃにおいて測定ｐＨ値が基準値を超えると、つまり、各タンク２０Ａ〜２０Ｃ内のリンス液が一定レベル以上まで劣化すると、当該タンク２０Ａ〜２０Ｃ内のリンス液の一部が廃液管２６を通じて廃棄される、あるいは図外の送液管を通じて上流側のタンクに送液される一方、当該タンクに対して下流側のタンクから汚れの少ないリンス液が送液管を通じて送液され、これによってリンス液の機能回復が図られる。
【００４０】
以上のように、上記実施形態の基板処理装置では、基板Ｓの処理状況と相関のある使用後のリンス液のｐＨ値をｐＨ測定装置１６で測定し、その測定値から基板Ｓの洗浄が充分に進行していないと判断される場合（測定ｐＨ値が基準値に対して一定レベル以上高い場合）には、基板Ｓに対するリンス液の供給量を増量補正し、逆に、基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいると判断される場合（測定ｐＨ値が基準値に対して一定レベル以上低い場合）には、基板Ｓに対するリンス液の供給量を減量補正する構成となっているので、基板Ｓの処理状況に応じて、必要充分なリンス液を基板Ｓに供給しながら洗浄処理を行うことができる。従って、リンス液の無駄な消費を抑えて、経済的に基板Ｓを処理できるようになる。
【００４１】
特に、この装置では、上述の通り、基板Ｓから流下するリンス液をｐＨ測定装置１６で直接受けてそのｐＨ値を測定するため、基板Ｓに対するリンス液の供給量を、実際の基板Ｓの処理状況に対応して正確に制御することができるという利点がある。すなわち、別の方法として、導出管２４Ａ〜２４Ｂを通じて各処理槽１０Ａ〜１０Ｃから導出されるリンス液のｐＨ値を測定することも考えられるが、この場合には、基板Ｓに注がれることなく処理槽１０Ａ〜１０Ｃの内底部等に落下し、当該内底部等に付着した余分な汚染成分を含んだリンス液もｐＨ値の測定対象となる。従って、測定結果が実際の基板Ｓの処理状況に対応した値とならず、リンス液の供給量の制御を、基板Ｓの処理状況に応じて正確に行うことが困難となるが、これに対して、上記実施形態の構成によれば、実際に基板Ｓに注がれて処理に供されたリンス液だけがｐＨ値の測定対象となるため測定値の信頼性が高く、従って、基板Ｓに対するリンス液の供給量を、実際の基板Ｓの処理状況に対応して正確に制御することが可能となる。
【００４２】
次に、本発明の第２の実施形態について図３を用いて説明する。
【００４３】
図３は第２の実施形態に係る基板処理装置を模式図で概略的に示している。同図に示す基板処理装置は、以下の点で、第１の実施形態の基板処理装置と構成が相違しており、これ以外の構成は、基本的には第１の実施形態と共通している。従って、第１の実施形態と共通する部分については、同一符号を付して説明を省略し、相違点についてのみ詳しく説明する（この点は、後述する第３の実施形態についても同じである）。
【００４４】
まず、この装置では、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃで使用したリンス液を、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにそれぞれ対応するタンク２０Ａ〜２０Ｃに戻すように導出管２４Ａ〜２４Ｃが設けられている。これによって、例えば第１処理槽１０Ａであれば、第１タンク２０Ａのリンス液を第１処理槽１０Ａに送液して基板Ｓに供給しながら、使用後のリンス液を第１処理槽１０Ａから第１タンク２０Ａに回収するという具合に、第１処理槽１０Ａと第１タンク２０Ａとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行うようにリンス液の供給系統が構成されている。第２処理槽１０Ｂ、第３処理槽１０Ｃについても同様である。
【００４５】
また、第３タンク２０Ｃと第２タンク２０Ｂとの間に、第３タンク２０Ｃ内のリンス液を第２タンク２０Ｂに送液するための、ポンプ３２ａを備えた第１送液管３２が設けられ、さらに第２タンク２０Ｂと第１タンク２０Ａとの間に、第２タンク２０Ｂ内のリンス液を第１タンク２０Ａに送液するための、ポンプ３４ａを備えた第２送液管３４が設けられている。これにより下流側のタンクから順次上流側のタンクに対してリンス液を送液可能な構成となっている。
【００４６】
すなわち、第２の実施形態の基板処理装置では、リンス液供給源３０から第３タンク２０Ｃに新規リンス液を導入しつつ、このリンス液を、前記送液管３２，３４を介して上流側のタンク２０Ａ，２０Ｂに順次送液することにより各タンク２０Ａ〜２０Ｃにリンス液を貯溜した上で、上記のように各処理槽１０Ａ〜１０Ｃと、それぞれ対応するタンク２０Ａ〜２０Ｃとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行い、必要に応じて第１タンク２０Ａのリンス液を、廃液管２６を通じて廃液しつつ、下流側のタンク２０Ｂ，２０Ｃのリンス液を、送液管３２，３４を通じて順次上流側に送液する構成となっている。
【００４７】
この第２の実施形態の基板処理装置では、ｐＨ測定装置１６，３６による測定結果に基づき、前記バルブ２２ａ等が前記コントローラ４０により以下のように制御される。
【００４８】
上記コントローラ４０には、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃの基準洗浄レベルに対応したｐＨ値として、それぞれ使用前のリンス液のｐＨ値と使用後のリンス液のｐＨ値との差に対する基準値、つまり第２ｐＨ測定装置３６（本発明に係る第２測定手段に相当する）の測定値と第１ｐＨ測定装置１６（本発明に係る第１測定手段に相当する）の測定値との差に対する基準値が記憶されている。そして、洗浄処理中は、一定のサイクルで、あるいはオペレータによる入力操作に基づいて、処理槽１０Ａ〜１０Ｃ毎に、使用前、使用後のリンス液のｐＨ値の差が演算され、その結果に基づき各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおける基板Ｓに対するリンス液の供給量が制御される。なお、「使用前」、「使用後」とは、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃでのリンス液の「使用前」、「使用後」を意味する。
【００４９】
例えば、第１処理槽１０Ａを例に説明すると、ｐＨ測定装置１６により測定されるリンス液（使用後のリンス液）のｐＨ値と、第２ｐＨ測定装置３６により測定される第１タンク２０Ａ内のリンス液（使用前のリンス液）のｐＨ値との差が演算され、その値が上記基準値に対して一定レベル以上大きい場合、つまり基板Ｓの洗浄が充分に進行していないと判断できる場合には、リンス液の単位時間当たりの供給量が所定流量だけ増加するようにバルブ２２ａの開度が制御される。逆に、上記演算値が上記基準値に対して一定レベル以上低い場合、つまり基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいると判断できる場合には、リンス液の単位時間当たりの供給量が所定流量だけ減少するようにバルブ２２ａの開度等が制御される。これによって、基板Ｓの処理状況に見合った必要充分なリンス液が基板Ｓに対して供給されるようになっている。なお、ここでは第１処理槽１０Ａの処理を例に説明したが、第２処理槽１０Ｂおよび第３処理槽１０Ｃでの処理についても同様である。
【００５０】
すなわち、上記のように各処理槽１０Ａ〜１０Ｃと、それぞれ対応するタンク２０Ａ〜２０Ｃとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行う第２の実施形態の基板処理装置では、シャワーノズル１４から吐出されるリンス液が経時劣化する。そのため、リンス液の経時劣化をさほど伴わない第１の実施形態のように、ｐＨ測定装置１６による測定結果のみで基板Ｓの処理状況を正確に把握することが困難となる。そこで、第２の実施形態では、使用前、使用後のリンス液のｐＨ値の変化に基づいて、基板Ｓに対するリンス液の供給量を制御する構成となっている。従って、この第２の実施形態の基板処理装置によれば、上記のように各処理槽１０Ａ〜１０Ｃと、それぞれ対応するタンク２０Ａ〜２０Ｃとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行う装置構成の下で、リンス液の無駄な消費を抑えて、経済的に基板Ｓを処理することができる、という第１の実施形態の装置と同様の効果を享受することができる。
【００５１】
次に、本発明の第３の実施形態について図４を用いて説明する。
【００５２】
図４は第３の実施形態に係る基板処理装置を模式図で概略的に示している。同図に示す基板処理装置は、第１，第２の各処理槽１０Ａ，１０Ｂで使用したリンス液を、各処理槽１０Ａ，１０Ｂにそれぞれ対応するタンク２０Ａ，２０Ｂに戻すように導出管２４Ａ，２４Ｂが設けられている。これによって、第１処理槽１０Ａであれば、第１タンク２０Ａのリンス液を第１処理槽１０Ａに送液して基板Ｓに供給しながら、使用後のリンス液を第１処理槽１０Ａから第１タンク２０Ａに回収するという具合に、第１処理槽１０Ａと第１タンク２０Ａとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行い得るように構成されている。第２処理槽１０Ｂについても同様である。
【００５３】
各導出管２４Ａ，２４Ｂには、それぞれバルブ２５が介設されるとともに、当該バルブ２５の上流側から分岐する分岐管２４Ａ′，２４Ｂ′が設けられている。第１処理槽１０Ａの導出管２４Ａから分岐する分岐管２４Ａ′は、図外の廃液タンクに接続されており、他方、第２処理槽１０Ｂの導出管２４Ｂから分岐する分岐管２４Ｂ′は、第１タンク２０Ａに接続されている。すなわち、必要に応じてバルブ２５が操作されることにより、第１処理槽１０Ａから導出される使用後のリンス液を分岐管２４Ａ′を通じて廃液タンクに導出し、また、第２処理槽１０Ｂから導出されるリンス液を分岐管２４Ｂ′を通じて第１タンク２０Ａに送液し得るように構成されている。この実施形態では、前記分岐管２４Ａ′，２４Ｂ′およびバルブ２５等が本発明に係る排液手段に相当する。
【００５４】
なお、この装置では、第３処理槽１０Ｃに対応する第３タンク２０Ｂは設けられておらず、第３処理槽１０Ｃに対しては、リンス液供給源３０から直接供給用配管２２を通じて新液が供給される構成となっている。また、第１，第２の各処理槽１０Ａ，１０Ｂに対応する各タンク２０Ａ，２０Ｂには、それぞれバルブ３９ａを備えた新液供給管３９（本発明に係る新液導入手段に相当する）が接続されており、リンス液供給源３０から各タンク２０Ａ，２０Ｂに直接新液が導入可能となっている。
【００５５】
すなわち、第３の実施形態の基板処理装置では、リンス液供給源３０から第１タンク２０Ａおよび第２タンク２０Ｂにそれぞれリンス液を貯溜した上で、各供給用配管２２を通じて第１〜第３の処理槽１０Ａ〜１０Ｃにそれぞれリンス液を送液して基板Ｓの洗浄処理を行い、この際、第１，第２の各処理槽１０Ａ，１０Ｂについては、対応するタンク２０Ａ，２０Ｂとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行い、必要に応じて第２処理槽１０Ｂから導出されるリンス液を、導出管２４Ｂ（分岐管２４Ｂ′）を通じて第１タンク２０Ａに送液するとともに、第１処理槽１０Ａから導出されるリンス液を、前記導出管２４Ａ（分岐管２４Ａ′）を通じて廃液するようになっている。
【００５６】
この装置では、ｐＨ測定装置１６，３６による測定結果に基づき、搬送ローラ１２の駆動およびバルブ２５，３９ａ等が前記コントローラ４０により以下のように制御される。
【００５７】
すなわち、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおける第１ｐＨ測定装置１６の測定ｐＨ値とその基準値との差が演算され、測定ｐＨ値が基準値に対して一定レベル以上高い場合（基板Ｓの洗浄が充分に進行していない場合）には、搬送ローラ１２による基板Ｓの搬送速度が一定速度まで下げられ、これによって基板Ｓの洗浄時間が標準時間に対して延長され、基板Ｓに対するリンス液の供給量が増量される。逆に、測定ｐＨ値が基準値に対して一定レベル以上低い場合（基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいる場合）には、搬送ローラ１２による基板Ｓの搬送速度が一定速度だけ上げられ、これによって基板Ｓの洗浄時間が短縮され、基板Ｓに対するリンス液の供給量が減量されることとなる。
【００５８】
また、基板Ｓの洗浄処理中、第１処理槽１０Ａにおいて第１ｐＨ測定装置１６の測定ｐＨ値がその基準値（液管理用の所定のｐＨ値）を超えると、当該第１処理槽１０Ａから導出されるリンス液が、前記導出管２４Ａ（分岐管２４Ａ′）を通じて廃液される。同様に、第２処理槽１０Ｂにおいて測定ｐＨ値がその基準値を超えると、第２処理槽１０Ｂから導出されるリンス液が、導出管２４Ｂ（分岐管２４Ｂ′）を通じて第１タンク２０Ａに送液される。また、各タンク２０Ａ，２０Ｂに対して新液供給管３９を通じて新液が導入される。これにより各処理槽１０Ａ，１０Ｂに対して循環されるリンス液の機能回復が図られることとなる。すなわち、この実施形態では、前記コントローラ４０が本発明に係る供給量制御手段および入替制御手段に相当する。
【００５９】
以上のような第３の実施形態の装置によると、基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいる場合には、基板Ｓの搬送速度を一定速度だけ上げ、これにより基板Ｓに対するリンス液の供給量を抑え、逆に、基板Ｓの洗浄が充分に進行していない場合には、基板Ｓの搬送速度を一定速度だけ下げ、これにより基板Ｓに対するリンス液の供給量を増量するので、第１の実施形態と同様に、基板Ｓの処理状況に応じた必要充分なリンス液を基板Ｓに供給しながら洗浄処理を行うことができ、従って、リンス液の無駄な消費を抑えて、経済的に基板Ｓを処理することができる。また、このように基板Ｓの洗浄処理の進行度合に応じて基板Ｓの搬送速度を上げるので、常に一定速度で基板Ｓを搬送しながら洗浄処理を施す場合に比べるとスループットを向上させることが可能になるという利点もある。
【００６０】
なお、以上説明した第１〜第３の実施形態に係る基板処理装置は、本発明に係る基板処理装置の好ましい実施形態の一例であって、その具体的な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００６１】
例えば、実施形態では、基板Ｓから流下するリンス液を液受け部１７で受けながらｐＨ計本体１８に案内するようにｐＨ測定装置１６が構成されているが、勿論、液受け部１７を省略し、基板Ｓから流下するリンス液を直接このｐＨ計本体１８で受けてｐＨを測定するようにしてもよい。要は、基板Ｓから流下するリンス液のｐＨ値を、当該リンス液が処理槽１０Ａ〜１０Ｃの底部に到達する前に測定できればよい。但し、上記実施形態のようなｐＨ測定装置１６を用いた場合には、リンス液が基板Ｓに沿って疎らに流下した場合でも確実にリンス液をｐＨ計本体１８に触れさせることが可能となるため、より確実にｐＨ値を測定することが可能となる。
【００６２】
なお、実施形態では、リンス液の劣化度合に基づき基板Ｓの処理状況を把握するものであって、リンス液の劣化度合を上記の通りリンス液のｐＨ値の測定により検知しているが、勿論、リンス液の劣化度合に関連づけられる物理量であればｐＨ値以外の物理量を検出するようにしてもよい。例えば、リンス液の比抵抗値や導電率を測定するようにしてもよい。
【００６３】
また、第１の実施形態では、第１処理槽１０ＡのｐＨ値の測定結果に基づいて、当該第１処理槽１０Ａでの基板Ｓに対するリンス液の供給量を制御する構成となっているが、例えば第１処理槽１０Ａではリンス液の供給量の制御を行うことなく、あるいは第１処理槽１０Ａにおけるリンス液の供給量の制御と併せて、第１処理槽１０ＡのｐＨ値の測定結果に基づいて下流側の処理槽１０Ｂ，１０Ｃでの基板Ｓに対するリンス液の供給量を制御するようにしてもよい。具体的には、第１処理槽１０Ａにおいて、基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいると判断される場合（ｐＨの測定値が基準値に対して一定レベル以上低い場合）には、処理槽１０Ｂ，１０Ｃでの基板Ｓに対するリンス液の供給量を減量補正する、あるいは処理槽１０Ｂ，１０Ｃの何れか一方の処理を省略する（つまり、リンス液を供給することなく単に通過させる）ようにしてもよい。要するに、上流側処理槽でのリンス液のｐＨ値の測定結果に基づき、下流側処理槽のリンス液の供給量等を制御するようにしてもよい。この点は、第２、第３の実施形態についても同じである。
【００６４】
また、実施形態は、基板Ｓを搬送しながらその上面にリンス液を供給するタイプの基板処理装置に本発明を適用した例であるが、勿論、静止させた状態で基板Ｓにリンス液を供給して洗浄処理を行い、終了後、基板Ｓを下流側に搬送するタイプの基板処理装置についても本発明は適用可能である。この場合には、基板Ｓから流下するリンス液のｐＨ値をｐＨ測定装置で測定し、この測定値が、基板Ｓの洗浄が完了したと認められる一定のレベルまで低下した時点でリンス液の供給を停止して基板Ｓを搬出するようにすればよい。これによれば、リンス液の消費量、および基板Ｓの停止時間を必要最小限度に抑えることができるため、経済的に、かつ効率的に基板Ｓの洗浄処理を行うことが可能となる。特に、第３処理槽１０Ｃに関してこのような処理を進めるようにすれば、洗浄処理が不十分なまま基板Ｓが下流側に搬出されるといった不都合を未然に回避することができ、これにより洗浄処理の確実性を高めることができるという利点がある。
【００６５】
また、洗浄処理の進行の度合に応じて基板Ｓに対するリンス液の供給量を増減するために、第１，第２の実施形態では、リンス液の単位時間当たりの供給量を制御し、また、第３の実施形態では、基板Ｓの搬送速度（基板Ｓの処理時間）を制御する構成となっているが、勿論、シャワーノズル１４からのリンス液の吐出量と基板Ｓの搬送速度の双方を制御することにより、基板Ｓに対するリンス液の供給量を増減させるようにしてもよい。
【００６６】
また、実施形態では、本発明の適用例として、エッチング処理後の基板Ｓに対して洗浄処理を施す基板処理装置について説明したが、例えばレジスト皮膜の剥離処理後の基板Ｓを洗浄する装置についても本発明は適用可能である。また、このように基板Ｓに沿ってリンス液を流下させながら洗浄処理を施すもの以外に、基板Ｓに沿って薬液を流下させながら薬液処理を行うものについても本発明は適用可能である。また、実施形態のように、傾斜姿勢の基板Ｓに処理液（リンス液）を供給しながら処理を行う以外に、水平姿勢、あるいは垂直姿勢の基板Ｓに処理液を供給しながら処理を施すものについても本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に係る基板処理装置（第１の実施形態）を示す模式図である。
【図２】各処理槽における基板とｐＨ測定装置との位置関係、およびｐＨ測定装置の構成を示す処理槽の内部側面図である。
【図３】本発明に係る基板処理装置（第２の実施形態）を示す模式図である。
【図４】本発明に係る基板処理装置（第３の実施形態）を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０Ａ 第１処理槽
１０Ｂ 第２処理槽
１０Ｃ 第３処理槽
２０Ａ 第１タンク
２０Ｂ 第２タンク
２０Ｃ 第３タンク
１２ 搬送ローラ
１４ シャワーノズル
１６ ｐＨ測定装置
１７ 液受け部
１８，３６ ｐＨ計本体
２２ 供給用配管
４０ コントローラ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣＤ、ＰＤＰ用ガラス基板および半導体基板等の基板に処理液を供給して各種処理を施す基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、上記のような基板処理装置として、タンクに貯溜された処理液を処理槽に送液してその内部に配置されたノズル部材から基板上に供給する一方で、使用後の処理液を処理槽から前記タンクに回収し、これによって処理液を循環させながら使用するものが知られている。この種の装置として、例えば特許文献１には、処理槽から導出される処理液の汚染（劣化）の状態を測定し、具体的には処理液のｐＨ値を測定し、処理液の汚染度が高い処理開始直後は、導出される処理液を全て廃棄し、汚染度が一定レベル以下まで低下すると処理液を上記タンクに回収するようにしたものが記載されている。
【特許文献１】特開平１１−２３８７１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来のこの種の基板処理装置では、基板に対して処理液が定量的に供給されているのが一般的である。例えば、基板を搬送しながら処理を行うものでは、処理液の供給開始および停止は、専ら搬送路等に設けられたセンサによる基板の検知に基づいて行われており、処理中は、一定流量で処理液が基板に供給されている。従って、小サイズの基板等では、必要以上に処理液が供給され、処理液が無駄に消費されているケースもある。
【０００４】
近年、より経済的に基板の処理を進めるべく、処理液の無駄な消費（供給）を抑えることが求められており、特許文献１のように処理槽から導出される処理液の汚染（劣化）状態を監視して、処理液の供給量を適正化することが考えられる。つまり、処理液の劣化状態と基板の処理状況との間には在る程度相関があるため、処理液の汚染状態から基板の処理状況を推測し、これに基づき処理液の供給量を制御することが考えられる。しかし、上記文献１のように、処理槽から導出される処理液の汚染状態を監視する場合には、基板を経由しない処理液、つまり処理槽の壁面に吹き付けられて当該壁面に付着した余分な汚染成分を含む処理液も監視対象となるため、基板の処理状況を正確に把握する上で充分でない。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、第１の目的は、基板の処理状況をより正確に把握できるようにすること、第２の目的は、処理液の無駄な消費（供給）を抑えて合理的に基板の処理を行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、ノズル部材により基板の表面に処理液を供給し、所定の処理を基板に施す処理槽を有する基板処理装置において、前記基板の表面から流下する処理液を、当該処理液が前記処理槽の底部に到達する前に受けて、その劣化状態に関連づけられた所定の物理量を測定する測定手段を備えているものである（請求項１）。
【０００７】
このように、基板の表面から流下する処理液を、当該処理液が処理槽の底部に到達する前に直接受けて上記物理量を測定する構成によれば、基板に注がれた処理液だけが測定対象となるため、余分な汚染成分を測定対象から排除することができる。そのため、上記物理量の測定結果に基づき基板の処理状況をより正確に把握することが可能となる。
【０００８】
より具体的に、処理中に前記基板を傾斜姿勢で支持する支持手段を有するものでは、前記測定手段は、前記支持手段に支持された基板の低位側の端縁の下方に配置されている（請求項２）。
【０００９】
例えば、基板を傾斜姿勢で搬送しながらその表面に処理液を供給して処理を行う装置では、上記の構成に従うことで、基板の傾斜に沿って流下する処理液を良好に受けることができ、上記物理量の測定を適切に行うことが可能となる。
【００１０】
また、前記測定手段は、処理液に接触して前記物理量を測定する測定部と、基板から流下する処理液を受けて前記測定部に案内する案内部とを有するものでもよい（請求項３）。
【００１１】
このように、基板から流下する処理液を受けて測定部に案内する構成によれば、より確実に処理液を上記測定部に接触させて上記物理量を測定することが可能となる。
【００１２】
なお、上記の基板処理装置は、前記物理量の測定結果に基づいて基板に供給する処理液の供給量を制御する供給量制御手段を有するのが好適である（請求項４）。例えば前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて処理液の単位時間当たりの供給量を制御するものであるのが好適である（請求項５）。また、供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて基板に対する処理液の供給時間を制御するもの（請求項６）、例えば基板を搬送しながら当該基板に対して処理液を供給する場合には、前記測定結果に基づいて基板の搬送速度を制御するものであるのが好適である（請求項７）。
【００１３】
すなわち、処理液の劣化状態と基板の処理状況との間には相関があるため、上記のように、測定手段により上記物理量を測定し、その測定結果に基づいて基板に対する処理液の供給量を制御することで基板の処理状況に見合った適量の処理液を供給することが可能となり、これによって処理液の無駄な消費を抑えることができるようになる。
【００１４】
なお、基板の処理状況は、使用前後の処理液の劣化状態を比較することでより正確に把握することが可能となる。そのため、上記の装置は、前記測定手段を第１測定手段としたときに、これとは別に、基板に供給される前の処理液に関する前記物理量を測定する第２測定手段をさらに備え、前記供給量制御手段は、これら第１，第２測定手段による測定結果の差に基づき前記供給量を制御するものであるのが好適である（請求項８）。
【００１５】
また、上記基板処理装置においては、前記処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収された処理液を再度前記処理槽での処理に用いる処理液の循環系統と、当該循環系統内を循環する処理液のうち使用後に回収される処理液を当該循環系統から排液する排液手段と、当該循環系統内に新たな処理液を導入する新液導入手段と、前記測定手段による測定結果に基づいて前記排液手段および新液導入手段を制御することにより前記循環系統内の処理液の入替えを行う入替制御手段と、を有するものであってもよい（請求項９）。
【００１６】
このような構成によれば、処理槽に対して処理液を循環させる基板処理装置において、前記物理量の測定に基づき処理液の浪費を有効に抑えることができるとともに、処理液の液質を良好に保って基板の処理の促進を図ることができる。
【００１７】
また、前記処理槽として、第１処理槽とこの第１処理槽で処理を終えた基板に前記第１処理槽と同一種類の処理液を用いて基板を処理する第２処理槽とを備えるとともに、前記第２処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収される処理液を前記第１処理槽での処理に用いる処理液の供給系統を有するものでは、前記第１処理槽に前記測定手段が配備され、前記制御手段は、前記測定結果に基づいて第１処理槽での基板に対する処理液の供給量および第２処理槽での基板に対する処理液の供給量の少なくとも一方を制御するように構成されるものであってもよい（請求項１０）。
【００１８】
このような構成によれば、処理槽同士がいわゆるカスケード接続された装置において、処理液の浪費をトータル的に抑えることが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１〜３に係る発明によると、余分な汚染成分が測定対象から排除されるので、これによって基板の処理状況を正確に把握することが可能となる。請求項４〜９に係る発明によると、基板の処理状況に応じて基板に対する処理液の供給量が制御されるので、無駄な処理液の消費を抑えて、経済的に基板を処理できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２１】
図１は本発明に係る基板処理装置を模式図で概略的に示している。同図に示す基板処理装置は、例えばエッチング処理（薬液処理）後の基板に対して洗浄処理を施すものである。
【００２２】
同図に示すように、この基板処理装置は、第１〜第３の連続する三つの処理槽１０（第１処理槽１０Ａ，第２処理槽１０Ｂ，第３処理槽１０Ｃ）を有している。各処理槽１０Ａ〜１０Ｃには、それぞれ複数の搬送ローラ１２が所定間隔で配備されており、基板Ｓがこれら搬送ローラ１２により支持された状態で、図中左側から右側に向かって搬送される構成となっている。なお、各搬送ローラ１２は、図２に示すように、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に傾斜して設けられており、これにより基板Ｓを水平面に対して所定角度θだけ傾斜させた状態で搬送するようになっている。
【００２３】
各処理槽１０Ａ〜１０Ｃには、基板Ｓに対してその上方からリンス液（当実施形態では純水）を供給するためのシャワーノズル１４（本発明に係るノズル部材に相当する）がそれぞれ配備されており、第３処理槽１０Ｃについては、基板Ｓの上下両側からリンス液を供給するようにシャワーノズル１４が配備されている。シャワーノズル１４は、点在する複数のノズル口を有しており、各ノズル口からそれぞれ液滴状のリンス液を吐出して基板Ｓに吹き付ける構成となっている。
【００２４】
各処理槽１０Ａ〜１０Ｃに対するリンス液の供給系統等は次のように構成されている。
【００２５】
各処理槽１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃにはそれぞれ、リンス液を貯溜するためのタンク２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ（第１タンク２０Ａ，第２タンク２０Ｂ，第３タンク２０Ｃ）が設けられている。各タンク２０Ａ〜２０Ｃには、それぞれポンプ２３およびバルブ２２ａを備えた供給用配管２２が設け設けられており、ポンプ２３の作動により、各タンク２０Ａ〜２０Ｃから、それぞれ対応する処理槽１０Ａ〜１０Ｃに対してリンス液を送液し、使用後のリンス液を、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにそれぞれ接続された導出管２４Ａ〜２４Ｃを通じて導出するようになっている。また、各タンク２０Ａ〜２０Ｃには、それぞれバルブ２６ａを備えたリンス液の廃液管２６が設けられており、メンテナンスの際には、バルブ２６ａの操作により、各タンク２０Ａ〜２０Ｃ内のリンス液を図外の廃液タンクに導出し得るようになっている。
【００２６】
各処理槽１０Ａ〜１０Ｃに設けられる上記導出管２４Ａ〜２４Ｃのうち、第３処理槽１０Ｃの導出管２４Ｃは、第２処理槽１０Ｂの第２タンク２０Ｂに接続されており、第２処理槽１０Ｂの導出管２４Ｂは、第１処理槽１０Ａの第１タンク２０Ａに接続されている。また、第１処理槽１０Ａの導出管２４Ａは、図外の廃液タンクに接続されている。第３タンク２０Ｃには、さらに新液供給管２８が接続されており、当該新液供給管２８に介設されるバルブ２８ａの操作に応じてリンス液供給源３０から第３タンク２０Ｃに新規リンス液が導入される構成となっている。つまり、この基板処理装置では、リンス液供給源３０から第３タンク２０Ｃに新規リンス液を導入しつつこのリンス液を第３処理槽１０Ｃに送液し、第３処理槽１０Ｃから導出される使用後のリンス液を上流側の第２タンク２０Ｂに導入する。そして、この第２タンク２０Ｂのリンス液を第２処理槽１０Ｂに送液し、この第２処理槽１０Ｂで使用されたリンス液をさらに上流側の第１タンク２０Ａに導入し、第１タンク２０Ａのリンス液を第１処理槽１０Ａに送液した後、第１処理槽１０Ａから導出されるリンス液を図外の廃液タンクに導入するようになっている。要するに、下流側の処理槽で使用されたリンス液を順次上流側に繰り上げながら上流側の処理槽で使用するようにリンス液の供給系統が構成されている、換言すれば処理槽１０Ａ〜１０Ｃが当該供給系統を介してカスケード接続されている。
【００２７】
なお、以下の説明においてタンク２０Ａ〜２０Ｃについて「上流側」「下流側」というときには基板Ｓの搬送方向に対応するものとする。
【００２８】
上記処理槽１０Ａ〜１０Ｃおよびタンク２０Ａ〜２０Ｃには、それぞれリンス液の劣化状態に関連づけられた所定の物理量を測定するための測定手段が設けられている。
【００２９】
具体的には、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃには、基板Ｓの処理中、当該基板Ｓに沿って流下するリンス液を直接受けて、すなわち、基板Ｓから流下するリンス液が槽内の底部に達する前に受けてそのｐＨ値を測定するｐＨ測定装置１６（第１ｐＨ測定装置１６という）が設けられる一方、各タンク２０Ａ〜２０Ｃに、それぞれ当該タンク２０Ａ〜２０Ｃ内のリンス液のｐＨ値を測定する第２ｐＨ測定装置３６が設けられている。
【００３０】
第１ｐＨ測定装置１６は、図１に示すように、処理槽１０Ａ〜１０Ｃ内の略中央（基板搬送方向における略中央）であって、図２に示すように、搬送ローラ１２によって傾斜姿勢で支持された基板Ｓの低位側の端部下方に配置されている。この第１ｐＨ測定装置１６は、同図に示すように、漏斗状の液受け部１７（本発明に係る案内部に相当する）と、この液受け部１７の下方に設けられる、計測ヘッドを備えたｐＨ計本体１８（本発明に係る測定部に相当する）とを具備しており、基板Ｓに沿って流下するリンス液を液受け部１７で受けてｐＨ計本体１８に案内することによりリンス液のｐＨ値を測定し、その測定結果に対応した信号を後記コントローラ４０に出力するように構成されている。
【００３１】
一方、第２ｐＨ測定装置３６は、詳しく図示していないが、各タンク２０Ａ〜２０Ｃの内部の所定位置に計測ヘッドを有し、この計測ヘッドにより、各タンク２０Ａ〜２０Ｃ内に貯溜されるリンス液のｐＨ値を測定して、その測定結果に対応した信号を後記コントローラ４０に出力するように構成されている。
【００３２】
なお、この基板処理装置は、基板Ｓの一連の洗浄動作を制御するコントローラ４０（本発明に係る供給量制御手段に相当する）を有している。このコントローラ４０は、論理演算を実行するＣＰＵ等を主な要素として構成されており、搬送ローラ１２を駆動するモータ、前記ポンプ２３、バルブ２２ａ，２６ａ，２８ａ、およびｐＨ測定装置１６，３６等は全てこのコントローラ４０に電気的に接続されている。そして、前記ｐＨ測定装置１６，３６による測定結果に基づき前記バルブ２２ａ等がこのコントローラ４０により開閉制御される構成となっている。以下、このコントローラ４０の制御に基づく基板Ｓの洗浄動作の一例について説明する。
【００３３】
基板Ｓの処理を開始する準備段階として、各タンク２０Ａ〜２０Ｃに一定量の新液（新規リンス液）が貯溜される。新液の貯溜は、新液供給管２８を通じてリンス液供給源３０から第３タンク２０Ｃに新液が導入され、この新液が図外の送液管を通じて上流側のタンク２０Ａ，２０Ｂに送液されることにより行われる。
【００３４】
各タンク２０Ａ〜２０Ｃの準備が完了すると搬送ローラ１２が駆動されて基板Ｓの搬送が開始され、上流側から薬液処理終了後の基板Ｓが傾斜姿勢で搬送されてくる。そして、第１処理槽１０Ａの直ぐ上流側に配置される図外の基板（先端）センサにより基板Ｓの先端が検出されると、第１処理槽１０Ａ内のシャワーノズル１４からリンス液が吐出され、基板Ｓに対するリンス液の供給が開始される。これにより基板Ｓが第１処理槽１０Ａ内に搬入されると、シャワーノズル１４から基板Ｓの上面にリンス液が供給されて所定の洗浄処理が基板Ｓに施されることとなる。なお、洗浄処理中、基板Ｓの上面から流下するリンス液の一部は、ｐＨ測定装置１６の液受け部１７に流れ込むこととなり（図２参照）、これにより基板Ｓの処理に供された使用後のリンス液のｐＨ値が測定される。
【００３５】
そして、基板Ｓがさらに搬送され、第１処理槽１０Ａ内の下流端近傍に配置される図外の基板（後端）センサにより基板Ｓの後端が検知されると、シャワーノズル１４からのリンス液の供給が停止される。
【００３６】
第１処理槽１０Ａを通過した基板Ｓは、さらに搬送ローラ１２の駆動により第２処理槽１０Ｂ、第３処理槽１０Ｃへと順次搬送され、これら各処理槽１０Ｂ，１０Ｃにおいてその上面にリンス液が供給されることにより同様に洗浄処理が施される。その際、各処理槽１０Ｂ，１０Ｃにおいても、１処理槽１０Ａと同様に、処理中は、基板Ｓから流下するリンス液のｐＨ値がｐＨ測定装置１６によって測定されることとなる。
【００３７】
こうして基板Ｓが各処理槽１０Ａ〜１０Ｃを通過すると、当該基板Ｓに対する一連の洗浄処理が終了する。説明を省略しているが、第２、第３の各処理槽１０Ｂ，１０Ｃについても、処理槽１０Ｂ，１０Ｃの直ぐ上流側に配置される基板（先端）センサ、および各処理槽１０Ｂ，１０Ｃ内の下流端近傍に配置される基板（後端）センサによる基板Ｓの検知に基づき、リンス液の供給開始および停止が制御されるようになっている。
【００３８】
なお、このような基板Ｓの洗浄処理においては、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおける基板Ｓに対するリンス液の供給量が上記ｐＨ測定装置１６の測定結果に基づき次のように制御される。すなわち、エッチング処理（薬液処理）後の基板Ｓに対して洗浄処理（リンス液として純水を用いる洗浄処理）を施す上記装置では、洗浄処理中、基板Ｓの洗浄に供された使用後のリンス液のｐＨ値が処理の進行に伴い変化する。具体的には、処理開始直後はリンス液のｐＨ値が高く、処理の進行に伴いｐＨ値が低下する。そのため、上記コントローラ４０には、基準洗浄レベルに対応したｐＨ値（基準値という）が、処理槽１０Ａ〜１０Ｃ毎に予め記憶されており、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおける測定ｐＨ値（例えば所定時間の平均値）と上記基準値との差が演算され、その結果に基づき各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおける基板Ｓに対するリンス液の供給量が制御されるようになっている。具体的には、測定ｐＨ値が基準値に対して一定レベル以上高い場合、つまり基板Ｓの洗浄が充分に進行していない場合には、単位時間当たりのリンス液の供給量が所定流量だけ増加するようにバルブ２２ａの開度等が制御される。逆に、ｐＨの測定値が基準値に対して一定レベル以上低い場合、つまり基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいる場合には、リンス液の単位時間当たりの供給量が所定流量だけ減少するようにバルブ２２ａの開度等が制御されるようになっている。このような基板Ｓに対するリンス液の供給量の制御は、一定のサイクルで、あるいはオペレータによる入力操作に従って実行される。なお、前記ポンプ２３が、例えばインバータモータにより駆動するポンプである場合には、上記バルブ２２ａの開度を制御する代わりに、又は当該開度の制御と併せて、前記モータの回転数を変化させることによってシャワーノズル１４へ供給されるリンス液の流量が制御される。
【００３９】
他方、基板Ｓの洗浄処理中、各タンク２０Ａ〜２０Ｃ内のリンス液のｐＨ値は、第２ｐＨ測定装置３６により測定されている。コントローラ４０には、上記流量制御用の基準値とは別に、タンク２０Ａ〜２０Ｃ毎に、液管理用のｐＨ値の基準値が予め記憶されており、何れかのタンク２０Ａ〜２０Ｃにおいて測定ｐＨ値が基準値を超えると、つまり、各タンク２０Ａ〜２０Ｃ内のリンス液が一定レベル以上まで劣化すると、当該タンク２０Ａ〜２０Ｃ内のリンス液の一部が廃液管２６を通じて廃棄される、あるいは図外の送液管を通じて上流側のタンクに送液される一方、当該タンクに対して下流側のタンクから汚れの少ないリンス液が送液管を通じて送液され、これによってリンス液の機能回復が図られる。
【００４０】
以上のように、上記実施形態の基板処理装置では、基板Ｓの処理状況と相関のある使用後のリンス液のｐＨ値をｐＨ測定装置１６で測定し、その測定値から基板Ｓの洗浄が充分に進行していないと判断される場合（測定ｐＨ値が基準値に対して一定レベル以上高い場合）には、基板Ｓに対するリンス液の供給量を増量補正し、逆に、基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいると判断される場合（測定ｐＨ値が基準値に対して一定レベル以上低い場合）には、基板Ｓに対するリンス液の供給量を減量補正する構成となっているので、基板Ｓの処理状況に応じて、必要充分なリンス液を基板Ｓに供給しながら洗浄処理を行うことができる。従って、リンス液の無駄な消費を抑えて、経済的に基板Ｓを処理できるようになる。
【００４１】
特に、この装置では、上述の通り、基板Ｓから流下するリンス液をｐＨ測定装置１６で直接受けてそのｐＨ値を測定するため、基板Ｓに対するリンス液の供給量を、実際の基板Ｓの処理状況に対応して正確に制御することができるという利点がある。すなわち、別の方法として、導出管２４Ａ〜２４Ｂを通じて各処理槽１０Ａ〜１０Ｃから導出されるリンス液のｐＨ値を測定することも考えられるが、この場合には、基板Ｓに注がれることなく処理槽１０Ａ〜１０Ｃの内底部等に落下し、当該内底部等に付着した余分な汚染成分を含んだリンス液もｐＨ値の測定対象となる。従って、測定結果が実際の基板Ｓの処理状況に対応した値とならず、リンス液の供給量の制御を、基板Ｓの処理状況に応じて正確に行うことが困難となるが、これに対して、上記実施形態の構成によれば、実際に基板Ｓに注がれて処理に供されたリンス液だけがｐＨ値の測定対象となるため測定値の信頼性が高く、従って、基板Ｓに対するリンス液の供給量を、実際の基板Ｓの処理状況に対応して正確に制御することが可能となる。
【００４２】
次に、本発明の第２の実施形態について図３を用いて説明する。
【００４３】
図３は第２の実施形態に係る基板処理装置を模式図で概略的に示している。同図に示す基板処理装置は、以下の点で、第１の実施形態の基板処理装置と構成が相違しており、これ以外の構成は、基本的には第１の実施形態と共通している。従って、第１の実施形態と共通する部分については、同一符号を付して説明を省略し、相違点についてのみ詳しく説明する（この点は、後述する第３の実施形態についても同じである）。
【００４４】
まず、この装置では、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃで使用したリンス液を、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにそれぞれ対応するタンク２０Ａ〜２０Ｃに戻すように導出管２４Ａ〜２４Ｃが設けられている。これによって、例えば第１処理槽１０Ａであれば、第１タンク２０Ａのリンス液を第１処理槽１０Ａに送液して基板Ｓに供給しながら、使用後のリンス液を第１処理槽１０Ａから第１タンク２０Ａに回収するという具合に、第１処理槽１０Ａと第１タンク２０Ａとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行うようにリンス液の供給系統が構成されている。第２処理槽１０Ｂ、第３処理槽１０Ｃについても同様である。
【００４５】
また、第３タンク２０Ｃと第２タンク２０Ｂとの間に、第３タンク２０Ｃ内のリンス液を第２タンク２０Ｂに送液するための、ポンプ３２ａを備えた第１送液管３２が設けられ、さらに第２タンク２０Ｂと第１タンク２０Ａとの間に、第２タンク２０Ｂ内のリンス液を第１タンク２０Ａに送液するための、ポンプ３４ａを備えた第２送液管３４が設けられている。これにより下流側のタンクから順次上流側のタンクに対してリンス液を送液可能な構成となっている。
【００４６】
すなわち、第２の実施形態の基板処理装置では、リンス液供給源３０から第３タンク２０Ｃに新規リンス液を導入しつつ、このリンス液を、前記送液管３２，３４を介して上流側のタンク２０Ａ，２０Ｂに順次送液することにより各タンク２０Ａ〜２０Ｃにリンス液を貯溜した上で、上記のように各処理槽１０Ａ〜１０Ｃと、それぞれ対応するタンク２０Ａ〜２０Ｃとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行い、必要に応じて第１タンク２０Ａのリンス液を、廃液管２６を通じて廃液しつつ、下流側のタンク２０Ｂ，２０Ｃのリンス液を、送液管３２，３４を通じて順次上流側に送液する構成となっている。
【００４７】
この第２の実施形態の基板処理装置では、ｐＨ測定装置１６，３６による測定結果に基づき、前記バルブ２２ａ等が前記コントローラ４０により以下のように制御される。
【００４８】
上記コントローラ４０には、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃの基準洗浄レベルに対応したｐＨ値として、それぞれ使用前のリンス液のｐＨ値と使用後のリンス液のｐＨ値との差に対する基準値、つまり第２ｐＨ測定装置３６（本発明に係る第２測定手段に相当する）の測定値と第１ｐＨ測定装置１６（本発明に係る第１測定手段に相当する）の測定値との差に対する基準値が記憶されている。そして、洗浄処理中は、一定のサイクルで、あるいはオペレータによる入力操作に基づいて、処理槽１０Ａ〜１０Ｃ毎に、使用前、使用後のリンス液のｐＨ値の差が演算され、その結果に基づき各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおける基板Ｓに対するリンス液の供給量が制御される。なお、「使用前」、「使用後」とは、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃでのリンス液の「使用前」、「使用後」を意味する。
【００４９】
例えば、第１処理槽１０Ａを例に説明すると、ｐＨ測定装置１６により測定されるリンス液（使用後のリンス液）のｐＨ値と、第２ｐＨ測定装置３６により測定される第１タンク２０Ａ内のリンス液（使用前のリンス液）のｐＨ値との差が演算され、その値が上記基準値に対して一定レベル以上大きい場合、つまり基板Ｓの洗浄が充分に進行していないと判断できる場合には、リンス液の単位時間当たりの供給量が所定流量だけ増加するようにバルブ２２ａの開度が制御される。逆に、上記演算値が上記基準値に対して一定レベル以上低い場合、つまり基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいると判断できる場合には、リンス液の単位時間当たりの供給量が所定流量だけ減少するようにバルブ２２ａの開度等が制御される。これによって、基板Ｓの処理状況に見合った必要充分なリンス液が基板Ｓに対して供給されるようになっている。なお、ここでは第１処理槽１０Ａの処理を例に説明したが、第２処理槽１０Ｂおよび第３処理槽１０Ｃでの処理についても同様である。
【００５０】
すなわち、上記のように各処理槽１０Ａ〜１０Ｃと、それぞれ対応するタンク２０Ａ〜２０Ｃとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行う第２の実施形態の基板処理装置では、シャワーノズル１４から吐出されるリンス液が経時劣化する。そのため、リンス液の経時劣化をさほど伴わない第１の実施形態のように、ｐＨ測定装置１６による測定結果のみで基板Ｓの処理状況を正確に把握することが困難となる。そこで、第２の実施形態では、使用前、使用後のリンス液のｐＨ値の変化に基づいて、基板Ｓに対するリンス液の供給量を制御する構成となっている。従って、この第２の実施形態の基板処理装置によれば、上記のように各処理槽１０Ａ〜１０Ｃと、それぞれ対応するタンク２０Ａ〜２０Ｃとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行う装置構成の下で、リンス液の無駄な消費を抑えて、経済的に基板Ｓを処理することができる、という第１の実施形態の装置と同様の効果を享受することができる。
【００５１】
次に、本発明の第３の実施形態について図４を用いて説明する。
【００５２】
図４は第３の実施形態に係る基板処理装置を模式図で概略的に示している。同図に示す基板処理装置は、第１，第２の各処理槽１０Ａ，１０Ｂで使用したリンス液を、各処理槽１０Ａ，１０Ｂにそれぞれ対応するタンク２０Ａ，２０Ｂに戻すように導出管２４Ａ，２４Ｂが設けられている。これによって、第１処理槽１０Ａであれば、第１タンク２０Ａのリンス液を第１処理槽１０Ａに送液して基板Ｓに供給しながら、使用後のリンス液を第１処理槽１０Ａから第１タンク２０Ａに回収するという具合に、第１処理槽１０Ａと第１タンク２０Ａとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行い得るように構成されている。第２処理槽１０Ｂについても同様である。
【００５３】
各導出管２４Ａ，２４Ｂには、それぞれバルブ２５が介設されるとともに、当該バルブ２５の上流側から分岐する分岐管２４Ａ′，２４Ｂ′が設けられている。第１処理槽１０Ａの導出管２４Ａから分岐する分岐管２４Ａ′は、図外の廃液タンクに接続されており、他方、第２処理槽１０Ｂの導出管２４Ｂから分岐する分岐管２４Ｂ′は、第１タンク２０Ａに接続されている。すなわち、必要に応じてバルブ２５が操作されることにより、第１処理槽１０Ａから導出される使用後のリンス液を分岐管２４Ａ′を通じて廃液タンクに導出し、また、第２処理槽１０Ｂから導出されるリンス液を分岐管２４Ｂ′を通じて第１タンク２０Ａに送液し得るように構成されている。この実施形態では、前記分岐管２４Ａ′，２４Ｂ′およびバルブ２５等が本発明に係る排液手段に相当する。
【００５４】
なお、この装置では、第３処理槽１０Ｃに対応する第３タンク２０Ｂは設けられておらず、第３処理槽１０Ｃに対しては、リンス液供給源３０から直接供給用配管２２を通じて新液が供給される構成となっている。また、第１，第２の各処理槽１０Ａ，１０Ｂに対応する各タンク２０Ａ，２０Ｂには、それぞれバルブ３９ａを備えた新液供給管３９（本発明に係る新液導入手段に相当する）が接続されており、リンス液供給源３０から各タンク２０Ａ，２０Ｂに直接新液が導入可能となっている。
【００５５】
すなわち、第３の実施形態の基板処理装置では、リンス液供給源３０から第１タンク２０Ａおよび第２タンク２０Ｂにそれぞれリンス液を貯溜した上で、各供給用配管２２を通じて第１〜第３の処理槽１０Ａ〜１０Ｃにそれぞれリンス液を送液して基板Ｓの洗浄処理を行い、この際、第１，第２の各処理槽１０Ａ，１０Ｂについては、対応するタンク２０Ａ，２０Ｂとの間でリンス液を循環させながら基板Ｓの洗浄処理を行い、必要に応じて第２処理槽１０Ｂから導出されるリンス液を、導出管２４Ｂ（分岐管２４Ｂ′）を通じて第１タンク２０Ａに送液するとともに、第１処理槽１０Ａから導出されるリンス液を、前記導出管２４Ａ（分岐管２４Ａ′）を通じて廃液するようになっている。
【００５６】
この装置では、ｐＨ測定装置１６，３６による測定結果に基づき、搬送ローラ１２の駆動およびバルブ２５，３９ａ等が前記コントローラ４０により以下のように制御される。
【００５７】
すなわち、各処理槽１０Ａ〜１０Ｃにおける第１ｐＨ測定装置１６の測定ｐＨ値とその基準値との差が演算され、測定ｐＨ値が基準値に対して一定レベル以上高い場合（基板Ｓの洗浄が充分に進行していない場合）には、搬送ローラ１２による基板Ｓの搬送速度が一定速度まで下げられ、これによって基板Ｓの洗浄時間が標準時間に対して延長され、基板Ｓに対するリンス液の供給量が増量される。逆に、測定ｐＨ値が基準値に対して一定レベル以上低い場合（基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいる場合）には、搬送ローラ１２による基板Ｓの搬送速度が一定速度だけ上げられ、これによって基板Ｓの洗浄時間が短縮され、基板Ｓに対するリンス液の供給量が減量されることとなる。
【００５８】
また、基板Ｓの洗浄処理中、第１処理槽１０Ａにおいて第１ｐＨ測定装置１６の測定ｐＨ値がその基準値（液管理用の所定のｐＨ値）を超えると、当該第１処理槽１０Ａから導出されるリンス液が、前記導出管２４Ａ（分岐管２４Ａ′）を通じて廃液される。同様に、第２処理槽１０Ｂにおいて測定ｐＨ値がその基準値を超えると、第２処理槽１０Ｂから導出されるリンス液が、導出管２４Ｂ（分岐管２４Ｂ′）を通じて第１タンク２０Ａに送液される。また、各タンク２０Ａ，２０Ｂに対して新液供給管３９を通じて新液が導入される。これにより各処理槽１０Ａ，１０Ｂに対して循環されるリンス液の機能回復が図られることとなる。すなわち、この実施形態では、前記コントローラ４０が本発明に係る供給量制御手段および入替制御手段に相当する。
【００５９】
以上のような第３の実施形態の装置によると、基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいる場合には、基板Ｓの搬送速度を一定速度だけ上げ、これにより基板Ｓに対するリンス液の供給量を抑え、逆に、基板Ｓの洗浄が充分に進行していない場合には、基板Ｓの搬送速度を一定速度だけ下げ、これにより基板Ｓに対するリンス液の供給量を増量するので、第１の実施形態と同様に、基板Ｓの処理状況に応じた必要充分なリンス液を基板Ｓに供給しながら洗浄処理を行うことができ、従って、リンス液の無駄な消費を抑えて、経済的に基板Ｓを処理することができる。また、このように基板Ｓの洗浄処理の進行度合に応じて基板Ｓの搬送速度を上げるので、常に一定速度で基板Ｓを搬送しながら洗浄処理を施す場合に比べるとスループットを向上させることが可能になるという利点もある。
【００６０】
なお、以上説明した第１〜第３の実施形態に係る基板処理装置は、本発明に係る基板処理装置の好ましい実施形態の一例であって、その具体的な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００６１】
例えば、実施形態では、基板Ｓから流下するリンス液を液受け部１７で受けながらｐＨ計本体１８に案内するようにｐＨ測定装置１６が構成されているが、勿論、液受け部１７を省略し、基板Ｓから流下するリンス液を直接このｐＨ計本体１８で受けてｐＨを測定するようにしてもよい。要は、基板Ｓから流下するリンス液のｐＨ値を、当該リンス液が処理槽１０Ａ〜１０Ｃの底部に到達する前に測定できればよい。但し、上記実施形態のようなｐＨ測定装置１６を用いた場合には、リンス液が基板Ｓに沿って疎らに流下した場合でも確実にリンス液をｐＨ計本体１８に触れさせることが可能となるため、より確実にｐＨ値を測定することが可能となる。
【００６２】
なお、実施形態では、リンス液の劣化度合に基づき基板Ｓの処理状況を把握するものであって、リンス液の劣化度合を上記の通りリンス液のｐＨ値の測定により検知しているが、勿論、リンス液の劣化度合に関連づけられる物理量であればｐＨ値以外の物理量を検出するようにしてもよい。例えば、リンス液の比抵抗値や導電率を測定するようにしてもよい。
【００６３】
また、第１の実施形態では、第１処理槽１０ＡのｐＨ値の測定結果に基づいて、当該第１処理槽１０Ａでの基板Ｓに対するリンス液の供給量を制御する構成となっているが、例えば第１処理槽１０Ａではリンス液の供給量の制御を行うことなく、あるいは第１処理槽１０Ａにおけるリンス液の供給量の制御と併せて、第１処理槽１０ＡのｐＨ値の測定結果に基づいて下流側の処理槽１０Ｂ，１０Ｃでの基板Ｓに対するリンス液の供給量を制御するようにしてもよい。具体的には、第１処理槽１０Ａにおいて、基板Ｓの洗浄が予定以上に進んでいると判断される場合（ｐＨの測定値が基準値に対して一定レベル以上低い場合）には、処理槽１０Ｂ，１０Ｃでの基板Ｓに対するリンス液の供給量を減量補正する、あるいは処理槽１０Ｂ，１０Ｃの何れか一方の処理を省略する（つまり、リンス液を供給することなく単に通過させる）ようにしてもよい。要するに、上流側処理槽でのリンス液のｐＨ値の測定結果に基づき、下流側処理槽のリンス液の供給量等を制御するようにしてもよい。この点は、第２、第３の実施形態についても同じである。
【００６４】
また、実施形態は、基板Ｓを搬送しながらその上面にリンス液を供給するタイプの基板処理装置に本発明を適用した例であるが、勿論、静止させた状態で基板Ｓにリンス液を供給して洗浄処理を行い、終了後、基板Ｓを下流側に搬送するタイプの基板処理装置についても本発明は適用可能である。この場合には、基板Ｓから流下するリンス液のｐＨ値をｐＨ測定装置で測定し、この測定値が、基板Ｓの洗浄が完了したと認められる一定のレベルまで低下した時点でリンス液の供給を停止して基板Ｓを搬出するようにすればよい。これによれば、リンス液の消費量、および基板Ｓの停止時間を必要最小限度に抑えることができるため、経済的に、かつ効率的に基板Ｓの洗浄処理を行うことが可能となる。特に、第３処理槽１０Ｃに関してこのような処理を進めるようにすれば、洗浄処理が不十分なまま基板Ｓが下流側に搬出されるといった不都合を未然に回避することができ、これにより洗浄処理の確実性を高めることができるという利点がある。
【００６５】
また、洗浄処理の進行の度合に応じて基板Ｓに対するリンス液の供給量を増減するために、第１，第２の実施形態では、リンス液の単位時間当たりの供給量を制御し、また、第３の実施形態では、基板Ｓの搬送速度（基板Ｓの処理時間）を制御する構成となっているが、勿論、シャワーノズル１４からのリンス液の吐出量と基板Ｓの搬送速度の双方を制御することにより、基板Ｓに対するリンス液の供給量を増減させるようにしてもよい。
【００６６】
また、実施形態では、本発明の適用例として、エッチング処理後の基板Ｓに対して洗浄処理を施す基板処理装置について説明したが、例えばレジスト皮膜の剥離処理後の基板Ｓを洗浄する装置についても本発明は適用可能である。また、このように基板Ｓに沿ってリンス液を流下させながら洗浄処理を施すもの以外に、基板Ｓに沿って薬液を流下させながら薬液処理を行うものについても本発明は適用可能である。また、実施形態のように、傾斜姿勢の基板Ｓに処理液（リンス液）を供給しながら処理を行う以外に、水平姿勢、あるいは垂直姿勢の基板Ｓに処理液を供給しながら処理を施すものについても本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に係る基板処理装置（第１の実施形態）を示す模式図である。
【図２】各処理槽における基板とｐＨ測定装置との位置関係、およびｐＨ測定装置の構成を示す処理槽の内部側面図である。
【図３】本発明に係る基板処理装置（第２の実施形態）を示す模式図である。
【図４】本発明に係る基板処理装置（第３の実施形態）を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０Ａ 第１処理槽
１０Ｂ 第２処理槽
１０Ｃ 第３処理槽
２０Ａ 第１タンク
２０Ｂ 第２タンク
２０Ｃ 第３タンク
１２ 搬送ローラ
１４ シャワーノズル
１６ ｐＨ測定装置
１７ 液受け部
１８，３６ ｐＨ計本体
２２ 供給用配管
４０ コントローラ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル部材により基板の表面に処理液を供給し、所定の処理を基板に施す処理槽を有する基板処理装置において、
前記基板の表面から流下する処理液を、当該処理液が前記処理槽の底部に到達する前に受けて、その劣化状態に関連づけられた所定の物理量を測定する測定手段を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
処理中に前記基板を傾斜姿勢で支持する支持手段を有し、前記測定手段は、前記支持手段に支持された基板の低位側の端縁の下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板処理装置において、
前記測定手段は、処理液に接触して前記物理量を測定する測定部と、基板から流下する処理液を受けて前記測定部に案内する案内部とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記物理量の測定結果に基づいて基板に供給する処理液の供給量を制御する供給量制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて単位時間当たりの処理液の供給量を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて基板に対する処理液の供給時間を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
基板を搬送しながら当該基板に対して処理液を供給するものであって、前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて基板の搬送速度を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項４乃至７の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記測定手段を第１測定手段としたときに、これとは別に、基板に供給される前の処理液に関する前記物理量を測定する第２測定手段をさらに備え、前記供給量制御手段は、これら第１，第２測定手段による測定結果の差に基づき前記供給量を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収された処理液を再度前記処理槽での処理に用いる処理液の循環系統と、当該循環系統内を循環する処理液のうち使用後に回収される処理液を当該循環系統から排液する排液手段と、当該循環系統内に新たな処理液を導入する新液導入手段と、前記測定手段による測定結果に基づいて前記排液手段および新液導入手段を制御することにより前記循環系統内の処理液の入替えを行う入替制御手段とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項４乃至７の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記処理槽として、第１処理槽とこの第１処理槽で処理を終えた基板に前記第１処理槽と同一種類の処理液を用いて基板を処理する第２処理槽とを備えるとともに、前記第２処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収される処理液を前記第１処理槽での処理に用いる処理液の供給系統を有し、前記第１処理槽に前記測定手段が配備され、前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて第１処理槽での基板に対する処理液の供給量および第２処理槽での基板に対する処理液の供給量の少なくとも一方を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
ノズル部材により基板の表面に処理液を供給し、所定の処理を基板に施す処理槽を有する基板処理装置において、
前記基板の表面から流下する処理液を、当該処理液が前記処理槽の底部に到達する前に受けて、その劣化状態に関連づけられた所定の物理量を測定する測定手段を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
処理中に前記基板を傾斜姿勢で支持する支持手段を有し、前記測定手段は、前記支持手段に支持された基板の低位側の端縁の下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板処理装置において、
前記測定手段は、処理液に接触して前記物理量を測定する測定部と、基板から流下する処理液を受けて前記測定部に案内する案内部とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記物理量の測定結果に基づいて基板に供給する処理液の供給量を制御する供給量制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて単位時間当たりの処理液の供給量を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて基板に対する処理液の供給時間を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
基板を搬送しながら当該基板に対して処理液を供給するものであって、前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて基板の搬送速度を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項４乃至７の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記測定手段を第１測定手段としたときに、これとは別に、基板に供給される前の処理液に関する前記物理量を測定する第２測定手段をさらに備え、前記供給量制御手段は、これら第１，第２測定手段による測定結果の差に基づき前記供給量を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収された処理液を再度前記処理槽での処理に用いる処理液の循環系統と、当該循環系統内を循環する処理液のうち使用後に回収される処理液を当該循環系統から排液する排液手段と、当該循環系統内に新たな処理液を導入する新液導入手段と、前記測定手段による測定結果に基づいて前記排液手段および新液導入手段を制御することにより前記循環系統内の処理液の入替えを行う入替制御手段とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項４乃至７の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記処理槽として、第１処理槽とこの第１処理槽で処理を終えた基板に前記第１処理槽と同一種類の処理液を用いて基板を処理する第２処理槽とを備えるとともに、前記第２処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収される処理液を前記第１処理槽での処理に用いる処理液の供給系統を有し、前記第１処理槽に前記測定手段が配備され、前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて第１処理槽での基板に対する処理液の供給量および第２処理槽での基板に対する処理液の供給量の少なくとも一方を制御することを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００９−４７２８（Ｐ２００９−４７２８Ａ）
【公開日】平成２１年１月８日（２００９．１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３０１７８５（Ｐ２００７−３０１７８５）
【出願日】平成１９年１１月２１日（２００７．１１．２１）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１月８日（２００９．１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月２１日（２００７．１１．２１）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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